JPH02228060A - 集積回路保護装置及び該装置を備えた集積回路装置 - Google Patents

集積回路保護装置及び該装置を備えた集積回路装置

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JPH02228060A
JPH02228060A JP1048798A JP4879889A JPH02228060A JP H02228060 A JPH02228060 A JP H02228060A JP 1048798 A JP1048798 A JP 1048798A JP 4879889 A JP4879889 A JP 4879889A JP H02228060 A JPH02228060 A JP H02228060A
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JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
surge
varistor
electrically connected
signal lines
Prior art date
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Pending
Application number
JP1048798A
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English (en)
Inventor
Hisao Morooka
久雄 師岡
Yukihiko Shirakawa
幸彦 白川
Yoshihiko Yano
義彦 矢野
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]

Landscapes

  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は、集積回路素体に電気的に接続された信号ライ
ンを介して該素体側に流入するサージ成分をアースライ
ンにバイパスさせることで該素体をサージ電圧より保護
する集積回路保護装置、及び該装置を備えた集積回路装
置に関する。
(従来の技術) 近年LSI(大規模集積回路)の高集積化に伴ない電極
パターンが微細になり、これにつれてサージ電圧等に対
するLSIの耐圧が低下する傾向にある。特にMOS−
LSI等の高入力インピーダンス素子の場合、ゲート絶
縁膜が極めて薄く、これに静電気等のサージ電圧が加わ
ると容易に絶縁破壊される。
そこで従来は、バリスタ機能素子を用いて、集積回路素
体をサージ電圧より保護するようにしている。ここでバ
リスタ機能素子とは、印加電圧によって著しく抵抗値が
変わり、電圧−電流特性が非直線性を示す固体素子を意
味する。
このバリスタ機能素子を用いて集積回路素体のサージ対
策を行ったものとして、実開昭63−79654号公報
に記載されたものを挙げることができる。
これは、第4図に示すように、薄膜バリスタ付回路基板
1上に集積回路素体(LSIチップ)2を実装して成る
ものである。基板1の両縁部には複数の取出し電極3が
形成されており、素体2よりの引出し線(ボンティング
ワイヤ)4の端末がこの取出し電極3に電気的に接続さ
れている。また、この取出し電極3は、信号ライン6を
介して図示しない別回路に電気的に接続される。そして
、各取出し電極3間には薄膜バリスタ5が形成されてお
り、このバリスタ5により、信号ライン7を介して素体
2側に流入するサージ成分の吸収が行われるようになっ
ている。
(発明が解決しようとする課題) ところで、信号ライン6を介して素体2側に流入するサ
ージ成分には、第4図7で示すように各信号ライン6毎
に独立しているもの(非同期サージ)と、第5図8で示
すように同期のとれたもの(同期サージ)とがある。こ
こで、信号ライン6毎に独立流入する非同期サージ成分
は各バリスタ5により容易に吸収される。しかし、同期
がとれている同期サージの場合、各バリスタ5ではバリ
スタの両端が同電位になりこれを吸収することができな
いため、結局集積回路素体2へのサージ伝達を余儀なく
される。
そこで本発明は上記の欠点を除去するもので、その目的
とするところは、同期サージ成分が信号ラインを介して
集積回路素体側に流入されても、これをアースラインに
バイパスさせることで該素体をサージ電圧より適確に保
護することができる集積回路保護装置、及び該装置を備
えた集積回路装置を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 第1の発明は、信号ラインを介して集積回路素体側に流
入するサージ成分をアースラインにバイパスさせること
で該素体をサージ電圧より保護する集積回路保護装置に
おいて、前記集積回路素体に電気的に接続された複数の
信号ライン生瓦いに隣接する信号ライン間のそれぞれに
、複数のバリスタ機能素子の等価直列回路を設け、且つ
、該回路におけるバリスタ機能素子の直列接続箇所を前
記アースラインに電気的に接続して成る。
第2の発明は、アースラインが形成された素体実装基板
に集積回路素体を実装して成る集積回路装置であって、
信号ラインに流入するサージ成分を前記アースラインに
バイパスさせることで該素体をサージ電圧より保護する
集積回路保護装置を前記素体実装基板上に形成したもの
において、前記集積回路素体に電気的に接続された複数
の信号ライン生瓦いに隣接する信号ライン間のそれぞれ
に、複数のバリスタ機能素子の等価直列回路を設け、且
つ、該回路におけるバリスタ機能素子の直列接続箇所を
前記アースラインに電気的に接続して前記集積回路保護
装置を構成したものである。
(作 用) 第1.第2の発明によれば、信号ラインを介して同期サ
ージ成分が集積回路素体側に流入した場合でも、このサ
ージ成分は、上記バリスタ機能素子及び該素子の直列接
続箇所を介してアースラインに流れる。従って、当該サ
ージ成分は各バリスタ機能素子によって吸収され、サー
ジ電圧によって集積回路素体が破壊されることはない。
(実施例) 以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
第1図は本発明の一実施例たる集積回路装置を示してい
る。
同図11は素子実装基板であり、この基板11のほぼ中
央部に集積回路素体(チップ)12が実装されている。
