JPH022185A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JPH022185A JPH022185A JP63145926A JP14592688A JPH022185A JP H022185 A JPH022185 A JP H022185A JP 63145926 A JP63145926 A JP 63145926A JP 14592688 A JP14592688 A JP 14592688A JP H022185 A JPH022185 A JP H022185A
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- JP
- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＰＮ接合部で光を電気信号に変換して光を検
出する半導体受光素子に関する。
出する半導体受光素子に関する。
第３図は従来の半導体受光素子の一例を示す。
ｐ型基板１上にｎ型エピタキ／ヤル層４を成長させ、該
ｎ型エピタキシャル層４に一端がｐ型アインレーンヨン
拡散層５に接続するｐ型拡散層６を設け、ｎ型エピタキ
／ヤル層４にｎ＋拡散層７を設け、該ｎ＋拡散層７とｐ
型拡散層５，６にそれぞれオーミンクコンタクトな電極
８，９を設け、該電圧８，９にＰＮ接合が逆バイアスに
なるように電圧を印加り、ＰＮ接合部（図において斜線
を施した部分）の光電変換による逆方向電流の変化を観
測して光を検出する。
ｎ型エピタキシャル層４に一端がｐ型アインレーンヨン
拡散層５に接続するｐ型拡散層６を設け、ｎ型エピタキ
／ヤル層４にｎ＋拡散層７を設け、該ｎ＋拡散層７とｐ
型拡散層５，６にそれぞれオーミンクコンタクトな電極
８，９を設け、該電圧８，９にＰＮ接合が逆バイアスに
なるように電圧を印加り、ＰＮ接合部（図において斜線
を施した部分）の光電変換による逆方向電流の変化を観
測して光を検出する。
従来の上記のような構造の半導体受光素子では、上部か
らの入射光に対して有効なＰＮ接合部は、ｐ型拡散層６
．ｐ型基板Ｉと。型エビ、！ヤ、ヤ、。
らの入射光に対して有効なＰＮ接合部は、ｐ型拡散層６
．ｐ型基板Ｉと。型エビ、！ヤ、ヤ、。
層４が形成する２つのＭなる面のみで、光電変換効率が
余９よくないという問題力あった。
余９よくないという問題力あった。
本発明は上記の問題に鑑みてなされたもので、光電変換
効率のよりよいものを提供すること全目的とする。
効率のよりよいものを提供すること全目的とする。
本発明の半導体受光素子は、ｐ型基板上にｎ型埋込層を
設け、該ｎ型埋込層上に隣接してｐ型埋込層全役けた後
、従来のものと同様に、表面にｎ型エピタキソヤル層を
成長させ、該ｎ型エビタキ／ヤル層に一端がｐ型アイソ
レーション拡散層に接続するｐ型拡散層を設け、上部か
らの入射光に対して有効なＰＮ接合部の面が２つ以上重
なる構造：こしたものである。
設け、該ｎ型埋込層上に隣接してｐ型埋込層全役けた後
、従来のものと同様に、表面にｎ型エピタキソヤル層を
成長させ、該ｎ型エビタキ／ヤル層に一端がｐ型アイソ
レーション拡散層に接続するｐ型拡散層を設け、上部か
らの入射光に対して有効なＰＮ接合部の面が２つ以上重
なる構造：こしたものである。
第１図は本発明の一実施例を示す。
ｐ型基板１上にｎ型埋込層２を設け、該ｎ型埋込層２上
に隣接してｎ型埋込層３を設け、表面ｌζ。型エビタキ
／ヤル層４を成長させ、ｐ型アイソレーション拡散層５
をｎ型埋込層３の一端に接続しｐ型基板１に達する構造
に設け、ｎ型エビタキ／ヤル層・１に一端がｐ型アイン
レー／ヨン拡散層５に接続するｐ型拡散層６を設け、ｎ
型エビタキャル層４に設けたｎ＋拡散層７とｐ型拡散層
５，６にそれぞれオーミックコンタクトな電極８，９を
設ける。
に隣接してｎ型埋込層３を設け、表面ｌζ。型エビタキ
／ヤル層４を成長させ、ｐ型アイソレーション拡散層５
をｎ型埋込層３の一端に接続しｐ型基板１に達する構造
に設け、ｎ型エビタキ／ヤル層・１に一端がｐ型アイン
レー／ヨン拡散層５に接続するｐ型拡散層６を設け、ｎ
型エビタキャル層４に設けたｎ＋拡散層７とｐ型拡散層
５，６にそれぞれオーミックコンタクトな電極８，９を
設ける。
上部からの入射光に対し有効なＰＮ接合部の面が４つ重
なり、従来のものに比べ、有効なＰＮ接合部の面積が増
え、光電変換効率がよくなる。
なり、従来のものに比べ、有効なＰＮ接合部の面積が増
え、光電変換効率がよくなる。
