JPS5895700A - 単結晶フエライト製造用るつぼの製作方法 - Google Patents
単結晶フエライト製造用るつぼの製作方法Info
- Publication number
- JPS5895700A JPS5895700A JP56191052A JP19105281A JPS5895700A JP S5895700 A JPS5895700 A JP S5895700A JP 56191052 A JP56191052 A JP 56191052A JP 19105281 A JP19105281 A JP 19105281A JP S5895700 A JPS5895700 A JP S5895700A
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- JP
- Japan
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- crucible
- single crystal
- ferrite
- heat
- thickness
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Shaping Metal By Deep-Drawing, Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＶＴＲのヘッド等に使用する単結晶フェライ
トを製造する為のるつぼの製作方法の改良に関する。
トを製造する為のるつぼの製作方法の改良に関する。
従来、単結晶フェライト製造用るつぼを製作するＫは、
Ｐｔｇを円筒状Ｋまるめ、突き合せた端縁管１１１１し
た後、ローラ加工、平絞ヤ加工でるつぼ形状に成形して
いた。
Ｐｔｇを円筒状Ｋまるめ、突き合せた端縁管１１１１し
た後、ローラ加工、平絞ヤ加工でるつぼ形状に成形して
いた。
ところで、一般のガラス工業で使用されているｐするつ
ぼの使用温度は１２００〜１３００Ｔ：であプ、この一
度の温度であれば、るつぼ表面のｐｔ結晶粒の成長は少
ないが、単結晶フェライト製造用るつぼの使用温度は１
６００〜１７００℃と極めて高い為、使用中溶接箇所周
辺の表面の材料の結晶粒が成長し、その結果ｐｔ地金中
に混入している不純物或いはフェライト中の不純物が結
晶粒界に集ま）易くな’ｐｓＰｔとの間Ｋｇ融点化合物
管形成し、フェライト中へＰｓが溶は出して単結晶フェ
ライトの製晶性能が劣化していた。
ぼの使用温度は１２００〜１３００Ｔ：であプ、この一
度の温度であれば、るつぼ表面のｐｔ結晶粒の成長は少
ないが、単結晶フェライト製造用るつぼの使用温度は１
６００〜１７００℃と極めて高い為、使用中溶接箇所周
辺の表面の材料の結晶粒が成長し、その結果ｐｔ地金中
に混入している不純物或いはフェライト中の不純物が結
晶粒界に集ま）易くな’ｐｓＰｔとの間Ｋｇ融点化合物
管形成し、フェライト中へＰｓが溶は出して単結晶フェ
ライトの製晶性能が劣化していた。
本発明はかかる問題ｔｍ消すべくなされたもので、１６
００−１７００℃に加熱されても表面の結晶粒が成長し
ない単結晶７エツイト製造用るつぼを製作することので
きる方法を提供せんとするものである。
００−１７００℃に加熱されても表面の結晶粒が成長し
ない単結晶７エツイト製造用るつぼを製作することので
きる方法を提供せんとするものである。
本発明の単結晶フェライト製造用るつほの製作方法は、
Ｐｔ又はｐｔ −Ｒ１１合金の薄壕を絞〕加工によりる
つは形状に成形すると共に加工途中で少くと４１回低い
温度で熱Ｊ６１１することを特徴とするものである。
Ｐｔ又はｐｔ −Ｒ１１合金の薄壕を絞〕加工によりる
つは形状に成形すると共に加工途中で少くと４１回低い
温度で熱Ｊ６１１することを特徴とするものである。
かかる本発明の単結晶フェライト製造用るつぼの製作方
法に於いて、薄板の＃！１加工の途中で熱処理する温度
は、ｐｔｇ職の場合は９００’ｅ以下で、Ｐｔ−Ｒｈ合
会薄板の場合は１２００−’ｔ：以下で行われる。ｔた
前配絞り加工はプレス絞り、平絞り等により行われる。
法に於いて、薄板の＃！１加工の途中で熱処理する温度
は、ｐｔｇ職の場合は９００’ｅ以下で、Ｐｔ−Ｒｈ合
会薄板の場合は１２００−’ｔ：以下で行われる。ｔた
前配絞り加工はプレス絞り、平絞り等により行われる。
このように本発明の単結晶フェライト製造用るつぼの製
作方法は、溶接１糧が無く、薄板から成形し、仕上げる
為、るつぼ表面の結晶粒の大きさは全体的に均一に小さ
いものにできる。また絞り加工の途中で低い温度で熱処
理して強加工するので、製品となった後１６００〜１７
００℃に加熱してもるつぼ表面の結晶粒の成長が少ない
ものである。
作方法は、溶接１糧が無く、薄板から成形し、仕上げる
為、るつぼ表面の結晶粒の大きさは全体的に均一に小さ
