JPS63281499A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
- Publication number
- JPS63281499A JPS63281499A JP11655187A JP11655187A JPS63281499A JP S63281499 A JPS63281499 A JP S63281499A JP 11655187 A JP11655187 A JP 11655187A JP 11655187 A JP11655187 A JP 11655187A JP S63281499 A JPS63281499 A JP S63281499A
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- Japan
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- layer
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- insulating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、導体層同士が絶縁層を介して立体的に積層し
た多層配線基板に関する。
た多層配線基板に関する。
く従来技術〉 ・
従来の多層配線基板は、第2図(a)乃至(f)に記載
した手順によって構成されている。
した手順によって構成されている。
即ち、第2図(、)においては、アルミナ等からなる絶
縁基板1上に銀パラジウム系導体からなるペーストを印
刷して乾燥後約850’C乃至950℃で加熱焼成し、
配線導体層21,2□・・・、28を形成する。
縁基板1上に銀パラジウム系導体からなるペーストを印
刷して乾燥後約850’C乃至950℃で加熱焼成し、
配線導体層21,2□・・・、28を形成する。
次に第2図(1))に示すように、電気的に接続しよう
とする任意の前記配線導体N21.・・・、281’+
l]lこ跨がって二酸化硅素Sio2系の結晶化ガラス
からなるペーストを印刷して乾燥後、これを焼成するこ
とにより第1絶縁層3を形成する。
とする任意の前記配線導体N21.・・・、281’+
l]lこ跨がって二酸化硅素Sio2系の結晶化ガラス
からなるペーストを印刷して乾燥後、これを焼成するこ
とにより第1絶縁層3を形成する。
その後続いて、第2図(C)に示すように、該第1絶縁
層3上に前記と全く同様にして二酸化硅素SiO2系の
結晶化ガラスからなる第2絶縁層4を形成する。
層3上に前記と全く同様にして二酸化硅素SiO2系の
結晶化ガラスからなる第2絶縁層4を形成する。
更に第2図(d)に示すように前記第2絶縁層4上に同
じく結晶化ガラスからなる第3絶縁層5を形成して、第
2図(e)のように該第3絶縁層5上に配線導体層24
1・・・、28に亘って銀パラジウム系導電性ペースト
を印刷して、これを乾燥後焼成することにより配線導体
層6を形成する。
じく結晶化ガラスからなる第3絶縁層5を形成して、第
2図(e)のように該第3絶縁層5上に配線導体層24
1・・・、28に亘って銀パラジウム系導電性ペースト
を印刷して、これを乾燥後焼成することにより配線導体
層6を形成する。
、そして、第2図(f)に示すように、前記配線導体層
22,2□と2=、2.上の任意の2点間に酸化ルテニ
ラム系等のペーストを印刷して乾燥後焼成することによ
り抵抗体層7,8を形成させ、前記各配線導体WI2.
.2.、・・・2Bの各端部を除いて非晶質ガラス等か
らなるオーバーコート材を印刷し、乾燥後的500°C
で焼成して鎖線で示すようにオーバーコー)ffi9を
形成するものである。
22,2□と2=、2.上の任意の2点間に酸化ルテニ
ラム系等のペーストを印刷して乾燥後焼成することによ
り抵抗体層7,8を形成させ、前記各配線導体WI2.
.2.、・・・2Bの各端部を除いて非晶質ガラス等か
らなるオーバーコート材を印刷し、乾燥後的500°C
で焼成して鎖線で示すようにオーバーコー)ffi9を
形成するものである。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、上記従来の構成では立体的に交叉した部分の配
線導体層間における第1.@2絶縁層3゜4及びf:t
S3絶縁層5の何れもが流動性の悪い二酸化硅素5iO
7系の結晶化ガラス等を使用しているために該各絶縁層
3,4汲び5中に数ミクロン程度の微少ボイドが発生し
てポーラスとなり吸湿し易い状態となる。
線導体層間における第1.@2絶縁層3゜4及びf:t
S3絶縁層5の何れもが流動性の悪い二酸化硅素5iO
7系の結晶化ガラス等を使用しているために該各絶縁層
3,4汲び5中に数ミクロン程度の微少ボイドが発生し
てポーラスとなり吸湿し易い状態となる。
その結果第2図(f)において、該導体層6と25.6
と2.及び6と27の各交叉部で絶縁層の絶縁性能が低
下することが避けられず、これを解決するための手段と
して絶縁層の膜厚及び層数を増加することも考えられる
が、根本的解決とはならず製造コス1が高価となる。
と2.及び6と27の各交叉部で絶縁層の絶縁性能が低
下することが避けられず、これを解決するための手段と
して絶縁層の膜厚及び層数を増加することも考えられる
が、根本的解決とはならず製造コス1が高価となる。
そこで本発明は、L記従来例の問題点に対処し、絶縁性
能の高い多層配線基板を提供することを目的とする。
能の高い多層配線基板を提供することを目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉
絶縁基板」二に形成した複数個の導体層上に、結晶化ガ
ラスからなる第1絶縁層と、非晶質ガラスからなるtt
S2絶i&層と、前記@1絶縁層と同じ第3絶縁層とを
順次積層介在して他の導体層を立体的に交叉対設してな
る。
ラスからなる第1絶縁層と、非晶質ガラスからなるtt
S2絶i&層と、前記@1絶縁層と同じ第3絶縁層とを
順次積層介在して他の導体層を立体的に交叉対設してな
る。
く作用〉
絶縁層の製作時における流動性を高めることにより、絶
縁層のポーラス化をな(し、吸湿性を低下させて絶縁性
能が高められる。
