JPH02220210A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH02220210A JPH02220210A JP4106789A JP4106789A JPH02220210A JP H02220210 A JPH02220210 A JP H02220210A JP 4106789 A JP4106789 A JP 4106789A JP 4106789 A JP4106789 A JP 4106789A JP H02220210 A JPH02220210 A JP H02220210A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドの製造方法に関し、詳しくはＦＤＤ
装置等に使用される高密度記録用磁気ヘッドの製造方法
に関する。
装置等に使用される高密度記録用磁気ヘッドの製造方法
に関する。
ＦＤＤ装置等に使用される高密度記録用磁気ヘッドには
、シングルギャップを有するＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎ
Ｇａｐ） ヘッドがある。このＭＩＧヘッドは、第８
図及び第９図に示すように強磁性体材料であるＭｎ −
Ｚｎフェライトからなる第１、第２のコア（１）（２）
を高融点ガラス（３）（３）で接合一体化したコアチッ
プ（４）で構成される。このコアチップ（４）の、磁気
ディスクが摺接する頂端面（５）には、トラック幅が異
なる磁気ギャップｇが形成され、その両側方から上記高
融点ガラス（３）（３）で磁気ギャップｇを保護してい
る。この磁気ギャップｇでは、図中矢印で示すように磁
気ディスクの走行に対して先行するリーディング側の第
１のコア（１）のトラック幅（Ｔ１）を、後行するトレ
ーリング側の第２のコア（２）のトラック幅（Ｔｔ）よ
りも大きく設定することにより、漏れ磁束によるフリン
ジング作用を利用し、書込み時と読出し時での磁気ディ
スクに対する磁気ギャップｇの位置決めに誤差が生じて
も確実な情報の読出しを実行し得るようにしている。上
記第１、第２のコア（１）（２）と磁気ギヤ７１５間に
は、高飽和磁束密度を有するセンダスト等の強磁性体金
属薄膜（６）（７）が配設され、これにより磁気ディス
クへの高密度記録を実現している。尚、図示しないが、
上記コアチップ（４）の脚部（８）（９）には所定ター
ン数巻回された絶縁被覆処理の線材が装着されてバック
コアが取付けられ、更にコアチップ（４）の両側方にス
ライダが接着固定される。
、シングルギャップを有するＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎ
Ｇａｐ） ヘッドがある。このＭＩＧヘッドは、第８
図及び第９図に示すように強磁性体材料であるＭｎ −
Ｚｎフェライトからなる第１、第２のコア（１）（２）
を高融点ガラス（３）（３）で接合一体化したコアチッ
プ（４）で構成される。このコアチップ（４）の、磁気
ディスクが摺接する頂端面（５）には、トラック幅が異
なる磁気ギャップｇが形成され、その両側方から上記高
融点ガラス（３）（３）で磁気ギャップｇを保護してい
る。この磁気ギャップｇでは、図中矢印で示すように磁
気ディスクの走行に対して先行するリーディング側の第
１のコア（１）のトラック幅（Ｔ１）を、後行するトレ
ーリング側の第２のコア（２）のトラック幅（Ｔｔ）よ
りも大きく設定することにより、漏れ磁束によるフリン
ジング作用を利用し、書込み時と読出し時での磁気ディ
スクに対する磁気ギャップｇの位置決めに誤差が生じて
も確実な情報の読出しを実行し得るようにしている。上
記第１、第２のコア（１）（２）と磁気ギヤ７１５間に
は、高飽和磁束密度を有するセンダスト等の強磁性体金
属薄膜（６）（７）が配設され、これにより磁気ディス
クへの高密度記録を実現している。尚、図示しないが、
上記コアチップ（４）の脚部（８）（９）には所定ター
ン数巻回された絶縁被覆処理の線材が装着されてバック
コアが取付けられ、更にコアチップ（４）の両側方にス
ライダが接着固定される。
次に上記ＭＩＧヘッドの製造方法の従来例を第１０図乃
至第１４図を参照しながら説明する。
至第１４図を参照しながら説明する。
まず、第１０図に示すように強磁性体材料であるＭｎ
−Ｚｎフェライトからなる略直方体形状の第１、第２の
コアブロック（１０） （１１）を用意する。そして
、上記第１、第２のコアブロック（１０） （１１）
の内側面（１０ａ ） （ｌｌａ ）にその長手方向
に沿って凹溝（１２） （１３）を切削加工する０次
に、第１１図に示すように第１、第２のコアブロック（
１０） （１１）の内側面（１０ａ）（ｌｌａ）にそ
の短手方向に沿って第１、第２のトラック幅（ＴυＣｒ
ｔ＞ （’ｒ＋ ＞’ｒｔ ］を残して複数の第１、第
