JPH02228023A - 優れた被覆層を用いるｓｏｉ半導体装置の製造方法 - Google Patents
優れた被覆層を用いるｓｏｉ半導体装置の製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｓｏ Ｉ （Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ）装置の優れた製造方法に関するもので
、特にＳｏｌ膜のゾーンメルティング再結晶を優れた封
入層に提供するものである。
ｓｕｌａｔｏｒ）装置の優れた製造方法に関するもので
、特にＳｏｌ膜のゾーンメルティング再結晶を優れた封
入層に提供するものである。
（従来の技術）
近年、Ｓｏｌ装置の製造方法が相当な変化を呈している
。かかる変化は、３次元集積回路の発達を原因とするも
のである。しかし、特にポリシリコン又はアモルファス
シリコン（α−３ｉ）層をゾーンメルティング再結晶法
により単一結晶層に転移する操作可能なＳＯＩ装置に対
して極めて十分な出力（ｙｉｅｌｄ）を得ることに関し
、若干の問題が生ずる。
。かかる変化は、３次元集積回路の発達を原因とするも
のである。しかし、特にポリシリコン又はアモルファス
シリコン（α−３ｉ）層をゾーンメルティング再結晶法
により単一結晶層に転移する操作可能なＳＯＩ装置に対
して極めて十分な出力（ｙｉｅｌｄ）を得ることに関し
、若干の問題が生ずる。
ゾーンメルティング再結晶を実施するにあたり、従来技
術においてはシリコンの相変化の間に、極めて大きい９
％体膨張から生ずる応力及びシリコンー二酸化シリコン
界面での大きい二軸引張り応力により種々の問題が生ず
る。かかる二軸引張り応力は、代表的なＳＯＩ構造物（
例えばＳｉ及びＳｌＯ□）における種々の材料層の異な
る熱膨張及び収縮により生ずる。
術においてはシリコンの相変化の間に、極めて大きい９
％体膨張から生ずる応力及びシリコンー二酸化シリコン
界面での大きい二軸引張り応力により種々の問題が生ず
る。かかる二軸引張り応力は、代表的なＳＯＩ構造物（
例えばＳｉ及びＳｌＯ□）における種々の材料層の異な
る熱膨張及び収縮により生ずる。
ガイス（Ｇｅｉｓ） らはジャーナルオブエレクトロ
ケミカルソサイエティ、１２９巻、 ２８１２〜２８１
８ページ（１９８２年１２月）に、５ｉ０２−３ｉ３Ｎ
４の封入が行なわれる可動ストリップヒーターオーブン
を用いるシリコン膜のゾーンメルティング再結晶を開示
している。かかる封入層は完全ではないので、物質移動
を原因とする膜厚変化、膜層間剥離、隙間形成及び膜凝
集が、実用に関して頻頒に生じ、これはＳｉ３Ｎ４堆積
のスパッタリング制御における困難性に因るものである
。
ケミカルソサイエティ、１２９巻、 ２８１２〜２８１
８ページ（１９８２年１２月）に、５ｉ０２−３ｉ３Ｎ
４の封入が行なわれる可動ストリップヒーターオーブン
を用いるシリコン膜のゾーンメルティング再結晶を開示
している。かかる封入層は完全ではないので、物質移動
を原因とする膜厚変化、膜層間剥離、隙間形成及び膜凝
集が、実用に関して頻頒に生じ、これはＳｉ３Ｎ４堆積
のスパッタリング制御における困難性に因るものである
。
更に、サクライらは、ジャーナルオブエレクトロケミカ
ルソサイエティ：同相サイエンス及びテクノロジー、第
１３３巻、Ｎα７．１４８５〜１４８８ページ（１９８
６年７月）に記載されている報告に、キャツピング層の
使用、及びガイズと同様の二酸化ケイ素−窒化ケイ素の
層を利用することを記載している。しかし、重大な不純
物の再分布（ｍｅａｓｕｒａｂｌｅｉｍｐｕｒｉｔｙ
ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）が、Ｑ、 ４ ｐｍの
ポリシリコン膜の再結晶の間に、絶縁分離層の下の基板
内に生じないことを明らかにすることにおいて、サクラ
イは、リンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）キャツピング層を
伴なうポリシリコン層及び下の窒化ケイ素／ＰＳＧ ／
窒化ケイ素のコンポジット層を、高い熱インピーダンス
を得るために、また基板を保護するためにヒ素埋込シリ
コン基板上に形成した。
ルソサイエティ：同相サイエンス及びテクノロジー、第
１３３巻、Ｎα７．１４８５〜１４８８ページ（１９８
６年７月）に記載されている報告に、キャツピング層の
使用、及びガイズと同様の二酸化ケイ素−窒化ケイ素の