縁層のポーラス化をな(し、吸湿性を低下させて絶縁性
能が高められる。
〈実施例〉
以下、本発明について図面に示す製作手順により構成を
詳細に説明すると、本発明の多層配線基板は、第1図(
a)に示すように、アルミナ等からなる絶縁基板1上に
銀パラジウム系導体のペーストを印刷して乾燥した後約
800°C乃至950°Cで加熱焼成して配線導体層2
11221・・・t2gを形成する。
詳細に説明すると、本発明の多層配線基板は、第1図(
a)に示すように、アルミナ等からなる絶縁基板1上に
銀パラジウム系導体のペーストを印刷して乾燥した後約
800°C乃至950°Cで加熱焼成して配線導体層2
11221・・・t2gを形成する。
次に第1図(1〕)に示すように、電気的に接続を希望
する任意の配線導体層21.・・・、28の間に二酸化
硅素5in2系の結晶化ガラスからなるペーストを印刷
して乾燥後約850乃至950℃で加熱焼成し、第1絶
縁層3を形成する。
する任意の配線導体層21.・・・、28の間に二酸化
硅素5in2系の結晶化ガラスからなるペーストを印刷
して乾燥後約850乃至950℃で加熱焼成し、第1絶
縁層3を形成する。
その後第1図(c)のように上記第1絶縁層3」二に二
酸化硅素5iO7系のペースト状非晶質ガラスを印刷す
る。そしてこれを乾燥することにより第2絶縁層4aを
形成する。
酸化硅素5iO7系のペースト状非晶質ガラスを印刷す
る。そしてこれを乾燥することにより第2絶縁層4aを
形成する。
次に第1図(d)に示すように前記第2絶縁層4a上に
前記第1絶縁層3と同質の結晶化ガラスからなる@3絶
I&層5を同要領で膜状に形成するものである。そして
、第1図(e)に示すように、上記第3絶縁層s上に銀
パラノウム系導電性ペーストを配線導体層21.・・・
、28間に亘り印刷して乾燥後、焼成することにより配
線導体層6を形成し、両導体[2,と28の間を電気的
に接続する。
前記第1絶縁層3と同質の結晶化ガラスからなる@3絶
I&層5を同要領で膜状に形成するものである。そして
、第1図(e)に示すように、上記第3絶縁層s上に銀
パラノウム系導電性ペーストを配線導体層21.・・・
、28間に亘り印刷して乾燥後、焼成することにより配
線導体層6を形成し、両導体[2,と28の間を電気的
に接続する。
更にその後第1図(f)のように導体M21と27.2
6と27間に跨がり任意の位置に酸化チルニウム系ペー
ストを印刷により塗布乾燥後、焼成して抵抗=4= 体刑7,8を形成腰各配線導体層2+1221・・・、
28の端部を除いて上記絶縁層上を非晶質ガラス等から
なるオーバーコート材で印刷し、これを乾燥した後、約
500℃乃至800’Cで焼成してオーバーコート層9
を形成するものである。
6と27間に跨がり任意の位置に酸化チルニウム系ペー
ストを印刷により塗布乾燥後、焼成して抵抗=4= 体刑7,8を形成腰各配線導体層2+1221・・・、
28の端部を除いて上記絶縁層上を非晶質ガラス等から
なるオーバーコート材で印刷し、これを乾燥した後、約
500℃乃至800’Cで焼成してオーバーコート層9
を形成するものである。
〈発明の効果〉
本発明は上述のように、交叉する上下の導体層間に、結
晶化ガラスからなる第1絶縁層と、非晶質ガラスからな
る第2絶縁層と、前記第1絶縁層と同様のf53絶縁層
の各層を介在させると共に上記絶縁層を掩ってオーバー
コート層を形成したことにより非晶質ガラスが流動性に
優れていて、ポーラスな状態を造らず、湿気の吸収が着
しく低減するので高い絶縁性を保つことが可能である。
晶化ガラスからなる第1絶縁層と、非晶質ガラスからな
る第2絶縁層と、前記第1絶縁層と同様のf53絶縁層
の各層を介在させると共に上記絶縁層を掩ってオーバー
コート層を形成したことにより非晶質ガラスが流動性に
優れていて、ポーラスな状態を造らず、湿気の吸収が着
しく低減するので高い絶縁性を保つことが可能である。
又、高い絶縁性が保てるので絶縁層を多くする必要がな
く、従って工程数も増加せず、低コストを維持できるな
どの効果を有する。
く、従って工程数も増加せず、低コストを維持できるな
どの効果を有する。
第1図(a)(b)(c)(d)(e)(f)は、構成
順序を示す本発明の配線基板の平面図、 第2図(a)仙)(C)(d)(e)(f)は、構成順
序を示す従来の配線基板の平面図である。
順序を示す本発明の配線基板の平面図、 第2図(a)仙)(C)(d)(e)(f)は、構成順
序を示す従来の配線基板の平面図である。
Claims (1)
- 1、絶縁基板上に形成された複数の導体層のうち任意導
体層間に跨がって、該導体層上に結晶化ガラスからなる
第1絶縁層を形成し、該第1絶縁層を非晶質ガラスから
なる第2絶縁層で被覆すると共に、該第2絶縁層上に結
晶化ガラスからなる第3絶縁層を形成し、更に該第3絶
縁層上に別の導体層を前記導体層に対し立体交叉状に形
成したことを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11655187A JPS63281499A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11655187A JPS63281499A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281499A true JPS63281499A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14689915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11655187A Pending JPS63281499A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63281499A (ja) |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP11655187A patent/JPS63281499A/ja active Pending
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