JPH0222040B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0222040B2 JPH0222040B2 JP56191052A JP19105281A JPH0222040B2 JP H0222040 B2 JPH0222040 B2 JP H0222040B2 JP 56191052 A JP56191052 A JP 56191052A JP 19105281 A JP19105281 A JP 19105281A JP H0222040 B2 JPH0222040 B2 JP H0222040B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- ferrite
- grains
- examples
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Shaping Metal By Deep-Drawing, Or The Like (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、VTRのヘツド等に使用する単結晶
フエライトを製造する為のるつぼの製作方法の改
良に関する。
フエライトを製造する為のるつぼの製作方法の改
良に関する。
従来、単結晶フエライト製造用るつぼを製作す
るには、Pt板を円筒状にまるめ、突き合せた端
縁を溶接した後、ローラ加工、平絞り加工でるつ
ぼ形状に成形していた。
るには、Pt板を円筒状にまるめ、突き合せた端
縁を溶接した後、ローラ加工、平絞り加工でるつ
ぼ形状に成形していた。
ところで、一般のガラス工業で使用されている
Pt又はPt−Ph合金のるつぼの使用温度は1200〜
1300℃であり、この程度の温度であれば、るつぼ
表面のPt及びPt−Ph合金の結晶粒の成長は少な
いが、単結晶フエライト製造用るつぼの使用温度
は1600〜1700℃と極めて高い為、使用中溶接箇所
周辺の表面の材料の結晶粒が成長し、その結果
Pt及びPt−Ph合金の地金中に混入している不純
物或いはフエライト中の不純物が結晶粒界に集ま
り易くなり、Pt及びPt−Rh合金との間に低融点
化合物を形成し、フエライト中へPt及びPt−Rh
が溶け出して単結晶フエライトの製品性能が劣化
していた。
Pt又はPt−Ph合金のるつぼの使用温度は1200〜
1300℃であり、この程度の温度であれば、るつぼ
表面のPt及びPt−Ph合金の結晶粒の成長は少な
いが、単結晶フエライト製造用るつぼの使用温度
は1600〜1700℃と極めて高い為、使用中溶接箇所
周辺の表面の材料の結晶粒が成長し、その結果
Pt及びPt−Ph合金の地金中に混入している不純
物或いはフエライト中の不純物が結晶粒界に集ま
り易くなり、Pt及びPt−Rh合金との間に低融点
化合物を形成し、フエライト中へPt及びPt−Rh
が溶け出して単結晶フエライトの製品性能が劣化
していた。
本発明はかかる問題を解消すべくなされたもの
で、1600〜1700℃に加熱されても表面の結晶粒が
成長しない単結晶フエライト製造用るつぼを製作
することのできる方法を提供せんとするものであ
る。
で、1600〜1700℃に加熱されても表面の結晶粒が
成長しない単結晶フエライト製造用るつぼを製作
することのできる方法を提供せんとするものであ
る。
本発明の単結晶フエライト製造用るつぼの製作
方法は、Pt又はPt−Rh合金の薄板を絞り加工に
よりるつぼ形状に成形すると共に加工途中で少な
くとも１回低い温度で熱処理することを特徴とす
るものである。
方法は、Pt又はPt−Rh合金の薄板を絞り加工に
よりるつぼ形状に成形すると共に加工途中で少な
くとも１回低い温度で熱処理することを特徴とす
るものである。
かかる本発明の単結晶フエライト製造用るつぼ
の製作方法に於いて、薄板の絞り加工の途中で熱
処理する温度は、Pt薄板の場合は900℃以下で、
Pt−Rh合金薄板の場合は1200℃以下で行われる。
また前記絞り加工はプレス絞り、平絞り等により
行われる。
の製作方法に於いて、薄板の絞り加工の途中で熱
処理する温度は、Pt薄板の場合は900℃以下で、
Pt−Rh合金薄板の場合は1200℃以下で行われる。
また前記絞り加工はプレス絞り、平絞り等により
行われる。
このように本発明の単結晶フエライト製造用る
つぼの製作方法は、溶接工程が無く、薄板から成
形し、仕げる為、るつぼ表面の結晶粒の大きさは
全体的に均一に小さいものにできる。また絞り加
工の途中で低い温度で熱処理して強加工するの
で、製品となつた後1600〜1700℃に加熱してもる
つぼ表面の結晶粒の成長が少ないものである。さ
らに前記の如く結晶粒を小さくできるので、Pt
素地中に一定量の不純物が入つていても不純物は
分散されている。しかも前記の如く1600〜1700℃
に加熱されても結晶粒の成長が少ないので、不純
物は結晶粒界に集まりにくく、Pt又はPt−Rh合
金と不純物とが合金して低融点化合物が形成され
ることがない。従つて単結晶フエライト製造の為
に1600〜1700℃で使用してもフエライト中へPt
又はPt−Rhが溶出することがない。
つぼの製作方法は、溶接工程が無く、薄板から成
