JPH02222954A

JPH02222954A - ポジ型フォトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法

Info

Publication number: JPH02222954A
Application number: JP1043994A
Authority: JP
Inventors: Setsuo Itami; 節男伊丹; Koichi Kato; 康一加藤; Hiroshi Maehara; 前原　広
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1989-02-23
Filing date: 1989-02-23
Publication date: 1990-09-05
Also published as: EP0384481A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明はポジ型フォトレジスト組成物およびこのポジ型
フォトレジスト組成物を利用したレジストパターンの形
成方法に関し、さらに詳しく言うと２解像性に著しく優
れるとともに、下地基板に対して垂直であり、良好なパ
ターンプロファイルを実現することのできるポジ型フォ
トレジスト組Ｉ＆物およびこのポジ型フォトレジスト組
成物を使用することにより、たとえば半導体集積回路素
子の製造におけるリソグラフィーによる微細なパターン
を形成するのに好適なレジストパターンの形成方法に関
する。

［従来の技術と発明が解決しようとする課１１］］キノ
ンジアジド化合物は、アルカリ可溶性の樹脂との組合せ
において、現像液のアルカリ水溶液に対して溶解阻止効
果を奏し、かつ露光部においては逆に、ペースポリマー
の溶解促進剤になることから優れた感光剤として長年に
わたって平板印刷や、半導体リソグラフィーの各工程に
使用されてきた。

このキノンジアジド化合物とアルカリ土類金属脂とを組
合せて調製される感光性材料かまたとえば特公昭３７−
１８０１５号公報、同３７−　：１６２７号公報、同３
７−１９５４号公報、同４５−９６１０号公報などに詳
しく記載されている。

前記公報に記載の感光性材料においては、キノンジアジ
ド化合物の中でもとりわけ１．２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸が感光波長や感度の面で現在の半導
体リソグラフィープロセスに合致していて、最も広く使
用されている感光剤の−っである。モして５一般に、こ
の１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸はそ
れ単独で使用されるよりも他の化合物とのエステル化合
物の形で使用されることか多く、　２，３．４−１〜リ
ヒドロキシベンゾフエノンの１．２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、あるいは２，３，４．
４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１．２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステルとクレゾー
ルノボラック樹脂との組み合わせで専ら使用されている
。

このような感光性材料は、レジストの解像性等の向上が
目覚ましいので、特に半導体リソグラフィーの分野で使
用されるようになっている。

ところで、半導体デバイスの製造分野においては今やｌ
　ＭｂｉｔＤＲＡＭの量産の時代であり、今後は４Ｍｂ
ｉｔの量産、さらには１６ＭｂｉｔＤＲＡＭの量産へと
進んで行こうとしている。それにつれてデバイスパター
ンの線幅も　１．０ｐｍから　０．８ｐｍ、そして０．
５μｍへとついにハーフミクロンの時代へ突入しつつあ
る。

回路パターンの線幅がこのように微細化して来ると、下
地基板の微細加工に用いられるレジストには、たとえば
パターンの高い解像性およびパターンプロファイルの優
秀性（レジストパターンの断面か矩形であること、）な
どが要求される。特に下地基板を反応性エツチング法（
ＲＩＥ）により加工する場合には、特にレジストパター
ンか高解像度であり、優秀なパターンプロファイルか要
求される。

しかしながら、現状において、従来の前記感光性材料を
用いて形成されたポジ型フォトレジストを単独で用いた
場合、ハーフミクロンの線幅を高解像度で実現し、かつ
レジストプロファイルの良好なレジストパターンを実現
するには至っていない。

本発明の目的は、高解像度であると共に、下地基板に対
して垂直であり、良好なパターンプロファイルを有する
レジストパターンを得ることのできるポジ型フォトレジ
スト組成物を提供することにある。

また本発明の他の目的は、前記ポジ型フォトレジストｌ
成物を使用１ノで、下地基板を高精度に微細加工するこ
とのできるレジストパターンの形成方法を提供すること
にある。

［前記課題を解決するための手段］前記目的を達成するために、本発明者らか鋭意検討を重
ねた結果、特定のキノンジアジド系エステル化物と特定
のクレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂とを含有
するポジ型フォトレジスト組成物は、高解像度であると
共に、下地基板に対して垂直であり、良好なパターンプ
ロファイルを有するレジストパターンに形成することか
でき、またこのようにして形成されたレジストパターン
は下地基板の微細加工を高精度で実現することかてき、
今後要求されるハーフミクロンの線幅の加工を実現する
ことができることを見出して本発明に到達した。