２のトラック溝（１４）・・・（１５）・・・を同一の
定ピツチで切削加工する。ここで、上記第１、第２のト
ラック溝（１４）・・・（１５）・・・は、第１、第２
のコアブロック（１０） （１１）の内側面（１０ａ
） （１１ａ ）と直交する垂直面（１６）・・・
（１７）・・・を有するストレート形状である。この第
１、第２のトラック溝（１４）・・・（１５）・・・の
形成後、第１２図に示すように第１、第２のコアブロッ
ク（１０） （１１）の内側面（１０ａ ） （ｌ
ｌａ ）に、高飽和磁束密度を有するセンダスト等の強
磁性体金属薄膜（１８） （１９）をスパッタリング
により被着形成する。更に、図示しないが、上記第１、
或いは第２のコアブロック（１０） （１１）の内側
面（１０ａ ） （ｌｌａ ）に、ギャップスペーサ
となるＳｉＯ□等の非磁性体薄膜を被着形成した後、第
１３図に示すように第１、第２のコアブロック（１０）
（１１）を上下逆さにした状態でその内側面（１０
ａ ） （ｌｌａ ）を突合わせて位置決め固定し、
上記第１、第２のコアブロック（１０）（１１）の凹溝
（１２） （１３）内に高融点ガラス棒（２０）を挿
入配置し、この状態で第１、第２のコアブロック（１０
） （１１）ごと６００℃程度で高温加熱して上記高
融点ガラス棒（２０）を溶融させ、第１．第２のトラッ
ク溝（１４）・・・（１５）・・・に高融点ガラス（２
１）・・・を充填して第１、第２のコアブロック（１０
） （１１）を接合一体化する、その後、第１４図に
示すように第１、第２のコアブロック（１０） （１
１）の下部中央及び両側を切削除去して脚部（２２）
（２３）を形成し、第１、第２のトラック溝（１４）
・・・（１５）・・・毎に所定の厚さでスライスして第
８図及び第９図に示すコアチップ（４）を得る。
−Ｚｎフェライトからなる略直方体形状の第１、第２の
コアブロック（１０） （１１）を用意する。そして
、上記第１、第２のコアブロック（１０） （１１）
の内側面（１０ａ ） （ｌｌａ ）にその長手方向
に沿って凹溝（１２） （１３）を切削加工する０次
に、第１１図に示すように第１、第２のコアブロック（
１０） （１１）の内側面（１０ａ）（ｌｌａ）にそ
の短手方向に沿って第１、第２のトラック幅（ＴυＣｒ
ｔ＞ （’ｒ＋ ＞’ｒｔ ］を残して複数の第１、第
２のトラック溝（１４）・・・（１５）・・・を同一の
定ピツチで切削加工する。ここで、上記第１、第２のト
ラック溝（１４）・・・（１５）・・・は、第１、第２
のコアブロック（１０） （１１）の内側面（１０ａ
） （１１ａ ）と直交する垂直面（１６）・・・
（１７）・・・を有するストレート形状である。この第
１、第２のトラック溝（１４）・・・（１５）・・・の
形成後、第１２図に示すように第１、第２のコアブロッ
ク（１０） （１１）の内側面（１０ａ ） （ｌ
ｌａ ）に、高飽和磁束密度を有するセンダスト等の強
磁性体金属薄膜（１８） （１９）をスパッタリング
により被着形成する。更に、図示しないが、上記第１、
或いは第２のコアブロック（１０） （１１）の内側
面（１０ａ ） （ｌｌａ ）に、ギャップスペーサ
となるＳｉＯ□等の非磁性体薄膜を被着形成した後、第
１３図に示すように第１、第２のコアブロック（１０）
（１１）を上下逆さにした状態でその内側面（１０
ａ ） （ｌｌａ ）を突合わせて位置決め固定し、
上記第１、第２のコアブロック（１０）（１１）の凹溝
（１２） （１３）内に高融点ガラス棒（２０）を挿
入配置し、この状態で第１、第２のコアブロック（１０
） （１１）ごと６００℃程度で高温加熱して上記高
融点ガラス棒（２０）を溶融させ、第１．第２のトラッ
ク溝（１４）・・・（１５）・・・に高融点ガラス（２
１）・・・を充填して第１、第２のコアブロック（１０
） （１１）を接合一体化する、その後、第１４図に
示すように第１、第２のコアブロック（１０） （１
１）の下部中央及び両側を切削除去して脚部（２２）
（２３）を形成し、第１、第２のトラック溝（１４）
・・・（１５）・・・毎に所定の厚さでスライスして第
８図及び第９図に示すコアチップ（４）を得る。
ところで、前述したようにＭＩＧヘッドの製造において
、第１、第２のコアブロック（１０）（ＩＩ）での第１
、第２のトラック溝（１４）・・・（１５）・・・が、
第１、第２のコアブロック（１０）（１１）の内側面（
１０ａ ） （ｌｌａ ）と直交する垂直面（１６）
・・・（１７）・・・を有するストレート形状であるた
め、第８図及び第９図に示すＭＩＧヘッドにて磁気ディ
スクに一旦書込んだ情報の上に、新たな情報を書直すオ
ーバーライド時、第９図に示すように磁気ディスクに対
するＭＩＧヘッドの位置決め誤差により古い情報の左右
側いずれかに若干ずれて新しい情報が書込まれることに
なる。そのため、新しい情報の左右いずれか一方に古い
情報の一部が残存し、新しい情報を読出す時に残存した