層を利用することを記載している。しかし、重大な不純
物の再分布（ｍｅａｓｕｒａｂｌｅｉｍｐｕｒｉｔｙ
ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）が、Ｑ、 ４ ｐｍの
ポリシリコン膜の再結晶の間に、絶縁分離層の下の基板
内に生じないことを明らかにすることにおいて、サクラ
イは、リンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）キャツピング層を
伴なうポリシリコン層及び下の窒化ケイ素／ＰＳＧ ／
窒化ケイ素のコンポジット層を、高い熱インピーダンス
を得るために、また基板を保護するためにヒ素埋込シリ
コン基板上に形成した。
かかる研究は３−Ｄ集積実行可能性を行なうために設計
された。サクライによるＰＳＧの薄層はそれ自身で、下
にあるシリコン膜のゾーンメルティング再結晶を誘導す
る厳しいビーム条件に耐えられるものでなく、従って広
範囲な膜層間剥離、及び集塊を生ずることとなる。
された。サクライによるＰＳＧの薄層はそれ自身で、下
にあるシリコン膜のゾーンメルティング再結晶を誘導す
る厳しいビーム条件に耐えられるものでなく、従って広
範囲な膜層間剥離、及び集塊を生ずることとなる。
（発明が解決しようとする課題）
従来技術にふいては、再結晶の間のシリコン層の極めて
大きい９％体膨張を回避し、更に大きい二軸引張り応力
を妨げることはできない。従って一貫して高い出力を伴
う実用性のある再現性のよいＳＯＩ装置を従来の方法で
は製造できなかった。
大きい９％体膨張を回避し、更に大きい二軸引張り応力
を妨げることはできない。従って一貫して高い出力を伴
う実用性のある再現性のよいＳＯＩ装置を従来の方法で
は製造できなかった。
（課題を解決するための手段）
本発明は、従来のＳｏｌプロセスの問題点を、ドープト
ＳｌＯ□／ Ｓ ｉ ３Ｎ４コンポジット封入層を形成
することにより薄膜Ｓｉ結晶の間に溶融物を含有するた
めの信頼性のあるるつぼを提供することにより克服する
方法を提供するものである。本発明のコンポジット封入
構造物はシリコン層の体膨張に順応し、二軸界面引張り
応力を排除する。このことは、ＣＶＤ堆積の間に、Ｓｌ
Ｏ□封大層を、リン、ホウ素若しくはヒ素、又は好まし
くはホウ素及びリンの如き、これらの組み合わせでドー
ピングし、リン−ケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）、ホウ素ケ
イ酸塩ガラス（ＢＳＧ）、ヒ素ケイ酸塩ガラス又はホウ
素リンケイ酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）のようなガラス状材
料を形成することによる本発明において達せられる。か
かるガラスは、半液状になり、約８５０℃〜１４００℃
で流動する。
ＳｌＯ□／ Ｓ ｉ ３Ｎ４コンポジット封入層を形成
することにより薄膜Ｓｉ結晶の間に溶融物を含有するた
めの信頼性のあるるつぼを提供することにより克服する
方法を提供するものである。本発明のコンポジット封入
構造物はシリコン層の体膨張に順応し、二軸界面引張り
応力を排除する。このことは、ＣＶＤ堆積の間に、Ｓｌ
Ｏ□封大層を、リン、ホウ素若しくはヒ素、又は好まし
くはホウ素及びリンの如き、これらの組み合わせでドー
ピングし、リン−ケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）、ホウ素ケ
イ酸塩ガラス（ＢＳＧ）、ヒ素ケイ酸塩ガラス又はホウ
素リンケイ酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）のようなガラス状材
料を形成することによる本発明において達せられる。か
かるガラスは、半液状になり、約８５０℃〜１４００℃
で流動する。
封入材料の軟化は、Ｓｉ層体膨張に適合し、二軸界面応
力を回避する。これは液体は、せん断応力を全く被むら
ないからであり、そうでなければ該応力は、従来のプロ
セスにおいて生じていた如く、膜を破壊し、及び／又は
、層間剥離を招くものである。ＳｉＯ□層上に堆積され
るのはＳｉ、Ｎ４層で、これはＳｉｎ、層に機械的強度
を付加し、更に濡れ角度（ｗｅｔｔｉｕｇ−ａｎｇｌｅ
）を改良するものである。
力を回避する。これは液体は、せん断応力を全く被むら
ないからであり、そうでなければ該応力は、従来のプロ
