JPH02221199A - グラファイトウィスカーの製造方法 - Google Patents
グラファイトウィスカーの製造方法Info
- Publication number
- JPH02221199A JPH02221199A JP3997989A JP3997989A JPH02221199A JP H02221199 A JPH02221199 A JP H02221199A JP 3997989 A JP3997989 A JP 3997989A JP 3997989 A JP3997989 A JP 3997989A JP H02221199 A JPH02221199 A JP H02221199A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon black
- metal catalyst
- graphite
- reaction
- org
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はグラファイトウィスカーの製造方法に関し、−
層詳細には、FRPに混入する繊維補強材として最適な
グラファイトウィスカーの改良製造方法に関するもので
ある。
層詳細には、FRPに混入する繊維補強材として最適な
グラファイトウィスカーの改良製造方法に関するもので
ある。
[発明の背景]
近年、宇宙・航空産業を中心として軽量且つ強靭な繊維
強化プラスチック(FRP)が大量に使用されている。
強化プラスチック(FRP)が大量に使用されている。
プラスチック中に補強材として混入する繊維としては炭
素繊維、ガラス繊維、アルミナ虫維等が知られている。
素繊維、ガラス繊維、アルミナ虫維等が知られている。
然しなから、いずれの繊維も多結晶繊維であるため素材
の最高強度を利用することが出来ず、また製造コストも
極めて高価なものであった。
の最高強度を利用することが出来ず、また製造コストも
極めて高価なものであった。
これらの欠点を克服するため、最近ではFRP用の補強
材としてグラファイトウィスカーを使用することが注目
されている。このグラファイトウィスカーの製造方法に
ついてはその代表例として特公昭第57−8762号が
挙げられる。ここでは、所定粒径のカーボンブラック微
粒子を単独で非酸化性雰囲気下に約2000℃以上の温
度で処理してグラファイトウィスカーを生長させている
。
材としてグラファイトウィスカーを使用することが注目
されている。このグラファイトウィスカーの製造方法に
ついてはその代表例として特公昭第57−8762号が
挙げられる。ここでは、所定粒径のカーボンブラック微
粒子を単独で非酸化性雰囲気下に約2000℃以上の温
度で処理してグラファイトウィスカーを生長させている
。
本出願人はグラファイトウィスカーの製造につき改良研
究を重ねた結果、カーボンブラックと熱分解して水素お
よび炭素を発生する有機物質との併用により、従来技術
より優れた性質を有するグラファイトウィスカーを製造
し得ることを突き止め、本発明に到った。
究を重ねた結果、カーボンブラックと熱分解して水素お
よび炭素を発生する有機物質との併用により、従来技術
より優れた性質を有するグラファイトウィスカーを製造
し得ることを突き止め、本発明に到った。
[発明の目的]
本発明の目的は、FRPの補強材として好適な優れた性
質を備えるグラファイトウィスカーの改良製造方法を提
供することにある。
質を備えるグラファイトウィスカーの改良製造方法を提
供することにある。
[目的を達成するための手段]
前記の目的を達成するために、本発明はカーボンブラッ
クとFe5Ni、Co5Cr、MnSMo。
クとFe5Ni、Co5Cr、MnSMo。
V、WおよびT1よりなる群から選択される少なくとも
1種の金属触媒と、熱分解してN3およびCを発生する
少なくとも1種の有機物質とを混合し、この混合物を1
400〜2000℃の温度で反応させてグラファイトの
結晶生長を行なわせることにより達成される。
1種の金属触媒と、熱分解してN3およびCを発生する
少なくとも1種の有機物質とを混合し、この混合物を1
400〜2000℃の温度で反応させてグラファイトの
結晶生長を行なわせることにより達成される。
[実施態様]
本発明方法において使用するカーボンブラックは当業界
では周知のものであって、特に限定はしないが、好まし
くは粒径100Å以下のもの、特に好ましくは50人程
度の微細なものである。
では周知のものであって、特に限定はしないが、好まし
くは粒径100Å以下のもの、特に好ましくは50人程
度の微細なものである。
使用する金属触媒はFe、 N15(:o、 Cr。
MnSMo、VSWおよびTi等、第■族および第■族
の金属から選択され、その中、1種を単独であるいは2
種以上を組み合わせて使用することが出来る。
の金属から選択され、その中、1種を単独であるいは2
種以上を組み合わせて使用することが出来る。
さらに本発明に使用し得る有機物質としては、熱分解し
て、N2とCとを発生するもの(H2およびCOを発生
するものも包含される)である限り、任意の有機物質を
使用し得るが、炭化水素類および特に人手容易性等の観
点からポリビニルアルコールC−CH,・CH(OH)
−1、が好適である。また、有機物質は硫黄を含まず且
つ酸素含有量の低いものが望ましい。
て、N2とCとを発生するもの(H2およびCOを発生
するものも包含される)である限り、任意の有機物質を
使用し得るが、炭化水素類および特に人手容易性等の観
点からポリビニルアルコールC−CH,・CH(OH)
