JPH0222648A - ホールバーニング物質のホール消去方法 - Google Patents
ホールバーニング物質のホール消去方法Info
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- JPH0222648A JPH0222648A JP17163688A JP17163688A JPH0222648A JP H0222648 A JPH0222648 A JP H0222648A JP 17163688 A JP17163688 A JP 17163688A JP 17163688 A JP17163688 A JP 17163688A JP H0222648 A JPH0222648 A JP H0222648A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、ホールバーニング物質のホール消去方法に関
する。
する。
次世代の光メモリーとして、ホールバーニング効果を利
用した３次元メモリーの研究が進められている。本発明
は、ダイヤモンドカラーセンターのホールバーニングを
利用したメモリーの消去方法に関するものである。
用した３次元メモリーの研究が進められている。本発明
は、ダイヤモンドカラーセンターのホールバーニングを
利用したメモリーの消去方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、ホールバーニング物質として、ポルフィリンやキ
ニザリン等の有機色素をｎ−ヘキサン等のマトリックス
に入れた物質が使用されてきた（「化学と工業」第３５
巻第９号（９８２）６３３〜６３５頁）。この場合、ホ
ールバーニング物質を液体ヘリウム温度まで低下させ、
使用する必要がある上、ホールを消去するには、−旦液
体ヘリウム温度から、室温付近まで昇温する必要がある
。しかし、室温へ昇温によりホール消去すると、全ての
ホールが消去されてしまうと言う欠点があ又有機色素以
外に、アルカリハライド系化合物に、電子線照射をしカ
ラーセンターを作成し、ホールバーニング物質として使
用した例はあるが、上述の有機色素と同一の問題点が有
った。
ニザリン等の有機色素をｎ−ヘキサン等のマトリックス
に入れた物質が使用されてきた（「化学と工業」第３５
巻第９号（９８２）６３３〜６３５頁）。この場合、ホ
ールバーニング物質を液体ヘリウム温度まで低下させ、
使用する必要がある上、ホールを消去するには、−旦液
体ヘリウム温度から、室温付近まで昇温する必要がある
。しかし、室温へ昇温によりホール消去すると、全ての
ホールが消去されてしまうと言う欠点があ又有機色素以
外に、アルカリハライド系化合物に、電子線照射をしカ
ラーセンターを作成し、ホールバーニング物質として使
用した例はあるが、上述の有機色素と同一の問題点が有
った。
さらにダイヤモンド中に各種のカラーセンター（ＧＲＩ
、Ｎ−Ｖ、）１３、Ｎ３）を作り、これに付いてホール
バーニング実験を行った例がある［ジャーナル・オプ・
フィジックス、Ｃ，ソリッド・ステート・フィジックス
（Ｊ、 Ｐｈｙｓ、、 Ｃ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｐｈｙｓｉｃｓ、 ）第１７巻（１９８＝１）、２３３
〜２３６頁。アール・ティ・ホーリ−（Ｒ，Ｔ、 Ｈｏ
ｒｌｅｙ）ら］。
、Ｎ−Ｖ、）１３、Ｎ３）を作り、これに付いてホール
バーニング実験を行った例がある［ジャーナル・オプ・
フィジックス、Ｃ，ソリッド・ステート・フィジックス
（Ｊ、 Ｐｈｙｓ、、 Ｃ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｐｈｙｓｉｃｓ、 ）第１７巻（１９８＝１）、２３３
〜２３６頁。アール・ティ・ホーリ−（Ｒ，Ｔ、 Ｈｏ
ｒｌｅｙ）ら］。
しかしながら、上記文献には、Ｎ−Ｖセンターに関して
下記の如き記載があるのみで、消去方法に関しては全く
記載がない。
下記の如き記載があるのみで、消去方法に関しては全く
記載がない。
■温度が２０に以下でないと、ホールが消失する。
■ホールが１５分程度で殆んど消失する。
■微細なレーザー光（約１ｍＷ）によって、ホールが形
成される。
成される。
［発明が解決しようとする課題］
従来、ダイヤモンドカラーセンターを用いたホールバー
ニングでは、ホールが存在する温度でホールを消去でき
ず、又、任意の位置のホールを消去することもできなか
った。
ニングでは、ホールが存在する温度でホールを消去でき
ず、又、任意の位置のホールを消去することもできなか
った。