古い情報がノイズとなり良好なオフトラック特性が得ら
れないという問題があった。
、第１、第２のコアブロック（１０）（ＩＩ）での第１
、第２のトラック溝（１４）・・・（１５）・・・が、
第１、第２のコアブロック（１０）（１１）の内側面（
１０ａ ） （ｌｌａ ）と直交する垂直面（１６）
・・・（１７）・・・を有するストレート形状であるた
め、第８図及び第９図に示すＭＩＧヘッドにて磁気ディ
スクに一旦書込んだ情報の上に、新たな情報を書直すオ
ーバーライド時、第９図に示すように磁気ディスクに対
するＭＩＧヘッドの位置決め誤差により古い情報の左右
側いずれかに若干ずれて新しい情報が書込まれることに
なる。そのため、新しい情報の左右いずれか一方に古い
情報の一部が残存し、新しい情報を読出す時に残存した
古い情報がノイズとなり良好なオフトラック特性が得ら
れないという問題があった。
また、第１、第２のコアブロック（１０） （１１）
を接合一体化するに際し、高融点ガラス（２１）充填す
るために、第１、第２のコアブロック（１０） （１
１）を６００℃程度で高温加熱するので、強磁性体金属
＊ｓ （１８） （１９） カ劣化シ”’ＣＴＩＩ気
特性が大幅に低下すると共に、第１、第２のコアブロッ
ク（１０） （１１）のＭｎ−Ｚｎフェライトに対す
る付着力が大きくないので、上記ガラス溶着時や後工程
での切削加工等の機械加工時に剥離する式もあった。ま
た、第１、第２のコアブロック（１０） （ＩＩＬ強
磁性体金属薄Ｉｆ！ （１８）（１９）及び高融点ガラ
ス（２１）の熱膨張係数が異なるため、高温接合での熱
応力歪により所定のチップ強度を得るための各部材の熱
膨張係数の選定が非常に困難であった。
を接合一体化するに際し、高融点ガラス（２１）充填す
るために、第１、第２のコアブロック（１０） （１
１）を６００℃程度で高温加熱するので、強磁性体金属
＊ｓ （１８） （１９） カ劣化シ”’ＣＴＩＩ気
特性が大幅に低下すると共に、第１、第２のコアブロッ
ク（１０） （１１）のＭｎ−Ｚｎフェライトに対す
る付着力が大きくないので、上記ガラス溶着時や後工程
での切削加工等の機械加工時に剥離する式もあった。ま
た、第１、第２のコアブロック（１０） （ＩＩＬ強
磁性体金属薄Ｉｆ！ （１８）（１９）及び高融点ガラ
ス（２１）の熱膨張係数が異なるため、高温接合での熱
応力歪により所定のチップ強度を得るための各部材の熱
膨張係数の選定が非常に困難であった。
そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案されたもので
、その目的とするところは、オーバーライド時でのオフ
トラック特性を改善し、所定のチップ強度が得られるよ
うにした磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
、その目的とするところは、オーバーライド時でのオフ
トラック特性を改善し、所定のチップ強度が得られるよ
うにした磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段］
本発明における上記目的を達成するための技術的手段は
、強磁性体材料からなる略直方体形状の一対のコアブロ
ックの少なくとも一方の内側面に、その短手方向に沿っ
て所定のトラック幅を残して７字形状を有する複数のト
ラック溝を形成する工程と、少なくとも一方のコアブロ
ックの内側面に、コアブロックに対して付着力の大きい
金属薄膜、高飽和磁束密度を有する強磁性体金属薄膜、
ギャップスペーサとなる非磁性体薄膜を順次積層形成す
る工程と、上記コアブロックの内側面を突合わせて加熱
し、各トラック溝にガラスを充填してコアブロックを接
合一体化する工程とを含む磁気ヘッドの製造方法である
。
、強磁性体材料からなる略直方体形状の一対のコアブロ
ックの少なくとも一方の内側面に、その短手方向に沿っ
て所定のトラック幅を残して７字形状を有する複数のト
ラック溝を形成する工程と、少なくとも一方のコアブロ
ックの内側面に、コアブロックに対して付着力の大きい
金属薄膜、高飽和磁束密度を有する強磁性体金属薄膜、
ギャップスペーサとなる非磁性体薄膜を順次積層形成す
る工程と、上記コアブロックの内側面を突合わせて加熱
し、各トラック溝にガラスを充填してコアブロックを接
合一体化する工程とを含む磁気ヘッドの製造方法である
。
本発明方法では、コアブロックのトラック溝形成工程に
おいて、コアブロックの内側面とトラック溝の傾斜面と
のなす角度を１１０°〜１６０゜にし、また、コアブロ
ックの薄膜形成工程において、コアブロックに対して付
着力の大きい金属ＷＩ膜例えばＣｒの膜厚を１００〜５
００Å、高飽和磁束密度を有する強磁性体金属薄膜の膜
厚を８〜２０−に設定し、更に、熱膨張係数が９５〜１
１５ｘｌＱ−’、、、−１のＭｎ−Ｚｎフェライトから
