JPH02226509A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
- Publication number
- JPH02226509A JPH02226509A JP4455289A JP4455289A JPH02226509A JP H02226509 A JPH02226509 A JP H02226509A JP 4455289 A JP4455289 A JP 4455289A JP 4455289 A JP4455289 A JP 4455289A JP H02226509 A JPH02226509 A JP H02226509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- width
- shield
- track
- head
- crosstalk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 title description 3
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 6
- 101000606504 Drosophila melanogaster Tyrosine-protein kinase-like otk Proteins 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 14
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910020641 Co Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気
記録装置に使用されるシールド型磁気抵抗効果ヘッドに
関する。
記録装置に使用されるシールド型磁気抵抗効果ヘッドに
関する。
（従来の技術）
磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと記す）は、高
い再生感度を有し、かつ、再生出力が磁気記録媒体、磁
気ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記録装置
の高密度化、小型化に対して有利なデバイスである。Ｍ
Ｒヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素
子と記す）は、一般に、磁気記録媒体に対して垂直に配
置され、磁気記録媒体から発生する磁束のうち、磁気記
録媒体に垂直な成分を検出する。分解能を高めたＭＲヘ
ッドの例として、ＭＲ素子の両側に軟磁性体からなる磁
気シールドを配置したシールド型ＭＲヘッドが知られて
おり、１９７５年刊のＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏ
ｎｓ ｏｎＭａｇｎｅｔｉｃｓ誌第ＭＡＧ−１１巻１２
０６ページ、特開昭６０゜１５１８１６号公報、特開昭
６３−１８４９０６号公報、特公昭６３−５０７６９号
公報などに示されている。
い再生感度を有し、かつ、再生出力が磁気記録媒体、磁
気ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記録装置
の高密度化、小型化に対して有利なデバイスである。Ｍ
Ｒヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素
子と記す）は、一般に、磁気記録媒体に対して垂直に配
置され、磁気記録媒体から発生する磁束のうち、磁気記
録媒体に垂直な成分を検出する。分解能を高めたＭＲヘ
ッドの例として、ＭＲ素子の両側に軟磁性体からなる磁
気シールドを配置したシールド型ＭＲヘッドが知られて
おり、１９７５年刊のＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏ
ｎｓ ｏｎＭａｇｎｅｔｉｃｓ誌第ＭＡＧ−１１巻１２
０６ページ、特開昭６０゜１５１８１６号公報、特開昭
６３−１８４９０６号公報、特公昭６３−５０７６９号
公報などに示されている。
シールド型ＭＲヘッドにおいては、磁気シールドが磁気
記録媒体から発する磁束のうち余分な磁束を吸収し、低
線記録密度領域から高線記録密度領域に至るまで、ＭＲ
素子が検出する磁束量はほぼ一定になる。よって、ＭＲ
素子により再生される出力電圧は、低線記録密度領域か
ら高線記録密度領域に至るまで振幅が一定となり、波形
干渉が小さく読み取り誤りのない信号を得ることが出来
る。
記録媒体から発する磁束のうち余分な磁束を吸収し、低
線記録密度領域から高線記録密度領域に至るまで、ＭＲ
素子が検出する磁束量はほぼ一定になる。よって、ＭＲ
素子により再生される出力電圧は、低線記録密度領域か
ら高線記録密度領域に至るまで振幅が一定となり、波形
干渉が小さく読み取り誤りのない信号を得ることが出来
る。
（発明が解決しようとする課題）
一方、トラック密度向上のためにはＭＲ検出幅、トラッ
