JPH02226231A - Ｍｉｍ部品を用いた活性マトリクスフラットスクリーンとｒａｍメモリの実現方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明の目的は、ＭＩＭ構成部品を用いて活性マトリク
ス・フラットスクリーンとＲＡＭメモリを具体化する方
法を提供することである。

（発明の背景） 本発明は特に、活性マトリクス型液晶フラットスクリー
ンの実施例に関する表示装置に適用でき、またデータ処
理用業務におけるダイナミックＲＡＭ型メモリ（直接ア
クセスメモリ）の組立に用いられる。

本発明で解決できる問題の例として、先ず活性マトリク
ス液晶表示スクリーンが挙げられる。いうまでもな（、
この例は限定的なものではないので、ＲＡＭ型メモリは
本発明から除外されてはいない。

多種類の液晶表示スクリーンが現在使われている。本発
明で具体化しようとしているスクリーンは活性マトリク
ス型スクリーンである。有効な具体化方法の１つに、資
料ＰＲ−Ａ−２５３３０７２に引用しである２マスキン
グ・レベル法がある。この方法は、グリッドがアドレス
・ラインと接続している薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）と
画素とを関連づけ、ソースをコラムと接続し、ドレイン
を画素の電極と接続するようにできる。

活性マトリクス表示スクリーンは、１９８６年２月２日
発行のＩＥＥＥ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ第ＥＤＬ−７巻１３４−１３６頁にミムラ
・アキオ氏他が発表した°“直接接触ＩＴＯのあるＳＯ
Ｉ薄膜トランジスダ°と題する記事にも述べられている
。

スイッチ素子がＴＰＴでなく非線形素子である他のスク
リーンも現在使用されている。このスクリーンの一般図
を第１図に示す。この図にアドレス・コラムＣｊおよび
第１接極子、即ち電極ｅ（の付いているコンデンサＣ１
ｊが示してあり、この電極は非線形素子ＳｉＪを通って
近くのコラムに接続され、これらすべては第１プレート
（図示していない）に配置されている。第２接極子、即
ち対電極Ｃｅｊは、第２プレート（図示していない）に
配置されたアドレス・ラインＬｉに接続されている。

選択された電圧をラインＬｉとコラムＣｊに加えると、
コンデンサＣ１ｊが素子Ｓｉｊを経由して充電されたり
放電できる。その結果生じた電界が、２つのプレートの
間にある液晶の光学状態を制御し、従って像の１点（“
画素°°）を表示する。

資料ＧＢ−Ａ−２０９１４６８に、このようなスクリー
ンおよび非線形素子ＳｉｊがＭＩＭ構成部即ち金属／絶
縁物／金属の積層である場合の具体化方法が示されてい
る。

この資料では、第１の金属膜を析出させ、陽極処理によ
って酸化膜を作り、次に酸化物の上に第２の金属膜を析
出させてＭＩＭ構成部品を作っている。

（発明が解決しようとする課題） この技術には、次のような多（の欠点がある。

−先ず、この技術では４マスキング・レベルと写真平板
型彫が必要で、これは生産効率に著しく不利な影響を与
え、レベルの数が増えると指数関数的に低下する。

一次に、陽極酸化現像を利用するので、支持プレートの
処理が必要で、均質絶縁物厚さ約ｌＯ〜１１００ｎのも
のを作る場合には重大な問題が生ずる。これは、上記資
料で推奨されているショットキーやプール・フレンケル
の熱イオン効果を利用する場合にそうである。実際に、
厚さの均質性、誘電性の品質と物理的品質の均一性およ
び陽極酸化膜の有孔率の均質性は、陽極酸化中の電流密
度の均一性に依存している。この電流密度自身は、下側
の膜の浮き上り（点効果）、使用電解液、その不純物、
その温度、ＰＨ１撹拌および浴のエージングの関数であ
る。特に、電解液の電気化学的不純物、主として洛中の
陰イオンは酸化物中に捕えられ易い。この結果、電気的
破壊が生じたり伝導性が不安定になる危険が生ずる。

−最後に、厚い（１０〜１１００ｎ　）酸化膜における
ショットキーやプール・フレンケル効果に関連する伝導
機構は、指数関数的に温度の影響を受けるので、最終デ
バイスを性格に熱的調節する必要があり、この調節は慎
重さを要し費用がかさむ。