なるコアブロックの内側面に、Ａｌが３〜７重量％、Ｓ
、ｉが７〜１１重量％で残部がＦｅである組成を主成分
とし、且つ、熱膨張係数が１２０〜１４０Ｘ１０−’ｄ
ｍｓのＦｅ−Ｍ−３ｉセンダストからなる強磁性体金属
薄膜を被着形成し、熱膨張係数が９０〜１１０×ｉｏ−
’ａｓｓ−’で軟化点が４２０〜４４０″Ｃのガラスで
コアブロックを接合一体化することが望ましい。
おいて、コアブロックの内側面とトラック溝の傾斜面と
のなす角度を１１０°〜１６０゜にし、また、コアブロ
ックの薄膜形成工程において、コアブロックに対して付
着力の大きい金属ＷＩ膜例えばＣｒの膜厚を１００〜５
００Å、高飽和磁束密度を有する強磁性体金属薄膜の膜
厚を８〜２０−に設定し、更に、熱膨張係数が９５〜１
１５ｘｌＱ−’、、、−１のＭｎ−Ｚｎフェライトから
なるコアブロックの内側面に、Ａｌが３〜７重量％、Ｓ
、ｉが７〜１１重量％で残部がＦｅである組成を主成分
とし、且つ、熱膨張係数が１２０〜１４０Ｘ１０−’ｄ
ｍｓのＦｅ−Ｍ−３ｉセンダストからなる強磁性体金属
薄膜を被着形成し、熱膨張係数が９０〜１１０×ｉｏ−
’ａｓｓ−’で軟化点が４２０〜４４０″Ｃのガラスで
コアブロックを接合一体化することが望ましい。
本発明方法によれば、コアブロックのトラック溝形成工
程において、コアブロックの内側面とトラック溝の傾斜
面とのなす角度を１１０°〜１６０＠にしたＶ字形状の
トラック溝を形成することによりオーバーライド時での
オフトラック特性を改善する。また、コアブロックの薄
膜形成工程において、コアブロックに対して付着力の大
きい金属薄膜例えばＣｒの膜厚を１００〜５００Å、高
飽和磁束密度を有する強磁性体金属薄膜の膜厚を８〜２
０−に設定し、上記金属薄膜、強磁性体金属薄膜、非磁
性体薄膜を順次積層形成することにより、上記強磁性体
金属薄膜のコアブロックに対する付着力を強化する。更
に、熱膨張係数が９５〜１１５Ｘ１０−’ｎａ、−１の
Ｍｎ −Ｚｎフェライトからなるコアブロックの内側面
に、Ａｌが３〜７重量％、Ｓｉが７〜１１重量％で残部
がＰａである組成を主成分とし、且つ、熱膨張係数が１
２０〜１４０Ｘ１０−’ａｓｓ−’のＦｅ−Ａｌ−３ｉ
センダストからなる強磁性体金属薄膜を被着形成し、熱
膨張係数が９０〜１１０ Ｘ １０− ’ａ＊＊−’で
軟化点が４２０〜４４０℃のガラスでコアブロックを接
合一体化することにより適正な組合せが実現できてチッ
プ強度の向上が図れる。
程において、コアブロックの内側面とトラック溝の傾斜
面とのなす角度を１１０°〜１６０＠にしたＶ字形状の
トラック溝を形成することによりオーバーライド時での
オフトラック特性を改善する。また、コアブロックの薄
膜形成工程において、コアブロックに対して付着力の大
きい金属薄膜例えばＣｒの膜厚を１００〜５００Å、高
飽和磁束密度を有する強磁性体金属薄膜の膜厚を８〜２
０−に設定し、上記金属薄膜、強磁性体金属薄膜、非磁
性体薄膜を順次積層形成することにより、上記強磁性体
金属薄膜のコアブロックに対する付着力を強化する。更
に、熱膨張係数が９５〜１１５Ｘ１０−’ｎａ、−１の
Ｍｎ −Ｚｎフェライトからなるコアブロックの内側面
に、Ａｌが３〜７重量％、Ｓｉが７〜１１重量％で残部
がＰａである組成を主成分とし、且つ、熱膨張係数が１
２０〜１４０Ｘ１０−’ａｓｓ−’のＦｅ−Ａｌ−３ｉ
センダストからなる強磁性体金属薄膜を被着形成し、熱
膨張係数が９０〜１１０ Ｘ １０− ’ａ＊＊−’で
軟化点が４２０〜４４０℃のガラスでコアブロックを接
合一体化することにより適正な組合せが実現できてチッ
プ強度の向上が図れる。
本発明に係る磁気ヘッドの製造方法の一実施例を第１図
乃至第７図を参照しながら説明する。
乃至第７図を参照しながら説明する。
まず、第１図に示すように強磁性体材料であるＭｎ −
Ｚｎフェライトからなる略直方体形状の第１、第２のコ
アブロック（３０） （３１）を用意する。この第１
、第２のコアブロック（３０） （３１）は、熱膨張
係数が９５〜１１５Ｘ１０−’ｍｓ書−１のＭｎ−Ｚｎ
フェライトを使用する。そして、上記第１、第２のコア
ブロック（３０） （３１）の内側面（３０ａ）（３
１ａ）にその長手方向に沿って凹溝（３２）（３３）を
切削加工する０次に、第２図に示すように第１、第２の
コアブロック（３０） （３１）の内側面（３０ａ
） （３１ａ ）にその短手方向に沿って第１、第２
のトラック幅（’ｒ＋） （’ｒｚ）（’ｒ。
Ｚｎフェライトからなる略直方体形状の第１、第２のコ
アブロック（３０） （３１）を用意する。この第１
、第２のコアブロック（３０） （３１）は、熱膨張
係数が９５〜１１５Ｘ１０−’ｍｓ書−１のＭｎ−Ｚｎ
フェライトを使用する。そして、上記第１、第２のコア
ブロック（３０） （３１）の内側面（３０ａ）（３
１ａ）にその長手方向に沿って凹溝（３２）（３３）を
