JPH02222514A - 金属化フィルムコンデンサの製造方法 - Google Patents
金属化フィルムコンデンサの製造方法Info
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- JPH02222514A JPH02222514A JP1044958A JP4495889A JPH02222514A JP H02222514 A JPH02222514 A JP H02222514A JP 1044958 A JP1044958 A JP 1044958A JP 4495889 A JP4495889 A JP 4495889A JP H02222514 A JPH02222514 A JP H02222514A
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- capacitor element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はAfl又はZnその他の金属を例えばプラスチ
ックス等のフィルムに蒸着した金属化フィルムを誘電体
とし、大容量コンデンサや低電圧使用のコンデンサ等に
使用される金属化フィルムコンデンサの製造方法に関す
る。
ックス等のフィルムに蒸着した金属化フィルムを誘電体
とし、大容量コンデンサや低電圧使用のコンデンサ等に
使用される金属化フィルムコンデンサの製造方法に関す
る。
従来の技術
従来、金属化フィルムを用いて積層するには、平板等を
用いて巻回し、前記金属化フィルムを延伸しないような
圧力でかつフィルムの柔らかくなる温度でヒートプレス
を行い、フィルム層間のギャップを小さくすることによ
って、コンデンサとしての容量を安定化させると共に積
層した前記金属化フィルムを固着化させ、後の切断工程
でばらけないようにしている。
用いて巻回し、前記金属化フィルムを延伸しないような
圧力でかつフィルムの柔らかくなる温度でヒートプレス
を行い、フィルム層間のギャップを小さくすることによ
って、コンデンサとしての容量を安定化させると共に積
層した前記金属化フィルムを固着化させ、後の切断工程
でばらけないようにしている。
さらにこの後、前記積層金属化フィルムの両側面にメタ
リコンを施して電極とし、この電極にリード端子付けを
し、粉体やケースに入れて樹脂含浸する等の外装を行っ
て金属化フィルムコンデンサとしている。しかし、上記
のように切断工程を行うとコンデンサとした時耐圧が低
下したりするので、金属化フィルムを円形に巻回した後
、前記積層と同じ操作でヒートブレスをする方法もとら
れている。
リコンを施して電極とし、この電極にリード端子付けを
し、粉体やケースに入れて樹脂含浸する等の外装を行っ
て金属化フィルムコンデンサとしている。しかし、上記
のように切断工程を行うとコンデンサとした時耐圧が低
下したりするので、金属化フィルムを円形に巻回した後
、前記積層と同じ操作でヒートブレスをする方法もとら
れている。
発明が解決しようとする課題
しかし、上記のような従来の金属化フィルムコンデンサ
の製造方法においては、メタリコンを行う前にヒートプ
レスしているので、ヒートプレスの圧力を大きくし過ぎ
ると熱とブレスの圧力のために前記メタリコンを行う部
分の金属化フィルム層の間隙が埋ってしまいメタリコン
の付着が悪くなってしまう。従って、ヒートプレスを行
うとき金属化フィルムに大きなプレス圧力をかけること
ができない。また金属化フィルムコンデンサの容量を大
きくするために、誘電体としての金属化フィルムの厚さ
が薄いものを用いなければならないが、フィルムの厚さ
が5μm以下のものは薄くなるにつれ、その価格が極端
に高くなるばかりかその生産量も少ないという難点があ
る。これは厚さ5μm以下のフィルムの製膜が難しく、
その取扱いも容易でないばかりか、歩留りも悪いという
理由による。
の製造方法においては、メタリコンを行う前にヒートプ
レスしているので、ヒートプレスの圧力を大きくし過ぎ
ると熱とブレスの圧力のために前記メタリコンを行う部
分の金属化フィルム層の間隙が埋ってしまいメタリコン
の付着が悪くなってしまう。従って、ヒートプレスを行
うとき金属化フィルムに大きなプレス圧力をかけること
ができない。また金属化フィルムコンデンサの容量を大
きくするために、誘電体としての金属化フィルムの厚さ