セスにおいて生じていた如く、膜を破壊し、及び／又は
、層間剥離を招くものである。ＳｉＯ□層上に堆積され
るのはＳｉ、Ｎ４層で、これはＳｉｎ、層に機械的強度
を付加し、更に濡れ角度（ｗｅｔｔｉｕｇ−ａｎｇｌｅ
）を改良するものである。
本発明は優れたＳＤＩ装置を提供するもので、信頼し得
る方法で、溶融物を含ませるためのＳｉ薄膜結晶成長用
のるつぼとして作用するコンポジット層により多結晶シ
リコン又はα−シリコン膜を封入するものである。
る方法で、溶融物を含ませるためのＳｉ薄膜結晶成長用
のるつぼとして作用するコンポジット層により多結晶シ
リコン又はα−シリコン膜を封入するものである。
（実施例）
本発明を図面を参照して次の実施例により説明する。
第１図に示す如く、約０．５ミクロンの極めて薄い多結
晶シリコン又はα−８！膜３をＳｉＯ□層２上に、化学
蒸着（ＣＶＤ） により堆積する。ＳｉＯ□層は、ケイ
素、石英材料、サファイア又はあらゆる他の適切な基板
材料より成る基板層１上に、熱的成長するか又はＣｖＤ
で堆積する。
晶シリコン又はα−８！膜３をＳｉＯ□層２上に、化学
蒸着（ＣＶＤ） により堆積する。ＳｉＯ□層は、ケイ
素、石英材料、サファイア又はあらゆる他の適切な基板
材料より成る基板層１上に、熱的成長するか又はＣｖＤ
で堆積する。
次いで、多結晶シリコン膜３をケイ酸塩ガラス（ドープ
トＳｉＯ□）層４及びＳｉ３Ｎ４層５のコンポジット層
で封入する。かかる封入層は低圧（ＬＰＣＶＤ）で化学
蒸着（ＣＶＤ）により製造される。低温可融性ケイ酸塩
ガラス層４は、■又は２ミクロンの厚みを有し、リン、
ホウ素若しくはヒ素のいずれか又は好ましくは、ホウ素
及びリンの双方で、３〜６％までドープされる。例えば
ホウ素及びリンのような周期表の、第■及び■族の元素
は、純石英ガラス中の網目形成成分であり、ＰＳＧ（Ｉ
Ｊノン−イ酸塩ガラス）又はＢＳＧ （ホウ素−ケイ酸
塩ガラス）を形成するホウ素及びリンをドープした二酸
化ケイ素層４ （ＢＰＳＧ）は、従来のケイ酸塩ガラス
の温度より３００℃低い温度で流動する低温可融性ケイ
酸塩ガラスを構成し、下の再結晶Ｓｉ層３からのひずみ
を消滅させるように軟化し、柔軟になり、可融化し、従
って、ドープされてない純酸化物に存するぜい化破壊問
題を回避することができるので、特に封入層に適したも
のである。
トＳｉＯ□）層４及びＳｉ３Ｎ４層５のコンポジット層
で封入する。かかる封入層は低圧（ＬＰＣＶＤ）で化学
蒸着（ＣＶＤ）により製造される。低温可融性ケイ酸塩
ガラス層４は、■又は２ミクロンの厚みを有し、リン、
ホウ素若しくはヒ素のいずれか又は好ましくは、ホウ素
及びリンの双方で、３〜６％までドープされる。例えば
ホウ素及びリンのような周期表の、第■及び■族の元素
は、純石英ガラス中の網目形成成分であり、ＰＳＧ（Ｉ
Ｊノン−イ酸塩ガラス）又はＢＳＧ （ホウ素−ケイ酸
塩ガラス）を形成するホウ素及びリンをドープした二酸
化ケイ素層４ （ＢＰＳＧ）は、従来のケイ酸塩ガラス
の温度より３００℃低い温度で流動する低温可融性ケイ
酸塩ガラスを構成し、下の再結晶Ｓｉ層３からのひずみ
を消滅させるように軟化し、柔軟になり、可融化し、従
って、ドープされてない純酸化物に存するぜい化破壊問
題を回避することができるので、特に封入層に適したも
のである。
本発明の一例において、リン及びホウ素（ＢＰＳＧ）ド
ーピングの５１０２層４を用いると、かかる層は、ビー
ム融解ポリシリコン層３の液体シリコンから固体シリコ
ンへの相変化による極めて大きい９％の体膨張、そして
、Ｓｌ及びＳｌＯ□間の線形熱膨張係数における６倍の
差異により、並びにビーム誘導（ｂｅａｍ １ｎｄｕｃ
ｅｄ）ゾーンメルティングプロセス中の溶融シリコンの
挙動及び物質移動により誘導される応力を、高温で吸収
するに十分柔軟になる。
ーピングの５１０２層４を用いると、かかる層は、ビー
ム融解ポリシリコン層３の液体シリコンから固体シリコ
ンへの相変化による極めて大きい９％の体膨張、そして
、Ｓｌ及びＳｌＯ□間の線形熱膨張係数における６倍の
差異により、並びにビーム誘導（ｂｅａｍ １ｎｄｕｃ
ｅｄ）ゾーンメルティングプロセス中の溶融シリコンの
挙動及び物質移動により誘導される応力を、高温で吸収
するに十分柔軟になる。
Ｓｉ３Ｎ４の第２層５を、系に機械的応力を付加するた
め低圧化学蒸着（ＬＰＧＶＤ）により、約６００オング
ストロームの厚みに堆積する。Ｓｉ３Ｎ４層５は二つの
目的を満足し、まず第１には、相当な機械的強度をコン