切削加工する０次に、第２図に示すように第１、第２の
コアブロック（３０） （３１）の内側面（３０ａ
） （３１ａ ）にその短手方向に沿って第１、第２
のトラック幅（’ｒ＋） （’ｒｚ）（’ｒ。
〉Ｔ！〕を残してＶ字形状を有する複数の第１、第２の
トラック溝（３４）・・・（３５）・・・を同一の定ピ
ツチで切削加工する。ここで、上記第１、第２のコアブ
ロック（３０） （３１）の内側面（３０ａ）（３１
ａ）と第１、第２のトラック溝（３４）・・・（３５）
・・・の傾斜面（３６）・・・（３７）・・・とのなす
角度θを１１０６〜１６０°に設定し、この角度θは１
３５°が最適値をなす、上記第１、第２のトラック溝（
３４）・・・（３５）・・・の傾斜面（３６）・・・（
３７）・・・の角度θが１１０°以下では、従来の第１
、第２のトラック溝（１４）・・・（１５）・・・のよ
うに第１、第２のコアブロック（１０） （１１）の
内側面（１０ａ ） （ｌｌａ ）と直交する垂直面
（１６） ・・・（１７）・・・を有するストレート形
状に近づくため（第１１図参照）、オーバーライド時で
のオフトラック特性の改善が図れない、また上記角度θ
が１６０°以上では、ＭＩＧヘッドの製造上、第１、第
２のコアブロック（３０） （３１）の内側面（３０
ａ ） （３１ａ ）を研磨加工して第１１第２のト
ラック幅（Ｔ、）（Ｔ２）を所定寸法に制御する際に、
その研磨量によって寸法誤差が大きくなるのでトラック
幅制御が非常に困難なものとなる。尚、上記角度θの設
定は、後述するコアチップのトレーリング側のみでもよ
い。
トラック溝（３４）・・・（３５）・・・を同一の定ピ
ツチで切削加工する。ここで、上記第１、第２のコアブ
ロック（３０） （３１）の内側面（３０ａ）（３１
ａ）と第１、第２のトラック溝（３４）・・・（３５）
・・・の傾斜面（３６）・・・（３７）・・・とのなす
角度θを１１０６〜１６０°に設定し、この角度θは１
３５°が最適値をなす、上記第１、第２のトラック溝（
３４）・・・（３５）・・・の傾斜面（３６）・・・（
３７）・・・の角度θが１１０°以下では、従来の第１
、第２のトラック溝（１４）・・・（１５）・・・のよ
うに第１、第２のコアブロック（１０） （１１）の
内側面（１０ａ ） （ｌｌａ ）と直交する垂直面
（１６） ・・・（１７）・・・を有するストレート形
状に近づくため（第１１図参照）、オーバーライド時で
のオフトラック特性の改善が図れない、また上記角度θ
が１６０°以上では、ＭＩＧヘッドの製造上、第１、第
２のコアブロック（３０） （３１）の内側面（３０
ａ ） （３１ａ ）を研磨加工して第１１第２のト
ラック幅（Ｔ、）（Ｔ２）を所定寸法に制御する際に、
その研磨量によって寸法誤差が大きくなるのでトラック
幅制御が非常に困難なものとなる。尚、上記角度θの設
定は、後述するコアチップのトレーリング側のみでもよ
い。
上記第１、第２のトラック溝（３４）・・・（３５）・
・・の形成後、第３図に示すように第１、第２のコアブ
ロック（３０） （３１）の内側面（３０ａ）（３１
ａ）に、後述するセンダストの強磁性体金属ｆｌｉ１ｗ
Ａの下地として、第１、第２のコアブロック（３０）
（３１）を組成するＭｎ −Ｚｎフェライトに対して
付着力の大きいＣｒの金属薄膜（３８） （３９）を
スパッタリングにより１００〜５００人の膜厚で被着形
成する。ここで、上記金属薄膜（３８）（３９）の膜厚
が１００Å以下であると、第１、第２のコアブロック（
３０） （３１）への密着性が低下し、逆に５００Å
以上になると、金属薄膜（３８）（３９）が疑似ギャッ
プとなって、情報の読出し時、疑似パルスが発生して正
確な情報の記録及び再生が困難となる。
・・の形成後、第３図に示すように第１、第２のコアブ
ロック（３０） （３１）の内側面（３０ａ）（３１
ａ）に、後述するセンダストの強磁性体金属ｆｌｉ１ｗ
Ａの下地として、第１、第２のコアブロック（３０）
（３１）を組成するＭｎ −Ｚｎフェライトに対して
付着力の大きいＣｒの金属薄膜（３８） （３９）を
スパッタリングにより１００〜５００人の膜厚で被着形
成する。ここで、上記金属薄膜（３８）（３９）の膜厚
が１００Å以下であると、第１、第２のコアブロック（
３０） （３１）への密着性が低下し、逆に５００Å
以上になると、金属薄膜（３８）（３９）が疑似ギャッ
プとなって、情報の読出し時、疑似パルスが発生して正
確な情報の記録及び再生が困難となる。
その後、第１、第２のコアブロック（３０）（３１）の
内側面（３０ａ ） （３１ａ ）に、高飽和磁束密
度を有するＦｅ−Ｍ−Ｓｉセンダストの強磁性体金属薄
膜（４０） （４１）をスパッタリングにより８〜４
０−の膜厚で被着形成する。ここで、上記強磁性体金属
薄膜（４０） （４１）の膜厚が８−以下であると、
磁気ディスクへの書込み能力が大幅に低下し、逆に２０