本発明の課題は、ホールが存在する温度でホールを消去
でき、しかも任意の位置のホールを消去できる方法を提
供することである。
でき、しかも任意の位置のホールを消去できる方法を提
供することである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ホールが存在する温度で、任意の位置のホー
ルを消去する為に、ゼロフォノンラインを含まずゼロフ
ォノンライン以上のエネルギーを有する励起光を照射す
るとホールが消去され、しかｃ）ｌフォノン以上のエネ
ルギーを有する励起光を照射すると、ホールが短時間に
、たとえば３００秒以下で消去されることを見い出して
完成されたものである。
ルを消去する為に、ゼロフォノンラインを含まずゼロフ
ォノンライン以上のエネルギーを有する励起光を照射す
るとホールが消去され、しかｃ）ｌフォノン以上のエネ
ルギーを有する励起光を照射すると、ホールが短時間に
、たとえば３００秒以下で消去されることを見い出して
完成されたものである。
すなわち、本発明は、ダイヤモンド中に作成したカラー
センターのゼロフォノンラインを用いたホールバーニン
グ物質のホール消去方法において、ホールが安定に存在
する温度においてゼロフォノンラインを含まずゼロフォ
ノン以上のエネルギーを有する励起光、好ましくは１フ
ォノン以上のエネルギーを有する励起光を照射する事に
よって、任意の位置のホールを消去する事を特徴とする
ホールの消去方法を提供するものである。
センターのゼロフォノンラインを用いたホールバーニン
グ物質のホール消去方法において、ホールが安定に存在
する温度においてゼロフォノンラインを含まずゼロフォ
ノン以上のエネルギーを有する励起光、好ましくは１フ
ォノン以上のエネルギーを有する励起光を照射する事に
よって、任意の位置のホールを消去する事を特徴とする
ホールの消去方法を提供するものである。
〈作用〉
本発明の作用について説明する。
ゼロフォノンラインを含まず、ゼロフォノンライン以下
のエネルギーを持つ光を照射しても、旦形成しされたホ
ールは、安定な温度では消去されない。又、ゼロフォノ
ンライン幅に含まれるエネルギーを持つ光を照射すると
、新たなホールが形成されるのみである。
のエネルギーを持つ光を照射しても、旦形成しされたホ
ールは、安定な温度では消去されない。又、ゼロフォノ
ンライン幅に含まれるエネルギーを持つ光を照射すると
、新たなホールが形成されるのみである。
これに対し、ゼロフォノンラインを含まずゼロフォノン
以上１フオノン以下のエネルギーを持つ光を照射すると
、ホールは消去される。さらに、ｌフォノン以上のエネ
ルギー線を照射すると、ホールは短時間に消去される。
以上１フオノン以下のエネルギーを持つ光を照射すると
、ホールは消去される。さらに、ｌフォノン以上のエネ
ルギー線を照射すると、ホールは短時間に消去される。
又、該カラーセンターが試料中に１種類存在する場合は
、吸収のフォノンバンド全域内の光を照射することによ
ってホールが消去される。ただし、該カラーセンターよ
り高いエネルギーバンドを持つ他のカラーセンター又は
不純物吸収バンドを持つ場合には、該センターのフォノ
ンバンド以上のエネルギーを有する励起光によっても、
消去される場合がある。
、吸収のフォノンバンド全域内の光を照射することによ
ってホールが消去される。ただし、該カラーセンターよ
り高いエネルギーバンドを持つ他のカラーセンター又は
不純物吸収バンドを持つ場合には、該センターのフォノ
ンバンド以上のエネルギーを有する励起光によっても、
消去される場合がある。
本発明の方法において利用できるカラーセンターは、Ｎ
３、Ｈ４、Ｈ３，５７５システム、ＮＶ、ＧＲＩ、ＮＤ
Ｉ、およびＨ２などである。
３、Ｈ４、Ｈ３，５７５システム、ＮＶ、ＧＲＩ、ＮＤ
Ｉ、およびＨ２などである。
実施例−１
温度差法を用い、５．４ＧＰａおよび１３６０℃の圧力
温度条件下で３，４カラツトのｔｂ型ダイヤモンドを合
成した。赤外分光分析により１１３０ｃｍ−’の吸収係
数から含有窒素量を算定したところ、１５０ｐｐｍであ
った。
温度条件下で３，４カラツトのｔｂ型ダイヤモンドを合
成した。赤外分光分析により１１３０ｃｍ−’の吸収係
数から含有窒素量を算定したところ、１５０ｐｐｍであ
った。
該試料を６．５肩ｘＸ６．５ｘｘＸ０．２龍の寸法に加
工した後、２ＭｅＶ、 Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ”電子／ｃｍ
”の条件で電子線照射を行った後、１０−’ｔｏｒｒの
真空下、８５０°Ｃでアニーリングを５時間行なった。