また、この基板11の相対向する両縁辺部には、基板1
1の長手方向に沿うように複数のボンディング用端子1
0が等間隔で形成され、各ボンディング用端子10と集
積回路素体12の端子とがボンディングワイヤ14によ
って電気的に接続されている。更に上記各ボンディング
用端子10は、信号ライン16により図示しない別口路
に電気的に接続されている。そして、複数の信号ライン
16中互いに隣接する信号ライン間のそれぞれに、複数
のバリスタ機能素子の等個直列回路13が形成されてい
る。本実施例においてこの等個直列回路13は第1.第
2のバリスタ機能素子13a、13bより成る。更に、
各等価直列回路13における第1.第2のバリスタ機能
素子13a、13bの直列接続箇所15は、基板11上
に形成されたアースライン17に電気的に接続されてい
る。
尚、請求項1に対応する集積回路保護装置は、上記バリ
スタ機能素子13a、13bの等個直列回路13を有し
て成る。
ここでバリスタ機能素子とは、印加電圧によって著しく
抵抗値が変わり、電圧−電流特性が非直線性を示す固体
素子を意味し、このバリスタ機能素子には、狭義のバリ
スタはもとより、シリコンツェナーダイオードに代表さ
れるダイオードバリスタや、酸化亜鉛若しくはチタン酸
ストロンチウムバリスタに代表されるセラミックバリス
タ、更には応用製品たるサージアブソーバやアレスタが
含まれる。
そして、第1.第2のバリスタ機能素子13a。
13bとしてそれぞれ個別部品を適用することもできる
が、本実施例では、以下に詳述するように薄膜技術によ
り基板11上に形成された素子を用いるようにしている
第2図は第1図におけるバリスタ機能素子13a、13
bの等個直列回路13の構成例を示しており、また第3
図は第2図のA−A線断面を示している。
電気的絶縁部材より成る素体実装基板11上に矩形状に
ボンディング用端子10が形成され、このボンディング
用端子12より基板長手方向に下部電極20.21が延
在形成されている。そして互いに隣接する下部電極20
.21を覆うようにバリスタ形成素体層22が矩形状に
形成され、更にこのバリスタ形成素体層22の上面には
、前記下部電極20.21に対向するように上部電極1
9が形成されている。この上部電極19は、導電パター
ンによりアースライン17に電気的に接続されている。
ここで、下部電極20と上部電極19との対向部分(こ
れを23で示す)により上記第1のバリスタ機能素子1
3aが形成され、また同様に下部電極21と上部電極1
9との対向部分(これを24で示す)により上記第2の
バリスタ機能素子13bが形成されている。
上記の構成において、第1.第2のバリスタ機能素子1
3a、13bの直列接続箇所15がアースライン17に
電気的に接続されているためこの直列接続箇所15は、
信号ライン16を介して集積回路素子12側に流入する
サージ成分の基準電位(例えばグランド(GND)端子
の電位)に常に等しくなっている。このことは、サージ
成分が各信号ライン毎に独立しているか(第4図7参照
)。
あるいは同期がとれているか(第5図8参照)に無関係
である。故に、信号ラインを介して集積回路素体12側
に流入するサージ成分は、同期、非同期にかかわらず第
1のバリスタ機能素子13a又は第2のバリスタ機能素
子13b及び該素子の直列接続箇所15を介してアース
ライン17にバイパスされ、これにより吸収される。こ
のため、サージ電圧によって集積回路素体12が破壊さ
れることはない。
以上本発明の一実施例について説明したが、本発明は上
記実施例に限定されるものではなく、種々の変形実施が
可能であるのはいうまでもない。
例えば上記実施例では集積回路保護装置を素体実装基板
11上に形成したものについて説明したが、該装置を集
積回路素体12内に形成するようにしてもよい。
〔発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、同期サージ成分が
信号ラインを介して集積回路素体側に流入された場合で
も、これをアースラインにバイパスさせることで該素体
をサージ電圧より適確に保護することができる集積回路
保護装置、及び該装置を備えた集積回路装置を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例装置の平面図、第2図は第1
図における主要部の構成例を示す平面図、第3図は第2
図のA−A線断面図、第4図及び第5図は従来例の平面
図である。 11・・・素体実装基板、12・・・集積回路素体、1
3・・・等個室列回路、 13a、13b・・・バリスタ機能素子、15・・・バ
リスタ機能素子の直列接続箇所、第 第 図 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)集積回路素体に電気的に接続された信号ラインを
    介して該素体側に流入するサージ成分をアースラインに
    バイパスさせることで該素体をサージ電圧より保護する
    集積回路保護装置において、前記集積回路素体に電気的
    に接続された複数の信号ライン中互いに隣接する信号ラ
    イン間のそれぞれに、複数のバリスタ機能素子の等価直
    列回路を設け、且つ、該回路におけるバリスタ機能素子
    の直列接続箇所を前記アースラインに電気的に接続して
    成ることを特徴とする集積回路保護装置。
  2. (2)アースラインが形成された素体実装基板に集積回
    路素体を実装して成る集積回路装置であって、前記集積
    回路素体に電気的に接続された信号ラインを介して該素
    体側に流入するサージ成分を前記アースラインにバイパ
    スさせることで該素体をサージ電圧より保護する集積回
    路保護装置を前記素体実装基板上に形成したものにおい
    て、前記集積回路素体に電気的に接続された複数の信号
    ライン中互いに隣接する信号ライン間のそれぞれに、複
    数のバリスタ機能素子の等価直列回路を設け、且つ、該
    回路におけるバリスタ機能素子の直列接続箇所を前記ア
    ースラインに電気的に接続して前記集積回路保護装置を
    構成したことを特徴とする集積回路装置。
JP1048798A 1989-03-01 1989-03-01 集積回路保護装置及び該装置を備えた集積回路装置 Pending JPH02228060A (ja)

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