が薄いものを用いなければならないが、フィルムの厚さ
が5μm以下のものは薄くなるにつれ、その価格が極端
に高くなるばかりかその生産量も少ないという難点があ
る。これは厚さ5μm以下のフィルムの製膜が難しく、
その取扱いも容易でないばかりか、歩留りも悪いという
理由による。
また、コンデンサとするための蒸着や積層や右回等の工
数は、フィルムが薄い程増加し歩留りも悪い等、比較的
低い電圧の大容量コンデンサの製造コストは高いものに
つくという問題があった。
数は、フィルムが薄い程増加し歩留りも悪い等、比較的
低い電圧の大容量コンデンサの製造コストは高いものに
つくという問題があった。
本発明の目的は上記問題点を解消し、厚さが5μmを超
えた比較的厚く、安価で取扱い易い金属化フィルムを用
いてコンデンサ素子を形成した後、ヒートプレスするこ
とにより、コンデンサ容量を飛躍的に増大させることが
でき、特に大容量のコンデンサや低電圧使用のコンデン
サとして効率のよい金属化フィルムコンデンサの製造方
法を提供しようとするものである。
えた比較的厚く、安価で取扱い易い金属化フィルムを用
いてコンデンサ素子を形成した後、ヒートプレスするこ
とにより、コンデンサ容量を飛躍的に増大させることが
でき、特に大容量のコンデンサや低電圧使用のコンデン
サとして効率のよい金属化フィルムコンデンサの製造方
法を提供しようとするものである。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、金属化フィルムを
用いて積層し、両側面にメタリコンを施して電極とした
コンデンサ素子母体を形成し、このコンデンサ素子母体
を切断してコンデンサ素子とし、このコンデンサ素子の
フィルム面と直交する方向に100にg/crr?以上
で、かつその後の工程でさらされる最高温度もしくは完
成後のコンデンサの使用最高温度のどちらか高い方の温
度より30℃以上高い温度でヒートプレスする金属化フ
ィルムコンデンサの製造方法とした。
用いて積層し、両側面にメタリコンを施して電極とした
コンデンサ素子母体を形成し、このコンデンサ素子母体
を切断してコンデンサ素子とし、このコンデンサ素子の
フィルム面と直交する方向に100にg/crr?以上
で、かつその後の工程でさらされる最高温度もしくは完
成後のコンデンサの使用最高温度のどちらか高い方の温
度より30℃以上高い温度でヒートプレスする金属化フ
ィルムコンデンサの製造方法とした。
また、ヒートブレス時における金属化フィルムの延伸方
向を規制するため、コンデンサ素子の電極となるメタリ
コン面間の距離を一定に保ちつつ一軸方向に延伸する′
ようにした。
向を規制するため、コンデンサ素子の電極となるメタリ
コン面間の距離を一定に保ちつつ一軸方向に延伸する′
ようにした。
また、ヒートブレス時における昇圧条件を1秒あたり3
にglcrd以下で連続昇圧もしくは30秒毎に100
にg/crr?以下でステップアップ昇圧することがで
きる。
にglcrd以下で連続昇圧もしくは30秒毎に100
にg/crr?以下でステップアップ昇圧することがで
きる。
さらに、ヒートブレス時におけるヒートブレス最高圧力
での保持時間を10分間以上とすることができる。
での保持時間を10分間以上とすることができる。
また、ヒートプレスするコンデンサ素子を金属化フィル
ムを用いて巻回した後押しつぶして小判形にし、両側面
にメタリコンを施して電極とした小判形コンデンサ素子
を用いることもできる。
ムを用いて巻回した後押しつぶして小判形にし、両側面
にメタリコンを施して電極とした小判形コンデンサ素子
を用いることもできる。
作用
本発明は上記のように金属化フィルムを用いて積層し、
両側面にメタリコンを施した後、切断して積層金属化フ
ィルムコンデンサ素子を形成し、この後のヒートプレス
をする工程で、フィルム面と直交する方向に100にg
/crn″以上で且つ以後のコンデンサの製造工程でさ
らされる最高温度もしくは完成後のコンデンサの使用最
高温度のどちらか高い温度よりさらに30℃以上高い温
度でヒートプレスするようにしたので、金属化フィルム
の延伸によって電極面積が大きくなると共に誘電体であ
るフィルムの厚さも薄くなり、且つフィルム層間のギャ
ップもなくなると共に蒸着金属とメタリコンとの導通も
保たれ、コンデンサ容量を増加させることができる。し
かも、ヒートブレス後常温に戻した時、温度の低下によ