第２図は第１図に示すものに類似の基板から遊離させた
ものを示す。
ものを示す。
ｎ型埋込層３及びｐ型拡散層６をｐ型アインレーンヨン
拡散層５から遊離させ、ｎ型埋込層３とｐ型拡散層６を
ｐ散拡散層５ａ（ｐ型アイソレーション拡散層５の拡散
工程で形成する）で接続したものでちる。
拡散層５から遊離させ、ｎ型埋込層３とｐ型拡散層６を
ｐ散拡散層５ａ（ｐ型アイソレーション拡散層５の拡散
工程で形成する）で接続したものでちる。
上部からの入射光に対し有効なＰＮ接合部の面が３つに
なる。
なる。
以上説明したように、本発明によれば、上部からの入射
光に対し有効なＰＮ接合部の面が３つ以上重なり、従来
のものより光電変換効率が上り、素子の小型化が計れる
という効果がある。
光に対し有効なＰＮ接合部の面が３つ以上重なり、従来
のものより光電変換効率が上り、素子の小型化が計れる
という効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図、第２図は第１
図に示すものに類似の基板から遊離させたものを示す模
式図、第３図は従来の半導体受光素子の一例を示す模式
図である。 １・・・ｐ型基板、２・・・ｎ型埋込層、３・・・ｐ型
埋込層、４・・・ｎ型エピタキシャル層、５・・・ｐ型
アインレーゾヨン拡散層、６・・・ｐ型拡散層、７・・
・ｎ拡散層、８，９・・・電極。 なお図中同一符号は同一または相当する部分を示す。 ｐ型アイソレーション拡散層 特許出願人 新日本無線株式会社 第２図
図に示すものに類似の基板から遊離させたものを示す模
式図、第３図は従来の半導体受光素子の一例を示す模式
図である。 １・・・ｐ型基板、２・・・ｎ型埋込層、３・・・ｐ型
埋込層、４・・・ｎ型エピタキシャル層、５・・・ｐ型
アインレーゾヨン拡散層、６・・・ｐ型拡散層、７・・
・ｎ拡散層、８，９・・・電極。 なお図中同一符号は同一または相当する部分を示す。 ｐ型アイソレーション拡散層 特許出願人 新日本無線株式会社 第２図
Claims (1)
- ＰＮ接合部で光を電気信号に変換して光を検出する半導
体受光素子において、ｐ型基板上にｎ型埋込層を設け、
該ｎ型埋込層上に隣接してｐ型埋込層を設け、表面にｎ
型エピタキシャル層を成長させ、該ｎ型エピタキシャル
層に上記ｐ型埋込層の一端に接続し上記ｐ型基板に達す
るｐ型アイソレーション拡散層を設け、上記ｎ型エピタ
キシャル層に一端が上記ｐ型アイソレーション拡散層に
接続するｐ型拡散層を設け、上部からの入射光に対して
有効なＰＮ接合部の面が２つ以上重なる構造にしたこと
を特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145926A JPH022185A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145926A JPH022185A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022185A true JPH022185A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15396273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63145926A Pending JPH022185A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022185A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394887A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Nec Corp | Optical semiconductor device |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP63145926A patent/JPH022185A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394887A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Nec Corp | Optical semiconductor device |
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