ポジット封入層に付加することで、これは硬度が高く、
融点（１９００℃）が高いことによるものであり、この
特性はＳｉ３Ｎ、が、軟化可撓性及び可融化性のホウ素
−リン−ケイ酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）層４を効果的に設
けることを可能とするものである。第２には、Ｓｉ３Ｎ
、層５は、封入層の液体Ｓｉ −３Ｉ０２外面での濡れ
角度（ｗｅｔｔｉｎｇ ａｎｇｌｅ）をθ＝８７°から
、液体ケイ素−（オキシ窒化物及び窒化ケイ素）界面に
関する濡れ角度をθ＝２５゜に減することをもたらす。
め低圧化学蒸着（ＬＰＧＶＤ）により、約６００オング
ストロームの厚みに堆積する。Ｓｉ３Ｎ４層５は二つの
目的を満足し、まず第１には、相当な機械的強度をコン
ポジット封入層に付加することで、これは硬度が高く、
融点（１９００℃）が高いことによるものであり、この
特性はＳｉ３Ｎ、が、軟化可撓性及び可融化性のホウ素
−リン−ケイ酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）層４を効果的に設
けることを可能とするものである。第２には、Ｓｉ３Ｎ
、層５は、封入層の液体Ｓｉ −３Ｉ０２外面での濡れ
角度（ｗｅｔｔｉｎｇ ａｎｇｌｅ）をθ＝８７°から
、液体ケイ素−（オキシ窒化物及び窒化ケイ素）界面に
関する濡れ角度をθ＝２５゜に減することをもたらす。
第２図に示す如く、多結晶シリコン層３上にレーザービ
ーム９を走査することにより生ずるゾーンメルティング
再結晶法により、かかる濡れ角度の減少は、Ｓｉ３Ｎ、
層５からの窒素が、下にあるドープ）ＳｉＯ□層を通っ
て拡散し、ポリシリコン層３及びドープトＳｉＯ２層４
０間の界面で偏析することを生じさせる。極めて薄いＳ
ｉ３Ｎ４及びオキシ窒化物膜８をかかる界面で形成し、
これは濡れ角度を改良し、濡れていないことを原因とす
る液体シリコンのビーズ状形成を排除するものである。
ーム９を走査することにより生ずるゾーンメルティング
再結晶法により、かかる濡れ角度の減少は、Ｓｉ３Ｎ、
層５からの窒素が、下にあるドープ）ＳｉＯ□層を通っ
て拡散し、ポリシリコン層３及びドープトＳｉＯ２層４
０間の界面で偏析することを生じさせる。極めて薄いＳ
ｉ３Ｎ４及びオキシ窒化物膜８をかかる界面で形成し、
これは濡れ角度を改良し、濡れていないことを原因とす
る液体シリコンのビーズ状形成を排除するものである。
従って、ゾーンメルティング再結晶の間に生ずる界面応
力を減する。
力を減する。
第２図に示される如＜、ＳＤＩ構造物の頂部に渡るレー
ザービーム９の走査により、ポリシリコン又はα−８１
層３が融解ケイ素（部分６）となり、その後、単一結晶
シリコン部７に再結晶する。本発明の封入層は、従来の
方法において存在した問題を回避するような方法で、シ
リコンの再結晶が生ずることを可能にする。
ザービーム９の走査により、ポリシリコン又はα−８１
層３が融解ケイ素（部分６）となり、その後、単一結晶
シリコン部７に再結晶する。本発明の封入層は、従来の
方法において存在した問題を回避するような方法で、シ
リコンの再結晶が生ずることを可能にする。
２つの封入層４及び５の厚みは広範囲に変化することが
でき、ＳｌＯ□層に対するドーパントは、リン、ホウ素
、ヒ素又は好ましくはホウ素及びリンの組合せが可能で
ある。レーザービーム９を、可視スペクトル内のアルゴ
ンレーザーにより、又は赤外線領域内のＣＤ□レーザー
により供給することが可能である。更に黒鉛ストリップ
ヒーター、タングステンハロゲンランプ、水銀アーク灯
、及び電子ビームも、多結晶シリコン層３のゾーンメル
ティングに用いることが可能である。
でき、ＳｌＯ□層に対するドーパントは、リン、ホウ素
、ヒ素又は好ましくはホウ素及びリンの組合せが可能で
ある。レーザービーム９を、可視スペクトル内のアルゴ
ンレーザーにより、又は赤外線領域内のＣＤ□レーザー
により供給することが可能である。更に黒鉛ストリップ
ヒーター、タングステンハロゲンランプ、水銀アーク灯
、及び電子ビームも、多結晶シリコン層３のゾーンメル
ティングに用いることが可能である。
若干の場合においては、薄膜装置を製造する必要性に伴
い、近真性（ｎｅａｒ １ｎｔｒｉｎｓｉｃ）ＬＰＣＶ
Ｄ ポリＳｌの極めて高い抵抗率を保持し、更に封入
ケイ酸塩ガラス層からのドーパントの侵出を回避するこ
