JPH02228053A - 樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法Info
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- JPH02228053A JPH02228053A JP4892489A JP4892489A JPH02228053A JP H02228053 A JPH02228053 A JP H02228053A JP 4892489 A JP4892489 A JP 4892489A JP 4892489 A JP4892489 A JP 4892489A JP H02228053 A JPH02228053 A JP H02228053A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 16
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はQFP(クウアッドフラットパッケージ)型及
びsop <スモールアウトラインパッケージ)型等の
ガルウィング状の外部リードを有する樹脂封止型半導体
装置の外部リード成形方法に関する。
びsop <スモールアウトラインパッケージ)型等の
ガルウィング状の外部リードを有する樹脂封止型半導体
装置の外部リード成形方法に関する。
[従来の技術]
第8図は従来の樹脂封止型半導体装置の外部リード成形
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
樹脂封止後、タイバー切断及びめっき処理等の工程を終
了した半導体装置24は樹脂封止部から横方向に突出す
る外部リード25aを有している。
了した半導体装置24は樹脂封止部から横方向に突出す
る外部リード25aを有している。
そして、リード成形金型の下型としてのダイ22は樹脂
封止部の近傍で外部リード25aを支持する凸部を有し
ている。また、成形金型の上型のパッド23aはダイ2
2の上方に配設され、その縁部に下向きの凸部が設けら
れている。また、このパッド23aを取り囲むように角
筒状のパンチ21aが配設されている。このパッド23
a及びパンチ21aは夫々駆動装置(図示せず)によっ
て個別的に上下する。半導体装置24は外部リード25
aの基端部をダイ22の凸部に接触させて載置される。
封止部の近傍で外部リード25aを支持する凸部を有し
ている。また、成形金型の上型のパッド23aはダイ2
2の上方に配設され、その縁部に下向きの凸部が設けら
れている。また、このパッド23aを取り囲むように角
筒状のパンチ21aが配設されている。このパッド23
a及びパンチ21aは夫々駆動装置(図示せず)によっ
て個別的に上下する。半導体装置24は外部リード25
aの基端部をダイ22の凸部に接触させて載置される。
次に、半導体装置24の上方からパッド23aを矢印で
示すように下降させると、半導体装置24はダイ22の
凸部と下降したパッド23の凸部との間で外部リード2
5aの基端部を一直線状に挾持されて固定される。
示すように下降させると、半導体装置24はダイ22の
凸部と下降したパッド23の凸部との間で外部リード2
5aの基端部を一直線状に挾持されて固定される。
次に、パンチ21aをパッド23の側面に沿って矢印で
示すように下降させる。この下降したパンチ21により
、外部リード25aはダイ22の形状に倣った第1及び
第2の曲部を有するガルウィング状の外部リード25に
成形加工される。その後、パッド23及びパンチ21が
順次上昇して外部リード25の成形加工を終了する。
示すように下降させる。この下降したパンチ21により
、外部リード25aはダイ22の形状に倣った第1及び
第2の曲部を有するガルウィング状の外部リード25に
成形加工される。その後、パッド23及びパンチ21が
順次上昇して外部リード25の成形加工を終了する。
第9図はパッド23及びパンチ21が下降した状態での
第8図のIX−IX線による断面図、第10図は同じく
第8図のX−X線による断面図である。
第8図のIX−IX線による断面図、第10図は同じく
第8図のX−X線による断面図である。
従来は、このように、ダイ22とパッド23とにより外
部リード25の基端部を一直線状に挾持して半導体装置
24を固定し、ダイ22とパンチ21とにより外部リー
ド25を一直線に加圧挾持して外部リード25をガルウ
ィング状に成形している。
部リード25の基端部を一直線状に挾持して半導体装置
24を固定し、ダイ22とパンチ21とにより外部リー
ド25を一直線に加圧挾持して外部リード25をガルウ
ィング状に成形している。
し発明が解決しようとする課題]
