JPH02221162A - Production of aluminum nitride-based sintered body - Google Patents

Production of aluminum nitride-based sintered body

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JPH02221162A
JPH02221162A JP1044814A JP4481489A JPH02221162A JP H02221162 A JPH02221162 A JP H02221162A JP 1044814 A JP1044814 A JP 1044814A JP 4481489 A JP4481489 A JP 4481489A JP H02221162 A JPH02221162 A JP H02221162A
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JP
Japan
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aluminum nitride
powder
thermal conductivity
weight
oxygen content
Prior art date
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Pending
Application number
JP1044814A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaaki Hama
浜 正明
Shinichiro Tanaka
紳一郎 田中
Hironori Nishida
裕紀 西田
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Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、銅、銀、銀−パラジウム系、金等と同時焼成
可能で、しかも熱伝導率が高い窒化アルミニウムを主体
とした焼成体を提供しようとするものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention provides a fired body mainly made of aluminum nitride, which can be fired simultaneously with copper, silver, silver-palladium, gold, etc. and has high thermal conductivity. This is what we are trying to provide.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

エレクトロニクス素子の高集積化がますます進展する、
に従って、素子が発生する単位面積あたりの熱量が増大
しているが、基板の熱伝導率が低いために、素子の発生
する熱で素子の温度が上昇し、素子の機能に障害が生じ
ることが問題になってきており、さらなる高集積化を妨
げている。
As the integration of electronic devices continues to advance,
Accordingly, the amount of heat generated by the device per unit area is increasing, but because the thermal conductivity of the substrate is low, the heat generated by the device can cause the temperature of the device to rise, causing problems in the device's function. This has become a problem and is hindering further integration.

そこで、素子の発生する熱の放散を効率的に行うことか
で−きる熱伝導率の高い基板材料が求められており、現
在窒化アルミニウムが高熱伝導性物質として注目されて
いる。
Therefore, there is a need for a substrate material with high thermal conductivity that can efficiently dissipate the heat generated by the elements, and aluminum nitride is currently attracting attention as a highly thermally conductive material.

しかし、焼結助剤を用いても1600〜2000℃の高
い焼結温度が必要である。
However, even if a sintering aid is used, a high sintering temperature of 1,600 to 2,000°C is required.

一般に、1子回路は高温で焼結して得られた窒化アルミ
ニウム基板上に、銅、銀、銀−パラジウム系、金等の粉
末のペーストを印刷して配線を描き、配線材料の融点以
下で焼成して配線を焼付けた後に素子を取り付けること
によって製造される。
In general, one-element circuits are produced by printing wiring on an aluminum nitride substrate obtained by sintering at high temperatures and printing a powder paste of copper, silver, silver-palladium, gold, etc., at a temperature below the melting point of the wiring material. It is manufactured by attaching the elements after baking and baking the wiring.

また、より実装密度の高い多層基板を使用したハイブリ
ッドICを、より効率的に安価に製造するために、低温
で焼成可能なアルミナ−ガラス基板が製造されている。
Furthermore, in order to more efficiently and inexpensively manufacture hybrid ICs using multilayer substrates with higher packaging density, alumina-glass substrates that can be fired at low temperatures are being manufactured.

たとえば、アルミナとガラスの粉末を適当なバインダー
等を加えて混合し、ドクターブレード法でグリーンシー
トを作製し、その上に銅、銀、銀−パラジウム系、金等
の粉末のペーストを印刷して配線を形成し、それらの配
線材料が溶融しなし゛温度で焼成し、グリーンシートの
焼成と配線の焼付けとを同時に行なう方法が採用されて
いる。
For example, a green sheet is prepared by mixing alumina and glass powders with an appropriate binder, etc., using the doctor blade method, and then printing a powder paste of copper, silver, silver-palladium, gold, etc. on top of the green sheet. A method has been adopted in which wiring is formed and fired at a temperature at which the wiring material does not melt, and firing of the green sheet and baking of the wiring are performed simultaneously.