とが望ましい。このことはケイ酸塩ガラス層４からシリ
コン層を分離するように、シリコン層３上に薄い付加連
続Ｓｉ、Ｎ４層のＣＶＤ堆積をすることにより達成され
る。該付加層は、４０〜５０オングストロームの厚みの
みを必要とし、拡散バリアとして、上記ケイ酸塩ガラス
からのリン及びホウ素ドーパントの侵出を回避するよう
に作用する。
い、近真性（ｎｅａｒ １ｎｔｒｉｎｓｉｃ）ＬＰＣＶ
Ｄ ポリＳｌの極めて高い抵抗率を保持し、更に封入
ケイ酸塩ガラス層からのドーパントの侵出を回避するこ
とが望ましい。このことはケイ酸塩ガラス層４からシリ
コン層を分離するように、シリコン層３上に薄い付加連
続Ｓｉ、Ｎ４層のＣＶＤ堆積をすることにより達成され
る。該付加層は、４０〜５０オングストロームの厚みの
みを必要とし、拡散バリアとして、上記ケイ酸塩ガラス
からのリン及びホウ素ドーパントの侵出を回避するよう
に作用する。
本発明は上記好適例に限定されるものでなく、本発明の
範囲内において種々の変形等が可能である。
範囲内において種々の変形等が可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明のＳＯＩ装置上に形成されたコンポジ
ット封入層を示す断面図、 第２図はポリシリコン層のゾーンメルティング再結晶が
実施されている本発明のドープトコンポジット封入層を
示す断面図である。 ■・・・基板層 ２・・・８１０２層 ３・・・多結晶シリコン膜（α−５ｉ膜）４・・・ドー
プ）ＳｉＯ□（ケイ酸塩ガラス）層５・・・ドープトＳ
Ｉ３Ｎ４層 ６・・・融解ケイ素 ７・・・単結晶シリコン部分 ８・・・オキシ窒化物膜 ９・・・レーザービーム
ット封入層を示す断面図、 第２図はポリシリコン層のゾーンメルティング再結晶が
実施されている本発明のドープトコンポジット封入層を
示す断面図である。 ■・・・基板層 ２・・・８１０２層 ３・・・多結晶シリコン膜（α−５ｉ膜）４・・・ドー
プ）ＳｉＯ□（ケイ酸塩ガラス）層５・・・ドープトＳ
Ｉ３Ｎ４層 ６・・・融解ケイ素 ７・・・単結晶シリコン部分 ８・・・オキシ窒化物膜 ９・・・レーザービーム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ）半導体装置を製造するにあたり、 基板上にＳｉＯ＿２層を形成し、 上記ＳｉＯ＿２層上に比較的薄いポリシリコン又はアモ
ルファスシリコン膜を形成し、 上記ポリシリコン膜をコンポジット構造物 で封入し、 上記シリコン膜を上記コンポジット構造物 を介してゾーンメルティングして上記シリコン膜を再結
晶する工程からなる方法において、上記シリコン膜を、
上記ポリシリコン膜上 に堆積するドープトＳｉＯ＿２層及び上記ドープトＳｉ
Ｏ＿２層上に堆積するＳｉ＿３Ｎ＿４層のコンポジット
構造物で封入することを特徴とする方法。 ２、上記ＳｉＯ＿２を、リン、ホウ素及びヒ素から成る
群より選ばれるドーパントでドープすることを特徴とす
る請求項１記載の方法。 上記ＳｉＯ＿２を、ホウ素及びリンを含むドーパントで
ドープすることを特徴とする請求項１記載の方法。 上記ゾーンメルティングを、レーザーによ りエミッタされる放射線を用いることで実施することを
特徴とする請求項４記載の方法。 上記シリコン膜を低圧化学蒸着により形成 することを特徴とする請求項１記載の方法。 上記Ｓｉ＿３Ｎ＿４層を、低圧化学蒸着により堆積する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US292606 | 1988-12-30 | ||
| US07/292,606 US4990464A (en) | 1988-12-30 | 1988-12-30 | Method of forming improved encapsulation layer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02228023A true JPH02228023A (ja) | 1990-09-11 |
| JP2554180B2 JP2554180B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=23125404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1336832A Expired - Lifetime JP2554180B2 (ja) | 1988-12-30 | 1989-12-27 | 優れた被覆層を用いるｓｏｉ半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4990464A (ja) |