しかしながら、−aに半導体装置は、上型と下型とから
なる射出成形金型の空間内にリードフレーム上に固着さ
れた半導体チップを配置し、この金型の空間内に樹脂を
射出成形して樹脂封止される。そして、樹脂が一時硬化
した後、型開きを行なって取り出す際に、封止樹脂は下
型に収まったまま上型のみが取り除かれるため、封止樹
脂の上部が外気に触れて下部より先に冷却して収縮する
。
なる射出成形金型の空間内にリードフレーム上に固着さ
れた半導体チップを配置し、この金型の空間内に樹脂を
射出成形して樹脂封止される。そして、樹脂が一時硬化
した後、型開きを行なって取り出す際に、封止樹脂は下
型に収まったまま上型のみが取り除かれるため、封止樹
脂の上部が外気に触れて下部より先に冷却して収縮する
。
このため、端部の封止樹脂が上方へ引き上げられるよう
な反りが発生する。通常、樹脂封止後の半導体装置の両
端と中央部でのリード肩部(第1の曲げ部)の相対的な
高さの差は20乃至50μmである。
な反りが発生する。通常、樹脂封止後の半導体装置の両
端と中央部でのリード肩部(第1の曲げ部)の相対的な
高さの差は20乃至50μmである。
上述した従来の外部リード成形方法においては、外部リ
ードの基端部をパンチ21とパッド23とにより挾持す
るため、−時的にはこの反りが矯正される。そして、外
部リード25をこの状態でガルウィング状に成形加工す
るため、成形加工後にパッド23及びパンチ21を上昇
させると、第11図に示すように、反りが復元される。
ードの基端部をパンチ21とパッド23とにより挾持す
るため、−時的にはこの反りが矯正される。そして、外
部リード25をこの状態でガルウィング状に成形加工す
るため、成形加工後にパッド23及びパンチ21を上昇
させると、第11図に示すように、反りが復元される。
そして、第12図に示すように、半導体装置の外部リー
ドの先端部が同一平面上に並ばず、その平坦性が悪いも
のになる。
ドの先端部が同一平面上に並ばず、その平坦性が悪いも
のになる。
近時、半導体装置の高密度化及び多ビン化に伴い、外部
リード間ピッチは小さくなる傾向にある。
リード間ピッチは小さくなる傾向にある。
また、プリント基板のファインピッチ化が促進されるの
に伴い、半田ブリッジを防止するために、半導体装置の
実装の際に塗布される半田ペーストの塗布量も少なくな
る傾向にある0例えば、外部リード間ピッチが0 、6
5 +uである半導体装置では塗布される半田の厚さは
150μmである。しかし、上述したように従来の方法
で成形加工された半導体装置の外部リードは平坦性が悪
いなめ、プリント基板への実装の際に半田付不良が発生
するという問題点がある。
に伴い、半田ブリッジを防止するために、半導体装置の
実装の際に塗布される半田ペーストの塗布量も少なくな
る傾向にある0例えば、外部リード間ピッチが0 、6
5 +uである半導体装置では塗布される半田の厚さは
150μmである。しかし、上述したように従来の方法
で成形加工された半導体装置の外部リードは平坦性が悪
いなめ、プリント基板への実装の際に半田付不良が発生
するという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
反りを有する樹脂封止型半導体装置の外部リードの先端
部の平坦性を改善して、半田付性を向上させることがで
きる樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法を提供
することを目的とする9 [課題を解決するための手段] 本発明に係る樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方
法は、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部から側方へ突
出した複数個の外部リードの基端部を成形金型のダイと
パッドとにより加圧挾持する工程と、前記成形金型のパ
ンチにより前記外部リードをその基端側の部分及び先端
側の部分の2点で曲げ加工する工程とを有し、前記封止
部の側部の端部側に配設されたリードの先端部を中央部
側に配設されたリードの先端部よりも下方の位置で曲げ
加工することを特徴とする。
反りを有する樹脂封止型半導体装置の外部リードの先端
部の平坦性を改善して、半田付性を向上させることがで
きる樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法を提供
することを目的とする9 [課題を解決するための手段] 本発明に係る樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方
法は、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部から側方へ突