これらの配線材料の中では融点は銅が最も高く1084
℃であるから、少なくとも1050℃以下で焼成しなけ
ればならない。
Among these wiring materials, copper has the highest melting point of 1084
℃, it must be fired at at least 1050°C or lower.

低温で液相を生成する物質を使用せず、酸化イツ) I
Jウムや酸化カルシウム等の焼結助剤を数%加えて成形
した窒化アルミニウムの成形体上に、金属粉末ペースト
で配線を描き、焼成して窒化アルミニウムの焼結と配線
の焼付けとを同時に行なうことも可能であるが、焼結温
度が1600〜2000℃の範囲で焼成可能な金属は、
電気抵抗が比較的高いタングステンかモリブデンに限ら
れる。
without using substances that form a liquid phase at low temperatures;
Wiring is drawn with metal powder paste on a molded aluminum nitride body formed by adding a few percent of sintering aids such as Jum or calcium oxide, and then fired to simultaneously sinter the aluminum nitride and bake the wiring. However, metals that can be fired at a sintering temperature in the range of 1600 to 2000°C are
It is limited to tungsten or molybdenum, which have relatively high electrical resistance.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

アルミナの焼結体の基板は10〜20W/mK程度の熱
伝導率があるが、低温焼成が可能な同時焼成用のアルミ
ナ−ガラス複合焼成体の熱伝導率はせいぜい3 W/m
に程度であり、素子の放熱の問題に充分対応できるよう
な熱伝導性を有しているとは言えない。
An alumina sintered substrate has a thermal conductivity of about 10 to 20 W/mK, but an alumina-glass composite sintered body for simultaneous firing that can be fired at a low temperature has a thermal conductivity of 3 W/m at most.
It cannot be said that the thermal conductivity is sufficient to deal with the problem of heat dissipation of the element.

また、窒化アルミニウムの成形体で同時焼成を行なう場
合は、窒化゛アルミニウムの熱伝導率が100 W/m
に以上のものが容易に得られるが、焼結には1600〜
2000℃の高温が必要なため、高温焼成用の高価な炉
と多くのエネルギーとを必要とするだけでなく、配線材
料としてはタングステンまたはモリブデンしか使用でき
ず、さらに配線材料の電気抵抗が高いことが問題になっ
ている。
In addition, when co-firing a molded body of aluminum nitride, the thermal conductivity of aluminum nitride is 100 W/m.
can be easily obtained, but sintering requires 1600 ~
Because it requires a high temperature of 2000°C, it not only requires an expensive furnace for high-temperature firing and a lot of energy, but also only tungsten or molybdenum can be used as the wiring material, and the electrical resistance of the wiring material is high. has become a problem.

そこで、配線材料として電気抵抗が小さい銅、銀、銀−
パラジウム系、金等を用いる場合にはぞの融点以下で焼
成する必要があり、低温でも焼成可能でしかも高い熱伝
導率が得られるものとして窒化アルミニウムー低融点化
合物複合体について検討した。
Therefore, copper, silver, and silver, which have low electrical resistance, are used as wiring materials.
When using palladium, gold, etc., it is necessary to sinter at a temperature below the melting point of the material, so we investigated an aluminum nitride-low melting point compound composite that can be sintered even at low temperatures and has high thermal conductivity.

アルミナより高い熱伝導率を有する窒化アルミニウム粉
末に、ガラス粉末を加えることにより低温でも焼成可能
な窒化アルミニウム組成物を得ることができるという考
えは、すでに特開昭63−210043号公報に開示さ
れているが、安定して緻密でしかも高い熱伝導率が得ら
れるものではなかった。
The idea that an aluminum nitride composition that can be fired even at low temperatures can be obtained by adding glass powder to aluminum nitride powder, which has a higher thermal conductivity than alumina, was already disclosed in JP-A-63-210043. However, it was not possible to obtain stable, dense, and high thermal conductivity.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この問題点を解決するために、窒化アルミニウム粉末と
その焼成体の熱伝導率との関係について研究検討を重ね
た結果、窒化アルミニウム粉末の表面に存在する酸化層
の量が焼成体の熱伝導率に関係があることを見出した。
In order to solve this problem, we have repeatedly researched and considered the relationship between aluminum nitride powder and the thermal conductivity of its fired product, and have found that the amount of oxide layer present on the surface of aluminum nitride powder is the thermal conductivity of the fired product. found that there is a relationship between