前記目的を達成するための本発明は、平均エステル化度
が５０モル％以上である、２，４．４“−トリヒドロキ
シベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド系工
“メチル化物を含有する感光剤（Ｉ）と、ｍ−クレゾー
ル、ｐ−クレゾールおよびキシレノールを含む混合物と
ホルムアルデヒドとを縮合させて得られるアルカリ可溶
性ノボラック樹脂（■）とを含有することを特徴とする
ポジ型フォトレジスト組成物であり、前記ポジ型フォトレジスト組成物を基板に塗布してから
これを熱処理し、フォトマスクを介して放射線を照射し
、現像することを特徴とするレジストパターンの形成方
法である。

以下に本発明の詳細な説明する。

Ａ、ポジ型フォトレジスト組成物本発明におけるポジ型フォトレジスト組成物は、感光剤
（Ｉ）とアルカリ可溶性ノボラック樹脂（ｎ）とを含有
する。

−感光剤（Ｉ）− 感光剤（Ｉ）は、平均エステル化度が５０モル％以上で
ある、２，４，４°−トリヒドロキシベンゾフェノンの
１．２−ナフトキノンジアジド系エステル化物を含有す
る。

本発明においては２ヒドロキシベンゾフエノン類のナフ
トキノシアシト系エステルの中でも、２゜４．４’−ト
リヒドロキシベンゾフェノンの１．２−ナフトキノンジ
アジド系エステルを特に採用することが重要であり、現
在量もよく使用されている２、３゜４−トリヒドロキシ
ベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド系エス
テルや２，３，４．４’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンの１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステルでは本発明の目的を達成することができない。

本発明における前記エステル化物は、たとえば２．４，
４°−トリヒドロキシベンゾフェノンと１．２−ナフト
キノンジアジトスルホニルクロリトとを反応させること
により得ることができる。

前記１．２−ナフトキノンジアジトスルホニルクロリト
としては、■、２−ナフトキノンジアジドー５−スルホ
ニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホニルクロリド等を使用することができ、これらはそ
の一種単独で使用しても良いし、またそれらの混合物を
使用しても良い。

前記反応により、２，４．４’−トリヒドロキシベンゾ
フェノンの１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルホ
ン酸エステル、２，４．４’−トリヒドロキシベンゾフ
ェノンの１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル、あるいはこれらの混合物等が得られる。

いずれにしても１本発明で重要なこととして、２．４．
４’−トリヒドロキシベンゾフェノンの１．２−ナフト
キノンジアジド系エステル化物は、完全なエステル化物
である必要はなく、その平均エステル化度か５０モル％
以上、好ましくは６０モル％以上９０モル％以下、さら
に好ましくは６５モル％以上８５モル％以下であれば良
い。

前記平均エステル化度が５０モル％未満であると、見掛
けの感度は上昇するが、未露光部の残膜率や解像度が悪
くなるばかりかパターンプロファイルも台形になり、下
地基板に対して垂直にならないと言う不都合を有する。

また、前記平均エステル化度が９０モル％を越えると、
感度や解像度、パターンプロファイル、下地基板に対す
る垂直性が悪くなるばかりか、保存安定性についても支
障を来すことがある。

この感光剤（Ｉ）は前記２，４，４°−トリヒドロキシ
ベンゾフェノンの１．２−ナフトキノンジアジド系エス
テル化物単独であっても良いし、また本発明の目的を阻
害しない範囲で他の感光剤を含有していても良い。

前記能の感光剤として、たとえば、２，３．４−トリヒ
ドロキシベンゾフェノンの１．２−ナフトキノンジアジ
ド系エステル、２，３，４，４°−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノンの１．２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸エステル、２，３，４，４°−テトラヒドロキ
シベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル、２．２’　、４，４°−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの１．２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、２．２’　、３，４．
４’　−へキサヒドロキシベンゾフェノンの１．２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等を挙げ
ることができる。