．ｎ以上であると、第１、第２のコアブロック（３０）
（３１）のガラス溶着時等の後工程で強磁性体金属
薄膜（４０） （４１）が剥離する虞が出てくるとい
う不具合が生じる、また、上記強磁性体金属薄膜（４０
） （４１）はＡｌが３〜７重量％、Ｓｉが７〜１１
重量％で残部がＦｅである組成を主成分としてルテニウ
ム、チタン、ニッケル等の他の添加物を含有し、熱膨張
係数が１２０〜１４０Ｘ１０−’４＊＊−’を有する。
内側面（３０ａ ） （３１ａ ）に、高飽和磁束密
度を有するＦｅ−Ｍ−Ｓｉセンダストの強磁性体金属薄
膜（４０） （４１）をスパッタリングにより８〜４
０−の膜厚で被着形成する。ここで、上記強磁性体金属
薄膜（４０） （４１）の膜厚が８−以下であると、
磁気ディスクへの書込み能力が大幅に低下し、逆に２０
．ｎ以上であると、第１、第２のコアブロック（３０）
（３１）のガラス溶着時等の後工程で強磁性体金属
薄膜（４０） （４１）が剥離する虞が出てくるとい
う不具合が生じる、また、上記強磁性体金属薄膜（４０
） （４１）はＡｌが３〜７重量％、Ｓｉが７〜１１
重量％で残部がＦｅである組成を主成分としてルテニウ
ム、チタン、ニッケル等の他の添加物を含有し、熱膨張
係数が１２０〜１４０Ｘ１０−’４＊＊−’を有する。
そして、上記第１、或いは第２のコアブロック（３０）
（３１）の内側面（３０ａ）（３１ａ）に、ギャッ
プスペーサとなるＳｉｎ、の非磁性体薄膜（図示せず）
をスパッタリングにより０．４−程度の膜厚で被着形成
する。
（３１）の内側面（３０ａ）（３１ａ）に、ギャッ
プスペーサとなるＳｉｎ、の非磁性体薄膜（図示せず）
をスパッタリングにより０．４−程度の膜厚で被着形成
する。
次に、第４図に示すように第１１第２のコアブロック（
３０） （３１）を上下逆さにした状態でその内側面
（３０ａ ） （３１ａ ）を突合わせて位置決め固
定し、上記第１、第２のコアブロック（３０） （３
１）の凹溝（３２） （３３）内に、熱膨張係数が９
０〜１１０ Ｘ １０− ’ａｍｔｓ−’で軟化点が４
２０〜４４０℃の高融点ガラス棒（４２）を挿入配置し
、この状態で第１、第２のコアブロック（３０） （
３１）ごと５００℃程度で高温加熱して上記高融点ガラ
ス棒（４２）を溶融させ、第１、第２のトラック溝（３
４）・・・（３５）・・・に高融点ガラス（４３）を充
を接合一体化する。その後、第５図に示すように第１、
第２のコアブロック（３０） （３１）の下部中央及
び両側を切削除去して脚部（４４） （４５）を形成
し、第１、第２のトラック溝（３４）・・・（３５）・
・・毎に所定の厚さでスライスして第６図及び第７図に
示すコアチップ（４６）を得る。
３０） （３１）を上下逆さにした状態でその内側面
（３０ａ ） （３１ａ ）を突合わせて位置決め固
定し、上記第１、第２のコアブロック（３０） （３
１）の凹溝（３２） （３３）内に、熱膨張係数が９
０〜１１０ Ｘ １０− ’ａｍｔｓ−’で軟化点が４
２０〜４４０℃の高融点ガラス棒（４２）を挿入配置し
、この状態で第１、第２のコアブロック（３０） （
３１）ごと５００℃程度で高温加熱して上記高融点ガラ
ス棒（４２）を溶融させ、第１、第２のトラック溝（３
４）・・・（３５）・・・に高融点ガラス（４３）を充
を接合一体化する。その後、第５図に示すように第１、
第２のコアブロック（３０） （３１）の下部中央及
び両側を切削除去して脚部（４４） （４５）を形成
し、第１、第２のトラック溝（３４）・・・（３５）・
・・毎に所定の厚さでスライスして第６図及び第７図に
示すコアチップ（４６）を得る。
上述のようにして製造されたコアチップ（４６）は、図
示しないがその脚部（４７） （４８）に絶縁被覆処
理の線材を所定ターン数巻回した上でバックコアを貼着
し、更にコアチップ（４６）の両側方にセラミック製の
スライダを接着固定することによりＭＩＧヘッドとなる
０本発明方法により製造されたＭＩＧヘッドでは、第６
図及び第７図に示すようにコアチップ（４６）の、磁気
ディスクが摺接する頂端面（４９）において、磁気ギャ
ップｇを挟んで、リーディング側の第１のコア（５０）
のトラック幅（Ｔ、）及びトレーリング側の第２のコア
（５１）のトラック幅（Ｔ２）の両側方が、７字形状を
有する第１、第２のトラック溝（３４）・・・（３５）
・・・形成による傾斜面（３６） （３７）となるた
め、オーバーライド時でのオフトラック特性は良好とな
る。即ち、第７図に示すように磁気ディスクに一旦書き
込んだ古い情報の上に、新たな情報を書直す際に、Ｍｔ
Ｃヘッドの磁気ギャップｇが古い情報の左右いずれかに
位置ずれして新しい情報の左右いずれかに古い情報が残
存しても、新しい情報を読出す時、新しい情報の記録方
向と古い情報の記録方向とが前述した傾斜面（３６）
（３７）により一致しないので、残存した古い情報が
ノイズとなることはない。