形し、仕げる為、るつぼ表面の結晶粒の大きさは
全体的に均一に小さいものにできる。また絞り加
工の途中で低い温度で熱処理して強加工するの
で、製品となつた後1600〜1700℃に加熱してもる
つぼ表面の結晶粒の成長が少ないものである。さ
らに前記の如く結晶粒を小さくできるので、Pt
素地中に一定量の不純物が入つていても不純物は
分散されている。しかも前記の如く1600〜1700℃
に加熱されても結晶粒の成長が少ないので、不純
物は結晶粒界に集まりにくく、Pt又はPt−Rh合
金と不純物とが合金して低融点化合物が形成され
ることがない。従つて単結晶フエライト製造の為
に1600〜1700℃で使用してもフエライト中へPt
又はPt−Rhが溶出することがない。
次に本発明による単結晶フエライト製造用るつ
ぼの製作方法の効果を明瞭ならしめる為にその具
体的な実施例と比較例及び従来例について説明す
る。
ぼの製作方法の効果を明瞭ならしめる為にその具
体的な実施例と比較例及び従来例について説明す
る。
実施例 １
厚さ２mmのPt板をプレス絞りによる絞り加工
で、途中600℃で２回熱処理を行つて、高さ180
mm、直筒部高さ160mm、Ｖ形底の傾斜角70度、直
径40mm、厚さ0.3mmのるつぼを得た。
で、途中600℃で２回熱処理を行つて、高さ180
mm、直筒部高さ160mm、Ｖ形底の傾斜角70度、直
径40mm、厚さ0.3mmのるつぼを得た。
実施例 ２
厚さ２mmのPt−Rh10％板をプレス絞りによる
絞り加工で、途中900℃で２回熱処理を行つて、
高さ180mm、直筒高さ160mm、Ｖ形底の傾斜角70
度、直径40mm、厚さ0.3mmのるつぼを得た。
絞り加工で、途中900℃で２回熱処理を行つて、
高さ180mm、直筒高さ160mm、Ｖ形底の傾斜角70
度、直径40mm、厚さ0.3mmのるつぼを得た。
比較例
厚さ２mmのPt板をプレス絞りによる絞り加工
で、途中1100℃で４回熱処理を行つて、高さ180
mm、直筒部高さ160mm、Ｖ形底の傾斜角70度、直
径40mm、厚さ0.3mmのるつぼを得た。
で、途中1100℃で４回熱処理を行つて、高さ180
mm、直筒部高さ160mm、Ｖ形底の傾斜角70度、直
径40mm、厚さ0.3mmのるつぼを得た。
従来例 １
厚さ0.45mmのPt板を円筒状にまるめて突き合わ
せた端縁を溶接した後、ローラ加工、平絞り加工
を行つて、高さ180mm、直筒部高さ160mm、Ｖ形底
の傾斜角70度、直径40mm、厚さ0.3mmのるつぼを
得た。
せた端縁を溶接した後、ローラ加工、平絞り加工
を行つて、高さ180mm、直筒部高さ160mm、Ｖ形底
の傾斜角70度、直径40mm、厚さ0.3mmのるつぼを
得た。
従来例 ２
厚さ0.45mmのPt−Rh10％板を円筒状にまるめ
て突き合わせた端縁を溶接した後、ローラ加工、
平絞り加工を行つて、高さ180mm、直筒部高さ160
mm、Ｖ形底の傾斜角70度、直径40mm、厚さ0.3mm
のるつぼを得た。
て突き合わせた端縁を溶接した後、ローラ加工、
平絞り加工を行つて、高さ180mm、直筒部高さ160
mm、Ｖ形底の傾斜角70度、直径40mm、厚さ0.3mm
のるつぼを得た。
然してこれら実施例１及び２、比較例、従来例
１及び２の各るつぼを用いてフエライトを1700℃
で溶解した。そして結晶フエライトを取り出した
後の各るつぼを検査した処、600℃で２回熱処理
を行い、プレス絞りで成形した実施例１及び900
℃で２回熱処理を行い、プレス絞りで成形した実
施例２のるつぼは、第１図の如く表面の結晶粒が
小さかつた。また1100℃で４回熱処理を行い、プ
レス絞りで成形した比較例のるつぼは、第２図の
如く表面の結晶粒は均一ではあるが全体的に大き
くなつていた。さらに溶接し、ローラ加工、平絞
り加工で成形した従来例１及び２のるつぼは、溶
接箇所周辺の結晶粒が粗大化していた。
１及び２の各るつぼを用いてフエライトを1700℃
で溶解した。そして結晶フエライトを取り出した
後の各るつぼを検査した処、600℃で２回熱処理
を行い、プレス絞りで成形した実施例１及び900
℃で２回熱処理を行い、プレス絞りで成形した実
施例２のるつぼは、第１図の如く表面の結晶粒が
小さかつた。また1100℃で４回熱処理を行い、プ
レス絞りで成形した比較例のるつぼは、第２図の
如く表面の結晶粒は均一ではあるが全体的に大き
くなつていた。さらに溶接し、ローラ加工、平絞
り加工で成形した従来例１及び２のるつぼは、溶
接箇所周辺の結晶粒が粗大化していた。
また実施例１及び２、比較例、従来例１及び２
の各るつぼにより得られた結晶フエライトを切断
した処、実施例１及び２のるつぼで得られた結晶
フエライト中にはPt粒及びPt−Rh粒が極めて少
なく、従つてるつぼからのPt及びPt−Rh溶出量
が極めて少ないものである。また比較例のるつぼ
で得られた結晶フエライト中にはPt粒及びPt−
Rh粒が多く、従つてるつぼからのPt及びPt−Rh
溶出量の多いものである。さらに従来例１及び２
のるつぼで得られた結晶フエライト中にはPt粒
及びPt−Rh粒が極めて多く、従つてるつぼから
のPt及びPt−Rh溶出量が極めて多いものである。
の各るつぼにより得られた結晶フエライトを切断
した処、実施例１及び２のるつぼで得られた結晶