数%の焼結助剤を添加して1600℃以上の高温で焼結
して高い熱伝導率を得るためには、原料である窒化アル
ミニウム粉末に含まれる酸素含有量は少ない方がよいと
されている。
In order to obtain high thermal conductivity by adding several percent of a sintering aid and sintering at a high temperature of 1,600°C or higher, it is said that it is better to have a lower oxygen content in the raw material, aluminum nitride powder. ing.

しかし、ガラス粉末と混合して1050℃以下で焼成す
る場合は、ある程度酸素含有量が多い方が高い熱伝導率
が得られることを見出した。
However, it has been found that when mixed with glass powder and fired at 1050° C. or lower, higher thermal conductivity can be obtained if the oxygen content is higher to some extent.

従って、酸素含有量が多い窒化アルミニウム粉末を用い
るか、または空気中で1000℃程度で焼成するなど、
何等かの方法で窒化アルミニウム粉末を酸化し、酸素含
有量を増加させて用いると、熱伝導率の高い焼成体を得
ることができる。
Therefore, it is necessary to use aluminum nitride powder with a high oxygen content or to sinter it in air at about 1000°C.
By oxidizing aluminum nitride powder by some method to increase the oxygen content, a fired body with high thermal conductivity can be obtained.

すなわち、本発明は酸素含有量が2〜15重量%の窒化
アルミニウム粉末にガラス粉末を加え、成形後、焼成す
ることを特徴とする窒化アルミニウム質焼成体の製造方
法に関するものである。
That is, the present invention relates to a method for producing an aluminum nitride fired body, which comprises adding glass powder to aluminum nitride powder having an oxygen content of 2 to 15% by weight, molding, and then firing.

本発明によれば、高い熱伝導率を持った窒化アルミニウ
ム質焼成体を得ることができる。
According to the present invention, an aluminum nitride fired body having high thermal conductivity can be obtained.

以下、本発明について詳述する。The present invention will be explained in detail below.

本発明において、種々の酸素含有量の窒化アルミニウム
粉末を用いて実験を行なったところ、酸素含有量は少な
くとも2重量%以上、好ましくは2.5重量%以上、さ
らに好ましくは3重量%以上である。
In the present invention, experiments using aluminum nitride powder with various oxygen contents revealed that the oxygen content was at least 2% by weight or more, preferably 2.5% by weight or more, and more preferably 3% by weight or more. .

また、酸素含有量が多すぎる場合、粒子表面の酸化層が
熱の伝導を阻害して窒化アルミニウム本来の高い熱伝導
率が得られない。
Furthermore, if the oxygen content is too high, the oxidized layer on the particle surface inhibits heat conduction, making it impossible to obtain the high thermal conductivity inherent to aluminum nitride.

したがって、酸素含有量が15重量%を越えると焼成体
の熱伝導率が低下するので、酸素含有量は15重量%以
下、好ましくは12重量%以下、さらに好ましくは8重
量%以下である。
Therefore, if the oxygen content exceeds 15% by weight, the thermal conductivity of the fired body decreases, so the oxygen content is 15% by weight or less, preferably 12% by weight or less, and more preferably 8% by weight or less.

ガラスについてはホウケイ酸ガラスが用いられる。As for the glass, borosilicate glass is used.

たとえば、5102が40〜70重量%、B20.が5
〜20重量%、^1,0.が5〜15重量%、MgOが
1〜10重量%、Na2Oが1〜5重量%からなる組成
のものを用いることができる。
For example, 40 to 70% by weight of 5102, B20. is 5
~20% by weight, ^1,0. A composition comprising 5 to 15% by weight of MgO, 1 to 10% by weight of MgO, and 1 to 5% by weight of Na2O can be used.