出した複数個の外部リードの基端部を成形金型のダイと
パッドとにより加圧挾持する工程と、前記成形金型のパ
ンチにより前記外部リードをその基端側の部分及び先端
側の部分の2点で曲げ加工する工程とを有し、前記封止
部の側部の端部側に配設されたリードの先端部を中央部
側に配設されたリードの先端部よりも下方の位置で曲げ
加工することを特徴とする。
〔作用]
本発明においては、成形金型のダイとパッドとにより外
部リードの基端部を挾持し、パンチにより外部リードを
その基端部及び先端部の2点で曲げ加工する。この場合
、半導体装置の樹脂封止部の側部の端部のリードの先端
部を中央部のリードの先端部より下方位置で曲げ加工す
る。これにより、端部のリードの第1の曲部(基端側)
と第2の曲部(先端側)°との間が中央部のリードに比
して長くなるから、端部のリードの先端部は中央部のリ
ードの先端部より下方位置になる。しかし、パンチ及び
パッドが上昇して封止部の反りが復元すると端部のリー
ドが上方に引き上げられるなめ、外部リードの先端部の
平坦性を得ることができる。
部リードの基端部を挾持し、パンチにより外部リードを
その基端部及び先端部の2点で曲げ加工する。この場合
、半導体装置の樹脂封止部の側部の端部のリードの先端
部を中央部のリードの先端部より下方位置で曲げ加工す
る。これにより、端部のリードの第1の曲部(基端側)
と第2の曲部(先端側)°との間が中央部のリードに比
して長くなるから、端部のリードの先端部は中央部のリ
ードの先端部より下方位置になる。しかし、パンチ及び
パッドが上昇して封止部の反りが復元すると端部のリー
ドが上方に引き上げられるなめ、外部リードの先端部の
平坦性を得ることができる。
[実施例コ
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
明する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す断面図、第2図は
成形金型のダイ及びパッドを示す斜視図、第3図は第1
図の■−■線による断面図、第4図は第1図のIV−I
V線による断面図である。
成形金型のダイ及びパッドを示す斜視図、第3図は第1
図の■−■線による断面図、第4図は第1図のIV−I
V線による断面図である。
ダイ2は、その側部近傍に外部リード5を支持する凸部
を有している。そして、この凸部の外側部は、第2図に
示すように、中央部が平坦であり長手方向の端部に向か
って下方に傾斜した面を有している。また、パッド3は
、このダイ2の上方に配置され、その端部に下向きの凸
部が設けられている。そして、このパッド3の両側には
一対のパンチ1が配設されている。このパンチ1は角筒
状に形成されており、その下端は、第2図に示すように
、上述のダイ2の凸部の外側部の形状に倣って、中央部
が平坦であり、長手方向の端部に向かって下方に傾斜し
た面を有している。また、パッド3及びパンチ1は駆動
装置(図示せず)によって個別的に上下動するようにな
っている。
を有している。そして、この凸部の外側部は、第2図に
示すように、中央部が平坦であり長手方向の端部に向か
って下方に傾斜した面を有している。また、パッド3は
、このダイ2の上方に配置され、その端部に下向きの凸
部が設けられている。そして、このパッド3の両側には
一対のパンチ1が配設されている。このパンチ1は角筒
状に形成されており、その下端は、第2図に示すように
、上述のダイ2の凸部の外側部の形状に倣って、中央部
が平坦であり、長手方向の端部に向かって下方に傾斜し
た面を有している。また、パッド3及びパンチ1は駆動
装置(図示せず)によって個別的に上下動するようにな
っている。
半導体装置4はこのダイ2上の凸部に外部り一ド5の樹
脂封止側基端部を接触させて載置される6次に、パッド
3を下降させてダイ2の凸部とパッド3の凸部との間で
外部リード5の基端部を上下から挟み込むことにより半
導体装置4を固定する。
脂封止側基端部を接触させて載置される6次に、パッド
3を下降させてダイ2の凸部とパッド3の凸部との間で
外部リード5の基端部を上下から挟み込むことにより半
導体装置4を固定する。
次に、パンチ1をパッド3及びダイ2の凸部側面に沿っ
て下降させる。これにより、外部リード5はダイ2の側
部の形状に倣って、第1及び第2の曲げ部を有するガル
ウィング状に曲げ加工がなされる。
て下降させる。これにより、外部リード5はダイ2の側
部の形状に倣って、第1及び第2の曲げ部を有するガル
ウィング状に曲げ加工がなされる。
この場合に、半導体装置4の外部リード5の先端は、第
3図のように中央部よりも外側になる程その先端部の曲
部が下側になるように、ダイ2の凸部外側の形状に倣っ