| EP (1) | EP0376400B1 (ja) |
| JP (1) | JP2554180B2 (ja) |
| KR (1) | KR900010953A (ja) |
| DE (1) | DE68915523T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005079122A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Rikogaku Shinkokai | 結晶性薄膜の作製方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459346A (en) * | 1988-06-28 | 1995-10-17 | Ricoh Co., Ltd. | Semiconductor substrate with electrical contact in groove |
| US5310446A (en) * | 1990-01-10 | 1994-05-10 | Ricoh Company, Ltd. | Method for producing semiconductor film |
| US5747389A (en) * | 1991-04-30 | 1998-05-05 | Intel Corporation | Crack resistant passivation layer |
| JP3416163B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2003-06-16 | キヤノン株式会社 | 半導体基板及びその作製方法 |
| JP2669333B2 (ja) * | 1993-12-13 | 1997-10-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0851103A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜の生成方法 |
| US5895228A (en) * | 1996-11-14 | 1999-04-20 | International Business Machines Corporation | Encapsulation of organic light emitting devices using Siloxane or Siloxane derivatives |
| US6259592B1 (en) | 1998-11-19 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same |
| US6696360B2 (en) * | 2001-03-15 | 2004-02-24 | Micron Technology, Inc. | Barrier-metal-free copper damascene technology using atomic hydrogen enhanced reflow |
| US7096581B2 (en) * | 2002-03-06 | 2006-08-29 | Stmicroelectronics, Inc. | Method for providing a redistribution metal layer in an integrated circuit |
| US20040121146A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Xiao-Ming He | Composite barrier films and method |
| US20090142875A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Applied Materials, Inc. | Method of making an improved selective emitter for silicon solar cells |
