JPH02223007A - 磁気センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、磁束を電気信号として検出する磁気センサ
に関するものである。

「従来の技術」 第４図に示すのは、磁気記録媒体に記録された磁気信号
を再生する場合に用いられる磁気センサの一つであり、
磁束の変化に対応して抵抗値が変化する磁気抵抗素子（
ＭＲ素子）を用いたものの一例である。これは、非磁性
基板ｌの上に直線状のＭＲ素子２を成膜形成し、その上
に絶縁層３を形成した後、ＭＲ素子２の両側に互いに隙
間４をあけて第１のヨーク５と第２のヨーク６を成膜形
成し、さらに、その隙間４及び両ヨーク５．６を覆うよ
うに非磁性体層７を成膜形成し、その上を覆うように第
３のヨーク８を成膜しているもので、第１のヨーク５と
第３のヨーク８の間には、非磁洗体層７によってギャッ
プ９が形成され、第２のヨーク６と第３のヨーク８は直
接接合されて磁気回路を形成している。なお、符号１０
はＭＲ素子２の両端に設けられてその間の電気抵抗の変
化を導出するための端子である。

この磁気センサは、ギャップ９の面に磁気記録媒体を摺
接させ、その磁束の変化をヨーク５．６．８によって構
成される磁気回路を介してＭＲ素子２に導入し、電気抵
抗値の変化に変換して出力するように構成されている。

この磁気センサは、前記非磁性基板ｌ上に各膜層をスパ
ッタリング等により順次成膜形成して、この基板１上に
多数の磁気センサを形成した後、基板ｌごと所定の大き
さに切断形成することで形成されている。

また、近年、磁気記録媒体に複数のトラックが記録され
たようなものも検討されており、このような場合、前記
磁気センサが複数個列設されることもある。

「発明が解決しようとする課題」 ところで、このような構成の磁気センサは、磁束の検出
にＭＲ素子２を用いており、このＭＲ素子２の有する抵
抗値は温度依存性を持っているため、測定時には温度変
化によるドリフト値を較正した状態で磁束を検出する必
要がある。

このＭＲ素子２の温度変化によるドリフト値を較正する
手段としては、温度補償用素子をこの磁気センサに近接
して設け、磁気ヘッドからの検出値と温度補償用素子か
らの検出値とを比較することで温度較正を行うような手
段が考えられる。この場合、従来は第５図に示すように
、隣接する磁気センサＭＲＩ、ＭＲＩ間に２つの温度補
償用素子ＭＲ２、ＭＲ２を配置した、対称形の構成が考
えられていた。

しかし、このような構成で磁気センサＭＲＩと温度補償
用素子ＭＲ２とを配置した場合、前述した磁気記録媒体
に記録されたトラック数は必ずしも２の倍数とは限らな
いので、前述した切断工程時に製品取りの無駄が生じて
しまう。また、磁気センサＭＲｉＭＲ１間に２つの温度
補償用素子ＭＲ２、ＭＲ２が介在されるため、前記トラ
ック間の間隔に対して磁気センサＭＲＩＳＭＲ１間の間
隔が大きくなるおそれがあり、逆に、トラック間の間隔
で磁気センサＭＲＬ　ＭＲ１間の間隔を規制した場合、
狭い間隔内に温度補償用素子ＭＲ２、ＭＲ２が２つ存在
することで、切断しるが十分に確保できないおそれがあ
った。

「課題を解決するための手段」 前記課題を解決するために、第１の請求項に係る発明は
、磁性体からなるヨークが非磁性体層を挾んで接合され
て磁気ギャップを有する磁気回路を構成し、この磁気回
路中の磁束を検出する磁束検出手段が設けられていると
共に、この磁束検出手段の付近に温度補償用手段が付設
されてなる磁気センサの製造方法において、前記磁束検
出手段と温度補償用手段が一方向に沿って交互に列設さ
れるようにこれらを基板上に成膜した後、これら磁束検
出手段と温度補償用手段とを組として切断することで磁
気センサを製造している。

また、第２の請求項に係る発明は、第１の請求項の磁気
センサの製造方法において、前記磁束検出手段と温度補
償用手段を少な（とも２列列設すると共に、この列設方
向と略直交する方向に沿ってこれら磁束検出手段と温度
補償用手段とを相対向させるようにこれらを基板上に成
膜することを特徴としている。

「作用」 この発明では、磁束検出手段と温度補償用手段が一方向
に沿って交互に列設されるようにこれらを基板上に成膜
した後、これら磁束検出手段と温度補償用手段とを組と
して切断することで磁気センサを製造しているので、こ
の切断工程時に磁束検出手段と温度補償用手段とが交互
に配置された状態となり、かつ、磁束検出手段間に位置
する温度補償用手段は１つのみとなる。

「実施例」 以下、この発明の実施例について図面を参照して説明す
る。

第１図ないし第２図は、この発明の第１実施例である磁
気センサの製造方法を説明するための図である。なお、
以下の説明において、前記従来と同−の構成要素につい
ては同一の符号を付し、その説明を省略する。

この実施例では、第１図に示すように、磁気センサＭＲ
Ｌ・・・と温度補償用素子ＭＲ２、・・・とが、磁気記
録媒体の摺動方向（図中紙面に直交する方向）に直交す
る方向に沿って交互に列設されている。この磁気センサ
ＭＲＩの細部構成は、前記従来の磁気センサと路間−で
あり、従ってその説明を省略する。また、温度補償用素
子ＭＲ２は、磁気センサＭＲＩと同様のＭＲ素子２を備
えた構成とされている。

