JPH02278809A - 半導体ウェハ - Google Patents
半導体ウェハInfo
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- JPH02278809A JPH02278809A JP1102200A JP10220089A JPH02278809A JP H02278809 A JPH02278809 A JP H02278809A JP 1102200 A JP1102200 A JP 1102200A JP 10220089 A JP10220089 A JP 10220089A JP H02278809 A JPH02278809 A JP H02278809A
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- JP
- Japan
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- wafer
- semiconductor wafer
- identification code
- orientation flat
- identification marks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
- H10W46/101—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification characterised by the type of information, e.g. logos or symbols
- H10W46/106—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification characterised by the type of information, e.g. logos or symbols digital information, e.g. bar codes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体ウェハに適用して有効な技術に関する
もので、例えば１品名、ロット番号、ウェハ番号等が必
要とされる半導体ウェハに利用して有効な技術に関する
ものである。
もので、例えば１品名、ロット番号、ウェハ番号等が必
要とされる半導体ウェハに利用して有効な技術に関する
ものである。
［従来の技術］
半導体製品の工程管理や不良解析等においては、その履
歴解析のデータとして品名、ロット番号、ウェハ番号等
が必要とされる。
歴解析のデータとして品名、ロット番号、ウェハ番号等
が必要とされる。
この品名、ロット番号等が付された半導体ウェハについ
ては、例えば、実用新案出顕公開昭６２−５６３３号に
記載されている。
ては、例えば、実用新案出顕公開昭６２−５６３３号に
記載されている。
この半導体ウェハにおいては１品名、ロット番号等に対
応する識別符号は、ウェハ表面または裏面の周縁部に英
数字、文字、バーコード等で表示されている。これら識
別符号はインクやレーザー加工やレジストパターン加工
等により刻印または印刷若しくは手書きしてあり、目視
または自動読み取りにより判読されるようになっている
。
応する識別符号は、ウェハ表面または裏面の周縁部に英
数字、文字、バーコード等で表示されている。これら識
別符号はインクやレーザー加工やレジストパターン加工
等により刻印または印刷若しくは手書きしてあり、目視
または自動読み取りにより判読されるようになっている
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記半導体ウェハにおいては以下の問題
点がある。
点がある。
すなわち、半導体の加工プロセスにおけるエツチング処
理の繰返しや一定の厚さに保つための裏面研削等の処理
によって印刷した識別符号が消えてしまい、判読できな
くなるといった問題点がある。また、この印刷または刻
印若しくは手書きされた識別符号が運良く消えずに残っ
ていた場合においても、アルミニウム蒸着により被膜さ
れた際には、その残された識別符号が全く見えなくなっ
てしまい判読不能となるので、再度識別符号を付さなけ
ればならないといった問題点もある。
理の繰返しや一定の厚さに保つための裏面研削等の処理
によって印刷した識別符号が消えてしまい、判読できな
くなるといった問題点がある。また、この印刷または刻
印若しくは手書きされた識別符号が運良く消えずに残っ
ていた場合においても、アルミニウム蒸着により被膜さ
れた際には、その残された識別符号が全く見えなくなっ
てしまい判読不能となるので、再度識別符号を付さなけ
ればならないといった問題点もある。
また、この識別符号を設けていると、該部位には回路素
子等を形成できないので、チップの有効面績が小さくな
ってしまうといった問題点もある。
