JPH05156302A - 高純度銀粉末の製造方法 - Google Patents
高純度銀粉末の製造方法Info
- Publication number
- JPH05156302A JPH05156302A JP3318750A JP31875091A JPH05156302A JP H05156302 A JPH05156302 A JP H05156302A JP 3318750 A JP3318750 A JP 3318750A JP 31875091 A JP31875091 A JP 31875091A JP H05156302 A JPH05156302 A JP H05156302A
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- JP
- Japan
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- silver powder
- silver
- purity
- particle size
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高精度、高密度のＩＣにも適用できる、高純
度銀粉末を提供すること、即ち得られる銀粉末の銀純度
を99.999％以上にすることを目的とする。 【構成】 銀粉末を80〜100 ℃の純水で洗浄することを
特徴とする、高純度銀粉末の製造方法。
度銀粉末を提供すること、即ち得られる銀粉末の銀純度
を99.999％以上にすることを目的とする。 【構成】 銀粉末を80〜100 ℃の純水で洗浄することを
特徴とする、高純度銀粉末の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の電極材とし
て用いるのに好適な高純度銀粉末の製造方法に関するも
のである。
て用いるのに好適な高純度銀粉末の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子部品特にＩＣ関連の電極
材として、高純度即ちイオン性不純物が100ppm以下の銀
粉末と樹脂等を混合して導電塗料とし、印刷又は塗布
し、樹脂を硬化させて電極を形成しているが、より高精
度、高密度のＩＣ開発により、銀粉末そのもののイオン
性不純物も一桁下げたものが要求されるようになった。
銀粉末は一般的に化学還元法により製造されている。し
かし、化学還元法により製造される銀粉末は、原料の銀
化合物、例えば塩化銀、硝酸銀等から、Ｃｌ，ＮＯ等が
銀粉末に残留することにより、例えそれを大量の純水で
洗浄したとしても、その量を100ppm以下にすることは困
難であった。
材として、高純度即ちイオン性不純物が100ppm以下の銀
粉末と樹脂等を混合して導電塗料とし、印刷又は塗布
し、樹脂を硬化させて電極を形成しているが、より高精
度、高密度のＩＣ開発により、銀粉末そのもののイオン
性不純物も一桁下げたものが要求されるようになった。
銀粉末は一般的に化学還元法により製造されている。し
かし、化学還元法により製造される銀粉末は、原料の銀
化合物、例えば塩化銀、硝酸銀等から、Ｃｌ，ＮＯ等が
銀粉末に残留することにより、例えそれを大量の純水で
洗浄したとしても、その量を100ppm以下にすることは困
難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、より高精
度、高密度のＩＣにも適用できる、高純度銀粉末を提供
すること、即ち得られる銀粉末の銀純度を99.999％以上
にすることを目的とし、種々検討を重ねた結果、洗浄用
純水を加熱すると、銀純度が向上することを見出し、本
発明を完成したものである。
度、高密度のＩＣにも適用できる、高純度銀粉末を提供
すること、即ち得られる銀粉末の銀純度を99.999％以上
にすることを目的とし、種々検討を重ねた結果、洗浄用
純水を加熱すると、銀純度が向上することを見出し、本
発明を完成したものである。
【０００４】
【問題を解決するための手段】本発明は、銀粉末を80〜
100 ℃の純水で洗浄することを特徴とする高純度銀粉末
の製造方法である。
100 ℃の純水で洗浄することを特徴とする高純度銀粉末
の製造方法である。
【０００５】
【作用】本発明で洗浄用の純水温度を80〜100 ℃にした
のは、80℃以下ではイオン性不純物の溶解が少なく洗浄
の回数を多くする必要があり、洗浄効率が悪くなるため
である。一方、 100℃以上にすると、得られた銀粉末が
焼結凝集し、樹脂と均一に混練できないものとなるため
である。
のは、80℃以下ではイオン性不純物の溶解が少なく洗浄
の回数を多くする必要があり、洗浄効率が悪くなるため
である。一方、 100℃以上にすると、得られた銀粉末が
焼結凝集し、樹脂と均一に混練できないものとなるため
である。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例と比較例について説明
する。 実施例１ 硝酸銀水溶液をヒドラジンで還元した市販の銀粉末 (銀
純度99.95％) で、平均粒径１μm 、粒度が 0.5〜２μm
の球状銀粉末100gを 100℃の純水2000g 中に１時間放
置したのち、デカンテーションを常温の純水で３回行な
ったのち乾燥し水分を完全に蒸発させた。このようにし
て得られた銀粉末は平均粒径が 1.5μmで、粒度が１〜
３μm で、銀純度が99.9999 ％であった。
する。 実施例１ 硝酸銀水溶液をヒドラジンで還元した市販の銀粉末 (銀
純度99.95％) で、平均粒径１μm 、粒度が 0.5〜２μm
の球状銀粉末100gを 100℃の純水2000g 中に１時間放
置したのち、デカンテーションを常温の純水で３回行な
ったのち乾燥し水分を完全に蒸発させた。このようにし
て得られた銀粉末は平均粒径が 1.5μmで、粒度が１〜
３μm で、銀純度が99.9999 ％であった。
【０００７】実施例２ 硝酸銀水溶液をヒドラジンで還元した市販の銀粉末 (銀
純度99.98％) で、平均粒径10μm 、粒度が２〜30μm
の多面体の銀粉末100gと80℃の純水2000g を用いた以外
は、実施例１と同じ方法で洗浄処理を行なった。このよ
うにして得られた銀粉末は、処理前と同じ粒度・粒径を
もち、銀純度が99.9995 ％であった。
純度99.98％) で、平均粒径10μm 、粒度が２〜30μm
の多面体の銀粉末100gと80℃の純水2000g を用いた以外
は、実施例１と同じ方法で洗浄処理を行なった。このよ
うにして得られた銀粉末は、処理前と同じ粒度・粒径を
もち、銀純度が99.9995 ％であった。
【０００８】実施例３ 硝酸銀水溶液をヒドラジンで還元し、フレークに加工し
た市販の銀粉末 (銀純度99.9％) で、平均粒径５μm 、
粒度が１〜50μm のフレーク状銀粉末100gと 100℃の純
水2000g を用いた以外は、実施例１と同じ方法での洗浄
処理を行なった。このようにして得られた銀粉末は、平
均粒径７μm 、粒度１〜50μmで銀純度99.999％であっ
た。