示しないがその脚部（４７） （４８）に絶縁被覆処
理の線材を所定ターン数巻回した上でバックコアを貼着
し、更にコアチップ（４６）の両側方にセラミック製の
スライダを接着固定することによりＭＩＧヘッドとなる
０本発明方法により製造されたＭＩＧヘッドでは、第６
図及び第７図に示すようにコアチップ（４６）の、磁気
ディスクが摺接する頂端面（４９）において、磁気ギャ
ップｇを挟んで、リーディング側の第１のコア（５０）
のトラック幅（Ｔ、）及びトレーリング側の第２のコア
（５１）のトラック幅（Ｔ２）の両側方が、７字形状を
有する第１、第２のトラック溝（３４）・・・（３５）
・・・形成による傾斜面（３６） （３７）となるた
め、オーバーライド時でのオフトラック特性は良好とな
る。即ち、第７図に示すように磁気ディスクに一旦書き
込んだ古い情報の上に、新たな情報を書直す際に、Ｍｔ
Ｃヘッドの磁気ギャップｇが古い情報の左右いずれかに
位置ずれして新しい情報の左右いずれかに古い情報が残
存しても、新しい情報を読出す時、新しい情報の記録方
向と古い情報の記録方向とが前述した傾斜面（３６）
（３７）により一致しないので、残存した古い情報が
ノイズとなることはない。
本発明方法によれば、コアブロックに適正な傾斜面を有
するＶ字形状のトラック溝を形成するようにしたから、
オーバーライド時において良好なオフトラック特性が得
られる。また、強磁性体金属薄膜とコアブロック間に付
着力の大きい金属薄膜を介在させるので、コアブロック
のガラス溶着時等の後工程で上記強磁性体金属薄膜が剥
離することなく、而も適正な膜厚及び熱膨張係数によっ
て組合わすことによりチップ強度も大幅に向上して、歩
留り向上並び信頼性の向上が容易に図れる。
するＶ字形状のトラック溝を形成するようにしたから、
オーバーライド時において良好なオフトラック特性が得
られる。また、強磁性体金属薄膜とコアブロック間に付
着力の大きい金属薄膜を介在させるので、コアブロック
のガラス溶着時等の後工程で上記強磁性体金属薄膜が剥
離することなく、而も適正な膜厚及び熱膨張係数によっ
て組合わすことによりチップ強度も大幅に向上して、歩
留り向上並び信頼性の向上が容易に図れる。
第１図乃至第７図は本発明方法の一実施例を説明するた
めのもので、第１図乃至第５図は各製造工程でのコアブ
ロックを示す各斜視図、第６図は本発明方法により得ら
れたコアチップを示す斜視図、第７図は第６図の平面図
である。 第８図乃至第１４図は従来のＭＩＧヘッドの製造方法を
説明するためのもので、第８図はＭＩＧヘッドのコアチ
ップを示す斜視図、第９図は第８図の平面図、第１０図
乃至第１４図は各製造工程でのコアブロックを示す各斜
視図である。 （３０） （３１）−・コアブロック、＜３０ａ）（
３１ａ）−内側面、 （３４） （３５）・・−トラック溝、（３６）
（３７）・−・傾斜面、 （３Ｂ） （３９）−金属薄膜、 （４１）・−強磁性棒金ａ薄膜、 （４３）・−・ガラス。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社 代 理 人 江 原 省 第４ 図 第５図 第６ 図 第７図 第８ 図
めのもので、第１図乃至第５図は各製造工程でのコアブ
ロックを示す各斜視図、第６図は本発明方法により得ら
れたコアチップを示す斜視図、第７図は第６図の平面図
である。 第８図乃至第１４図は従来のＭＩＧヘッドの製造方法を
説明するためのもので、第８図はＭＩＧヘッドのコアチ
ップを示す斜視図、第９図は第８図の平面図、第１０図
乃至第１４図は各製造工程でのコアブロックを示す各斜
視図である。 （３０） （３１）−・コアブロック、＜３０ａ）（
３１ａ）−内側面、 （３４） （３５）・・−トラック溝、（３６）
（３７）・−・傾斜面、 （３Ｂ） （３９）−金属薄膜、 （４１）・−強磁性棒金ａ薄膜、 （４３）・−・ガラス。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社 代 理 人 江 原 省 第４ 図 第５図 第６ 図 第７図 第８ 図
Claims (4)
- （１）強磁性体材料からなる略直方体形状の一対のコア
ブロックの少なくとも一方の内側面に、その短手方向に
沿って所定のトラック幅を残してＶ字形状を有する複数
のトラック溝を形成する工程と、 少なくとも一方のコアブロックの内側面に、コアブロッ
クに対して付着力の大きい金属薄膜、高飽和磁束密度を
有する強磁性体金属薄膜、ギャップスペーサとなる非磁
性体薄膜を順次積層形成する工程と、 上記コアブロックの内側面を突合わせて加熱し、各トラ
ック溝にガラスを充填してコアブロックを接合一体化す
る工程と、 を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - （２）コアブロックのトラック溝形成工程において、コ