るコンデンサ容量の低下を小さくすることができる。
両側面にメタリコンを施した後、切断して積層金属化フ
ィルムコンデンサ素子を形成し、この後のヒートプレス
をする工程で、フィルム面と直交する方向に100にg
/crn″以上で且つ以後のコンデンサの製造工程でさ
らされる最高温度もしくは完成後のコンデンサの使用最
高温度のどちらか高い温度よりさらに30℃以上高い温
度でヒートプレスするようにしたので、金属化フィルム
の延伸によって電極面積が大きくなると共に誘電体であ
るフィルムの厚さも薄くなり、且つフィルム層間のギャ
ップもなくなると共に蒸着金属とメタリコンとの導通も
保たれ、コンデンサ容量を増加させることができる。し
かも、ヒートブレス後常温に戻した時、温度の低下によ
るコンデンサ容量の低下を小さくすることができる。
また、コンデンサ素子の電極としたメタリコン面間の距
離を一定に保つようにして一軸方向に延伸するようヒー
トプレスを行う場合、誘電体である金属化フィルムの形
状をくずすことなく、蒸着金属のマイクロクラック形状
を一定方向にすることができ、蒸着金属とメタリコンと
の導通も保たれる。
離を一定に保つようにして一軸方向に延伸するようヒー
トプレスを行う場合、誘電体である金属化フィルムの形
状をくずすことなく、蒸着金属のマイクロクラック形状
を一定方向にすることができ、蒸着金属とメタリコンと
の導通も保たれる。
又、ヒートプレスの昇圧を1秒あたり3にg/am”以
下の連続昇圧もしくは30秒毎に100 Kg/crn
”以下のステップアップ昇圧にすれば、フィルムの延伸
がよく、電極面積が拡大し、誘電体としてのフィルムを
薄くすることができる。
下の連続昇圧もしくは30秒毎に100 Kg/crn
”以下のステップアップ昇圧にすれば、フィルムの延伸
がよく、電極面積が拡大し、誘電体としてのフィルムを
薄くすることができる。
さらに、ヒートプレスを最高圧力で10分間以上保持す
ることにより容量増加率が向上する。
ることにより容量増加率が向上する。
また、コンデンサ素子として、金属化フィルムを巻回し
た後、小判形に押しつぶし、両側面にメタリコンを施し
て電極としたコンデンサ素子を用いて、本発明の請求項
1と同じようにヒートプレスをすることにより、曲り部
での延伸率は劣るが、金属化フィルムの切断工程がなく
、金属化フィルムとメタリコンとの接合が十分に保たれ
る作用がある。
た後、小判形に押しつぶし、両側面にメタリコンを施し
て電極としたコンデンサ素子を用いて、本発明の請求項
1と同じようにヒートプレスをすることにより、曲り部
での延伸率は劣るが、金属化フィルムの切断工程がなく
、金属化フィルムとメタリコンとの接合が十分に保たれ
る作用がある。
実施例
以下、本発明の実施例として示した図面について説明す
る。
る。
第1図において、lは積層金属化フィルムコンデンサ素
子、2はそのフィルム面、3は保護フィルムで、積層金
属化フィルムコンデンサ素子lを保護する。4はメタリ
コン面で、前記積層金属化フィルムコンデンサ素子1の
両側面に設けた。なお、5は切断面を示す。
子、2はそのフィルム面、3は保護フィルムで、積層金
属化フィルムコンデンサ素子lを保護する。4はメタリ
コン面で、前記積層金属化フィルムコンデンサ素子1の
両側面に設けた。なお、5は切断面を示す。
上記積層金属化フィルムコンデンサ素子1はポリエチレ
ンテレフタレート(以下PETと略称する)やポリプロ
ピレン(以下PPと略称する)等のフィルムに片面もし
くは両面にAflやZn等の金属を蒸着して金属化フィ
ルムとし、この金属化フィルムを平板として積層し、両
側面にZn等をメタリコンして、前記金属化フィルムを
固定させてコンデンサ素子母体とし、このコンデンサ素
子母体を切断することにより得られたものである。
ンテレフタレート(以下PETと略称する)やポリプロ
ピレン(以下PPと略称する)等のフィルムに片面もし
くは両面にAflやZn等の金属を蒸着して金属化フィ
ルムとし、この金属化フィルムを平板として積層し、両
側面にZn等をメタリコンして、前記金属化フィルムを
固定させてコンデンサ素子母体とし、このコンデンサ素
子母体を切断することにより得られたものである。
第2図はヒートプレス装置の一例を示すもので、6はプ
レス平板で、コンデンサ素子lの上下に配置した。7は
押え板で、コンデンサ素子lの両側面に配設した。8は
プレス押金型、9はプレスピストン、10はヒータで、
