JPH02224359A - 樹脂封止ダイオード - Google Patents

樹脂封止ダイオード

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JPH02224359A
JPH02224359A JP1047180A JP4718089A JPH02224359A JP H02224359 A JPH02224359 A JP H02224359A JP 1047180 A JP1047180 A JP 1047180A JP 4718089 A JP4718089 A JP 4718089A JP H02224359 A JPH02224359 A JP H02224359A
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JP
Japan
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resin
ceramic board
diode
mount
metallized
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JP1047180A
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JP2927814B2 (ja
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Takeshi Ogawa
武 小川
Kenji Miyagawa
宮川　健二
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CHUO DENSHI KOGYO KK
NEC Corp
Original Assignee
CHUO DENSHI KOGYO KK
NEC Corp
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Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止ダイオードに関し、特に熱処理工程に
弱い樹脂ポツティング方式で封止されたパッケージ構造
のセラミック基板と樹脂との強度を保つための改良に関
するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の封止方法は、セラミック基板上に樹脂を
ボッティングするための封止方法であり、マウントメタ
ライズ部分がセラミック基板上部から側面をつたわりリ
ードフレームまでメタライズされている構造となってい
た。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂ポツティングの封止方法は、第３図
および第４図に示すようにセラミック基板１２と樹脂１
４の周囲部がダイオード素子ッ）１５を載置したマウン
トメタライズ部分１１と直接接触していた為、熱がリー
ドフレーム１３より樹脂１４につたわり、マウントメタ
ライズ部分１１と樹脂１４との界面よりハガレが発生す
るという欠点がある。尚、１６はダイオードペレットと
メタライズ部分とをつなぐ金属のポンディングワイヤで
ある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の樹脂封止ダイオードはセラミック基板と樹脂と
の界面の周囲部が半導体素子を載置するマウントメタラ
イズ部分と接触しないように樹脂をポツティング封止し
ているので、セラミック基板と樹脂との接触面積が広く
、熱的環境に於ける強度を強くした構造を有している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図および第２図は本発明の一実施例の平面図と断面
図である。マウントメタライズｌは、セラミック基板２
の中心部よりリードフレーム３にメタライズされており
、セラミック基板上には樹脂４がボッティングされてい
る。ダイオードペレット５はこのマウントメタライズ１
にロー付けされており、金属のポンディングワイヤ６で
配線がなされている。又セラミック基板２の側面には樹
脂４との接触面積を多くする為に凹になっている。
この構造により、リードフレーム３に加えられた熱は、
セラミック基板２と樹脂４との界面の周囲に直接熱がつ
たわりにくい。又セラミ、り基板２には樹脂４との接触
面積を多くしている為、セラミック基板２と樹脂４との
界面からノ・ガレにくくなっている。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、セラミック基板中心部
よりマウントメタライズされており、なおかつセラミッ
ク基板と樹脂との接触面積を多くすることにより、熱的
環境性に強い樹脂ボッティング方式のダイオードパッケ
ージが得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明の一実施例による樹脂封止
ダイオードの平面図および断面図である。 又第３図および第４図は従来の樹脂封止ダイオードの平
面図および断面図である。 １．１１・・・・・・メタライズ、２．１２・・・・・
・セラミック基板、３．１３−・−・・−リードフレー
ム、４゜１４・・・・・・樹脂、５．１５・・・・・・
ダイオードペレット、６．１６・・・・・・ポンディン
グワイヤ。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 第１図 第３図 第４図 ｆ２ナラミ、７り港尤久

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. セラミック基板上に樹脂がボッティングされてダイオー
    ド素子を封止しているダイオードに於いて、前記セラミ
    ック基板と前記樹脂との界面の周囲部が前記セラミック
    基板上に設けられた前記ダイオード素子を取り付けるた
    めのマウントメタライズ部分と接触していないことを特
    徴とする樹脂封止ダイオード。
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Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444726A (en) * 1990-11-07 1995-08-22 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device
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JPS62135395A (ja) * 1985-12-09 1987-06-18 松下電器産業株式会社 Ｉｃカ−ド用ｉｃモジユ−ル

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