本発明の目的はこれらの欠点を解決することである。

（課題を解決するための手段） そのために本発明は、特に簡単なＭＩＭ構成部品で、表
示スクリーンを具体化する場合には、２マスキング・レ
ベルしか必要としないものの製造方法を提供する。この
方法により陽極処理に関連するすべての難点が解決し、
温度と光度の影響をほとんど受けない伝導現象が得られ
る。

本発明の方法は、お互いに接する２つの材料を相互に酸
化・還元することによって行われる。

さらに正確に述べると、本発明の目的は、アドレス・コ
ラムを支えている透明な絶縁基板、電極のマトリクスお
よびスイッチ素子のマトリクスを含む表示スクリーンの
具体化方法の提供であり、各スイッチ素子は、アドレス
・コラム１個と電極１個の間に配置されたＭＩＭ構成部
品１ヶ以上によって構成されている。この方法は、ＭＩ
Ｍ構成部品を組込むために行う下記事項によって特徴づ
けられている。

一基板上のＭＩＭ構成部を作る予定のところに積層を作
る。この積層には、第１の材料即ち酸化性導体と第２の
材料即ち酸化できる導体が含まれる。

−この積層を２００〜７００°Ｃの間に加熱し、両材料
間に酸化膜を生成させる。

一積層を周囲温度まで冷却する。

このような方法は従来技術の欠点を避けていて、下記の
ような多くの利点がある。

−絶縁性界面膜の厚さは、２つの材料間の酸化・還元工
程の温度と時間を単に制御するという再現性のある方法
で管理されている。

生じた界面酸化膜は、得られる効果がもはやショットキ
ーやプール・フレンケル型効果でなくトンネル型効果に
なるような、約５〜１０ｎｍの厚さに容易に調節できる
。このような条件では、電流は事実上温度の影響を受け
ない。更に光の影響も受けない。従って本発明の方法で
得られるフラット・スクリーンは、過酷な環境で使用で
き、例えば大型像の投影に使用できる。

゛°トンネルバリア°°の高さは、材料の選定により調
節できる。数個のＭＩＭを直列に並べると、バリアの相
当幅を調節できる。トンネルバリアの高さと全幅を調節
すると、ＭＩＭの電流／電圧特性を制御でき、制御電流
と制御電圧を最善状態にする。

−ＭＩＭ構成部品を直列に並べることは非常に簡単であ
り、このデバイスの電圧／電流特性を完全に均整化する
ことができる。

一任意のＭＩＭ内やＭＩＭ間における酸化できる材料の
膜と酸化性材料の膜の厚さの均質性は重大なことではな
い。それは、酸化膜を生成させる現象は、２つの膜の界
面で生ずるのであって３次元的に起きるのではない。

−ＭＩＭが自動的に作られるので、本発明の方法はスク
リーンの大きさに関係なく採用できる。特に、先に述べ
たＴＰＴや電解液の方法では作れない非常に大型なスク
リーンに使える。用いる技術的方法は簡単であり、特に
クリーンルームを必要としない。言いかえれば、使用す
る科学技術は費用が安く、“°高度に複雑ではない°゛
といえる。

−生成する絶縁材による公害の危険は全（ない。

それは絶縁材が大気に全くさらされずに、本来あるべき
場所で作られるからである。酸化性要素は、２つの材料
系の中にある。

−ＭＩＭ構成部品は、くまなく物理化学的に連続してい
て、従来技術に見られたような膜の重なり部分は全くな
い。従って、種々の材料の重なりに関連する欠点の多く
が避けられ、特に膜間の固着の問題を避けている。

酸化性導体と酸化できる導体との間に温度上昇によって
薄い酸化膜を生成させることは、それ自身新しい物理的
現象ではないというべきである。

例えば、先に述べたミムラ・アキオ氏他の記事に書かれ
ている。しかし、この現象が、ＭＩＭ構成構成部 品１使う活性マトリクス表示スクリーンの作成に用いら
れたことがなかったと強調すべきである。