いものにできる。また絞り加工の途中で低い温度で熱処
理して強加工するので、製品となった後１６００〜１７
００℃に加熱してもるつぼ表面の結晶粒の成長が少ない
ものである。
さもに前記の如く結晶粒管小さくできるので、Ｐｔ素地
中に一定量の不純物が入りていても不純物は分散されて
いる。しかも前記の如＜ １６００〜１７００℃に加熱
されても結晶粒の成長が少ないので、不純物は結晶粒界
に集ｔＤＫ（ぐ、Ｐｔと不純物とが合金して低融点化合
物が形成されることがない。
中に一定量の不純物が入りていても不純物は分散されて
いる。しかも前記の如＜ １６００〜１７００℃に加熱
されても結晶粒の成長が少ないので、不純物は結晶粒界
に集ｔＤＫ（ぐ、Ｐｔと不純物とが合金して低融点化合
物が形成されることがない。
従って単結晶フェライト製造の為に１６００〜１７００
℃で使用してもフェライト中へｐｔが溶出すること−ｔ
ＩＸない。
℃で使用してもフェライト中へｐｔが溶出すること−ｔ
ＩＸない。
次に本実＠による単結晶フェライト製造用るつぼの製作
方法の効果管明瞭ならしめる為にその具体的な実施例と
比較例及び従来例について説明する。
方法の効果管明瞭ならしめる為にその具体的な実施例と
比較例及び従来例について説明する。
実施例
厚さ２ ｗｘ ｇＤ Ｐ を板をプレス絞りによる絞シ
加τで、途中６００℃で２回熱処理管行りて、高さ１８
０ｍ、直筒部高さ１６０ｗ、Ｖ形成の傾斜角７０度、直
径４０闘、厚さ０．３■のるつぼ上書た。
加τで、途中６００℃で２回熱処理管行りて、高さ１８
０ｍ、直筒部高さ１６０ｗ、Ｖ形成の傾斜角７０度、直
径４０闘、厚さ０．３■のるつぼ上書た。
比較例
厚さ２ｍのｐｔ板をプレス絞〕による絞り加工で、途中
１１００℃で４回熱処理管行って、高さ１８０ｍ、直筒
部高さ１６０ｍ、Ｖ形成の傾斜角７０度、直径４０■、
厚さ０．３ｇのるつぼを得た。
１１００℃で４回熱処理管行って、高さ１８０ｍ、直筒
部高さ１６０ｍ、Ｖ形成の傾斜角７０度、直径４０■、
厚さ０．３ｇのるつぼを得た。
従来例
厚さ０．４５ｍのｐｔ＠を円筒状にまるめて突き合わせ
た端縁を溶接した後、ローラ加工、平絞〕加工を行って
、高さ１８０■、直筒部高さ１６０ｓａ＋、Ｖ形成の傾
斜角７０度、直径４０ ｗｇ 、厚さ０・３ｕのるつぼ
上書た。
た端縁を溶接した後、ローラ加工、平絞〕加工を行って
、高さ１８０■、直筒部高さ１６０ｓａ＋、Ｖ形成の傾
斜角７０度、直径４０ ｗｇ 、厚さ０・３ｕのるつぼ
上書た。
然してこれら実施例、比較例、従来例の各ゐつぼ！用い
てフェライトを１７００℃で溶解した。そして結晶７翼
テイトを取出した後の各るつぼを検査した処、ＳＯＯ℃
で２ｒｌＡ熱処理を行い、プレス絞）で成形した実施例
のるつぼは、第１図の如く表面の結晶粒が小さかった。
てフェライトを１７００℃で溶解した。そして結晶７翼
テイトを取出した後の各るつぼを検査した処、ＳＯＯ℃
で２ｒｌＡ熱処理を行い、プレス絞）で成形した実施例
のるつぼは、第１図の如く表面の結晶粒が小さかった。
ｔた１１００℃で４回熱処ｍｔ行い、プレス絞〕で成形
した比較例のるつぼは、第２ＩＩの如く表面の結晶粒は
均一ではあるが全体的に大きくなりていた。さらに溶接
し、ローラー加工、平絞９加工で成形した従来例のるつ
ぼは、１１１１箇所周辺の結晶粒が粗大化していた。
した比較例のるつぼは、第２ＩＩの如く表面の結晶粒は
均一ではあるが全体的に大きくなりていた。さらに溶接
し、ローラー加工、平絞９加工で成形した従来例のるつ
ぼは、１１１１箇所周辺の結晶粒が粗大化していた。
また実施例、比較例、従来例の各るつぼにより得られた
結晶フェライトを切断した処、実施例のるつぼで得られ
た結晶フェライト中にはＰｔ粒が極めて少なく、従りて
るつほからのＰｔ溶出量が極めて少ないものである。ｔ
た比較例のるつぼで得られた結晶フェライト中にはＰｔ
粒が多く、従りてゐつぼからのｐｔ ＠出量の多いもの
である。
結晶フェライトを切断した処、実施例のるつぼで得られ
た結晶フェライト中にはＰｔ粒が極めて少なく、従りて
るつほからのＰｔ溶出量が極めて少ないものである。ｔ
た比較例のるつぼで得られた結晶フェライト中にはＰｔ
粒が多く、従りてゐつぼからのｐｔ ＠出量の多いもの
である。
さもＫｇｌ来例のるつぼで得られた結晶フェライト中に
はＰｔ粒が極めて多く、従ってるつぼからのＰｔ１ｌ出
量が極めて多いものである。
はＰｔ粒が極めて多く、従ってるつぼからのＰｔ１ｌ出
量が極めて多いものである。
以上詳記した通〕本発明による単結晶フェライト製造用
るつぼの製作方法によれば、るつぼ表面の結晶粒の大き
さが全体的に均一で小さいるつぼ上書ることができ、ま
た１６００−１７００℃で７エライトのｔＩｌｊｓに使
用してもるつぼ表面の結晶粒の成長が少ないので、Ｐｔ
素地中に入っている不純物が結晶粒界に集′ｔｎに＜＜