このような構成の磁気センサを製造するには、まず、第
２図に示すように、磁気センサＭＲＩのＭＲ素子２と温
度補償用素子ＭＲ２のＭＲ素子２とが一方向に沿って交
互に列設されるように、非磁性基板１上にＭＲ素子２、
・・・を成膜する。単純には、前記一方向に沿ってＭＲ
素子２を帯状に延在して成膜すればよい。さらに、前記
一方向を磁気記録媒体の摺動方向に直交する方向として
、これらＭＲ素子２、・・・上にヨーク５．６．８や非
磁性体層７等を成膜することで、基板ｌ上に磁気センサ
ＭＲＩ及び温度補償用素子ＭＲ２を一列に交互に形成す
る。そして、ＭＲ素子２１１１．の列設する方向に沿っ
て基板ｌを切断した後、磁気記録媒体のトラック数に応
じて、磁気センサＭＲ１及び温度補償用素子ＭＲ２を組
として切断、形成することで、第１図に示すような構成
の磁気センサを製造することができる。

従って、この実施例では、磁気センサＭＲ１及び温度補
償用素子ＭＲ２のそれぞれのＭＲ素子２、・・を一方向
に沿って交互に列設して成膜したので、これらを組とし
て切断することで、磁気記録媒体のトラック数が２の倍
数でない場合でも前記従来の如く無駄となる素子がなく
、製品数りに無駄がなくなる。また、磁気センサＭＲＩ
、・・・間に存在する温度補償用素子ＭＲ２は１つのみ
であるので、磁気記録媒体のトラック間の間隔が狭い場
合でも、十分に切断しるが確保でき、切断工程が容易か
つ確実なものとなる。

次に、第３図は、この発明の第２実施例である磁気セン
サの製造方法を説明するための図である。

この実施例による磁気センサでは、第３図に示すように
、ＭＲ素子２、・・・の列設する方向、すなわち、磁気
記録媒体の摺動方向に直交する方向を対称軸（図中符号
Ａ）として、磁気センサＭＲＩ及び温度補償用素子ＭＲ
２が相対向するように配置されている点に特徴がある。

このような構成の磁気センサも、前記実施例と同様の方
法で製造することができる。従って、この実施例によっ
ても、前記実施例と同様の作用効果を得ることができる
。特に、この実施例では、磁気センサが取り付けられる
基部（スライダ）１１を切断する工程が省略でき、工程
簡略化に寄与することができる。すなわち、磁気センサ
は、その列設方向に沿った切断工程後に、この磁気セン
サ列に合う幅のスライダをその背面から貼付することが
行われるが、この実施例では、対称配置された２列の磁
気センサ列にまず切断し、この２列の磁気センサ列に合
う幅のスライダ１１をその背面から貼付してから、磁気
センサＭＲＩ及び温度補償用素子ＭＲ２を組として基板
１及びスライダ１１を一体に切断することで、スライダ
の切断工程を省略することができる。

なお、この発明の磁気センサの製造方法は、その細部が
前記実施例に限定されず、種々の変形例が可能である。

「発明の効果」 以上詳細に説明したように、この発明によれば、磁性体
からなるヨークが非磁性体層を挾んで接合されて磁気ギ
ャップを有する磁気回路を構成し、この磁気回路中の磁
束を検出する磁束検出手段が設けられていると共に、こ
の磁束検出手段の付近に温度補償用手段が付設されてな
る磁気センサの製造方法において、前記磁束検出手段と
温度補償用手段が一方向に沿って交互に列設されるよう
にこれらを基板上に成膜した後、これら磁束検出手段と
温度補償用手段とを組として切断することで磁気センサ
を製造しているので、この切断工程時に磁束検出手段と
温度補償用手段とが交互に配置された状態となる。従っ
て、磁気記録媒体のトラッり数が２の倍数でない場合で
も従来の如く切断時に無駄となる素子がな（、製品数り
に無駄がなくなる。また、磁束検出手段間に存在する温
度補償用素子は１つのみであるので、磁気記録媒体のト
ラック間の間隔が狭い場合でも、十分に切断しるが確保
でき、切断工程が容易かつ確実なものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第２図は、この発明の第１実施例である磁
気センサの製造方法を説明するための図、第３図は同第
２実施例である磁気センサの製造方法を説明するための
図、第４図は従来の磁気センサの概略構成を示す斜視図
、第５図は従来の磁束検出手段と温度補償用手段との配
置状態を示す概略図である。 ■・・・・・・非磁性基板、２・・・・・・ＭＲ素子、
５．６．８・・・・・・ヨーク、７・・・・・・非磁性
体層、９・・・・・・ギャップ、ＭＲ２・・・・・・温
度補償用素子。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁性体からなるヨークが非磁性体層を挾んで接合
   されて磁気ギャップを有する磁気回路を構成し、この磁
   気回路中の磁束を検出する磁束検出手段が設けられてい
   ると共に、この磁束検出手段の付近に温度補償用手段が
   付設されてなる磁気センサの製造方法であって、前記磁
   束検出手段と温度補償用手段が一方向に沿って交互に列
   設されるようにこれらを基板上に成膜した後、これら磁
   束検出手段と温度補償用手段とを組として切断すること
   で磁気センサを製造することを特徴とする磁気センサの
   製造方法。
2. （２）請求項１記載の磁気センサの製造方法において、
   前記磁束検出手段と温度補償用手段を少なくとも２列列
   設すると共に、この列設方向と略直交する方向に沿って
   これら磁束検出手段と温度補償用手段とを相対向させる
   ようにこれらを基板上に成膜することを特徴とする磁気
   センサの製造方法。