引用したこの記事で、問題の現象について述べたとして
も、この欠陥的性質を強調したに過ぎないし、著者の１
人は、これの使用を避けるよう強く勧めている。更に正
確に言うと、引用した記事で述べている構造はＭＩＭ構
造でなく　ＴＰＴ構造である。オーム接触は、ＴＰＴの
ドーピングしたシリコンソースｎで起こさせる必要があ
り、この接触はＩＴＯの析出により得られる。この記事
の著者は、この接触を作るとき、　２００℃を超える温
度で焼きなましを行い（次いで４００℃や６００℃で生
成させたとき）　ＩＴＯとシリコンの間に酸化膜が生成
したと記述している。この膜が探し求めていた接触の抵
抗性を破壊するので、この破壊を避けるためには２００
℃未満に保つ必要があった。これは、シリコンを絶縁基
板上に最初に析出させなければならない理由でもある。

それは、この析出が２００℃を超えるかなり高い温度で
（例えば９００℃で）行われるからである。そこで、Ｉ
ＴＯ膜は２００℃未満で析出される。予定されるソース
接触を前もって構成するために先ずＩＴＯを析出し、次
いでシリコンを９００℃で析出させることによって作業
順序を逆にすると、絶縁膜がＩＴＯとシリコンの間に生
成するであろう。このことが正に著者が避けようとして
いたものである。従って専門家は、未だにこの技術を用
いて温度を下げて絶縁膜の生成を避ける方法を探してい
る。従って本発明は、温度を上げたこの酸化膜の生成を
推奨して、この速断に逆っている。スクリーンはもはや
ＴＰＴスクリーンではなく、もっと利点のあるＭＩＭス
クリーンである。

更に、析出類を逆にすること、即ち最初に伝導酸化物を
析出し、次に、時には有利になる半導体を析出すること
を禁するものは何もない。

本発明には、更にスクリーンの制御時間に関連した利点
がある。出願者は、酸化できる導体がシリコンのような
半導体であった場合、酸化膜が生成するときに、半導体
／絶縁体界面に空間電荷領域が現われるのを観察した。

この空間電荷の目的は、絶縁膜に対応するコンデンサと
直列の第２のコンデンサを作り出すことであり、酸化で
きる導体が例えば金属製であったときに得られるであろ
う値に関しユニットの静電容量がかなり減少する結果と
なる。さて、活性マトリクス・スクリーンでは、表示を
制御している電界を定義づける電荷を、ＭＩＭ構成部品
にではなく主として画素に現わしたい場合、ＭＩＭ構成
部品の静電容量を通常画素の静電容量より小さくすべき
ことが知られている。現在までは、ＭＩＭ構成部品の静
電容量は画素のそれの約１／３であった。本発明の方法
では、空間電荷があるので、ＭＩＭ構成部品の静電容量
が画素のそれの約１７１０の値まで小さくなり、大変好
都合なことである。表示スクリーンの静電容量に最大の
貢献をしているのが画素であるのは明らかである。

このため、好ましい変形として、本発明は、半導体を酸
化できる伝導材料として用いることを推奨する。この半
導体は、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム・ヒ化物や
インジウム・リンのような２元化合物、３元化合物（Ｇ
ａＡ１！Ａｓ）または４元化合物でもよい。

酸化性伝導材料については、酸化インジウム（Ｉｎ２０
ａ）　、酸化すず（ＳｎＯ７）、インジウムとすずの酸
化物（ＩＴＯ）　、　（Ｉｎ２０３＋５ｎ０２）、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）等の伝導性金属酸化物のグループから選
べる。

半導体でない場合、酸化できる伝導材料は、Ａｎ、Ｔｉ
、Ｔａ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ等の金属の酸化
物混合物（ＶＪＳ−Ｐ２ｓｓ）　＋　（Ｖ２０ｇ’−Ｐ
ｂｏ−Ｆｅ２０ｓ）のグループから、または酸化できる
合金のグループから選べる。

すべての場合、酸化物生成に必要な温度は２００℃を超
える必要があり、一般には７００℃未満である。従って
これは、低温が並の温度の科学技術である。例えば、ア
ルミニウム／ＩＴＯ／ガラスの基板ユニットでは、約３
５０℃であることが好ましい。ポリシリコン／ＩＴＯ／
ガラス／基板ユニットでは、約６２５℃である。チタン
／ＩＴＯベアリングでは、約５２０℃である。