前記能の感光剤を含有する場合、感光剤（Ｉ）における
前記能の感光剤の含有量は、通常７５！ｌ量％以下であ
り、特に１０〜５０重量％である。

一アルカリ可溶性ノボラック樹脂（■）−前記（ＩＩ）
成分であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、ア
ルカリ水溶液に可溶性のノボラック樹脂であれば特に制
限がないのであるが、ｍ−クレゾール４０〜６０重量％
、ｐ−クレゾール２５〜４５重量％、０−クレゾールＯ
〜１５重量％、およびキシレノール１０〜２５重蓋％の
混合物、さらに好ましくはｍ−クレゾール４５〜５５重
量％、ｒ−クレゾール３０〜４０重量％、Ｏ−クレゾー
ル０〜５重量％、およびキシレノール１２〜２０重量％
の混合物と、ホルムアルデヒドとの縮合物を好適例とし
て挙げることができる。

前記混合物における各成分の割合か前記の範囲をはずれ
ると、得られるレジストパターンか、微細パターンにお
いて、矩形、かつ下地基板に対して垂直にならないこと
がある。

好適な前記（１１）成分は、たとえば、ｍ−クレゾール
、ｐ−クレゾール、０−クレゾールおよびキシレノール
類を前記の割合で含有してなる混合物とホルムアルデヒ
ドを、適当な酸触媒下に縮合反応さ、せ５その後、減圧
下で加熱することによって水分、七ツマー等を除去する
公知の製造法により得ることができる。

前記（ＴＩ）成分の製造において使用することのてきる
前記酸触媒としては、たとえばシュウ酸、塩酸、硫酸、
燐酸、Ｐ−トルエンスルホン酸、トイッチェル氏試薬、
酸性白土などが挙げられる。

前記（ｎ）成分であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂の
分子量（ゲルパーミュレションクロマトグラフィー法に
おいてポリスチレンを標準物質とした場合の測定値）は
、通常８，０００〜２０，０００、好ましくはａ、ｏｏ
ｏ〜１５９口圓である。

この重量モ均分子量が　ａ、ｏｏｏ未満であると、現像
液に対する溶解度が増大１ノて未露光部の膜減りが増加
すると共に、得られるレジストパターンの断面形状が矩
形性を失い台形になることがある。一方、上記の重量平
均分子量が２０，０００を超えると、感度が著しく低下
したり、解像度か悪くなったり、エツチング工程におけ
る下地基板の加工の寸法精度の低下を招いたりする。ま
た、定在波の影響が大きくなるので、このことによって
も下地基板の加工の寸法精度か低下する。

−前記各成分の配合割合− 本発明のポジ型フォトレジスト組ｆ：＆物における前記
（Ｉ）成分と前記（ＩＩ）成分との配合割合は、前記（
ｎ）Ｉ＆分であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００
重量部に対して、通常、前記（Ｉ）成分である感光剤は
２０〜３０重量部てあり、好ましくは２２〜２７重量部
である。

前記（ＩＩ）成分に対する前記ＣＩ）成分の配合割合が
２０重量部未満であると、前記（ｌ成分の奏する溶解阻
止効果が低下して、本発明のフォトレジスト組成物のパ
ターンクォリティーの低下を招き、下地基板に対する垂
直性を有する良好なレジストパターンを得ることが困難
になることかある。一方、前記（ＩＩ）成分に対する前
記（ｒ）成分の配合割合が３０重量部を超えると、見か
けの感度が低下したり、得られるレジストパターンの断
面層状が台形になったり、エツチング工程における下地
基板の加工の寸法精度の低下を招いたりすることがある
。また、定在波の影響が大きくなるので、このことによ
っても下地基板の加工の寸法精度が低下することがある
。

一他の成分− 本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、前記（Ｉ）成
分および前記（ＩＩ　）成分と共に、その他の成分とし
て、増感剤、染料、可塑剤、安定剤および接着促進剤な
どを含有してもよい。

ただし、その場合には、得られるレジストパターンの断
面の矩形性と下地基板との垂直性を損なわないように、
他の成分の添加量を適宜に設定する必要がある。

前記増感剤は、フォトレジストを形成する際の放射線の
種類に応じて選択することができ、たとえば、放射線と
して可視光線を使用するのであればピレン、２１（−ピ
リド［３，２−ｂ）−１，４−オキサジン−３［４Ｈ］
オン類１１０トービリト［３，２−ｂｌ　（１，４コー
ヘンゾチアジン類、ウラノール類、１−ヒドロキシベン
ゾトリアゾール類、ヒダントイン類、バルビッール類、
グリシン無水物、アロキサン類、マレイミド類等を使用
することかできる。