子等を形成できないので、チップの有効面績が小さくな
ってしまうといった問題点もある。
本発明は係る問題点に鑑みなされたものであって１品名
、ロット番号、ウェハ番号等の識別符号によるチップ有
効面積の減少が防止されると共に。
、ロット番号、ウェハ番号等の識別符号によるチップ有
効面積の減少が防止されると共に。
製造プロセスにおける種々の処理の繰返し後の該識別符
号の判読が可能な半導体ウェハを提供することを目的と
している。
号の判読が可能な半導体ウェハを提供することを目的と
している。
［課題を解決するための手段］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。
を説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体ウェハの品名、ロット番号。
ウェハ番号等の少なくとも一つ以上の事項に対応する識
別符号を、該半導体ウェハの側面に付すようにしたもの
である。
別符号を、該半導体ウェハの側面に付すようにしたもの
である。
［作用］
上記した手段によれば、半導体ウェハの品名、ロット番
号、ウェハ番号等の少なくとも一つ以上の事項に対応す
る識別符号を、該半導体ウェハの側面に付すようにした
ので、ウェハの側面には回路素子等が形成されず、しか
もウェハの側面を加工する工程はないという作用により
、識別符号によるチップ有効面積の減少を防止すると共
に、製造プロセスにおける種々の処理の繰返し後の該識
別符号の判読を可能にするという上記目的が達成される
ことになる。
号、ウェハ番号等の少なくとも一つ以上の事項に対応す
る識別符号を、該半導体ウェハの側面に付すようにした
ので、ウェハの側面には回路素子等が形成されず、しか
もウェハの側面を加工する工程はないという作用により
、識別符号によるチップ有効面積の減少を防止すると共
に、製造プロセスにおける種々の処理の繰返し後の該識
別符号の判読を可能にするという上記目的が達成される
ことになる。
〔実施例］
以下１本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図には本発明に係る半導体ウェハの実施例の正面図
が、第２図には第１図の上面図がそれぞれ示されている
。
が、第２図には第１図の上面図がそれぞれ示されている
。
第１図、第２図において、符号１は半導体ウェハを示し
ており１本実施例においては、５インチウェハ（直径約
４２．５ｍｍ、厚さ約０．５５ｍｍ）を用いている。こ
の半導体ウェハ１は円板状をなしており、その側面２の
一部には弦に沿って切り欠いたオリエンテーションフラ
ット部（以下単にオリフラ部と記す）２ａが形成されて
いる。
ており１本実施例においては、５インチウェハ（直径約
４２．５ｍｍ、厚さ約０．５５ｍｍ）を用いている。こ
の半導体ウェハ１は円板状をなしており、その側面２の
一部には弦に沿って切り欠いたオリエンテーションフラ
ット部（以下単にオリフラ部と記す）２ａが形成されて
いる。
ここで、本実施例の半導体ウェハ１にあっては。
このオリフラ部２ａに品名、ロット番号、ウェハ番号全
てに対応する識別符号３が付されている。
てに対応する識別符号３が付されている。
この識別符号３は、第３図に拡大して示されるように凹
凸により形成されている。
凸により形成されている。
この識別符号３は、その切り込み深さを一定とし、その
凹凸の幅を変えることによって品名、ロット番号、ウェ
ハ番号を符号化したもので、本実施例においては、ＪＩ
Ｓバーコード規格に準じて付されており自動読取り可能
となっている。しかしながら、この識別符号３はＪＩＳ
バーコード規格に準じて付されなくても良く、一定の規
則性を持って付されていれば、すなわち英数字、文字等
に置換することが可能であれば良い。
凹凸の幅を変えることによって品名、ロット番号、ウェ
ハ番号を符号化したもので、本実施例においては、ＪＩ
Ｓバーコード規格に準じて付されており自動読取り可能
となっている。しかしながら、この識別符号３はＪＩＳ
バーコード規格に準じて付されなくても良く、一定の規
則性を持って付されていれば、すなわち英数字、文字等
に置換することが可能であれば良い。
なお、第１図における識別符号３の黒く塗りつぶされて
いる部分は、凸部により影となっている四部である。
いる部分は、凸部により影となっている四部である。
このように、本実施例においては、識別符号３を、該半
導体ウェハ１の側面２の一部をなすオリフラ部２ａに付
すようにしているので、該オリフラ部２ａには回路素子
等が形成されないという作用により、識別符号３による
チップ有効面積の減少を防止することが可能となってい
る。
導体ウェハ１の側面２の一部をなすオリフラ部２ａに付
すようにしているので、該オリフラ部２ａには回路素子
等が形成されないという作用により、識別符号３による
チップ有効面積の減少を防止することが可能となってい
る。
上記識別符号３は市販されている結晶半導体ウェハ１を