ク幅、ガードバンド幅を小さくすることが有効であるが
、これらの幅とシールド幅の関係はこれまで明らかにさ
れていなかった。
ク幅、ガードバンド幅を小さくすることが有効であるが
、これらの幅とシールド幅の関係はこれまで明らかにさ
れていなかった。
磁気シールドを配置してＭＲヘッドの分解能を高めるた
めには、シールド幅をＭＲ検出幅より大きくする必要が
ある。しかし、シールド幅が大きくなると隣接トラック
からクロストークの危険が高くなる。
めには、シールド幅をＭＲ検出幅より大きくする必要が
ある。しかし、シールド幅が大きくなると隣接トラック
からクロストークの危険が高くなる。
第３図は幅８１１ｍのＭＲ検出部、１１００ｐ幅のシー
ルドをもつシールド型ＭＲヘッドのオフトラック特性の
一例である。
ルドをもつシールド型ＭＲヘッドのオフトラック特性の
一例である。
オフトラック特性は記録ヘッドにより磁気ディスク上に
作成されたトラック幅８ｐｍ、記録密度１５ＫＰＣＩの
トラックに対し、シールド型ＭＲヘッドをトラック幅方
向にずらしたときの再生出力として測定されている。再
生出力はＭＲ検出部がトラック真上にきたとき（第３図
におけるＸ＝０の点）、極大値をとっている。
作成されたトラック幅８ｐｍ、記録密度１５ＫＰＣＩの
トラックに対し、シールド型ＭＲヘッドをトラック幅方
向にずらしたときの再生出力として測定されている。再
生出力はＭＲ検出部がトラック真上にきたとき（第３図
におけるＸ＝０の点）、極大値をとっている。
第３図のオフトラック特性からＭＲの検出部とトラック
が十分能れていても、トラックがシールドの下にある場
合にはシールドを通してＭＲ検出部に磁束が流れ、出力
が生じてしまうこと、及びその出力がＭＲの検出部とト
ラックの距離に殆ど依存しないことがわかる。
が十分能れていても、トラックがシールドの下にある場
合にはシールドを通してＭＲ検出部に磁束が流れ、出力
が生じてしまうこと、及びその出力がＭＲの検出部とト
ラックの距離に殆ど依存しないことがわかる。
通常、記録信号は、第４図にように、媒体上の複数のト
ラック上に記録され、各トラックはガードバンドで区切
られている。
ラック上に記録され、各トラックはガードバンドで区切
られている。
従って、シールド幅の大きなヘッドにおいてはオントラ
ック以外のトラックからの出力がノイズとなって含まれ
るため、クロストーク量の大きなヘッドとなってしまう
。トラック幅８ｐｍ、ガードバンド４１１ｍの条件で、
第３図の特性を持つヘッドのクロストーク量は一１９ｄ
Ｂであり、信頼性の観点から必要とされる一２５ｄＢに
達していない。逆に、クロストーク量を小さくするため
にはトラック間隔（ガードバンド）を大きくしなくては
ならず、高記録密度化に対して甚だ不利である。
ック以外のトラックからの出力がノイズとなって含まれ
るため、クロストーク量の大きなヘッドとなってしまう
。トラック幅８ｐｍ、ガードバンド４１１ｍの条件で、
第３図の特性を持つヘッドのクロストーク量は一１９ｄ
Ｂであり、信頼性の観点から必要とされる一２５ｄＢに
達していない。逆に、クロストーク量を小さくするため
にはトラック間隔（ガードバンド）を大きくしなくては
ならず、高記録密度化に対して甚だ不利である。
本発明の目的は上記クロストークが装置から要求される
レベルより小さく高トラツク密度に適し、かつ、分解能
の高いヘッドを得ることにある。
レベルより小さく高トラツク密度に適し、かつ、分解能
の高いヘッドを得ることにある。
（課題を解決するための手段）
本発明によれば、非磁性基板上に下シールド層、下シー
ルド間ギャップ層、磁気抵抗効果素子、上シールド間ギ
ャップ層、上シールド層を積層した構造を有し、磁気記
録媒体上のガードバンドで区切られたトラック上に記録
された信号を読み出す磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前
記上下シールド層の幅がトラック幅以上、かつ、（’ｖ
Ｔｆｆｘ（）ラック幅＋ガードバンド幅）十トラック幅
）以下であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドを得
ることが出来る。
ルド間ギャップ層、磁気抵抗効果素子、上シールド間ギ
ャップ層、上シールド層を積層した構造を有し、磁気記
録媒体上のガードバンドで区切られたトラック上に記録
された信号を読み出す磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前
記上下シールド層の幅がトラック幅以上、かつ、（’ｖ
Ｔｆｆｘ（）ラック幅＋ガードバンド幅）十トラック幅
）以下であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドを得
ることが出来る。
（作用）
Ｓをシールド幅、Ｃをトラック幅、Ｄをガードバンド幅
とすると、シールドの下には、ＭＲ検出部の下のトラッ
ク（オントラック）の他に（（８−Ｃ）／（Ｃ＋ Ｄ）
）本のトラックがあると考えられる。第３図にように、
シールドの下にあるトラックからの出力ｖ２はＭＲ検出