前記染料としては、たとえば、油溶性染料、分散染料、
塩基性染料、メチン系染料、スチルベン、４．４−ジア
ミノスチルベンスルホン酸誘導体、クマリン誘導体、ピ
ラゾリン誘導体等の蛍光増白剤、アゾ系染料等を挙げる
ことができる。

前記可塑剤としては、たとえば、ステアリン酸、アセタ
ール樹脂、アルキッド樹脂、フェノキシ樹脂等を挙げる
ことができる。

前記安定剤としては、たとえば、バラメトキシフェノー
ル、パラメトキシ−し−ブチルフェノール等のフェノー
ル類等を挙げることができる。

前記接着促進剤としては、３−アミノプロピルトリエト
キシシラン、ヘキサメチルジシラザン、クロロメチルシ
ラン、トリメトキシシーラン等のシリコン化合物等を挙
げることができる。

本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、前記各成分を
配合することにより得られる。

Ｂ、レジストパターンの形成− 本発明のレジストパターンを形成するには、通常、先ず
、前記ポジ型フォトレジスト組成物を適当な溶剤に溶解
して得られる塗布液を下地基板上に塗布する。

前記溶剤としては、たとえばメチルエチルケトン等のケ
トン類；トリクロロエチレンおよび１．　、　ｌ　。

】−トリクロロエタン等の塩素化炭化水素類；ｎ−プロ
パツール等のアルコール類：テトラヒトロフラン等のエ
ーテル類；エチレングリコールモノエチルエーテル等の
アルコールエーテル類；エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチル
エーテルアセテート等のアルコールエーテルアセテート
類；酢酸ブチル等のエステル類などが挙げられる。また
、目的によっては、たとえばアセトニトリル、キシレン
、ジメチルホルムアミドなどを使用することもてきる。

前記下地基板としては、たとえばシリコーンウニへ−等
が挙げられる。

下地基板への塗布液の塗布は、スピナー塗布法、バーコ
ーター法等により行なうことができる。

塗布液の塗布後、乾燥等により溶剤を除去することによ
り、下地基板の表面に感光剤層が形成される。

次いで、縮小型投影露光装置などにより所定のフォトマ
スクを介して放射線を照射して感光剤層を露光する。

前記放射線としては、たとえば、可視光線、紫外線、遠
赤外線、Ｘ線、γ線、電子線、分子線、シンクロトロン
放射線、プロトンビーム等を挙げることができる。

その後、適当な現像液を用いて現像を行なえば、露光に
より可溶化した部分が選択的に溶解除去されて、マスク
パターンに忠実なレジストパターンを得ることができる
。

前記現像液としては、たとえばテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド等の第４級アンモニウムヒドロキシド、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の
水溶液、さらに目的に応じて、これらにアルコール、界
面活性剤等を添加してなる現像液などを好適に用いるこ
とができる。

これらの中でも、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液は特に好ましい。

本発明のポジ型７オトレジスト組成物を用いると、非常
に優れた解像性を実現するだけでな〈従来のレジスト単
層では困難であった微細パターンにおいて下地基板に対
して良好な垂直性を有して優れたプロファイルを有する
レジストパターンが形成される。

したがって、得られるレジストパターンは下地基板の微
細加工用レジストパターンとして好適であり、たとえば
、超ＬＳＩおよびＩＣなどの半導体集積回路素子の製造
、あるいはフォトマスクの製造等の分野に好適に利用す
ることができるとともに、オフセット印刷の分野におい
ても有用である。

［実施例］次に、本発明の実施例および比較例を示し１本発明につ
いてさらに具体的に説明する。なお、本発明は、これら
の実施例に限定されるものてはない。また、以下の実施
例および比較例において、特に断わらない限り「％」は
「重量％」表わす。

（実施例１）Ｚ、４．４’−トリヒドロキシベンゾフェノンの１．２
−ナフドキノンジアジト−５−スルホン酸エステル（平
均エステル化度７５モル％）とクレゾールノボラック樹
脂［ｍ−クレゾール５３４４％と、ｐ−クレゾール２８
．８％と、０−クレゾール０．６％と、２．６−キシレ
ノール２．３％と、２．４−キシレノールと２．５−キ
シレノーチとの混合物１４．６％との混合物およびホル
ムアルデヒドから製造、分子量１２，５００］とを（感
光剤）：（アルカリ可溶性クレゾールノボラック樹脂）
の重量比で２５ニア５の割合で混合し、この混合物をエ
チルセロソルブアセテートに対して３９重量％の割合で
溶解させて５本発明のポジ型フォトレジスト組成物の溶
液を得た。