工した後、２ＭｅＶ、 Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ”電子／ｃｍ
”の条件で電子線照射を行った後、１０−’ｔｏｒｒの
真空下、８５０°Ｃでアニーリングを５時間行なった。
紫外可視分光分析装置で測定したところ、Ｎ−Ｖカラ−
センターが形成されていた。
センターが形成されていた。
第１図に示す装置を用いて、該試料のホール消去実験を
行った。
行った。
ホール作成用および消去用のレーザー光源として、Ａｒ
“レーザーｌおよびグイレーザー２を用いた。グイレー
ザー中には、エタロンを組み込み、微小な波長変化がで
きる様にした。シャーター３により照射光の０Ｎ−ＯＦ
Ｆを行った。偏光板４を通して偏光度を良くし、全反射
ミラー５によって方向を変化させた。
“レーザーｌおよびグイレーザー２を用いた。グイレー
ザー中には、エタロンを組み込み、微小な波長変化がで
きる様にした。シャーター３により照射光の０Ｎ−ＯＦ
Ｆを行った。偏光板４を通して偏光度を良くし、全反射
ミラー５によって方向を変化させた。
レーザー光８を集光レンズ７で集光し、試料ｌＯに当て
ることにより、ホールの作成および消去を行なった。試
料１０は、Ｘ−Ｙテーブルにより移動可能なりライオス
タット１１の中に固定した。
ることにより、ホールの作成および消去を行なった。試
料１０は、Ｘ−Ｙテーブルにより移動可能なりライオス
タット１１の中に固定した。
ホールの測定用レーザー光源として、Ａｒ＋レーザー１
７、グイレーザー１６を用いた。グイレーザー中には、
エタロンを組み込み、レーザー光８に対して垂直方向に
偏光をかけた。偏光板１５を通した後、減衰フィルター
１４で強度を落とし、偏光ミラー６で方向を変えたレー
ザー光９を、さらに集光レンズ７で試料１０上に集光さ
せた。透過光をレンズ１２でコリメートし、ディテクタ
ー■８で測定した。測定時には、シャーター３をＯＦＦ
の状態とし、シャーター１３をＯＮとし、測定光のみが
ディテクターに入る様にした。
７、グイレーザー１６を用いた。グイレーザー中には、
エタロンを組み込み、レーザー光８に対して垂直方向に
偏光をかけた。偏光板１５を通した後、減衰フィルター
１４で強度を落とし、偏光ミラー６で方向を変えたレー
ザー光９を、さらに集光レンズ７で試料１０上に集光さ
せた。透過光をレンズ１２でコリメートし、ディテクタ
ー■８で測定した。測定時には、シャーター３をＯＦＦ
の状態とし、シャーター１３をＯＮとし、測定光のみが
ディテクターに入る様にした。
ホール形成の有無は、レーザー光８を当てる府のディテ
クターによって得られた測定光の強度Ｉｐｏと、照射後
の強度１ｐ＋との強度比により求めた。この場合照射光
波長と測定波長は、あらかじめ同一にしておいた。ホー
ルが形成されると、測定光の透過量が増え、強度比Ｉ
ｐＪ Ｉ ｐＯカ月以上となる。
クターによって得られた測定光の強度Ｉｐｏと、照射後
の強度１ｐ＋との強度比により求めた。この場合照射光
波長と測定波長は、あらかじめ同一にしておいた。ホー
ルが形成されると、測定光の透過量が増え、強度比Ｉ
ｐＪ Ｉ ｐＯカ月以上となる。
又、ホールの消去は、ホールの作成された波長に測定波
長をセットしておき、消去用レーザー光８の波長を、 ■ゼロフォノンラインより長い波長、 ■ゼロフォノンラインと１フオノンラインの間の波長、 ■１１フオノンライン上 とそれぞれ変化させ、測定光強度（Ｉ ｐｔ）を測定し
た。ＩｐｏとＩｐｔの強度比よりホールの消去を判定し
た。下記第１表に結果を示す。
長をセットしておき、消去用レーザー光８の波長を、 ■ゼロフォノンラインより長い波長、 ■ゼロフォノンラインと１フオノンラインの間の波長、 ■１１フオノンライン上 とそれぞれ変化させ、測定光強度（Ｉ ｐｔ）を測定し
た。ＩｐｏとＩｐｔの強度比よりホールの消去を判定し
た。下記第１表に結果を示す。
第１表の如く、ゼロフォノン以上の波長を照射した場合
には、強度比が１となり、ホールの消去が認められる。
には、強度比が１となり、ホールの消去が認められる。
又、それ以外では１．３以上あり、ホールの形成が確認
出来る。
出来る。
さらに、Ｘ−Ｙテーブルによって他の位置に移動させ、
同一の実験を行なっても同様の結果が得られた。又、ｘ
−Ｙテーブルを移動させ、あらかじめ、複数の位置にホ
ールを形成させておき、その内の１つの位置のホールを
消去しても他のホールは消去されなかった。
同一の実験を行なっても同様の結果が得られた。又、ｘ
−Ｙテーブルを移動させ、あらかじめ、複数の位置にホ
ールを形成させておき、その内の１つの位置のホールを
消去しても他のホールは消去されなかった。