フエライト中にはPt粒及びPt−Rh粒が極めて少
なく、従つてるつぼからのPt及びPt−Rh溶出量
が極めて少ないものである。また比較例のるつぼ
で得られた結晶フエライト中にはPt粒及びPt−
Rh粒が多く、従つてるつぼからのPt及びPt−Rh
溶出量の多いものである。さらに従来例１及び２
のるつぼで得られた結晶フエライト中にはPt粒
及びPt−Rh粒が極めて多く、従つてるつぼから
のPt及びPt−Rh溶出量が極めて多いものである。
以上詳記した通り本発明による単結晶フエライ
ト製造用るつぼの製作方法によれば、るつぼ表面
の結晶粒の大きさが全体的に均一で小さいるつぼ
を得ることができ、また1600〜1700℃でフエライ
トの溶解に使用してもるつぼ表面の結晶粒の成長
か少ないので、Pt及びPt−Rh合金素地中に入つ
ている不純物が結晶粒界に集まりにくく、Pt及
びPt−Rh合金と不純物とが合金して低融点化合
物が形成されることがない。従つてフエライト中
へPt及びPt−Rhが溶出することがなく、製品性
能に優れた単結晶フエライトを得ることのできる
るつぼが得られるという優れた効果がある。
ト製造用るつぼの製作方法によれば、るつぼ表面
の結晶粒の大きさが全体的に均一で小さいるつぼ
を得ることができ、また1600〜1700℃でフエライ
トの溶解に使用してもるつぼ表面の結晶粒の成長
か少ないので、Pt及びPt−Rh合金素地中に入つ
ている不純物が結晶粒界に集まりにくく、Pt及
びPt−Rh合金と不純物とが合金して低融点化合
物が形成されることがない。従つてフエライト中
へPt及びPt−Rhが溶出することがなく、製品性
能に優れた単結晶フエライトを得ることのできる
るつぼが得られるという優れた効果がある。
また本発明の製作方法によれば、結晶粒が小さ
く、不純物が分散していて、高温でのクリープ破
断強さの大きく耐久性のあるるつぼを得ることが
できるという効果もある。
く、不純物が分散していて、高温でのクリープ破
断強さの大きく耐久性のあるるつぼを得ることが
できるという効果もある。
図は1700℃でフエライトを溶解した後のるつぼ
の表面組織の状態を示すもので、第１図は本発明
の製作方法の実施例１及び２によるるつぼであ
り、第２図は比較例のるつぼであり、第３図は従
来例１及び２のるつぼである。
の表面組織の状態を示すもので、第１図は本発明
の製作方法の実施例１及び２によるるつぼであ
り、第２図は比較例のるつぼであり、第３図は従
来例１及び２のるつぼである。
Claims (1)
- １ Pt又はPt−Ph合金の薄板を絞り加工により
るつぼ形状に成形すると共に加工途中で少なくと
も１回低い温度で熱処理することを特徴とする単
結晶フエライト製造用るつぼの製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191052A JPS5895700A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 単結晶フエライト製造用るつぼの製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191052A JPS5895700A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 単結晶フエライト製造用るつぼの製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895700A JPS5895700A (ja) | 1983-06-07 |
| JPH0222040B2 true JPH0222040B2 (ja) | 1990-05-17 |
Family
ID=16268087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191052A Granted JPS5895700A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 単結晶フエライト製造用るつぼの製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895700A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2597834B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1997-04-09 | 石福金属興業株式会社 | 白金製装飾工芸品 |
| JPH07115995B2 (ja) * | 1988-08-24 | 1995-12-13 | 信越化学工業株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶の製造方法 |
-
1981
- 1981-11-28 JP JP56191052A patent/JPS5895700A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5895700A (ja) | 1983-06-07 |
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