部とトラックの距離にほとんど依らず一定であるから、
オントラック出力をＶｌとする、クロストーク量は となり、出力をデシベルで表すと ＝Ｖ２−Ｖ１＋１０１ｏｇ（（１０１ｏ／（Ｃ＋Ｄ））
で与えられる。り、ロストーク量としては一２５ｄＢ以
下が望ましいこと、及び、第３図から見られる様にオン
トラック出力とオフトラック出力の差、ｖｌ−ｖ２が３
０ｄＢであることから、要求されるトラック幅Ｃ、ガー
ドバンド幅りに対して、シールド幅ＳはＳ＜ｑｍｘ（Ｃ
＋Ｄ）＋Ｃ でなくてはならない。
とすると、シールドの下には、ＭＲ検出部の下のトラッ
ク（オントラック）の他に（（８−Ｃ）／（Ｃ＋ Ｄ）
）本のトラックがあると考えられる。第３図にように、
シールドの下にあるトラックからの出力ｖ２はＭＲ検出
部とトラックの距離にほとんど依らず一定であるから、
オントラック出力をＶｌとする、クロストーク量は となり、出力をデシベルで表すと ＝Ｖ２−Ｖ１＋１０１ｏｇ（（１０１ｏ／（Ｃ＋Ｄ））
で与えられる。り、ロストーク量としては一２５ｄＢ以
下が望ましいこと、及び、第３図から見られる様にオン
トラック出力とオフトラック出力の差、ｖｌ−ｖ２が３
０ｄＢであることから、要求されるトラック幅Ｃ、ガー
ドバンド幅りに対して、シールド幅ＳはＳ＜ｑｍｘ（Ｃ
＋Ｄ）＋Ｃ でなくてはならない。
又、シールドがトラック幅からの余分な磁束を吸収する
ためには、シールド幅Ｓはトラック幅Ｃより大きくなく
てはならない。
ためには、シールド幅Ｓはトラック幅Ｃより大きくなく
てはならない。
以上２点より、シールド幅Ｓを
Ｃ＜Ｓ＜ψ酊Ｘ（Ｃ＋Ｄ）＋Ｃ
とすることにより、クロストークが小さく高トラツク密
度化に適し、かつ、分解能の優れたシールド型ＭＲヘッ
ドを得ることが出来る。
度化に適し、かつ、分解能の優れたシールド型ＭＲヘッ
ドを得ることが出来る。
（実施例）
第１図は本発明の実施例を示す斜視図である。
まず、セラミック非磁性基板（図示せず）上に厚さｌｐ
ｍのパーマロイを用いた下シールド５が、メツキ法によ
り成膜され、イオンミリングにより幅３０ｐｍにパター
ン化される。その上に、厚さ０．４μｍのＳｉＯ２を用
いた下シールド間ギャップ７がスパッタリング法により
成膜される。さらに、厚さ０．０４１１ｍのパーマロイ
ＭＲ膜１、厚さ０．０２ｐｍの電流シャントＴｉ膜２、
及び厚さ０．０５１１ｍのＣｏ Ｚｒ Ｍｏバイアス膜
３が積層されたＭＲ素子がスパッタリング法により成膜
される。
ｍのパーマロイを用いた下シールド５が、メツキ法によ
り成膜され、イオンミリングにより幅３０ｐｍにパター
ン化される。その上に、厚さ０．４μｍのＳｉＯ２を用
いた下シールド間ギャップ７がスパッタリング法により
成膜される。さらに、厚さ０．０４１１ｍのパーマロイ
ＭＲ膜１、厚さ０．０２ｐｍの電流シャントＴｉ膜２、
及び厚さ０．０５１１ｍのＣｏ Ｚｒ Ｍｏバイアス膜
３が積層されたＭＲ素子がスパッタリング法により成膜
される。
Ｃｏ Ｚｒ Ｍｏ膜は、パーマロイ膜と磁気的に結合し
てバイアスを与え、パーマロイ膜の磁気抵抗効果が検出
される。電流シャントＴｉ膜２は、パーマロイＭＲ膜１
とＣｏ Ｚｒ Ｍｏバイアス膜３を磁気的に分離する。
てバイアスを与え、パーマロイ膜の磁気抵抗効果が検出
される。電流シャントＴｉ膜２は、パーマロイＭＲ膜１
とＣｏ Ｚｒ Ｍｏバイアス膜３を磁気的に分離する。
その上に、厚さ０．２ｐｍのＡｕを用いた電極４が蒸着
法により成膜され、フォトリソグラフィー技術とイオン
エツチング技術を用いてＭＲ素子と電極４が同時にパタ
ーン化される。次に、９で示されるＭＲ素子光±８ｐｍ
の検出部分のみ、電極４が化学エツチングにより除去さ
れる。さらに、厚さ０．３ｐｍの８１０２膜を用いた上
シールド間ギャップ８がスパッタリング法により成膜さ
れ、その上に厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シール
ド６がメツキ法により成膜され、フォトリソグラフィー
技術とイオンエツチング技術を用いて輻３０ｐｍのパタ
ーンに形成される。
法により成膜され、フォトリソグラフィー技術とイオン
エツチング技術を用いてＭＲ素子と電極４が同時にパタ
ーン化される。次に、９で示されるＭＲ素子光±８ｐｍ
の検出部分のみ、電極４が化学エツチングにより除去さ
れる。さらに、厚さ０．３ｐｍの８１０２膜を用いた上
シールド間ギャップ８がスパッタリング法により成膜さ
れ、その上に厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シール
ド６がメツキ法により成膜され、フォトリソグラフィー
技術とイオンエツチング技術を用いて輻３０ｐｍのパタ
ーンに形成される。
本実施例においてはＭＲ検出幅は８ｐｍ、シールド幅は
３０μｍであり、同様にして、シールド幅が４．１２．
２０．６０ｐｍであるヘッドを作成した。
３０μｍであり、同様にして、シールド幅が４．１２．
２０．６０ｐｍであるヘッドを作成した。
これらのシールド型ＭＲヘッドを用いて、トラック幅８
ｐｍ、ガードバンド幅Ｑｍのディスクに対して測定を行