前記プレス平板6と押え板7に付設されている。積層金
属化フィルムコンデンサ素子1の両側面を押え板7で押
え、フィルム面と直交する方向からプレス平板6とプレ
ス押金型8により押圧してプレスすることにより金属化
フィルムを延伸するヒートプレスが行えるように設定し
た。
レス平板で、コンデンサ素子lの上下に配置した。7は
押え板で、コンデンサ素子lの両側面に配設した。8は
プレス押金型、9はプレスピストン、10はヒータで、
前記プレス平板6と押え板7に付設されている。積層金
属化フィルムコンデンサ素子1の両側面を押え板7で押
え、フィルム面と直交する方向からプレス平板6とプレ
ス押金型8により押圧してプレスすることにより金属化
フィルムを延伸するヒートプレスが行えるように設定し
た。
上記ヒートプレス装置を用いてビートプレスする工程を
以下に示す。
以下に示す。
まず、ヒータ10がこの後の製造工程でさらされる最高
温度もしくは完成後のコンデンサの使用最高温度より3
0℃以上高い温度にし、フィルム面2と直交する方向に
l OOKg/crri″以上の圧力でヒートプレスす
る。この時フィルムがPETやPPの場合330℃以上
の温度でヒートプレスすることにより良好な容量増加率
が得られる。
温度もしくは完成後のコンデンサの使用最高温度より3
0℃以上高い温度にし、フィルム面2と直交する方向に
l OOKg/crri″以上の圧力でヒートプレスす
る。この時フィルムがPETやPPの場合330℃以上
の温度でヒートプレスすることにより良好な容量増加率
が得られる。
上記のようにヒートプレス時の温度を以後コンデンサの
さらされる最高温度よりも30℃以上高い温度としたの
は、前記ヒートプレス後の温度による容量変化を小さく
するためである。すなわち、第3図で示したようにヒー
トブレス後常温に戻した時通常のコンデンサ容量はグラ
フの値より容量増加率が10〜30%小さくなる。これ
はPETの誘電率や形状等の温度特性とブレスをはずし
たことによる戻りのためであり、また、前記ヒートブレ
スをした後常温に戻して得たコンデンサを再びヒートブ
レスした温度にさらし常温に戻した時には容量増加率が
さらに下がるという現象があるからである。
さらされる最高温度よりも30℃以上高い温度としたの
は、前記ヒートプレス後の温度による容量変化を小さく
するためである。すなわち、第3図で示したようにヒー
トブレス後常温に戻した時通常のコンデンサ容量はグラ
フの値より容量増加率が10〜30%小さくなる。これ
はPETの誘電率や形状等の温度特性とブレスをはずし
たことによる戻りのためであり、また、前記ヒートブレ
スをした後常温に戻して得たコンデンサを再びヒートブ
レスした温度にさらし常温に戻した時には容量増加率が
さらに下がるという現象があるからである。
第2図のヒートブレス装置においては押え板7により、
ヒートブレスする積層金属化フィルムコンデンサ素子l
の両側面のメタリコン面4間の距離を一定に保って一軸
方向に延伸するようにしている。第3図はヒートブレス
をしながら測定したPETの容量増加率とプレス圧力の
特性を示しているが、200℃の温度で一軸方向にブレ
スした場合の方が同じ温度で無方向にブレスする場合よ
りもプレス圧力に対する容量増加率は少し下がるが、容
量増加率を150%以上にすることができる。
ヒートブレスする積層金属化フィルムコンデンサ素子l
の両側面のメタリコン面4間の距離を一定に保って一軸
方向に延伸するようにしている。第3図はヒートブレス
をしながら測定したPETの容量増加率とプレス圧力の
特性を示しているが、200℃の温度で一軸方向にブレ
スした場合の方が同じ温度で無方向にブレスする場合よ
りもプレス圧力に対する容量増加率は少し下がるが、容
量増加率を150%以上にすることができる。
第4図(a)は押え板7のない状態でヒートブレスした
時、すなわち無方向延伸した時の蒸着金属のマイクロク
ラック形状を、また、(b)は前記−軸方向への延伸の
マイクロクラック形状を示したものである。11と12
は各々メタリコン部を示す。
時、すなわち無方向延伸した時の蒸着金属のマイクロク
ラック形状を、また、(b)は前記−軸方向への延伸の
マイクロクラック形状を示したものである。11と12
は各々メタリコン部を示す。
コンデンサの容量増加率としては(b)の場合のマイク
ロクラック形状の方が(a)の場合と比較して蒸着金属
と電極であるメタリコン部12との導通がよいうえ、ヒ