加熱段階は、真空下またはガス（アルゴン、酸素等）の
存在下で行ってよい。この段階の時間は絶縁膜の目標厚
さによるが、−船釣にいえば約３時間である。

加熱段階は、積層が作られてから行うが、膜析出作業が
酸化・還元に必要な時間内に行われる場合は、この積層
形成中に行ってもよい。

本発明の目的は、アドレス・ラインとアドレス・コラム
のある記憶コンデンサのマトリクスならびに１個のライ
ンまたは１個のコラムと各コンデンサとの間に配置した
スイッチ素子を含むダイナミックＲＡＭメモリの具体化
方法を提供することでもある。この方法は、スイッチ素
子を組込むために行う下記事項によって特徴づけられる
。

−積層が形成され、この積層には第１材料即ち酸化性導
体と第２材料即ち酸化できる導体が含まれる。

−この積層は２００〜７００℃に加熱され、ＭＩＭ構成
部品を生成する。

この温度から周囲温度に下げられる。

（実施例） 次の説明では、基板はガラス製、伝導材料はＩＴＯ（す
すとインジウムの酸化物）および酸化できる材料はシリ
コンでドーピングしたものとしないものと仮定しである
。しかし、この仮定は、単に説明のために行ったことは
いうまでもなく、先に述べたように、他の材料や組合せ
た材料を用いることができる。

空想してみると、ＭＩＭ構成部品の絶縁膜には、シリコ
ンがＩＴＯ膜で酸化されて生ずるシリカが適している。

第２Ａ図と第２Ｂ図に、酸化性膜を下層に、酸化できる
シリコン膜を上層にする第１実施例に従った、画素とＭ
ＩＭのマトリクスを支持するプレートの実施例に関する
種々の段階を示す。この図から、配置状態が、前に引用
した資料に述べられたものと逆であることが分かるであ
ろう。その理由は既に述べた。

種々の作業と段階は次のとおりである。

第２Ａ図： ａ　：　ＩＴＯＴａ２０５明な絶縁膜上に析出させる。

ｂ＝第１接続パターン３４のマトリクスおよび３６に結
合した舌が付いている電極３５のマトリクスの写真平板
型彫。

Ｃ：シリコン膜３８（ドーピングしたものやしないもの
）をユニット上に６２５°Ｃで析出させる。

ｄ：シリコンとＩＴＯとの間で酸化・還元を行わせて、
６２５℃でシリカ膜３７を生成する加熱段階。

ｅ：次に金属４１　（ＡＩ！、Ｗ、Ｍｏ等）をシリコン
上に析出させる。電気抵抗が小さい場合は、この段階は
不要である。

第２Ｂ図： ａ：金属膜４１、シリコン３８およびシリカ３７を写真
平板型彫し、第１パターン３４の一部を横切って重なる
アドレス・コラム３９を形成し、また第１パターン３４
の一部と縦方向に重なり、かつ３６と結合している舌を
横切って、重なる第２接続パターン４０を形成する。型
彫されたものに、対電極のアドレス・ラインを遮へいす
る“ブラック・マトリクス°°として知られるブロック
４２があってもよい。

ｂとＣ：このようにして、ＭＩＭデバイス３個が、参照
番号４８を付した位置に直列に作られる。金属４１は、
シリコンの固有抵抗を短絡する目的のみに使用されてい
る。

この実施例で、シリコン析出温度が十分に高くなってか
ら初めて、シリコン・ＩＴＯ間の酸化還元によってシリ
カが成長する。従って、後で形成されるＭＩＭ用の絶縁
は第２Ａ図のＣ段階で行える。そこで、第２Ａ図のｄ段
階は、ＭＩＭ構造のエージングと均質化の段階である。

このような方法は、２マスキング・レベルが必要なだけ
であり、特に大型のプレートでは非常に実施し易いこと
が分かる。

他の実施例では材料の順序を逆にし、先ず酸化できる導
体を析出し、次に酸化性導体を析出する。この例を第３
Ａ図と第３Ｂ図に示す。この図では、酸化性材料がＩＴ
Ｏで、酸化できる材料がタンタルである。この例の段階
と作業は次のとおりである。

第３Ａ図： ａ：タンタル膜をガラス基板５０の上に析出させ、コラ
ム５２、第１接続パターン５４および°°ブラック・マ
トリクス°゛のブロック５６を写真平板型彫する。