った。この条件においては、本発明から定まるシールド
幅Ｓの範囲は ８ｐｍ ＜ Ｓ ＜ ｌ２ＶＴｆｆ＋８ｐｍ≠４６ｐｍ
であるから、シールド幅が１２．２０．３０ｐｍのもの
を実施例１．２．３とし、シールド幅が４．６０ｐｍの
ものを比較例１．２とした。
ｐｍ、ガードバンド幅Ｑｍのディスクに対して測定を行
った。この条件においては、本発明から定まるシールド
幅Ｓの範囲は ８ｐｍ ＜ Ｓ ＜ ｌ２ＶＴｆｆ＋８ｐｍ≠４６ｐｍ
であるから、シールド幅が１２．２０．３０ｐｍのもの
を実施例１．２．３とし、シールド幅が４．６０ｐｍの
ものを比較例１．２とした。
オントラックに１５ＫＰＣＩ、他のトラックにｌ０ＫＰ
ＣＩの記録密度で信号を記録し、スペクトルアナライザ
ーにより、両者の出力の差をクロストーク量として測定
したところ、表１の結果が得られた。表１より、本発明
の実施例のシールド型ＭＲヘッドは、クロストーク量は
一２５ｄＢ以下であり、又、再生出力が半分になる記録
密度（Ｄ、。）は４０ＫＰＣＩであり、高トラツク密度
、高分解能（高線密度）、低クロストークのヘッドであ
ることがわかる。一方、本発明で定まる値より、シール
ド幅が短いヘッドにおいては、Ｄ５０が極端に劣ること
、及び、シールド幅が長いヘッドにおいては、クロスト
ーク量が一２５ｄＢ以上となり、磁気ヘッドとしての性
能が劣ることがわかる。
ＣＩの記録密度で信号を記録し、スペクトルアナライザ
ーにより、両者の出力の差をクロストーク量として測定
したところ、表１の結果が得られた。表１より、本発明
の実施例のシールド型ＭＲヘッドは、クロストーク量は
一２５ｄＢ以下であり、又、再生出力が半分になる記録
密度（Ｄ、。）は４０ＫＰＣＩであり、高トラツク密度
、高分解能（高線密度）、低クロストークのヘッドであ
ることがわかる。一方、本発明で定まる値より、シール
ド幅が短いヘッドにおいては、Ｄ５０が極端に劣ること
、及び、シールド幅が長いヘッドにおいては、クロスト
ーク量が一２５ｄＢ以上となり、磁気ヘッドとしての性
能が劣ることがわかる。
表１
次に、実施例４としてトラック幅とＭＲ検出幅が等しく
ない例を示す。
ない例を示す。
実施例１．２．３と同様にして作成されたＭＲ検出幅Ｑ
ｍ、シールド幅１０ｐｍのシールド型ＭＲヘッドを用い
て、トラック幅５ｐｍ、ガードバンド幅１ｐｍのディス
クに対して測定を行ったところ、クロストーク量は−３
２，１ｄＢであり、Ｄ５ｏは３８．４ＫＰＣＩであった
。本実施例より、トラック幅とＭＲ検出幅が等しくない
場合についても本発明が適用されることがわかる。
ｍ、シールド幅１０ｐｍのシールド型ＭＲヘッドを用い
て、トラック幅５ｐｍ、ガードバンド幅１ｐｍのディス
クに対して測定を行ったところ、クロストーク量は−３
２，１ｄＢであり、Ｄ５ｏは３８．４ＫＰＣＩであった
。本実施例より、トラック幅とＭＲ検出幅が等しくない
場合についても本発明が適用されることがわかる。
次に、実施例５としてシャントバイアス法を用いた例を
示す。実施例５に示す斜視図は第２図である。本実施例
ではＭＲ素子はパーマロイでできたＭＲ膜１とＴｉでで
きたシャント膜２だけから出来ており、Ｔｉ膜に流れる
電流により生じる磁界がバイアス磁界となる。ＭＲ検出
幅８ｐｍ、シールド幅２０ｐｍのシールド型ＭＲヘッド
を用いて、トラック幅８１１ｍ、ガードバンド幅４￥１
ｍのディスクに対して測定を行ったところ、クロストー
ク量は−３０，２ｄＢであり、Ｄ５０は３６．４ＫＰＣ
Ｉであった。本実施例より、シャントバイアス法による
シールド型ＭＲヘッドにおいても本発明が適用されるこ
とがわかる。
示す。実施例５に示す斜視図は第２図である。本実施例
ではＭＲ素子はパーマロイでできたＭＲ膜１とＴｉでで
きたシャント膜２だけから出来ており、Ｔｉ膜に流れる
電流により生じる磁界がバイアス磁界となる。ＭＲ検出
幅８ｐｍ、シールド幅２０ｐｍのシールド型ＭＲヘッド
を用いて、トラック幅８１１ｍ、ガードバンド幅４￥１
ｍのディスクに対して測定を行ったところ、クロストー
ク量は−３０，２ｄＢであり、Ｄ５０は３６．４ＫＰＣ
Ｉであった。本実施例より、シャントバイアス法による
シールド型ＭＲヘッドにおいても本発明が適用されるこ
とがわかる。
又、本発明で得られた結果が、実施例で示したソフトフ
ィルムバイアス法、シャントバイアス法以外のバイアス
法についても成り立つことは言うまでもない。
ィルムバイアス法、シャントバイアス法以外のバイアス
法についても成り立つことは言うまでもない。
なお、上記実施例では、シールドとしてパーマロイを用
いたが、他の軟磁性材料であってもよい。
いたが、他の軟磁性材料であってもよい。
（発明の効果）
以上のように、本発明による磁気抵抗効果ＭＲヘッドに
おいては、クロストークが小さく高トラツク密度化に適
し、かつ、分解能の高い磁気抵抗効果ＭＲヘッドを得る
ことが出来る。
おいては、クロストークが小さく高トラツク密度化に適
し、かつ、分解能の高い磁気抵抗効果ＭＲヘッドを得る
ことが出来る。
第１図は本発明の実施例１の磁気抵抗効果ヘッドを示す
斜視図、第２図は本発明の実施例５の磁気抵抗効果ヘッ