た市販の銀粉末 (銀純度99.9％) で、平均粒径５μm 、
粒度が１〜50μm のフレーク状銀粉末100gと 100℃の純
水2000g を用いた以外は、実施例１と同じ方法での洗浄
処理を行なった。このようにして得られた銀粉末は、平
均粒径７μm 、粒度１〜50μmで銀純度99.999％であっ
た。
【０００９】実施例４ 実施例３で用いたフレーク状銀粉末100gと80℃の純水20
00g を用いた以外は実施例１と同じ方法で洗浄処理を行
なった。このようにして得られた銀粉末は、平均粒径６
μm 、粒度１〜50μm で銀純度99.999％であった。
00g を用いた以外は実施例１と同じ方法で洗浄処理を行
なった。このようにして得られた銀粉末は、平均粒径６
μm 、粒度１〜50μm で銀純度99.999％であった。
【００１０】比較例１ 実施例１で用いた球状銀粉末100gと 120℃の純水2000g
を用いた以外は、実施例１と同じ方法で洗浄処理を行な
った。このようにして得られた銀粉末は、平均粒径５μ
m の凝集粉末であった。
を用いた以外は、実施例１と同じ方法で洗浄処理を行な
った。このようにして得られた銀粉末は、平均粒径５μ
m の凝集粉末であった。
【００１１】比較例２ 実施例１で用いた球状銀粉末100gを70℃の純水2000g を
用いた以外は、実施例１と同じ方法で洗浄処理を行なっ
た。このようにして得られた銀粉末は、平均粒径1.5 μ
m 、純度が１〜３μm で銀純度が99.99 ％であった。
用いた以外は、実施例１と同じ方法で洗浄処理を行なっ
た。このようにして得られた銀粉末は、平均粒径1.5 μ
m 、純度が１〜３μm で銀純度が99.99 ％であった。
【００１２】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の製造方法により
得られる銀粉末は、その銀純度が99.999％以上であり、
ＩＣ関連の電極材として高信頼性のものである。
得られる銀粉末は、その銀純度が99.999％以上であり、
ＩＣ関連の電極材として高信頼性のものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 銀粉末を80〜100 ℃の純水で洗浄するこ
とを特徴とする高純度銀粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318750A JPH05156302A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 高純度銀粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318750A JPH05156302A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 高純度銀粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05156302A true JPH05156302A (ja) | 1993-06-22 |
Family
ID=18102522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3318750A Pending JPH05156302A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 高純度銀粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05156302A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20240060587A (ko) * | 2022-10-27 | 2024-05-08 | 후쿠다 킨조쿠 하쿠훈 코교 가부시키가이샤 | 은계 금속 분말 및 그 은계 금속 분말의 제조 방법 |
| US12125765B2 (en) | 2019-09-02 | 2024-10-22 | Mitsubishi Materials Corporation | Copper/ceramic joined body and insulating circuit substrate |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139695A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Hitachi Cable Ltd | 銀めつき製品の後処理方法 |
| JPS63307207A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 銀微粒子の製造方法 |
| JPH022839A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Daicel Chem Ind Ltd | 膜モジュールの製造方法 |
| JPH02222145A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の洗浄方法 |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP3318750A patent/JPH05156302A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139695A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Hitachi Cable Ltd | 銀めつき製品の後処理方法 |
| JPS63307207A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 銀微粒子の製造方法 |
| JPH022839A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Daicel Chem Ind Ltd | 膜モジュールの製造方法 |
| JPH02222145A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の洗浄方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12125765B2 (en) | 2019-09-02 | 2024-10-22 | Mitsubishi Materials Corporation | Copper/ceramic joined body and insulating circuit substrate |
| KR20240060587A (ko) * | 2022-10-27 | 2024-05-08 | 후쿠다 킨조쿠 하쿠훈 코교 가부시키가이샤 | 은계 금속 분말 및 그 은계 금속 분말의 제조 방법 |
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