購入後直ちに、レーザーマーカーと称される装置による
レーザー加工、ダイヤモンドカッタによる研削加工、タ
イトラーと称される装置によるレジスト加工等により付
される（切り込みが形成される）ようになっている、こ
の切り込み深さは自動読取り（その方法については後述
）が可能な１００〜２００μｍ程度となっており（数十
μｍ程度でも可能と考えられる）、後述する周知のオリ
フラ部２ａの初期方向合わせ（ブリフラインメント）や
位置合わせを行なう際に支承をきたさない範囲の値とな
っている。
購入後直ちに、レーザーマーカーと称される装置による
レーザー加工、ダイヤモンドカッタによる研削加工、タ
イトラーと称される装置によるレジスト加工等により付
される（切り込みが形成される）ようになっている、こ
の切り込み深さは自動読取り（その方法については後述
）が可能な１００〜２００μｍ程度となっており（数十
μｍ程度でも可能と考えられる）、後述する周知のオリ
フラ部２ａの初期方向合わせ（ブリフラインメント）や
位置合わせを行なう際に支承をきたさない範囲の値とな
っている。
このように識別符号３が付された半導体ウェハ１は、以
後行なわれる拡散、フォトレジスト等の加工処理工程に
先ず投入される。
後行なわれる拡散、フォトレジスト等の加工処理工程に
先ず投入される。
この加工処理工程においては、上述のオリフラ部２ａの
初期方向合わせ（プリアラインメント）が先ず行なわれ
る。この初期方向合すせはオリフラ部２ａに互いに逆方
向に回転するローラーを当接させることにより行なわれ
るものなので、識別符号３の切り込み深さは該ローラー
を回転させるのに支承ない上述の１００〜２００μｍ程
度が妥当であると考えられる。
初期方向合わせ（プリアラインメント）が先ず行なわれ
る。この初期方向合すせはオリフラ部２ａに互いに逆方
向に回転するローラーを当接させることにより行なわれ
るものなので、識別符号３の切り込み深さは該ローラー
を回転させるのに支承ない上述の１００〜２００μｍ程
度が妥当であると考えられる。
この加工処理工程が終わったら、該半導体ウェハ１は、
検査工程、アルミニウム被膜工程、プローブ検査（良否
判定）工程に投入される。上記加工処理工程及びこれら
の工程においては、該半導体ウェハ１の画面（オリフラ
部２ａを勿論含む）２を加工処理することは全くないの
で、上記各プロセスにおける種々の処理の繰返し後にお
いても該識別符号３を判読することが可能となっている
。
検査工程、アルミニウム被膜工程、プローブ検査（良否
判定）工程に投入される。上記加工処理工程及びこれら
の工程においては、該半導体ウェハ１の画面（オリフラ
部２ａを勿論含む）２を加工処理することは全くないの
で、上記各プロセスにおける種々の処理の繰返し後にお
いても該識別符号３を判読することが可能となっている
。
この識別符号３の自動読取りは凹凸の読取りであるので
非常に容易であり、周知のレーザー走査による反射光を
フォトディテクタにより読み取る装置や、ラインセンサ
でその反射光を一度に読み取る装置等により簡単になさ
れようになっている。
非常に容易であり、周知のレーザー走査による反射光を
フォトディテクタにより読み取る装置や、ラインセンサ
でその反射光を一度に読み取る装置等により簡単になさ
れようになっている。
そして上記自動読取り装置は、初期方向合わせ等により
位置決めされるオリフラ部２ａの位置（上記何れの工程
においてもオリフラ部２ａがどこの位置に来るか決まっ
ている）の対向位置に予め配置されており、該半導体ウ
ェハ１が送り込まれてきたら、自動的に識別符号３を読
み取れるようになっている。
位置決めされるオリフラ部２ａの位置（上記何れの工程
においてもオリフラ部２ａがどこの位置に来るか決まっ
ている）の対向位置に予め配置されており、該半導体ウ
ェハ１が送り込まれてきたら、自動的に識別符号３を読
み取れるようになっている。
このように、本実施例においては、識別符号３の付され
ているオリフラ部２ａを自動的に位置決めできるように
なっていると共に、その簡易なる構成の自動読取り装置
を固定配置できるようになっており、しかもこの自動読
取り装置により容易に読み取ることができる識別符号３
を自動的に判読できるようになっているので、製造ライ
ンの自動化を促進でき、しかも自動読取り装置を低コス
トにて提供することが可能になっており、その上、枚葉
処理（−枚一枚処理すること）の自動化も促進され、ウ
ェハ単位のトラッキングによる管理や不良解析の向上が
図られるようになっている。
ているオリフラ部２ａを自動的に位置決めできるように
なっていると共に、その簡易なる構成の自動読取り装置
を固定配置できるようになっており、しかもこの自動読
取り装置により容易に読み取ることができる識別符号３
を自動的に判読できるようになっているので、製造ライ
ンの自動化を促進でき、しかも自動読取り装置を低コス
トにて提供することが可能になっており、その上、枚葉
処理（−枚一枚処理すること）の自動化も促進され、ウ