ガラス粉末の添加量が少ない場合、焼成時に生成する液
相の量も少ないので緻密化せず、多い場合は熱伝導率の
向上を阻害するので、ガラス粉末の添加量は粉末全体に
対して10〜70体積%である。
If the amount of glass powder added is small, the amount of liquid phase generated during firing will not be densified, and if it is large, the improvement of thermal conductivity will be inhibited, so the amount of glass powder added is 10% of the total powder. ~70% by volume.

成形体を得るには、窒化アルミニウムとガラスの粉末に
適当なバインダー等を加え、ボールミル等で混合し、ス
ラリーのままドクターブレード法でシート状に成形する
方法が適用できる。
To obtain a molded body, a suitable binder or the like is added to aluminum nitride and glass powder, mixed in a ball mill or the like, and the slurry is formed into a sheet shape using a doctor blade method.

バインダーとしては、ポリビニルビチラールやポリメチ
ルメタクリレート等を用いることができる。
As the binder, polyvinyl bityral, polymethyl methacrylate, etc. can be used.

また、湿式ボールミルで生成したスラリーを乾燥さたり
、乾式で混合するなどして得た混合粉末をプレス成形に
より成形することもできる。
Further, a mixed powder obtained by drying a slurry produced in a wet ball mill, or by dry mixing the slurry can also be molded by press molding.

本発明は、成形方法について特に限定するものではない
The present invention does not particularly limit the molding method.

得られた成形体に銅、銀、銀−パラジウム系、金等の粉
末のペーストで印刷し、それを大気中または窒素雰囲気
中で配線に使用した材料の融点以下の温度、たとえば銅
では1050℃以下、で焼成して窒化アルミニウム質焼
成体を得る。
The resulting molded body is printed with a powder paste of copper, silver, silver-palladium, gold, etc., and then heated in the air or nitrogen atmosphere at a temperature below the melting point of the material used for wiring, for example 1050°C for copper. Thereafter, it is fired to obtain an aluminum nitride fired body.

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれ
等に限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be explained below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

なお、諸物性の測定は次の装置および方法で行った。The various physical properties were measured using the following equipment and method.

(酸素含有量) インパルス加熱−赤外線吸収法 装置:堀場製作所  EMGA−2800(粒径分布) X線透過式沈降法 装置: Micromeritics社 Sedigr
aph 5QQQεT(熱伝導率) レーザーフラッシュ法 装置:真空理工 TC−7000型 実施例 1 中心粒径1.5μm酸素含有量0.8重M%の窒化アル
ミニウム粉末を、空気中850℃で酸化し、酸素含有量
が2.1重量%の粉末を得た。
(Oxygen content) Impulse heating-infrared absorption method device: Horiba, Ltd. EMGA-2800 (particle size distribution) X-ray transmission sedimentation method device: Micromeritics Sedigr
aph 5QQQεT (thermal conductivity) Laser flash method device: Shinku Riko TC-7000 model Example 1 Aluminum nitride powder with a center particle size of 1.5 μm and an oxygen content of 0.8% by weight was oxidized at 850°C in air. A powder with an oxygen content of 2.1% by weight was obtained.

該窒化アルミニウム粉末に対し、Sl口□−8203系
ガラス粉末を50体積%になるように加え、金型で30
(1Kg/c++lの圧力で成形し、さらに1500K
g/cmのラバープレスを行なった。
To the aluminum nitride powder, add 50% by volume of Sl-8203 type glass powder, and heat it in a mold to 30% by volume.
(Molded at a pressure of 1Kg/c++l, further 1500K
A rubber press of g/cm was performed.

得られた成形体を950℃で30分焼成した。The obtained molded body was fired at 950°C for 30 minutes.

焼成体の熱伝導率はlog/mKであった。The thermal conductivity of the fired body was log/mK.

実施例 2 中心粒径1,5μm酸素含有量0.8重量%の窒化アル
ミニウム粉末を、空気中850℃で酸化し、酸素含有量
が5.7重量%の粉末を得た。
Example 2 Aluminum nitride powder with a center particle size of 1.5 μm and an oxygen content of 0.8% by weight was oxidized in air at 850° C. to obtain a powder with an oxygen content of 5.7% by weight.