ートブレスによるメタリコン部12の受けるダメージも
小さいので、容量増加率を大きくできる。なお、プレス
圧力を大きくしていくと、マイクロクラックは周囲から
順次独立した状態となり、そのため蒸着金属とメタリコ
ン部の導通が順次なくなり、コンデンサ容量は順次小さ
くなっていく。
ロクラック形状の方が(a)の場合と比較して蒸着金属
と電極であるメタリコン部12との導通がよいうえ、ヒ
ートブレスによるメタリコン部12の受けるダメージも
小さいので、容量増加率を大きくできる。なお、プレス
圧力を大きくしていくと、マイクロクラックは周囲から
順次独立した状態となり、そのため蒸着金属とメタリコ
ン部の導通が順次なくなり、コンデンサ容量は順次小さ
くなっていく。
第3図で示したようにプレス圧力が100 Kg/cゴ
あたりまでは容量増加率がプレス圧力に比例した関係が
得られず安定しない。これはヒートブレスかけ始めはフ
ィルム層間のギャップをなくす等に起因して容量増加が
起り、一方プレス圧力が100 Kg/cn1′以上に
なればフィルムが延伸して、電極面積の拡大および誘電
体が薄くなることに起因して比例的な容量増加が起って
いると考えられる。
あたりまでは容量増加率がプレス圧力に比例した関係が
得られず安定しない。これはヒートブレスかけ始めはフ
ィルム層間のギャップをなくす等に起因して容量増加が
起り、一方プレス圧力が100 Kg/cn1′以上に
なればフィルムが延伸して、電極面積の拡大および誘電
体が薄くなることに起因して比例的な容量増加が起って
いると考えられる。
従って、本実施例ではこのような安定性を得るためにフ
ィルムを延伸するよう100 Kg/ctn”以上のプ
レス圧力を必要とする。
ィルムを延伸するよう100 Kg/ctn”以上のプ
レス圧力を必要とする。
本実施例で示したヒートブレスにより金属化フィルムを
延伸すれば金属化フィルムの耐圧は下がるが、容量増加
率150%程度まではヒートブレス前の金属化フィルム
の体積とヒートプレス後の金属化フィルムの体積は同じ
とみなされ、ヒートプレス後の金属化フィルムの厚さは
ヒートブレス前後の容量比の平方骨のlとなり、容量増
加率100%の時で0.7倍の厚さである。
延伸すれば金属化フィルムの耐圧は下がるが、容量増加
率150%程度まではヒートブレス前の金属化フィルム
の体積とヒートプレス後の金属化フィルムの体積は同じ
とみなされ、ヒートプレス後の金属化フィルムの厚さは
ヒートブレス前後の容量比の平方骨のlとなり、容量増
加率100%の時で0.7倍の厚さである。
従って、金属化フィルムを延伸すれば耐圧は下がるが前
記容量を加重150%程度までは1μmあたりの耐圧は
同程度であり、延伸後のフィルムの厚さで耐圧を補正す
ることができる。
記容量を加重150%程度までは1μmあたりの耐圧は
同程度であり、延伸後のフィルムの厚さで耐圧を補正す
ることができる。
また、ヒートブレスの昇圧条件を1秒あたり3にg/c
tn’以下で連続昇圧もしくは30秒毎に100Kg/
crri’以下でステップアップ昇圧を行えば、コンデ
ンサ容量の増加率が安定して得られる。すなわち、昇圧
速度が大きい場合は局部的に大きなプレス圧力がかかっ
たり等して大きな容量増加率が得られなかったり、その
率が不安定になる場合がある。
tn’以下で連続昇圧もしくは30秒毎に100Kg/
crri’以下でステップアップ昇圧を行えば、コンデ
ンサ容量の増加率が安定して得られる。すなわち、昇圧
速度が大きい場合は局部的に大きなプレス圧力がかかっ
たり等して大きな容量増加率が得られなかったり、その
率が不安定になる場合がある。
第5図で容量増加率とプレス保持時間の関係を示したが
、プレス最高圧力を10分間以上保持することによって
も容量増加率は安定する。
、プレス最高圧力を10分間以上保持することによって
も容量増加率は安定する。
また、真空状態でヒートブレスを行えばフィルム層の間
隙に気体が残らず積層金属化フィルムコンデンサ素子l
の劣化を防げる効果がある。
隙に気体が残らず積層金属化フィルムコンデンサ素子l
の劣化を防げる効果がある。
従来、熱エージングはメタリコン強度とフィルム固着強
度の増加を図るために、数時間以上かけて行っているが
、上記のように真空状態にしてヒートブレスを行えば数
時間以下で行うことができ、ヒートブレスと共に熱エー
ジングの効果をも得ることができる。