実施例−２
温度差を用い、５．３ＧＰａおよび１３４０℃の圧力温
度条件下で、ｒｂ型ダイヤモンド５個（２〜２．５カラ
ツト）を合成し、一方、５．５ＧＰａおよび１４００℃
の条件で、のＩａ型ダイヤモンド２個（１，５〜１．７
カラツト）を合成した。前者のＩｂ型ダイヤモンドを５
ｘｘＸ ５ ｚｘＸ Ｉ ｘｍ、後者のＩａ型ダイヤ
モンドを３．５１１Ｘ３．５１１Ｘ ＩＩｍのサイズに
加工した。さらに第２表の条件で、電子線照射およびア
ニーリングを行ない、Ｎ３、Ｈ４、Ｈ３，５７５システ
ム、Ｈ２、ＧＲＩ、ＮＤＩセンターをそれぞれ作成した
。各センターは紫外可視分光分析装置を用いて測定した
。実施例−１と同一の方法でホールの作成および消去を
行なった。結果を第２表に示す。
度条件下で、ｒｂ型ダイヤモンド５個（２〜２．５カラ
ツト）を合成し、一方、５．５ＧＰａおよび１４００℃
の条件で、のＩａ型ダイヤモンド２個（１，５〜１．７
カラツト）を合成した。前者のＩｂ型ダイヤモンドを５
ｘｘＸ ５ ｚｘＸ Ｉ ｘｍ、後者のＩａ型ダイヤ
モンドを３．５１１Ｘ３．５１１Ｘ ＩＩｍのサイズに
加工した。さらに第２表の条件で、電子線照射およびア
ニーリングを行ない、Ｎ３、Ｈ４、Ｈ３，５７５システ
ム、Ｈ２、ＧＲＩ、ＮＤＩセンターをそれぞれ作成した
。各センターは紫外可視分光分析装置を用いて測定した
。実施例−１と同一の方法でホールの作成および消去を
行なった。結果を第２表に示す。
実施例−３
プラズマＣＶＤ法を用い、２７ ｔｏｒｒの圧力下、２
．４ＧＨｚの高周波を用いプラズマを発生させ、窒素元
素をドープしながら、ＩＯμｍ／時間の成長速度で、Ｓ
ｉ基板上に厚さ２００μｍのダイヤモンド薄膜を成長さ
せた。その後Ｓｉ基板を酸処理して溶かし、得られたダ
イヤモンド薄膜を試料として用いた。
．４ＧＨｚの高周波を用いプラズマを発生させ、窒素元
素をドープしながら、ＩＯμｍ／時間の成長速度で、Ｓ
ｉ基板上に厚さ２００μｍのダイヤモンド薄膜を成長さ
せた。その後Ｓｉ基板を酸処理して溶かし、得られたダ
イヤモンド薄膜を試料として用いた。
該試料に２ＭｅＶ、 ５ Ｘ １０ ”電子／ｃｍ”
の条件で電子線照射した後、ｌＸｌ０″″５ｔｏｒｒの
真空下、１７５０℃の温度で５時間アニーリングした。
の条件で電子線照射した後、ｌＸｌ０″″５ｔｏｒｒの
真空下、１７５０℃の温度で５時間アニーリングした。
赤外分光分析を行なうと、ＩａＡ型窒素と、Ｉｂ型窒素
が混在じていた。さらに、２ＭｅＶ、５Ｘ１０”電子７
ｃｍ’の条件で電子線照射した後、ｌＸｌ０−３ｔｏｒ
ｒの真空下、８００℃の温度で５時間アニーリングした
。該試料を紫外可視分光分析装置で調べるとＨ３、Ｎ−
ＶおよびＨ２センターが測定された。
が混在じていた。さらに、２ＭｅＶ、５Ｘ１０”電子７
ｃｍ’の条件で電子線照射した後、ｌＸｌ０−３ｔｏｒ
ｒの真空下、８００℃の温度で５時間アニーリングした
。該試料を紫外可視分光分析装置で調べるとＨ３、Ｎ−
ＶおよびＨ２センターが測定された。
実施例−１と同様の方法で、ホールの形成および消去実
験を行なった。結果を第３表に示す。ただし■、■の波
長は２つのセンターにまたがらない範囲のものを選んだ
。
験を行なった。結果を第３表に示す。ただし■、■の波
長は２つのセンターにまたがらない範囲のものを選んだ
。
なお、上記気相合成法の他に、ＤＣプラズマ法、熱フイ
ラメント法、熱フイラメントＣＶＤ法、イオンビーム蒸
若法、マイクロ波プラズマ法またはレーザーＰＶＤ法を
用いても本実施例と同様な結果が得られた。又、Ｓｉ基
板以外にＭｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｒおよびこれらの合
金又は炭化物、５ｉｆｔ、Ａ１２．Ｏ，、ＳｉＣおよび
ダイヤモンド単結晶を基板に用いた場合でも同様な結果
が結果が得られた。
ラメント法、熱フイラメントＣＶＤ法、イオンビーム蒸
若法、マイクロ波プラズマ法またはレーザーＰＶＤ法を
用いても本実施例と同様な結果が得られた。又、Ｓｉ基
板以外にＭｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｒおよびこれらの合
金又は炭化物、５ｉｆｔ、Ａ１２．Ｏ，、ＳｉＣおよび
ダイヤモンド単結晶を基板に用いた場合でも同様な結果
が結果が得られた。
ダイヤモンド単結晶を基板に用いると、単結晶薄膜が得
られた。
られた。
［発明の効果］
以上述べた様に、従来ホールの安定な温度条件下で消去
できなかった任意の位置のホールが消去可能になり、複
数のダイヤモンドカラーセンターを用いた多容量、かつ
書き込み及び消去繰り返し可能な光メモリーを提供出来
