JPH03206620A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に温度サイ
クルによる配線のスライド防止方法を提供するものであ
る。

〔従来の技術〕

第３図は従来の半導体装置の配線部分の断面図で、図に
おいて、１は半導体基板、２はフィールド酸化膜、３は
層間絶縁膜、４はアルミ配線、５はパッシベーション膜
である。

従来の半導体装置は図に示す様な断面構造であるが故に
、例えば、アルミ配！Ｉ４の巾が１００μｍ程度と広く
なりチップの外周等に配線されていると、チップが温度
サイクルでモールドからの応力を受け、その為にアルミ
配線４がスライドすることが発生していた。

その対策としてアルミ配線４にスリットを設け、スライ
ドを防止することが行なわれた。

しかし、それでもチップサイズが大きくなってきた場合
には、アルミ配線のスライドを防止することが困難であ
った。

（発明が解決しようとする課題） 従来の半導体装置は以上のように構威されていたので、
アルミ配線のスライドの防止が困難で特にチップサイズ
が大きくなるにしたがって増大するという問題点を有し
ていた。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、チップサイズの大きな基板で安価にかつ簡単
にアルミ配線のスライドを防止した半導体装置の製造方
法を得ることを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置の製造方法は、アルミ配線に
スリットを設け、さらにパツシベーション膜の上にバッ
ファコートを塗るようにしたものである。

〔作用〕

この発明における半導体装置の製造方法は、アルミ配線
にスリットを設け、バツファコートを塗ることにより、
外部からの応力を防ぎアルミスライトを防止する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図はこの発明の一実施例である半導体装置の完成断
面図、第２図（ａ）〜（ｈ）は第１図の製造工程を示す
各断面図である。なお、図中符号（１）〜（５）は前記
従来のものと同一につき説明は省略する。６はバツファ
コートである。第２図（ａ）に於いて、半導体基板１に
フィールド酸化膜２を形成する。次に（ｂ）図に於いて
、フィールド酸化膜２の上に層間膜３をデボし、（Ｃ）
図に於いて、層問膜３の上にアルミ配線４をスバッタし
、（ｄ）図に於いて、アルミ配線の写真製版を行い、（
ｅ）図でレジスト４１をカバーにしてアルミ配線４をエ
ッチングし、（ｆ）図で、レジスト４１を除去し、（ｇ
）図でアルミ配Ｈ４の上にパッシベーション膜５をデポ
し、（ｈ）図でバッファコート６を塗る。

（発明の効果） 以上のようにこの発明によれば、最近の大チップサイズ
化に於いても、アルミ配線をスライドさせることなく使
用でき、又、巾広い温度範囲での使用も可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例である半導体装置の完成後
の断面図、第２図（ａ）〜（ｈ）は第１図の半導体装置
の製造工程を示す各断面図、第３図は従来の半導体装置
の断面図である。 図に於いて、１は半導体基板、２はフィールド酸化膜、
３は層間脱、４はアルミ配線、５はパッシベーション膜
、６はバッファコート、４１はレジストをボす。 なお、 図中、 同一符号は同一 または相当部分を 示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. アルミ配線にスリットを設けるとともに、そのアルミ配
   線の上に形成したパッシベーション膜上にバッファコー
   トを塗布したことを特徴とする半導体装置の製造方法。