次いで、得られた溶液をテフロン製メンブランフィルタ
−（０，２μ、ｍ）で濾過し、スピンコーターを用いて
４インチシリコンウェハー上にスピン塗布した後、温度
１０５℃にホットプレートで２分間熱処理を行った。

その後、縮小型投影露光装置（ＮＳＲ−１５０５Ｇ　、
ウェハーステッパー、Ｎ　Ａ　−０，３０）を用い、テ
ストレチクルを通して４３６ｎｍの光を照射して露光を
行った。

これを、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド　２．
３８％水溶液を用いて１分間現像してから、イオン交換
水により１分間リンスを行ってレシス１−パターンを形
成した。

得られたレジストパターンの断面形状を、走査型顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いてパターン断面の正面から写真撮影し
た。

得られたＳＥＭ写真において、レジストパターンは下地
基板にたいして垂直てあり、良好なパターンプロファイ
ルを実現した。

また、レジストの解像度を調べたところ、０．８５重１
ｍのラインアンドスペースパターンを良好に解像し、マ
スクパターンに対する忠実性も０．９０ＪＬｒｒ＋まで
良好であった。

さらに、本実施例で得られたレジストパターンを、走査
型電子顕微鏡を用いて低加速電圧でパターン上方より観
察１ノだところ、レジスト残渣（スカム）は検出されな
かった。

（実施例２）２．４．４’−）−リヒドロキシベンゾフェノンの１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル（
平均エステル化度６６．７モル％）と２．３，４．４’
−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１．２−ナフトキ
ノンジアシド−５−スルホン酸エステル（平均エステル
化度７５モル％）とを、（２，４，４’−トリヒドロキ
シベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステル）　：　（２，３，４，４°−テ
トラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステル）の重量比で５０：
５０の割合で混合して本発明のポジ型フォトレジスト組
成物における複合感光剤を調製した。

次いで、この感光剤とクレゾールノボラック樹脂［ｍ−
クレゾール４８．４％と、ｐ−クレゾール３５．９％と
、０−クレゾール０．４％と、２．６−キシレノール２
．０％と、２．４−キシレノールと２，５−キシレノー
チとの混合物Ｉ２，６％との混合物およびホルムアルデ
ヒドから製造、分子量ｉｎ、５００　］とを（感光剤）
＝（クレゾールノボラック樹脂）の重量比で　２０：８
Ｑの割合で混合し、この混合物をエチルセロソルブアセ
テートに対して　３９重に％の割合で溶解させて１本発
明のポジ型フォトレジスト組成物の溶液を得た。

次いで、得られた溶液をテフロン製メンブランフィルタ
−（０，２ｐｍ）で濾過し、スピンコーターを用いて４
インチシリコンウェハー上にスピン塗布した後、温度１
０５℃のホットプレートで２分間熱処理を行なった。

その後、縮小型投影露光装置（ＮＳＲ−１５０５Ｇ　、
ウェハーステッパー、Ｎ　Ａ　＝　０．：１０）を用い
、テストレチクルを通して露光を行なった。

これを、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ）Ｃ２，
３８％水溶液を用いて１分間現像してから、イオン交検
水により１分間リンスを行なってレシストパターンを形
成した。

得られたＳＥＭ写真において、レジストパターンは下地
基板にたいして垂直であり、非常に良好なパターンプロ
ファイルを実現した。

また、レジストの解像度を調べたところ、　Ｏ，ａＯＩ
Ｌｍのラインアンドスペースパターンを良好に解像し、
マスクパターンに対する忠実性も０．８５ｐｍまで良好
であった。

さらに、本実施例で得られたレジストパターンを、走査
型電子顕微鏡を用いて低加速電圧でパターン上方より観
察したところ、レジスト残液（スカム）は検出されなか
った。

（実施例３）前記実施例２において・、平均エステル化度が６６．７
モル％である２、４．４“−トリヒドロキシベンゾフェ
ノンの１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステルに代えて、平均エステル化度が７５モル％であ
る２、４．４’−トリヒドロキシベンゾフェノンの１．
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルを
用いたほかは、前記実施例２と同様にして実施した。