アブロックの内側面とトラック溝の傾斜面とのなす角度
を１１０°〜１６０°にしたことを特徴とする請求項１
記載の磁気ヘッドの製造方法。 - （３）コアブロックの薄膜形成工程において、コアブロ
ックに対して付着力の大きい金属薄膜の膜厚を１００〜
５００Å、高飽和磁束密度を有する強磁性体金属薄膜の
膜厚を８〜２０μｍに設定したことを特徴とする請求項
１記載の磁気ヘッドの製造方法。 - （４）熱膨張係数が９５〜１１５×１０＾−＾７＿ｄ＿
ｅ＿ｓ＾−＾１のＭｎ−Ｚｎフェライトからなるコアブ
ロックの内側面に、Ａｌが３〜７重量％、Ｓｉが７〜１
１重量％で残部がＦｅである組成を主成分とし、且つ、
熱膨張係数が１２０〜１４０×１０＾−＾７＿ｄ＿ｅ＿
ｓ＾−＾１のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉセンダストからなる強磁
性体金属薄膜を被着形成し、熱膨張係数が９０〜１１０
×１０＾−＾７＿ｄ＿ｅ＿ｓ＾−＾１で軟化点が４２０
〜４４０℃のガラスでコアブロックを接合一体化したこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106789A JPH02220210A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106789A JPH02220210A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220210A true JPH02220210A (ja) | 1990-09-03 |
Family
ID=12598094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4106789A Pending JPH02220210A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02220210A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668414A (ja) * | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Nec Kansai Ltd | Ｍｉｇ型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136135A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド用充填ガラス |
| JPS62125512A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Hitachi Metals Ltd | 複合型磁気ヘツド |
| JPS63263613A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | Hitachi Metals Ltd | 磁気ヘツドコア |
| JPS641109A (en) * | 1987-03-25 | 1989-01-05 | Seiko Epson Corp | Magnetic head |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP4106789A patent/JPH02220210A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136135A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド用充填ガラス |
| JPS62125512A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Hitachi Metals Ltd | 複合型磁気ヘツド |
| JPS641109A (en) * | 1987-03-25 | 1989-01-05 | Seiko Epson Corp | Magnetic head |
| JPS63263613A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 | Hitachi Metals Ltd | 磁気ヘツドコア |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668414A (ja) * | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Nec Kansai Ltd | Ｍｉｇ型磁気ヘッド及びその製造方法 |
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