JPH02222145A - 半導体装置の洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体製造工程であるドライエッチ後の洗浄方
法、特に多層配線工程の洗浄方法に関するものである。

従来の技術 従来の方法として第４図に示しである。アルミ配線３の
上に層間絶縁膜１を形成し、ホト工程によりレジストパ
ターン２を形成する。次に、ドライエツチング技術を用
いて層間絶縁膜１を加工し、残ったレジストは酸素プラ
ズマを用いたアッシャ−で除去する。最後に発煙硝酸で
洗浄する。ここで、層間膜をドライエッチしていくとエ
ツチング時に形成される反応生成物５が側壁に堆積し、
マスク寸法の変化、次に堆積する膜のカバレッジ特性に
悲影響を与える 発明が解決しようとする課題 上記のような方法では、寸法が大きなときは良いが、寸
法が小さくなるにつれ、反応生成物５の影響を受けやす
い。アッシャで長時間処理スルコとにより生成物５を除
去しようとすると下地へのダメージが問題となる。本発
明はかがる点に鑑み、反応生成物をダメージレスで除去
する半導体装置の洗浄方法を提供することを目的とする
。

課題を解決するための手段 本発明は、発煙硝酸による洗浄工程と温水による洗浄工
程を含み、温水は７０’Ｃ以上の水温でウェハを浸して
洗浄する半導体装置の洗浄方法である。

作用 本発明は前記した方法により、発煙硝酸により、ドライ
エッチ後に残っているレジストを酸化、除去し、温水洗
浄により反応生成物を除去する。

実施例 第１図は本発明の実施例における半導体装置の洗浄方法
の工程図である。まず、第２図の工程図に従って洗浄前
までの半導体装置を作製する。シリコン基板４にスパッ
タ法でアルミ合金３を８００ｎｍ堆積し、次に層間絶縁
膜１としてプラズマＣＶＤ法でシリコン酸化膜を８００
ｎｍ堆積する。ホトリソグラフィーによりレジストのパ
ターンを形成後、ドライエッチ技術を用いてシリコン酸
化膜をパターンに従ってエツチングしていく。このとき
、エツチングガスであるＣＨＦ３とシリコン酸化膜、下
地であるアルミ合金が反応し、シリコン酸化膜側壁に堆
積物が形成される。この状態の半導体装置を第１図に従
い、レジスト除去、洗浄を行う。まず、酸素プラズマを
用いたドライ技術により基板表面のレジストを炭化させ
除去する。酸素プラズマで除去できない不純物、未反応
のレジストを発煙硝酸の酸化作用により分解除去する。

この発煙硝酸での洗浄は、液温は室温で、液をポンプで
循環させながら、途中にフィルタを通すととて液中のダ
ストを最小にさせるようにしている。

水洗はクイックダンプリンスタイプの槽を用い、純水の
シャワーが基板面に均一に当たるようにすることで一部
の反応生成物を除去することができた。この段階ではま
だ反応生成物が残っているが次に７０℃以上の加熱した
純水につけることにより、反応生成物を完全に除去する
ことができた。実験の結果７０℃以下では反応生成物を
完全に除去することはできなかった。第３図に温水洗浄
する前後のＳＥＭ写真を示す。写真は直径１．２μｍの
ホールをドライエッチし７３℃の温水に５分つけておい
たものである。反応生成物のとれ方は水温と洗浄時間に
依存しており、温度が高い程、短時間で反応生成物を除
去できる傾向にある。以上のように、本実施例によれば
、７０℃以上の温水を用いることにより、ダメージを与
えることなく反応生成物を除去できる。

発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、ドライエッチ時に
形成される反応生成物をイオン照射等のダメージを与え
ることなく除去することができ、その実用的効果は大き
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における一実施例の半導体装置の洗浄方
法を示す工程断面図、第２図は同実施例を行なうまでの
半導体装置製造工程断面図、第３図は同実施例前後での
半導体装置の斜視図、第４図は従来の半導体装置製造工
程図である。 １・・・・層間絶縁膜、５・・・・反応生成物、２・・
・・レジストパターン。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名憾 区 り 寸

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）発煙硝酸による洗浄工程と温水による洗浄工程を
   含むことを特徴とする半導体装置の洗浄方法。
2. （２）温水による洗浄では、水温７０℃以上の純水にウ
   ェハーを浸して、つづいて乾焼せることを特徴とする請
   求項１記載の半導体装置の洗浄方法。