度の増加を図るために、数時間以上かけて行っているが
、上記のように真空状態にしてヒートブレスを行えば数
時間以下で行うことができ、ヒートブレスと共に熱エー
ジングの効果をも得ることができる。
上記積層金属化フィルムコンデンサ素子lの場合、切断
面5の端面処理を行う場合もある。すなわち、レーザ光
を上記積層金属化フィルムコンデンサ素子lの切断端面
に当てる等の処理を行った後に、ヒートプレスをすれば
、ヒートプレス後大きなコンデンサ素子耐圧を維持でき
る。しかし、この端面処理は従来例のようにヒートプレ
ス後にヒートプレス前と同様の端面処理を行ってもその
効果は小さい。これはヒートプレスによりフィルム層の
間隙が小さくなり、また蒸着金属とフィルムの接着強度
が良くなるためと思われる。
面5の端面処理を行う場合もある。すなわち、レーザ光
を上記積層金属化フィルムコンデンサ素子lの切断端面
に当てる等の処理を行った後に、ヒートプレスをすれば
、ヒートプレス後大きなコンデンサ素子耐圧を維持でき
る。しかし、この端面処理は従来例のようにヒートプレ
ス後にヒートプレス前と同様の端面処理を行ってもその
効果は小さい。これはヒートプレスによりフィルム層の
間隙が小さくなり、また蒸着金属とフィルムの接着強度
が良くなるためと思われる。
また、第6図に示すように積層金属化フィルムコンデン
サ素子の代りに、小判形金属化フィルムコンデンサ素子
を用いてもよい。
サ素子の代りに、小判形金属化フィルムコンデンサ素子
を用いてもよい。
第6図において、13は小判形フィルムコンデンサ素子
、 +4はフィルム面、15はメタリコン面である。小
判形金属化フィルムコンデンサ素子13は前記積層金属
化フィルムコンデンサ素子lと同様の金属化フィルムを
大径に巻回後、小判形に押しつぶし、両側面にメタリコ
ンを施して電極としたものである。
、 +4はフィルム面、15はメタリコン面である。小
判形金属化フィルムコンデンサ素子13は前記積層金属
化フィルムコンデンサ素子lと同様の金属化フィルムを
大径に巻回後、小判形に押しつぶし、両側面にメタリコ
ンを施して電極としたものである。
従来例のようにヒートプレス後にメタリコンなすれば、
Zn金属等がコンデンサ素子に機械強度的にも、また電
気的にも十分に接合されないが、本実施例のように巻回
後小判形に押しつぶした後にメタリコンを施し、上記の
ような条件でヒートプレスを行うことで、前記積層金属
化フィルムコンデンサと同様の効果を得ることができる
。
Zn金属等がコンデンサ素子に機械強度的にも、また電
気的にも十分に接合されないが、本実施例のように巻回
後小判形に押しつぶした後にメタリコンを施し、上記の
ような条件でヒートプレスを行うことで、前記積層金属
化フィルムコンデンサと同様の効果を得ることができる
。
小判形金属化コンデンサ素子は積層金属化フィルムコン
デンサ素子と比べて、切断工程のないことに優れるが曲
り部等があるために延伸率において劣っている・ 上記に示した実施例により積層金属化フィルムコンデン
サ素子や小判形金属化フィルムコンデンサ素子等のコン
デンサ素子をヒートプレスした後、前記コンデンサ素子
を取出す時、所定の取出し温度とプレス圧力にしなけれ
ば、コンデンサとしては完成しない。
デンサ素子と比べて、切断工程のないことに優れるが曲
り部等があるために延伸率において劣っている・ 上記に示した実施例により積層金属化フィルムコンデン
サ素子や小判形金属化フィルムコンデンサ素子等のコン
デンサ素子をヒートプレスした後、前記コンデンサ素子
を取出す時、所定の取出し温度とプレス圧力にしなけれ
ば、コンデンサとしては完成しない。
すなわち、コンデンサ素子の取出し温度は、フィルムの
種類、プレス最高温度、取出し周囲温度等によって異な
るが、PETの場合100℃以下になればよい6また冷
やす時プレスを必要とするが、冷やす時にコンデンサ素
子が収縮することによるプレス圧力の低下は問題となら
ない。高温で取出したり、プレスのない状態で取出した
コンデンサ素子は表面に近いフィルムが変形してコンデ
ンサとして使用できない場合が多い。
種類、プレス最高温度、取出し周囲温度等によって異な
るが、PETの場合100℃以下になればよい6また冷
やす時プレスを必要とするが、冷やす時にコンデンサ素
子が収縮することによるプレス圧力の低下は問題となら
ない。高温で取出したり、プレスのない状態で取出した
コンデンサ素子は表面に近いフィルムが変形してコンデ