得られたレジストパターンについて、前記実施例２と同
様にして、レジストパターンの断面形状を走査型顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いてパターン断面の正面から写真撮影し
た。

また、レジストの解像度を調べたところ、０．７５ｐｍ
のラインアンドスペースパターンを良好に解像し、マス
クパターンに対する忠実性も０．８０　ｇ　ｍまで良好
てあった。

さらに、本実施例で得られたレジストパターンを、走査
型電子ＪＩｉ微鏡を用いて低加速電圧でパターン上方よ
り観察したところ、レジスト残渣（スカム）は検出され
なかった。

（実施例４）前記実施例２において、平均エステル化度が６６．７モ
ル％である２、４．４’−トリヒドロキシベンゾフェノ
ンの１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステルに代えて、平均エステル化度が８３．３モル％で
ある２、４，４°−トリヒドロキシベンゾフェノンの１
．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル
を用いたほかは、前記実施例２と同様にして実施した。

また、レジストの解像度を調べたところ、０．７５１Ｌ
ｍのラインアンドスペースパターンを良好に解像し、マ
スクパターンに対する忠実性も０．８０）Ｌｍまで良好
であった。

さらに、本実施例で得られたレジストパターンを、走査
型電子顕微鏡を用いて低加速電圧でパターン上方より観
察したところ、レジスト残渣（スカム）は検出されなか
った。

（実施例５）前記実施例３と同様のポジ型フォトレジストの溶液を用
い、前記実施例３と同様に濾過、スピン塗布後、温度８
０℃のホットプレート上で９０秒間熱処理を行なった。

その後、Ｍ小型投影露光装置（ＮＳＲ−１５０５Ｇ４Ｄ
　。

ウェハーステッパー、Ｎ　Ａ　＝　０．４５）を用い２
テストレチクルを通して露光し、温度１００’Ｃのホッ
トプレート上で９０秒間熱処理を行なった。

これを、前記実施例３と同様にして現像、リンスを行な
ってレジストパターンを形成した。

得られたレジストパターンについて、前記実施例３と同
様にして、レジストパターンの断面形状を走査型顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いてパターン断面の正面から写真撮影を
した。

また、レジストの解像度を調べたところ、０．５０ｇｍ
のラインアンドスペースパターンを良好に解像し、マス
クパターンに対する忠実性も０．５２　、Ｌ　ｒｎまで
良好であった。

（比較例１）前記実施例１において、平均エステル化度が７５モル％
である２、４．４’−トリヒドロキシベンゾフェノンの
１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ルに代えて、平均エステル化度が７５モル％である２、
３．４−）−リヒドロキシベンゾフェノンの１．２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルを用いた
ほかは、前記実施例１と同様の方法で処理および評価を
行なった。

得られたレジストパターンについて、前記実施例１と同
様にして、レジストパターンの断面形状を走査型顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いてパターン断面の正面から写真撮影１
ノだ。

得られたＳＥＭ写真において、前記実施例１に比べて、
レジストパターンプロファイルか著しく悪化し、エツジ
が丸いレジストパターンを得るに至った。

（比較例２）前記実施例３において、平均エステル化度が７５モル％
である２、４．４’−トリヒドロキシベンゾフェノンの
１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ルに代えて、平均エステル化度が７５モル％である２、
３．４−トリヒドロキシベンゾフェノンの１．２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステルを用いたほ
かは、前記実施例１と同様の方法で処理および評価を行
なった。

得られたレジストパターンについて、前記実施例３と同
様にして、レジストパターンの断面形状を走査型顕微鏡
（ＳＥＭ）を用いてパターン断面の正面から写真撮影し
た。

得られたＳＥＭ写真において、前記実施例３に比べて、
レジストパターンプロファイルか著しく悪化してしまい
、エツジが丸いレジストパターンを得るに至っただけで
なく、更に解像度においても０．８０４ｍまでと悪化し
てしまった。

（比較例３）前記実施例５において、平均エステル化度が７５モル％
である２、４．４’−）−リヒトロキシベンゾフェノン
の１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
テルに代えて、平均エステル化度が７５モル％である２
、３．４−トリヒドロキシベンゾフェノンの１．２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルを用いた
ほかは、前記実施例１と同様の方法で処理および評価を
行なった。