た配列で曲げ加工がなされる。また、外部・リード5の
基端部は、第4図に示すように、−直線状に加圧挾持さ
れており、反りを有する樹脂封止型半導体装置は弾性変
形された状態となっている。
3図のように中央部よりも外側になる程その先端部の曲
部が下側になるように、ダイ2の凸部外側の形状に倣っ
た配列で曲げ加工がなされる。また、外部・リード5の
基端部は、第4図に示すように、−直線状に加圧挾持さ
れており、反りを有する樹脂封止型半導体装置は弾性変
形された状態となっている。
次いで、パンチ1及びパッド3を上昇させることにより
外部リード5の成形加工が終了する。
外部リード5の成形加工が終了する。
半導体装置4は、パンチ1及びパッド3の上昇により反
りが復元され、樹脂封止部は端部捏上に引き上げられた
形状になる。一方、外部リード5の先端部は外側程下方
に位置するように曲げ加工されているため、結果的には
、外部リード5の先端部の平坦性が著しく向上する。従
って、半導体装置をプリント基板に実装するときの半田
付性が良好になり接触不良等の不都合を回避できるから
、半導体装置の信頼性が著しく向上する。
りが復元され、樹脂封止部は端部捏上に引き上げられた
形状になる。一方、外部リード5の先端部は外側程下方
に位置するように曲げ加工されているため、結果的には
、外部リード5の先端部の平坦性が著しく向上する。従
って、半導体装置をプリント基板に実装するときの半田
付性が良好になり接触不良等の不都合を回避できるから
、半導体装置の信頼性が著しく向上する。
第5図は本発明の第2の実施例を示す断面図、第6図は
成形金型のダイ及びパッドを示す斜視図、第7図は第5
図の■−■線による断面図である。
成形金型のダイ及びパッドを示す斜視図、第7図は第5
図の■−■線による断面図である。
本実施例が第1の実施例と異なる点は曲げ加工に使用す
る成形金型のダイ12の側部及びパンチ11の下面の形
状が異なる点にある。
る成形金型のダイ12の側部及びパンチ11の下面の形
状が異なる点にある。
ダイ12は、その側部近傍に外部リード15を支持する
凸部を有している6そして、この凸部の外側部は、第6
図に示すように、中央部は平坦であり、その両側域は外
側に向がって下方に傾斜している。従って、ダイ12の
側面の形状は凸型となっている。一方、パンチ11は角
筒状に形成されており、その下面はダイ12の側部に倣
った形状になっている。また、ダイ12の上方には、そ
の下面の端部に下方に突出した凸部を有するパッド13
が配置されている。
凸部を有している6そして、この凸部の外側部は、第6
図に示すように、中央部は平坦であり、その両側域は外
側に向がって下方に傾斜している。従って、ダイ12の
側面の形状は凸型となっている。一方、パンチ11は角
筒状に形成されており、その下面はダイ12の側部に倣
った形状になっている。また、ダイ12の上方には、そ
の下面の端部に下方に突出した凸部を有するパッド13
が配置されている。
本実施例においては、第1の実施例と同様に、ダイ12
の凸部上に半導体装置14の外部リード15の基端部を
接触させて載置し、その後パッド13を下降させてダイ
12の凸部とパッド13の凸部との間に半導体装置の外
部リード15の基端部を加圧挾持する。
の凸部上に半導体装置14の外部リード15の基端部を
接触させて載置し、その後パッド13を下降させてダイ
12の凸部とパッド13の凸部との間に半導体装置の外
部リード15の基端部を加圧挾持する。
次に、パンチ11をパッド13の側面及びダイ12の凸
部側面に沿って下降させて外部リード15の基端部を曲
げ加工すると共に、リード15の先端部を曲げ加工して
、第7図に示すように加圧挾持する。
部側面に沿って下降させて外部リード15の基端部を曲
げ加工すると共に、リード15の先端部を曲げ加工して
、第7図に示すように加圧挾持する。
次いで、パンチ11及びパッド13を順次上昇させた後
、半導体装置14を搬出する。
、半導体装置14を搬出する。
本実施例においては、外部リード15の基端部を一直線
状に挾持した後、中央部の外部リード15の先端部より
下側で端部のリード15を曲げ加工するため、第1の実
施例と同様に、半導体装置の外部リード先端部の平坦性
が著しく向上すると共に、パンチ及びダイの製作が容易
であるという利点を有する。
状に挾持した後、中央部の外部リード15の先端部より
下側で端部のリード15を曲げ加工するため、第1の実
施例と同様に、半導体装置の外部リード先端部の平坦性
が著しく向上すると共に、パンチ及びダイの製作が容易
であるという利点を有する。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、樹脂封止型半導体