ンサとして使用できない場合が多い。
なお、上記実施例に示したコンデンサには電極に端子付
けをし、粉体やケースに入れて外装すれば市販用のコン
デンサとすることができる。
けをし、粉体やケースに入れて外装すれば市販用のコン
デンサとすることができる。
発明の効果
上記のように本発明では、金属化フィルムを用いて積層
し、メタリコンを施し、切断して積層金属化フィルムコ
ンデンサ素子を形成した後、所定のプレス圧力と温度で
ヒートプレスすることにより、コンデンサ容量を飛躍的
に大きくすることができた。特に厚さが5μmを超える
厚手の安価な金属化フィルムを使用することができ、ま
たこの厚手の金属化フィルムの場合、ヒートプレスする
曲はその容量が小さいため蒸着とスリットが少なくてす
み取扱い易くなった。さらに熱エージングとヒートプレ
スを兼ねて行うことができるためコンデンサの製造設備
が簡単なものになる。また金属化フィルムな一軸方向に
延伸するようにすれば安定したビートプレス圧力により
マイクロクラック形状も整然とし、コンデンサ容量の増
加率を高くすることができた。また、ヒートプレスの昇
圧を一定の連続昇圧にするかステップアップ昇圧にする
場合、金属化フィルムコンデンサ素子に均等なヒートプ
レス圧力をかけることができ、大きなコンデンサ容量増
加率を得ることができる。またビートプレス最高圧力の
保持時間を10分間以上にする場合、コンデンサ容量増
加率が安定する。
し、メタリコンを施し、切断して積層金属化フィルムコ
ンデンサ素子を形成した後、所定のプレス圧力と温度で
ヒートプレスすることにより、コンデンサ容量を飛躍的
に大きくすることができた。特に厚さが5μmを超える
厚手の安価な金属化フィルムを使用することができ、ま
たこの厚手の金属化フィルムの場合、ヒートプレスする
曲はその容量が小さいため蒸着とスリットが少なくてす
み取扱い易くなった。さらに熱エージングとヒートプレ
スを兼ねて行うことができるためコンデンサの製造設備
が簡単なものになる。また金属化フィルムな一軸方向に
延伸するようにすれば安定したビートプレス圧力により
マイクロクラック形状も整然とし、コンデンサ容量の増
加率を高くすることができた。また、ヒートプレスの昇
圧を一定の連続昇圧にするかステップアップ昇圧にする
場合、金属化フィルムコンデンサ素子に均等なヒートプ
レス圧力をかけることができ、大きなコンデンサ容量増
加率を得ることができる。またビートプレス最高圧力の
保持時間を10分間以上にする場合、コンデンサ容量増
加率が安定する。
さらに、コンデンサ素子を小判形金属化フィルムコンデ
ンサにする場合、蒸着と巻回数が少なくてすみ、積層金
属化フィルムコンデンサと比較してコンデンサ素子母体
からの切断工程を省くことができる。その後の工程を積
層金属化フィルムコンデンサと同じ条件で行うことによ
り、コンデンサ容量の安定した増加が得られる等大容量
コンデンサや低電圧使用のコンデンサを安価に提供でき
るようになった。
ンサにする場合、蒸着と巻回数が少なくてすみ、積層金
属化フィルムコンデンサと比較してコンデンサ素子母体
からの切断工程を省くことができる。その後の工程を積
層金属化フィルムコンデンサと同じ条件で行うことによ
り、コンデンサ容量の安定した増加が得られる等大容量
コンデンサや低電圧使用のコンデンサを安価に提供でき
るようになった。
第1図はヒートブレスをする前の積層金属化フィルムコ
ンデンサ素子の斜視図、第2図はコンデンサ素子に対し
てヒートブレスをする装置の正面図、第3図は容量増加
率とプレス圧力の関係を示した説明図、第4図(a)は
無方向ヒートブレスで延伸した時の蒸着金属面のマイク
ロクラックの平面図、(b)は−軸方向ヒートプレスで
延伸した時の蒸着金属面のマイクロクラックの平面図、
第5図は容量増加率とプレス保持時間の関係を示した説
明図、第6図はプレスをする前の小判形金属化フィルム
コンデンサ素子の斜視図である。 1・・・積層金属化フィルムコンデンサ素子、2.14
・・・フィルム面、 4.15・・・メタリコン面5・
・・切断面 13・・・小判形金属化フィルムコンデンサ素子第1図 第2図 1:積層金属化フィルムコンデンサ素子2;フィルム面
ンデンサ素子の斜視図、第2図はコンデンサ素子に対し
てヒートブレスをする装置の正面図、第3図は容量増加
率とプレス圧力の関係を示した説明図、第4図(a)は
無方向ヒートブレスで延伸した時の蒸着金属面のマイク