−1、が好適である。また、有機物質は硫黄を含まず且
つ酸素含有量の低いものが望ましい。
本発明の方法によれば、理論的にはカーボンブラックの
不存在下においてもグラファイトウィスカーが生成する
と思われるが、有機物質のみを単独使用すると遊離炭素
の量が過多となってウィスカーの純度を低下させる傾向
を有する。
不存在下においてもグラファイトウィスカーが生成する
と思われるが、有機物質のみを単独使用すると遊離炭素
の量が過多となってウィスカーの純度を低下させる傾向
を有する。
他方、カーボンブラック単独では反応に要する温度が高
くなり過ぎる(例えば、特公昭第578762号参照)
。従って、カーボンブラックと有機物質との併用が推奨
される。
くなり過ぎる(例えば、特公昭第578762号参照)
。従って、カーボンブラックと有機物質との併用が推奨
される。
反応温度については約1000℃以上であれば、本発明
の方法に必須とされる脱水素反応(以下に説明する)が
生ずるので、特に限定はないが生成効率を考慮して14
00〜2000℃の範囲が好ましい。反応圧力は約50
気圧以上、特に約80気圧に維持することが好ましい。
の方法に必須とされる脱水素反応(以下に説明する)が
生ずるので、特に限定はないが生成効率を考慮して14
00〜2000℃の範囲が好ましい。反応圧力は約50
気圧以上、特に約80気圧に維持することが好ましい。
反応雰囲気としては不活性ガス雰囲気、特にArガス雰
囲気が好適である。反応時間については、ウィスカーの
長さ寸法等に応じて適宜選択することが出来る。
囲気が好適である。反応時間については、ウィスカーの
長さ寸法等に応じて適宜選択することが出来る。
本発明の方法によれば、例えば、有機物質としてポリビ
ニルアルコールを使用した場合、次式(1)および(2
)に従ってグラファイトウィスカーが生成する。すなわ
ち、ポリビニルアルコールが先ず最初に高温条件下で次
式(1)に従って熱分解する。
ニルアルコールを使用した場合、次式(1)および(2
)に従ってグラファイトウィスカーが生成する。すなわ
ち、ポリビニルアルコールが先ず最初に高温条件下で次
式(1)に従って熱分解する。
nC+ (−CH2−CH) 、、→CO+H2+CH
2+C2H6+C3H4+ ・・・OH(1) 次いで、熱分解により発生したC H2が高温のN2雰
囲気下で且つCr等金属触媒の存在下で次式〔2)に従
って脱水素される。
2+C2H6+C3H4+ ・・・OH(1) 次いで、熱分解により発生したC H2が高温のN2雰
囲気下で且つCr等金属触媒の存在下で次式〔2)に従
って脱水素される。
CH2−” C(act) +H。
かくして、式(2)の左側から右側への反応が進行して
、活性化された炭素原子が単結晶のグラファイトウィス
カーを形成する。
、活性化された炭素原子が単結晶のグラファイトウィス
カーを形成する。
[実施例]
以下、限定はしないが実施例により本発明を説明する。
実施例1
ポリビニルアルコールに粒径50人のカーボンブラック
と触媒としての微量の粉末Crとを混練し、これを、A
r雰囲気の反応器において温度1700℃且つ圧力80
気圧に維持した。
と触媒としての微量の粉末Crとを混練し、これを、A
r雰囲気の反応器において温度1700℃且つ圧力80
気圧に維持した。
かくして、上記式(1)および(2)の反応に従い単結
晶のグラファイトウィスカーが生成した。得られたグラ
ファイトウィスカーを常法により諸性質につき分析して
、次の結果を得た。
晶のグラファイトウィスカーが生成した。得られたグラ
ファイトウィスカーを常法により諸性質につき分析して
、次の結果を得た。
引張強度 : 2000kg/mm’比 重
:2.2 濡れ性 : プラスチックに対し良好 [発明の効果] 以上のように、本発明の方法により生成されたグラファ
イトウィスカーは単結晶であって、2000 kg/
mm2 という極めて大きい引張強度を有すると共に、
その比重はSiCの3.18 と対比して2.2 と小
さく、さらにプラスチック材料に対する濡れ性が極めて
良好であるためFRP用の補強材繊維として極めて好適
である。
:2.2 濡れ性 : プラスチックに対し良好 [発明の効果] 以上のように、本発明の方法により生成されたグラファ
イトウィスカーは単結晶であって、2000 kg/
mm2 という極めて大きい引張強度を有すると共に、
その比重はSiCの3.18 と対比して2.2 と小
さく、さらにプラスチック材料に対する濡れ性が極めて
良好であるためFRP用の補強材繊維として極めて好適
である。
以上、本発明を好適実施例につき説明したが本発明はこ
れのみに限定されず、例えば、ポリビニルアルコール以
外の炭化水素のような有機物質を単独であるいは組み合
わせて使用したり、または金属触媒としてCr以外に周
期律表第■族および第■族の金属を単独であるいは組み
合わせて使用し得ることは勿論である。従って、本発明
の思想および範囲を逸脱することなく、種々の改変をな
し得ることが可能である。
れのみに限定されず、例えば、ポリビニルアルコール以
外の炭化水素のような有機物質を単独であるいは組み合
わせて使用したり、または金属触媒としてCr以外に周
期律表第■族および第■族の金属を単独であるいは組み
合わせて使用し得ることは勿論である。従って、本発明
の思想および範囲を逸脱することなく、種々の改変をな
し得ることが可能である。
Claims (2)
- (1)カーボンブラックとFe、Ni、Co、Cr、M
n、Mo、V、WおよびTiよりなる群から選択される
少なくとも1種の金属触媒と、熱分解してH_2および