る様になった。
できなかった任意の位置のホールが消去可能になり、複
数のダイヤモンドカラーセンターを用いた多容量、かつ
書き込み及び消去繰り返し可能な光メモリーを提供出来
る様になった。
第１図は、ホールの形成および消去に用いた装置の概略
図を示す。ｌはホールの形成用および消去用光源として
用いるＡｒ“レーザー、２はダイレーザー、３および１
３はシャーター、４および１５は偏光板、５は全反射鏡
、６は偏光ミラー７および１２は集光レンズ、８はホー
ルの形成および消去用レーザー光、９はホールの測定用
レーザー光、ＩＯは試料、１１はクライオスタット、１
４は減衰フィルター、１７はホールの測定用光源として
用いるＡｒ″″、１６はｐｙｅレーザー、１８はディテ
クターをそれぞれ示す。 特許出願人 住友電気工業株式会社
図を示す。ｌはホールの形成用および消去用光源として
用いるＡｒ“レーザー、２はダイレーザー、３および１
３はシャーター、４および１５は偏光板、５は全反射鏡
、６は偏光ミラー７および１２は集光レンズ、８はホー
ルの形成および消去用レーザー光、９はホールの測定用
レーザー光、ＩＯは試料、１１はクライオスタット、１
４は減衰フィルター、１７はホールの測定用光源として
用いるＡｒ″″、１６はｐｙｅレーザー、１８はディテ
クターをそれぞれ示す。 特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ダイヤモンド中に作成したカラーセンターのゼロフ
ォノンラインを用いたホールバーニング物質のホール消
去方法において、ホールが安定に存在する温度において
ゼロフォノンラインを含まずゼロフォノン以上のエネル
ギーを有する励起光を照射する事によって、任意の位置
のホールを消去する事を特徴とするホールの消去方法。 ２、１フォノンライン以上のエネルギーを有する励起光
を照射する事によって、任意の位置のホールを短時間に
消去する特許請求の範囲第１項記載のホールの消去方法
。 ３、前記カラーセンターが、Ｎ３、Ｈ４、Ｈ３、５７５
システム、Ｎ−Ｖ、ＧＲＩ、ＮＤＩ、またはＨ２である
特許請求の範囲第１項または第２項記載のホールの消去
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17163688A JPH0222648A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | ホールバーニング物質のホール消去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17163688A JPH0222648A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | ホールバーニング物質のホール消去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222648A true JPH0222648A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15926871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17163688A Pending JPH0222648A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | ホールバーニング物質のホール消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0222648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008144658A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Mazda Motor Corp | エンジンのピストン構造 |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP17163688A patent/JPH0222648A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008144658A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Mazda Motor Corp | エンジンのピストン構造 |
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