装置の外部リードを基端部で加圧挾持した後、封止部の
側部における端部側に配設されたリードの先端部を中央
部側に配設されたリードの先端部よりも下方の位置で曲
げ加工するから、封止部に反りを有する半導体装置のプ
リント基板実装時の半田付性が極めて良好となり、接触
不良等の不都合が回避できる。このため、半導体装置の
信頼性が著しく向上する。
装置の外部リードを基端部で加圧挾持した後、封止部の
側部における端部側に配設されたリードの先端部を中央
部側に配設されたリードの先端部よりも下方の位置で曲
げ加工するから、封止部に反りを有する半導体装置のプ
リント基板実装時の半田付性が極めて良好となり、接触
不良等の不都合が回避できる。このため、半導体装置の
信頼性が著しく向上する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す断面図、第2図は
成形金型のダイ及びパッドを示す斜視図、第3図は第1
図の■−■線による断面図、第4図は第1図のIV−I
V線による断面図、第5図は本発明の第2の実施例を示
す断面図、第6図は成形金型のダイ及びパッドを示す斜
視図、第7図は第5図の■−■線による断面図、第8図
は従来の樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法を
示す断面図、第9図は第8図のIX−IX線による断面
図、第10図は第8図のX−X線による断面図、第11
図はパッドが上昇したときの外部リードの基端部の位置
を示す断面図、第12図は従来の方法による外部リード
成形後の半導体装置を示す側面図である。 1.11,21.21a;パンチ、2,12゜22;ダ
イ、3,13,23.23a;パッド、4.14,24
;半導体装置、5,15,25゜25a;外部リード
成形金型のダイ及びパッドを示す斜視図、第3図は第1
図の■−■線による断面図、第4図は第1図のIV−I
V線による断面図、第5図は本発明の第2の実施例を示
す断面図、第6図は成形金型のダイ及びパッドを示す斜
視図、第7図は第5図の■−■線による断面図、第8図
は従来の樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法を
示す断面図、第9図は第8図のIX−IX線による断面
図、第10図は第8図のX−X線による断面図、第11
図はパッドが上昇したときの外部リードの基端部の位置
を示す断面図、第12図は従来の方法による外部リード
成形後の半導体装置を示す側面図である。 1.11,21.21a;パンチ、2,12゜22;ダ
イ、3,13,23.23a;パッド、4.14,24
;半導体装置、5,15,25゜25a;外部リード
Claims (1)
- (1)樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部から側方へ突
出した複数個の外部リードの基端部を成形金型のダイと
パッドとにより加圧挾持する工程と、前記成形金型のパ
ンチにより前記外部リードをその基端側の部分及び先端
側の部分の2点で曲げ加工する工程とを有し、前記封止
部の側部の端部側に配設されたリードの先端部を中央部
側に配設されたリードの先端部よりも下方の位置で曲げ
加工することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の外部
リード成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4892489A JPH02228053A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4892489A JPH02228053A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02228053A true JPH02228053A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=12816804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4892489A Pending JPH02228053A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02228053A (ja) |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP4892489A patent/JPH02228053A/ja active Pending
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