ドを示す斜視図、第３図はシールド型ＭＲヘッドのオフ
トラック特性を表す図、第４図は媒体面に対し垂直な方
向から見た媒体とヘッドの図である。 図において、１・・・ＭＲ膜、２・・・シャント膜、３
・・・バイアス膜、４・・・電極、５・・・下シールド
、６・・・上シールド、７・・・下シールド間ギャップ
、８・・・上シールド間ギャップ、９・・・ＭＲ検出部
、１０・・・トラック、１１・・・ガードバンド。
斜視図、第２図は本発明の実施例５の磁気抵抗効果ヘッ
ドを示す斜視図、第３図はシールド型ＭＲヘッドのオフ
トラック特性を表す図、第４図は媒体面に対し垂直な方
向から見た媒体とヘッドの図である。 図において、１・・・ＭＲ膜、２・・・シャント膜、３
・・・バイアス膜、４・・・電極、５・・・下シールド
、６・・・上シールド、７・・・下シールド間ギャップ
、８・・・上シールド間ギャップ、９・・・ＭＲ検出部
、１０・・・トラック、１１・・・ガードバンド。
Claims (1)
- 非磁性基板上に下シールド層、下シールド間ギャップ層
、磁気抵抗効果素子、上シールド間ギャップ層、上シー
ルド層を積層した構造を有し、磁気記録媒体上のガード
バンドで区切られたトラック上に記録された信号を読み
出す磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記上下シールド層
の幅がトラック幅以上、かつ、｛√１０×（トラック幅
＋ガードバンド幅）＋トラック幅｝以下であることを特
徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4455289A JPH07109649B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4455289A JPH07109649B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226509A true JPH02226509A (ja) | 1990-09-10 |
| JPH07109649B2 JPH07109649B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=12694665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4455289A Expired - Lifetime JPH07109649B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109649B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0521442A3 (ja) * | 1991-07-02 | 1994-08-03 | Sony Corp | |
| WO1994019794A1 (fr) * | 1993-02-25 | 1994-09-01 | Sony Corporation | Tete de lecture magneto-resistive |
| US6657824B1 (en) * | 1999-10-13 | 2003-12-02 | Sony Corporation | Magnetoresistive effect magnetic head, rotary magnetic head apparatus, and manufacturing method thereof |
| US20100027168A1 (en) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head having a pair of magnetic layers whose magnetization is controlled by shield layers |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP4455289A patent/JPH07109649B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0521442A3 (ja) * | 1991-07-02 | 1994-08-03 | Sony Corp | |
| WO1994019794A1 (fr) * | 1993-02-25 | 1994-09-01 | Sony Corporation | Tete de lecture magneto-resistive |
| US6657824B1 (en) * | 1999-10-13 | 2003-12-02 | Sony Corporation | Magnetoresistive effect magnetic head, rotary magnetic head apparatus, and manufacturing method thereof |