該窒化アルミニウム粉末に対し、5it)、−82[]
3系ガラス粉末を50体積%になるように加え、実施例
1と同様にして焼成体を得た。
5it), -82[] for the aluminum nitride powder
A sintered body was obtained in the same manner as in Example 1, except that 3-series glass powder was added at a concentration of 50% by volume.

焼成体の熱伝導率は19W/mKであった。The thermal conductivity of the fired body was 19 W/mK.

実施例 3 中心粒径1,3μm酸素含有量1.8重量%の窒化アル
ミニウム粉末を、空気中850℃で酸化し、酸素含有量
が9.6重量%の粉末を得た。
Example 3 Aluminum nitride powder with a center particle size of 1.3 μm and an oxygen content of 1.8% by weight was oxidized in air at 850° C. to obtain a powder with an oxygen content of 9.6% by weight.

該窒化アルミニウム粉末に対し、5i02−820.系
ガラス粉末を40体積%になるように加え、金型で30
0Kg/c++!の圧力で成形し、さらに1500Kg
/cIIiのラバープレスを行なった。
5i02-820. Add glass powder to 40% by volume and mold to 30% by volume.
0Kg/c++! molded at a pressure of 1,500 kg.
/cIIi rubber press was performed.

得られた成形体を950℃で30分焼成した。The obtained molded body was fired at 950°C for 30 minutes.

焼成体の熱伝導率はLOW/mKであった。The thermal conductivity of the fired body was LOW/mK.

実施例 4 中心粒径1.3μm酸素含有量1.8重量%の窒化アル
ミニウム粉末を、空気中850℃で酸化し、酸素含有量
が13.3重量%の粉末を得た。
Example 4 Aluminum nitride powder with a center particle size of 1.3 μm and an oxygen content of 1.8% by weight was oxidized in air at 850° C. to obtain a powder with an oxygen content of 13.3% by weight.

該窒化アルミニウム粉末に対し、3102−82[+3
 系ガラス粉末を40体積%になるように加え、実施例
3と同様にして焼成体を得た。
3102-82[+3
A fired body was obtained in the same manner as in Example 3 except that glass powder was added at a concentration of 40% by volume.

焼成体の熱伝導率は9W/mKであった。The thermal conductivity of the fired body was 9 W/mK.

実施例 5 中心粒径3.0μm酸素含有量1.4重量%の窒化アル
ミニウム粉末を、空気中1000℃で酸化し、酸素含有
量が3.5重量%の粉末を得た。
Example 5 Aluminum nitride powder with a center particle size of 3.0 μm and an oxygen content of 1.4% by weight was oxidized in air at 1000° C. to obtain a powder with an oxygen content of 3.5% by weight.

該窒化アルミニウム粉末に対し、S+02−8203 
系ガラス粉末を50体積%になるように加え、トリクレ
ン−エタノール混合溶媒系で、分散剤としてトリオレイ
ンをバインダーとしてポリビニルブチラールを添加し、
ボールミルで混合しスラリーを得た。
For the aluminum nitride powder, S+02-8203
Add system glass powder to 50% by volume, add triolein as a dispersant and polyvinyl butyral as a binder in a tricrene-ethanol mixed solvent system,
A slurry was obtained by mixing in a ball mill.

該スラリーを用い、ドクターブレード法によりテープ状
にキャストし、乾燥後打抜いて成形体を得た。
Using the slurry, a tape was cast by a doctor blade method, and after drying, it was punched out to obtain a molded product.

得られた成形体を950℃で30分焼成した。The obtained molded body was fired at 950°C for 30 minutes.

焼成体の熱伝導率は19W/mKであった。The thermal conductivity of the fired body was 19 W/mK.

実施例 6 中心粒径3.0μm酸素含有量1.4重量%の窒化アル
ミニウム粉末を、空気中1000℃で酸化し、酸素含有
量が7.9重量%の粉末を得た。
Example 6 Aluminum nitride powder with a center particle size of 3.0 μm and an oxygen content of 1.4% by weight was oxidized in air at 1000° C. to obtain a powder with an oxygen content of 7.9% by weight.