ロクラックの平面図、(b)は−軸方向ヒートプレスで
延伸した時の蒸着金属面のマイクロクラックの平面図、
第5図は容量増加率とプレス保持時間の関係を示した説
明図、第6図はプレスをする前の小判形金属化フィルム
コンデンサ素子の斜視図である。 1・・・積層金属化フィルムコンデンサ素子、2.14
・・・フィルム面、 4.15・・・メタリコン面5・
・・切断面 13・・・小判形金属化フィルムコンデンサ素子第1図 第2図 1:積層金属化フィルムコンデンサ素子2;フィルム面
Claims (5)
- (1)金属化フィルムを用いて積層し、両側面にメタリ
コンを施して電極としたコンデンサ素子母体を形成し、
このコンデンサ素子母体を切断してコンデンサ素子とし
、このコンデンサ素子のフィルム面と直交する方向に1
00Kg/cm^2以上で、かつその後の工程でさらさ
れる最高温度もしくは完成後のコンデンサの使用最高温
度のどちらか高い方の温度より30℃以上高い温度でヒ
ートプレスすることを特徴とする金属化フィルムコンデ
ンサの製造方法。 - (2)ヒートプレスするコンデンサ素子の電極となるメ
タリコン面間の距離を一定に保ちつつ一軸方向に延伸す
るようにしたことを特徴とする請求項1記載の金属化フ
ィルムコンデンサの製造方法。 - (3)コンデンサ素子をヒートプレスする工程として、
ヒートプレスの昇圧を1秒あたり3Kg/cm^2以下
で連続昇圧もしくは30秒毎に100Kg/cm^2以
下でステップアップ昇圧することを特徴とする請求項1
記載の金属化フィルムコンデンサの製造方法。 - (4)コンデンサ素子をヒートプレスする工程として、
ヒートプレス最高圧力で10分間以上保持することを特
徴とする請求項1記載の金属化フィルムコンデンサの製
造方法。 - (5)ヒートプレスするコンデンサ素子として、金属化
フィルムを用いて巻回した後押しつぶして小判形にし、
両側面にメタリコンを施して電極とした小判形コンデン
サ素子を用いることを特徴とする請求項1記載の金属化
フィルムコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044958A JPH02222514A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 金属化フィルムコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044958A JPH02222514A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 金属化フィルムコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222514A true JPH02222514A (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=12705994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1044958A Pending JPH02222514A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 金属化フィルムコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02222514A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100446180B1 (ko) * | 2002-06-08 | 2004-09-01 | 학교법인 한양학원 | 티탄산바륨계 적층 세라믹 콘덴서의 내부응력 제어방법 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1044958A patent/JPH02222514A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100446180B1 (ko) * | 2002-06-08 | 2004-09-01 | 학교법인 한양학원 | 티탄산바륨계 적층 세라믹 콘덴서의 내부응력 제어방법 |
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