ｂ　：　ＩＴＯ膜の析出、およびコラム５２と第１パタ
ーン５４の一端に重なる第２接続パターン５８を形成し
、６０に結合した舌がありパターン５４と重なっている
電極５９のマトリクスを形成するための型彫。

第３Ｂ図： ａとｂ＝参照番号６３のついた場所に酸化タンタル（Ｔ
ａｇ）６２を形成する約４７５℃の加熱段階。ＭＩＭデ
バイス３個の構造が、コラム５２と電極５９の各々の間
に直列に得られる。

この実施例の方法は、２写真平板型彫レベルが必要なだ
けである。

第２Ａ図、第２Ｂ図、第３Ａ図および第３Ｂ図に示した
作業により、電極マトリクスの支持プレートおよびアド
レス・コラムの列を形成できる。対電極とアドレス・ラ
インがあるバックプレートを具体化することのみが残っ
ている。このバックプレートは既知の方法で具体化でき
、例えば第４図に示すように、ガラスプレートにＩＴＯ
膜を析出し、次に型彫してライン７０と対電極７２を作
る。

スクリーンを完成させるには、オリエンテーション膜（
°°界面活性剤゛°）を２枚のプレート上に塗り、バッ
クプレート上にグルー・ウオールをセリグラフし、スペ
ーサを分散させ、バックプレートとプレートを組立て、
次に液晶を充填する。

カラー表示スクリーンを作ることもでき、例えばマスク
を通してイオン化した着色粉末を電気めっきする方法で
、バックプレートに着色フィルタを析出させればよい。

ラインとコラムが２枚の異なったプレート上にあること
が分かり、これは、これら２つのアドレス・ネットワー
ク間の短絡の可能性を無くす。

本発明は、表示スクリーンの具体例に限らない。ダイナ
ミックＲＡＭメモリのような構成部品の具体化にも適用
できる。

第５Ａ図と、第５Ｂ図に、このようなメモリを作る一例
を示す。アドレス・コラムとアドレス・ラインが同じ半
導性基板に組込まれている場合は、このようなデバイス
は第１図に示すのもと構造的に匹敵する。種々の膜がも
はや透明である必要がなければ、作業は、先に述べたも
のとほぼ同じである。

種々の段階と作業は次のようになる。

第５Ａ図： シリコンのような半導体８０に１組のライン８２をドー
ピングする。

一絶縁膜を析出させ、独立コラム８４を型彫する。

−酸化できる膜を析出させて型彫し、アドレス・コラム
８６を残す。

第５Ｂ図： ａ：酸化性材料の膜８８を析出する。

ｂ＝型彫して、９２と結合した舌がありコラム８６と重
なっているパターン９０のマトリクスを作る。

Ｃ：参照番号９４が付いた場所に、即ちコラム８６の上
にＭＩＭを作り、ライン８２の上にコンデンサ９６を作
るための加熱段階。

まず自動的に作られるＭＩＭスイッチ９４およびコンデ
ンサ９６ならびに次に非常に薄い絶縁膜のある即ち静電
容量の大きいドーピングしたシリコンの上に作られるコ
ンデンサ９６が表面を小さ（し、集積度を高くすること
が分かる。

任意の数のＭＩＭを直列に並べ、制御用電流・電圧の値
を調節できることが明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、既に説明しであるが、ＭＩＭ型非線形素子を
含んだ活性マトリクス表示スクリーンの概略構造を示す
。 第２Ａ図は、表示スクリーンの第１実施例の第１段階（
ａ、　ｂ、　ｃ、　ｄ、　ｅ）を示す。 第２Ｂ図は、この実施例の最終段階（ａ＋　ｂ、　ｃ）
を示す。 第３Ａ図は、表示スクリーンの第２実施例の第１段階（
ａ、ｂ）を示す。 第３Ｂ図は、この第２実施例の最終段階（ａ、ｂ）を示
す。 第４図は、バックプレートに刻んだトラックの加工を示
す。 第５Ａ図は、ダイナミックＲＡＭメモリの具体化方法の
ある段階を例示する。 第５Ｂ図は、第５Ａ図の方法の他の段階を特徴する