得られたレジストパターンについて、前記実施例５と同
様にして、レジストパターンの断面形状を走査型顕微鏡
（ＳＥｉｉ）を用いてパターン断面の正面から写真撮影
した。

得られたＳＥＭ写真において、前記実施例５に比べて、
レジストパターンプロファイルが著しく悪化・してしま
い、エツジが丸いレジストパターンを得るに至った。更
に、解像度において０，５５ｇｍ、マスクパターンに対
する忠実性において０．６０　ｇｍまでと悪化してしま
った。

［発明の効果］本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、非常に良好な
レジストパターンプロファイルを実現するとともに、解
像度に優れている。

したがって、このポジ型フォトレジスト組成物を使用す
ると、下地基板に対してミクロンオーダーの微細な加工
を行なうことのできるレジストパターンを形成すること
かてきる。

手続補正書平成１年特許願第４３９９４号２　発明の名称ポジ型フォトレジスト組成物およびレジストパターンの形成力法３　補正をする者事件との関係　特許出願人住所　　大阪府大阪市北区中之島三丁目６番３２号名称
　　（２０７）チッソ株式会社代表者　野木　貞雄４　代理人住所　　東京都新宿区西新宿８丁目９番５号セントラル
西新宿３階６　補正により増加する請求項の数　　０７　補正の対
象　　　　明細書の「発明の詳細な説明」の欄８　補正
の内容（１）　　明細書の第１Ｏベージｉ７〜８行に記載のｒ
２，２’　、３，４，４°−へキサヒドロキシベンゾフ
ェノン１をｒ２，２°、３，４，４°−ペンタヒドロキ
シベンツフェノン」に補正する。

（２）　　明細書の第１９ページ第３〜４行に記載の「
「重量％」表わす、Ｊを「「重量％」を表わす、１に補
正する。

（３）　　明細書の第１９ページ第１２行に記載の１２
，５キシレノーチ」を１２，５−キシレノールＪに補正
する。

（４）　　明細書の第２０ページ第１２〜１３行に記載
の１走査型顕微鏡（ＳＥＸ）　Ｊを１走査型電子ｗ１微
鏡（ＳＥＸ）　Ｊに補正する。

（５）　　明細書の第２３ページ第２〜３行に記載の「
走査型顕微鏡（ＳＥＸ）　Ｊをｒ走査型電子顕微鏡（Ｓ
Ｅ阿）Ｊに補正する。

（６）　　明細書の第２４ページ第７行に記載のｒ走査
型顕微！ａ（ＳＥＭ）　Ｊを「走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｘ）　Ｊに補正する。

（７）　　明細書の第２５ページ第１１行に記載の１走
査手続補正書型顕微鏡（ＳＥＸ）　Ｊ　Ｉ　ｒ走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＸ）　Ｊに補正する。

（８）　　明細書の第２６ページ第１７行に記載のｒ走
査型ｗＪ微鏡（ＳＥＸ）　Ｊを「走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＸ）　Ｊに補正する。

（９）　　明細書の第２８ページ第１行に記載のｒ走査
型顕微鏡（ＳＥＸ）　Ｊを「走査型電子顕微鏡（ＳＥＸ
）　ｊに補正する。

（１０）明細書の第２Ｂページ第１８行に記載の「走査
！！！！ｆｆｉ微鏡（ＳＥ）ｌ）　Ｊ　ヲｒ走査ｆｆ１
７を子顕微鏡（ＳＥＸ）　ｊに補正する。

（１１）明細書の第２３ページ第１６行に記載のｒ走査
Ｗ１ｍｌａｌｌ（ＳＥＸ）　Ｊ　ヲｒ走査型電子顕微ｆ
ｉ（ＳＥ）Ｉ）　Ｊに補正する。

以上平成２年　１月３０日

Claims

【特許請求の範囲】

（１）平均エステル化度が５０モル％以上である、２、
４、４′−トリヒドロキシベンゾフェノンの１、２−ナ
フトキノンジアジド系エステル化物を含有する感光剤（
I ）と、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールおよびキシ
レノールを含む混合物とホルムアルデヒドとを縮合させ
て得られるアルカリ可溶性ノボラック樹脂（II）とを含
有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
（２）前記請求項（１）に記載のポジ型フォトレジスト
組成物を基板に塗布してからこれを熱処理し、フォトマ
スクを介して放射線を照射し、現像することを特徴とす
るレジストパターンの形成方法。