| US20100027168A1 (en) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head having a pair of magnetic layers whose magnetization is controlled by shield layers |
| US8477461B2 (en) * | 2008-07-29 | 2013-07-02 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head having a pair of magnetic layers whose magnetization is controlled by shield layers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109649B2 (ja) | 1995-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6219205B1 (en) | High density giant magnetoresistive transducer with recessed sensor | |
| Suyama et al. | Thin film MR head for high density rigid disk drive | |
| JPH02226509A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| US5140484A (en) | Magnetoresistive head having electrodes with a predetermined length and positioned to form a predetermined angle with the head surface | |
| EP0514976B1 (en) | Combined read/write magnetic head | |
| JP2596934B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| Cahalan et al. | Effects of MR head track profile characteristics on servo performance | |
| JP2800484B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| US6333840B1 (en) | Magnetic recording apparatus | |
| JPH0487011A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPS6289201A (ja) | 磁気記録再生装置 | |
| JP2718242B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| KR100455296B1 (ko) | 자기재생헤드 | |
| JP2751653B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2583851B2 (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツド | |
| JPS61170918A (ja) | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド | |
| JPH05159247A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPS6212913A (ja) | マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH0210511A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH05182146A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH03244170A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果ヘッド | |
| KR20000064955A (ko) | 자기저항 소자를 구비한 단일 채널 자기 헤드 | |
| JPH0743175A (ja) | 磁気情報検出装置 | |
| Veloso et al. | Quasi-static and dynamic analysis of spin valve tape heads with synthetic free and pinned layers versus heads with a conventional free layer and a synthetic pinned layer | |
| JPH10222817A (ja) | 磁気抵抗センサ |