該窒化アルミニウム粉末に対し、5I02−BzO3系
ガラス粉末を50体積%になるように加え、実施例5と
同様にして焼成体を得た。
A sintered body was obtained in the same manner as in Example 5 by adding 5I02-BzO3 glass powder to the aluminum nitride powder at a concentration of 50% by volume.

焼成体の熱伝導率は17W/mKであった。The thermal conductivity of the fired body was 17 W/mK.

比較例 1 中心粒径1.5μm酸素含有量0.9重量%の窒化アル
ミニウム粉末に対し、S10□−B20.系ガラス粉末
を50体積%になるように加え、実施例1と同様にして
焼成体を得た。
Comparative Example 1 S10□-B20. A fired body was obtained in the same manner as in Example 1 by adding glass powder of 50% by volume.

焼成体の熱伝導率は2W/1TIKであった。The thermal conductivity of the fired body was 2W/1TIK.

比較例 2 中心粒径3,0μm酸素含有量1.4重量%の窒化アル
ミニウム粉末に対し、5iOa−820s 系ガラス粉
末を50体積%になるように加え、実施例1と同様にし
て焼成体を得た。
Comparative Example 2 5iOa-820s glass powder was added to 50% by volume of aluminum nitride powder with a center particle size of 3.0 μm and an oxygen content of 1.4% by weight, and a fired body was produced in the same manner as in Example 1. Obtained.

焼成体の熱伝導率は4W/mKであった。The thermal conductivity of the fired body was 4 W/mK.

比較例 3 中心粒径1.5μm酸素含有量0.9 重量%の窒化ア
ルミニウム粉末を、空気中1000℃で酸化し、酸素含
有量が25.4重量%の粉末を得た。
Comparative Example 3 Aluminum nitride powder with a center particle size of 1.5 μm and an oxygen content of 0.9% by weight was oxidized in air at 1000° C. to obtain a powder with an oxygen content of 25.4% by weight.

該窒化アルミニウム粉末に対し、5i02−821:h
系ガラス粉末を50体積%になるように加え、実施例1
と同様にして焼成体を得た。
5i02-821:h for the aluminum nitride powder
Example 1
A fired body was obtained in the same manner as above.

焼成体の熱伝導率は3W/mKであった。The thermal conductivity of the fired body was 3 W/mK.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、銅、銀、銀−パラジウム系、金等と同
時焼成が可能な1050℃以下の低温で焼成することが
でき、しかも従来のアルミナ−ガラス基板よりも熱伝導
率が高い窒化アルミニウムを主体とした焼成体を得るこ
とができる。
According to the present invention, the nitrided substrate can be fired at a low temperature of 1050°C or less, which allows co-firing with copper, silver, silver-palladium, gold, etc., and has higher thermal conductivity than conventional alumina-glass substrates. A fired body mainly made of aluminum can be obtained.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  酸素含有量が2〜15重量%の窒化アルミニウム粉末
にガラス粉末を加え、成形後、焼成することを特徴とす
る窒化アルミニウム質焼成体の製造方法。
A method for producing an aluminum nitride fired body, which comprises adding glass powder to aluminum nitride powder having an oxygen content of 2 to 15% by weight, molding, and then firing.
JP1044814A 1989-02-22 1989-02-22 Production of aluminum nitride-based sintered body Pending JPH02221162A (en)

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JP1044814A JPH02221162A (en) 1989-02-22 1989-02-22 Production of aluminum nitride-based sintered body

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JP1044814A JPH02221162A (en) 1989-02-22 1989-02-22 Production of aluminum nitride-based sintered body

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JP (1) JPH02221162A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5214005A (en) * 1991-02-04 1993-05-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Glass-aluminum nitride composite material
EP2620418A1 (en) 2012-01-26 2013-07-31 NGK Insulators, Ltd. Glass-ceramic composite material
WO2014038230A1 (en) 2012-09-10 2014-03-13 日本碍子株式会社 Glass-ceramic composite material
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