JPH02224399A - 磁気シールド材 - Google Patents
磁気シールド材Info
- Publication number
- JPH02224399A JPH02224399A JP1043227A JP4322789A JPH02224399A JP H02224399 A JPH02224399 A JP H02224399A JP 1043227 A JP1043227 A JP 1043227A JP 4322789 A JP4322789 A JP 4322789A JP H02224399 A JPH02224399 A JP H02224399A
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- JP
- Japan
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- substrate
- oxide superconductor
- film
- ceramic film
- silver
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気シールド材に関し、特に酸化物超電導体膜
を用いたに磁気シールド材に関する。
を用いたに磁気シールド材に関する。
（従来の技術）
従来セラミクスや金属の基板上に数ミクロンから数１０
０ミクロンの酸化物超電導体の膜を形成した後、熱処理
し、これを磁気シールド体として用いることが試みられ
ている。
０ミクロンの酸化物超電導体の膜を形成した後、熱処理
し、これを磁気シールド体として用いることが試みられ
ている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記の従来の磁気シールド材は、前記基
板と前記酸化物超電導体の膜にとの熱膨張率に差がある
ため、前記熱処理の際に、クラックや、前記酸化物超電
導体の膜の前記基板からの剥離等が生じやすかった。
板と前記酸化物超電導体の膜にとの熱膨張率に差がある
ため、前記熱処理の際に、クラックや、前記酸化物超電
導体の膜の前記基板からの剥離等が生じやすかった。
本発明は上記の欠点を除去し、熱処理の際のクラックや
、酸化物超電導体の膜の基板からの剥離等を防ぐことが
できる、酸化物超電導体膜を用い、たに磁気シールド材
を提供することを目的とするものである。
、酸化物超電導体の膜の基板からの剥離等を防ぐことが
できる、酸化物超電導体膜を用い、たに磁気シールド材
を提供することを目的とするものである。
（：１１題を解決するための手段）
本発明によれば、基板上に酸化物超電導体膜を形成した
後、熱処理してなる磁気シールド材において、前記基板
として前記酸化物超電導体膜の熱膨張率と実質的に等し
い熱膨張率を有するものを選択したことを特徴とする磁
気シールド材が得られる。
後、熱処理してなる磁気シールド材において、前記基板
として前記酸化物超電導体膜の熱膨張率と実質的に等し
い熱膨張率を有するものを選択したことを特徴とする磁
気シールド材が得られる。
（実施ｆｌｌ）
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例による磁気シールド材の側面
図であるが、図示するように銀基板１１上に酸化物超電
導体セラミック膜１２を塗布法、スプレー法、スクリー
ン印刷法等により数ミクロンから数１００ミクロンの厚
さで形成した後、熱処理を施す。このように、基板とし
て、酸化物超電導体セラミック膜１２の熱膨張率と実質
的に等しい熱膨張率を有し、しかも、可撓性を有する銀
基板１１を選択する。さらに、酸化物超電導体セラミッ
ク膜１２の厚さｔ ａ、を銀基板１１の厚さｔ６、の２
倍以上となるように形成する。これは熱処理により超電
導体セラミック膜１２に生ずる１０〜２０％の収縮に対
して銀基板１１も同程度に収縮し収縮量の差を少なくす
るためである。
図であるが、図示するように銀基板１１上に酸化物超電
導体セラミック膜１２を塗布法、スプレー法、スクリー
ン印刷法等により数ミクロンから数１００ミクロンの厚
さで形成した後、熱処理を施す。このように、基板とし
て、酸化物超電導体セラミック膜１２の熱膨張率と実質
的に等しい熱膨張率を有し、しかも、可撓性を有する銀
基板１１を選択する。さらに、酸化物超電導体セラミッ
ク膜１２の厚さｔ ａ、を銀基板１１の厚さｔ６、の２
倍以上となるように形成する。これは熱処理により超電
導体セラミック膜１２に生ずる１０〜２０％の収縮に対
して銀基板１１も同程度に収縮し収縮量の差を少なくす
るためである。
第２図は第１図の銀基板１１の構造を示す上面図である
。銀基板１１には複数本の円弧状のスリット１３および
１４が同心的に配列形成されている。これらのスリット
は前記熱処理の際の銀基板１１の収縮を容易にするため
に設けられる。すなわち酸化物超電導体セラミック膜１
２の収縮は基板１１全面において周辺部から中心部方向
に生ずるため同心円状に配置されたスリット１３．１４
により銀基板１１の収縮を有効に吸収することができる
。
。銀基板１１には複数本の円弧状のスリット１３および
１４が同心的に配列形成されている。これらのスリット
は前記熱処理の際の銀基板１１の収縮を容易にするため
に設けられる。すなわち酸化物超電導体セラミック膜１
２の収縮は基板１１全面において周辺部から中心部方向
に生ずるため同心円状に配置されたスリット１３．１４
により銀基板１１の収縮を有効に吸収することができる
。
第３図は第１図の銀基板１１の他の実施例の構。
造を示す上面図である。同図の銀基板１１には複数本の
線状のスリット１５および１６が同心的に配列形成され
ている。
線状のスリット１５および１６が同心的に配列形成され
ている。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の磁気シールド材によれば
、基板として酸化物超電導体膜の熱膨張率と実質的に等
しい熱膨張率を有するものを選択したので、熱処理の際
、前記超電導体膜に生ずる収縮に対して前記基板も同程
度に収縮し得るため、クラックや、前記超電導体膜の前
記基板からの剥離等を防止することができる。
、基板として酸化物超電導体膜の熱膨張率と実質的に等
しい熱膨張率を有するものを選択したので、熱処理の際
、前記超電導体膜に生ずる収縮に対して前記基板も同程
度に収縮し得るため、クラックや、前記超電導体膜の前
記基板からの剥離等を防止することができる。
第１図は本発明の一実施例による磁気シールド材の側面
図、第２図は第１図の銀基板−１１の構造を示す上面図
、第３図は第１図の銀基板１１の他の実施例の構造を示
す上面図である。 第１図 １１・・・銀基板、１２・・・酸化物、超電導体セラミ
・ンク膜、 １３〜１６ ・・・スリット。 第２図 第３図
図、第２図は第１図の銀基板−１１の構造を示す上面図
、第３図は第１図の銀基板１１の他の実施例の構造を示
す上面図である。 第１図 １１・・・銀基板、１２・・・酸化物、超電導体セラミ
・ンク膜、 １３〜１６ ・・・スリット。 第２図 第３図
Claims (1)
- １．基板上に酸化物超電導体膜を形成した後、熱処理し
てなる磁気シールド材において、前記基板として前記酸
化物超電導体膜の熱膨張率と実質的に等しい熱膨張率を
有するものを選択したことを特徴とする磁気シールド材
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043227A JPH02224399A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 磁気シールド材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043227A JPH02224399A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 磁気シールド材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02224399A true JPH02224399A (ja) | 1990-09-06 |
Family
ID=12658030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1043227A Pending JPH02224399A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 磁気シールド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02224399A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04216699A (ja) * | 1990-12-17 | 1992-08-06 | Ngk Insulators Ltd | 超電導磁気シールド筒体とその製造方法 |
| JP2010192116A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-09-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導線材及びそれを用いた超電導ケーブル |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP1043227A patent/JPH02224399A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04216699A (ja) * | 1990-12-17 | 1992-08-06 | Ngk Insulators Ltd | 超電導磁気シールド筒体とその製造方法 |
| JP2010192116A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-09-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導線材及びそれを用いた超電導ケーブル |
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