ェハ単位のトラッキングによる管理や不良解析の向上が
図られるようになっている。
なお、上記実施例においては、品名、ロット番号、ウェ
ハ番号に対応する識別符号全てを半導体ウェハ１の側面
に付すようにしているが、必要ない識別符号を付す必要
はなく、要はウェハの品名。
ハ番号に対応する識別符号全てを半導体ウェハ１の側面
に付すようにしているが、必要ない識別符号を付す必要
はなく、要はウェハの品名。
ロット番号、ウェハ番号等の少なくとも一つ以上の２Ｂ
項に対応する識別符号が付されていれば良い。
項に対応する識別符号が付されていれば良い。
因に、今後の工程管理や不良解析等においては、その履
歴解析のデータ比較をウェハ対応で行なうことが必至と
なるので、少なくともウェハ番号に対応する識別符号を
付すことは必要であると考えられる。
歴解析のデータ比較をウェハ対応で行なうことが必至と
なるので、少なくともウェハ番号に対応する識別符号を
付すことは必要であると考えられる。
このように構成される半導体ウェハによれば次のような
効果を得ることができる。
効果を得ることができる。
すなわち、半導体ウェハ１の品名、ロット番号。
ウェハ番号等の少なくとも一つ以上の事項に対応する識
別符号を、該半導体ウェハｌの側面をなすオリフラ部２
ａに付すようにしたので、ウェハ１の側面をなすオリフ
ラ部２ａには回路素子等が形成されず、しかもウェハ１
の側面をなすオリフラ部２ａを加工する工程はないとい
う作用により、識別符号３によるチップ有効面積の減少
が防止されると共に、製造プロセスにおける種々の処理
の繰返し後の該識別符号３の判読が可能になる。
別符号を、該半導体ウェハｌの側面をなすオリフラ部２
ａに付すようにしたので、ウェハ１の側面をなすオリフ
ラ部２ａには回路素子等が形成されず、しかもウェハ１
の側面をなすオリフラ部２ａを加工する工程はないとい
う作用により、識別符号３によるチップ有効面積の減少
が防止されると共に、製造プロセスにおける種々の処理
の繰返し後の該識別符号３の判読が可能になる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、上記実施例においては、識別符号３を、該半導
体ウェハ１の側面２の一部をなすオリフラ部２ａに付す
ようにしているが、オリフラ部２ａではない側面２も回
路素子等が形成されず、加工が施されることはないので
、この側面２の部位に識別符号３を付すことも可能であ
る。
体ウェハ１の側面２の一部をなすオリフラ部２ａに付す
ようにしているが、オリフラ部２ａではない側面２も回
路素子等が形成されず、加工が施されることはないので
、この側面２の部位に識別符号３を付すことも可能であ
る。
また、上記実施例おいては、識別符号３を切欠きによる
凹凸としているが、該識別符号は、インクやレーザー加
工やレジストパターン加工等により刻印または印刷若し
くは手書きされた英数字、文字、バーコード等でも良い
、また、これら識別符号の読取りを自動ではなく目視に
より読み取るようにすることも可能である。
凹凸としているが、該識別符号は、インクやレーザー加
工やレジストパターン加工等により刻印または印刷若し
くは手書きされた英数字、文字、バーコード等でも良い
、また、これら識別符号の読取りを自動ではなく目視に
より読み取るようにすることも可能である。
また、上記実施例においては１品名、ロット番号、ウェ
ハ番号に対応する識別符号を付すようにしているが、品
名、ロット番号、ウェハ番号それ自体をそのまま付すこ
とも勿論可能である。
ハ番号に対応する識別符号を付すようにしているが、品
名、ロット番号、ウェハ番号それ自体をそのまま付すこ
とも勿論可能である。
なお、本実施例は、レーザーダイオード等に使用される
四角平板状のガリウムーヒ素ウェハに対しても同様に適
用できるというのはいうまでもない。
四角平板状のガリウムーヒ素ウェハに対しても同様に適
用できるというのはいうまでもない。
［発明の効果］
氷原において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
すなわち、半導体ウェハの品名、ロット番号。
ウェハ番号等の少なくとも一つ以上の事項に対応する識
別符号を、該半導体ウェハの側面に付すようにしたので
、ウェハの側面には回路素子等が形成されず、しかもウ
ェハの側面を加工する工程はないということから、識別
符号によるチップ有効面積の減少が防止されると共に、
製造プロセスにおける種々の処理の繰返し後の該識別符
号の判読が可能になる。
別符号を、該半導体ウェハの側面に付すようにしたので
、ウェハの側面には回路素子等が形成されず、しかもウ
ェハの側面を加工する工程はないということから、識別
符号によるチップ有効面積の減少が防止されると共に、
製造プロセスにおける種々の処理の繰返し後の該識別符
号の判読が可能になる。
第１図は本発明に係る半導体ウェハの実施例の正面図、
第２図は第１図の上面図、