％Ｐｔと不純物とが合金して低融点化合物が形成される
ことがない。
るつぼの製作方法によれば、るつぼ表面の結晶粒の大き
さが全体的に均一で小さいるつぼ上書ることができ、ま
た１６００−１７００℃で７エライトのｔＩｌｊｓに使
用してもるつぼ表面の結晶粒の成長が少ないので、Ｐｔ
素地中に入っている不純物が結晶粒界に集′ｔｎに＜＜
％Ｐｔと不純物とが合金して低融点化合物が形成される
ことがない。
従ってフェライト中へＰｔが溶出することがなく、製品
性能に優れた単結晶フェライトを得ることのできるるつ
ぼが得られるという優れた効果がある。
性能に優れた単結晶フェライトを得ることのできるるつ
ぼが得られるという優れた効果がある。
また本発明の製作方法によれは、結晶粒が小さく、不純
物が分散していて、高温でのクリープ破新強さの大きく
耐久性のあるるつぼ上書ることができるという効果もあ
る。
物が分散していて、高温でのクリープ破新強さの大きく
耐久性のあるるつぼ上書ることができるという効果もあ
る。
図は１７００℃でフェライトＹｒ溶解した後のるつぼの
表面組織の状態！示すもので、第１図は本発明の製作方
法の実施例によるるつぼであり、第＊＊は比較例のるつ
ぼであ）、第３図は従来例のるつぼである。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第１図 第２図 第３図 ４６９−
表面組織の状態！示すもので、第１図は本発明の製作方
法の実施例によるるつぼであり、第＊＊は比較例のるつ
ぼであ）、第３図は従来例のるつぼである。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第１図 第２図 第３図 ４６９−
Claims (1)
- ｐｔＸはＰｔ−Ｒｈ合金の薄［を絞り加工によりるつぼ
形状に成形すると共に加工途中で少くとも１回伝い温度
で熱処理すること１特徴とする単結晶フェライト製造用
るつぼの製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191052A JPS5895700A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 単結晶フエライト製造用るつぼの製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191052A JPS5895700A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 単結晶フエライト製造用るつぼの製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895700A true JPS5895700A (ja) | 1983-06-07 |
| JPH0222040B2 JPH0222040B2 (ja) | 1990-05-17 |
Family
ID=16268087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191052A Granted JPS5895700A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 単結晶フエライト製造用るつぼの製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895700A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6360266A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-16 | Ishifuku Kinzoku Kogyo Kk | 白金製装飾工芸品 |
| JPH0259495A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶の製造方法 |
-
1981
- 1981-11-28 JP JP56191052A patent/JPS5895700A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6360266A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-16 | Ishifuku Kinzoku Kogyo Kk | 白金製装飾工芸品 |
| JPH0259495A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0222040B2 (ja) | 1990-05-17 |
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