| CN104008961A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-08-27 | 复旦大学 | 一种改善硅晶片机械性能的方法 |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6119116A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4461670A (en) * | 1982-05-03 | 1984-07-24 | At&T Bell Laboratories | Process for producing silicon devices |
| JPS59129418A (ja) * | 1983-01-13 | 1984-07-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59205712A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US4590130A (en) * | 1984-03-26 | 1986-05-20 | General Electric Company | Solid state zone recrystallization of semiconductor material on an insulator |
| JPS61270812A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-12-01 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 半導体装置の製造方法 |
| US4743567A (en) * | 1987-08-11 | 1988-05-10 | North American Philips Corp. | Method of forming thin, defect-free, monocrystalline layers of semiconductor materials on insulators |
-
1988
- 1988-12-30 US US07/292,606 patent/US4990464A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-12-21 DE DE68915523T patent/DE68915523T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-21 EP EP89203281A patent/EP0376400B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-27 JP JP1336832A patent/JP2554180B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-28 KR KR1019890019824A patent/KR900010953A/ko not_active Abandoned
Patent Citations (2)
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| JPS59158514A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| JP2005079122A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Rikogaku Shinkokai | 結晶性薄膜の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68915523D1 (de) | 1994-06-30 |
| EP0376400B1 (en) | 1994-05-25 |
| KR900010953A (ko) | 1990-07-11 |
| EP0376400A1 (en) | 1990-07-04 |
| DE68915523T2 (de) | 1994-12-22 |
| JP2554180B2 (ja) | 1996-11-13 |
| US4990464A (en) | 1991-02-05 |
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