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）アドレスコラムを支持する透明絶縁基板、電極の
   マトリクスおよびアドレスコラム１つと電極１つの間に
   最低１つのＭＩＭ構成部品で作られているスイッチ素子
   のマトリクスを含む表示スクリーンを具体化する次の構
   成を有する方法； （ａ）基板上のＭＩＭ構成部品を作る予定のところに、
   積層を形成し、この積層は、第１材料が酸化性導体で第
   ２材料が酸化できる導体であり；（ｂ）この積層を２０
   ０〜７００℃に加熱し、両材料の間に酸化膜を形成し； （ｃ）積層を周囲温度まで冷却する。
2. （２）下記作業を含む請求項１による方法；（ａ）透明
   な絶縁プレート上に、上記第１の酸化性材料の第１伝導
   膜を析出させ； （ｂ）この第１膜を型彫して、結合した舌の付いた電極
   のマトリクスを形成し、またアドレス・コラムを作る予
   定の場所に第１接続パターンのマトリクスを形成し； （ｃ）上記第２の酸化できる材料の膜をユニット上に析
   出させ； （ｄ）ユニットを２００〜７００℃に加熱し、伝導膜と
   酸化できる膜との間に酸化膜を作り； （ｅ）第２の膜と酸化膜を型彫し、第１接続パターンに
   重なるアドレスコラムを形成し、また第１パターンと電
   極の舌に重なる第２接続パターンのマトリクスを形成し
   ； （ｆ）ユニットを周囲温度まで下げる。
3. （３）下記段階を含む請求項１による方法；（ａ）第１
   の酸化できる伝導膜を、透明な絶縁プレート上に析出さ
   せ、 （ｂ）この第１膜を型彫して、コラムおよび第１接続パ
   ターンのマトリクスを形成し、 （ｃ）第２の酸化性伝導膜を、ユニット上に析出させ、 （ｄ）この第２膜を型彫して、各第１接続パターンと各
   コラムに重なる第２接続パターンのマトリクスを形成し
   、また上記第１接続パターンに重なる舌付電極のマトリ
   クスを形成し、 （ｅ）ユニットを２００〜７００℃に加熱し、（ｆ）ユ
   ニットを周囲温度まで下げる。
4. （４）第２の酸化性材料が半導体である場合の、請求項
   １から３のいずれかによる方法。
5. （５）半導体がシリコン、ゲルマニウムならびに２元、
   ３元および４元化合物を含むグループから選ばれた場合
   の、請求項４による方法。
6. （６）第２の酸化性材料がＡｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｇ、Ｃ
   ｒ、Ｃｕ、Ｍｎおよび酸化できる合金から成るグループ
   から選ばれた場合の、請求項１から３のいずれかによる
   方法。
7. （７）第２の酸化性伝導材料が酸化インジウム、酸化す
   ず、インジウムとすずの酸化物、酸化亜鉛のような伝導
   性金属酸化物のグループから選ばれた場合の、請求項１
   から６のいずれかによる方法。
8. （８）アドレス・ラインとアドレス・コラムのある記憶
   コンデンサのマトリクスならびに１個のラインまたは１
   個のコラムと各コンデンサの間に配置したスイッチ素子
   を含むダイナミックＲＡＭメモリを作る方法で、スイッ
   チ素子を組み込むために下記事項を行う； （ａ）積層を作る。この積層は酸化性伝導体である第１
   材料と酸化できる伝導体である第２材料から成り、 （ｂ）この積層を２００〜７００℃に加熱し、ＭＩＭ構
   成部品を生成させ、 （ｃ）この積層を周囲温度に下げる。
9. （９）下記作業を含む請求項８による方法；（ａ）１組
   のアドレス・ラインを半導性基板へドーピングし、 （ｂ）絶縁膜が析出し、この膜が型彫されて独立したコ
   ラムが形成し、 （ｃ）酸化できる膜が析出しこの膜が型彫されてアドレ
   ス・コラムが形成され、 （ｄ）酸化性材料の膜がユニット上に析出させ、（ｅ）
   この膜が型彫され、舌付でアドレス・コラムに重なって
   いるアドレス・ラインに重なるパターンのマトリクスを
   形成し、 （ｆ）ユニットは２００〜７００℃に加熱され、パター
   ンとアドレス・ラインに重なる部分および結合した舌と
   アドレス・コラムと重なる部分に、ＭＩＭ構成部品が生
   成する。