第３図はオリエンテーションフラット部の拡大斜視図で
ある。 １・・・・半導体ウェハ、２・・・・半導体ウェハの側
面、３・・・・識別符号。
ある。 １・・・・半導体ウェハ、２・・・・半導体ウェハの側
面、３・・・・識別符号。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハの品名、ロット番号、ウェハ番号等の
少なくとも一つ以上の事項に対応する識別符号を、該半
導体ウェハの側面に付したことを特徴とする半導体ウェ
ハ。 ２、前記識別符号は半導体ウェハのオリエンテーシヨン
フラット部に付してあることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体ウェハ。 ３、前記識別符号は自動読み取り可能な凹凸符号である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載の半導体ウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1102200A JPH02278809A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体ウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1102200A JPH02278809A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体ウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278809A true JPH02278809A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14321022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1102200A Pending JPH02278809A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体ウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278809A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06232016A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-08-19 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体集積回路の形成方法と前記方法により形成されたウェーハ |
| US5894172A (en) * | 1996-05-27 | 1999-04-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with identification function |
| JP2001196280A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-07-19 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウエハのマーキング方法 |
| JP2009064801A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1102200A patent/JPH02278809A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06232016A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-08-19 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体集積回路の形成方法と前記方法により形成されたウェーハ |
| US5894172A (en) * | 1996-05-27 | 1999-04-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with identification function |
| JP2001196280A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-07-19 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウエハのマーキング方法 |
| JP2009064801A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ |
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