Cを発生する少なくとも1種の有機物質とを混合し、こ
の混合物を1400〜2000℃の温度で反応させてグ
ラファイトの結晶生長を行なわせることを特徴とするグ
ラファイトウィスカーの製造方法。 - (2)請求項1記載の方法において、有機物質がポリビ
ニルアルコールであることを特徴とするグラファイトウ
ィスカーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3997989A JPH02221199A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | グラファイトウィスカーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3997989A JPH02221199A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | グラファイトウィスカーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02221199A true JPH02221199A (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=12568066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3997989A Pending JPH02221199A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | グラファイトウィスカーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02221199A (ja) |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP3997989A patent/JPH02221199A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3607014A (en) | Method for preparing aluminum nitride and metal fluoride single crystals | |
| JP2944246B2 (ja) | コイル状炭素繊維の製造方法 | |
| JPS63159300A (ja) | 炭化けい素ウイスカ−の製造方法 | |
| JPS6241706A (ja) | 黒鉛層間化合物の製造方法 | |
| US5221526A (en) | Production of silicon carbide whiskers using a seeding component to determine shape and size of whiskers | |
| JPH0411519B2 (ja) | ||
| US4521393A (en) | Method of manufacturing β type silicon nitride whiskers | |
| EP0375397B1 (en) | Process for producing graphite whiskers | |
| EP0282037A2 (en) | Process for preparing high purity polycrystalline silicon | |
| US5795384A (en) | Manufacture of transition metal carbide nitride or carbonitride whiskers | |
| JPH02221199A (ja) | グラファイトウィスカーの製造方法 | |
| EP0754782B1 (en) | Manufacture of titanium carbide, nitride and carbonitride whiskers | |
| JPH0553723B2 (ja) | ||
| JPH0476359B2 (ja) | ||
| US6110275A (en) | Manufacture of titanium carbide, nitride and carbonitride whiskers | |
| US4906324A (en) | Method for the preparation of silicon carbide platelets | |
| EP0754783A1 (en) | Manufacture of transition metal carbide, nitride and carbonitride whiskers | |
| JPH02233511A (ja) | ダイヤモンドの製造方法 | |
| US3423179A (en) | Catalyst for growth of boron carbide crystal whiskers | |
| KR960014907B1 (ko) | 탄화규소 휘스커 제조방법 | |
| JP2604753B2 (ja) | 炭化ケイ素ウイスカーの製造方法 | |
| JPS57101000A (en) | Preparation of ceramic whisker | |
| JPH01308898A (ja) | 窒化アルミニウムウィスカーの製造法 | |
| JPH0274598A (ja) | 窒化珪素ウイスカーの製造方法 | |
| JPH02221198A (ja) | 炭化ケイ素ウィスカーの製造方法 |