JPH0223035Y2 - - Google Patents

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JPH0223035Y2
JPH0223035Y2 JP1983155863U JP15586383U JPH0223035Y2 JP H0223035 Y2 JPH0223035 Y2 JP H0223035Y2 JP 1983155863 U JP1983155863 U JP 1983155863U JP 15586383 U JP15586383 U JP 15586383U JP H0223035 Y2 JPH0223035 Y2 JP H0223035Y2
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metal
radio wave
airtight container
wave absorber
metallized layer
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JP1983155863U
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体チツプ、インピーダンス整合
用回路基板その他の電子部品から構成されるマイ
クロ波集積回路を封入するための、金属製気密容
器の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
第1図に従来例のマイクロ波集積回路用金属製
気密容器の断面構造図を示す。金属製気密容器は
基底部1、ふた部2、端子部3により構成され、
その内部にマイクロ波集積回路4が実装される。
このような金属製気密容器では、多くの回路機能
を収容しようとする場合および高い周波数帯域で
使用する場合に、金属製気密容器の寸法がマイク
ロ波の波長に近くなるため、金属製気密容器内面
でのマイクロ波反射による共振モードが発生する
ことがある。このため、伝送特性に周波数共振ま
たは反共振が発生したり、入力および出力インピ
ーダンスに急峻な周波数変化が生じることがあ
る。また、能動素子を使用している場合には、不
要発振が生じるなど、所望の特性や機能を得るこ
とが困難となる欠点があつた。
また、マイクロ波回路基板上にパツケージを設
け、このパツケージの内面に電波吸収材を配して
高周波を吸収する技術(特開昭55−128901号公
報)や、集積回路チツプを収容するパツケージの
蓋や下面に電磁吸収体を設ける技術(実開昭57−
157147号公報)などが堤案されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、これらの技術では、単にマイクロ波が
外部に洩れることを防止することを目的とするも
のにすぎず、完全に金属製容器で密封されたマイ
クロ波集積回路が、その容器内部でマイクロ波の
反射等により、集積回路の特性や機能の低下等が
生ずることを防仕するものではなかつた。
本考案は、上述の欠点を解消するもので、マイ
クロ波の洩れがなく、しかも金属製気密容器の内
面でのマイクロ波の反射を防ぐことにより、その
内部に実装されたマイクロ波集積回路の特性およ
び機能を改善することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案は、マイクロ波集積回路を密封した金属
製気密容器内で、マイクロ波集積回路における不
要な共振モードの原因となる金属製気密容器内面
でのマイクロ波の反射を防ぐため、上記容器内面
にマイクロ波を減衰させる電波吸収体をその片面
に形成したメタライズ層によつて取付けた構造を
特徴とする。
〔作用〕
金属製気密容器の内面に取付けられた電波吸収
体によつて、この金属製気密容器の内部で生ずる
マイクロ波を吸収して、マイクロ波の反射によつ
て生ずる共振モードや反共振モードの発生や入力
および出力インピーダンスの急峻な周波数変化を
防止する。
〔実施例〕
以下図面に基づいて本考案実施例を説明する。
第2図は本考案第一実施例の構造を説明するた
めの断面構造図である。金属製気密容器は、マイ
クロ波集積回路4を基底部1とふた部2と端子部
3とで気密状態に密封している。この気密容器の
ふた部2の内面上部には電波吸収体5がろう付け
されている。このろう付けは電波吸収体の片面に
金属のメタライズ層を形成して行う。
この構造により、ふた部2の内面に向う電磁波
は、電波吸収体5に吸収され減衰して、反射共振
を生じることがなくなる。
第3図は本考案第二実施例の構造を示す断面構
造図である。この例では端子部3が基底部1を貫
通することなく、側壁を貫通する構造のものであ
つて、ふた部2の内面に取付けられた電波吸収体
5およびその作用は、前記第一実施例と同様であ
る。
共振モードによつては内面上部だけでなく内面
側部にも電波吸収体5をろう付けすることができ
る。
第4図および第5図に電波吸収体5の構造を示
す。第4図は、焼結した電波吸収材7の片面にメ
タライズ層6を設けたものである。このメタライ
ズ層面を金属製のふた部2の内面にろう付けする
ことによつて金属製気密容器に強固に取付けるこ
とができ、また、マイクロ波集積回路の半導体に
悪い影響を与えるガスが発生しないので有利であ
る。
第5図は、誘電体基板8の片面に第4図と同じ
メタライズ層6を設け、反対面に抵抗皮膜9を蒸
着したものである。このメタライズ層面は、上述
と同じく金属製のふた部2の内面にろう付けされ
る。また、抵抗皮膜は金属ケース内に発生する定
在波や共振電磁界が抵抗膜を通過する際に減衰さ
せるもので、電波吸収材と同一の作用効果をもた
らすものである。
〔考案の効果〕
以上説明したように、本考案の構造によれば、
外部にマイクロ波を漏洩しない金属製気密容器の
内面でのマイクロ波の反射を防ぐことができる。
この結果、共振モードの発生を防止することがで
き、所望の特性や機能を安定に得ることが可能に
なる優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例構造のマイクロ波集積回路用金
属製気密容器の断面図。第2図は本考案第一実施
例構造のマイクロ波集積回路用金属製気密容器の
断面図。第3図は本考案第二実施例構造のマイク
ロ波集積回路用金属製気密容器の断面図。第4図
は電波吸収体の構造を示す断面図。第5図は電波
吸収体の構造を示す断面図。 1……金属製気密容器基底部、2……金属製気
密容器ふた部、3……金属製気密容器端子部、4
……マイクロ波集積回路、5……電波吸収体、6
……メタライズ層、7……電波吸収材、8……誘
電体基板、9……抵抗皮膜。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 金属製の基底部と金属製の蓋部とにより半導
    体チツプを含むマイクロ波集積回路を収容して
    密封する金属製気密容器において、 上記金属製蓋部の内面に電波吸収体がこの電
    波吸収体の片面に形成されたメタライズ層によ
    つて取付けられ、 この電波吸収体は上記金属製気密容器内で生
    ずるマイクロ波が反射共振を生じないように減
    衰させる構造である ことを特徴とするマイクロ波集積回路用金属製
    気密容器。 2 1電波吸収体は、焼結した電波吸収材の片面
    にメタライズ層が形成され、このメタライズ層
    によつて金属製蓋部の内面にろう付けされる構
    造である実用新案登録請求の範囲第(1)項に記載
    のマイクロ波集積回路回路用金属製気密容器。 3 電波吸収体は、誘電体基板の片面にメタライ
    ズ層が形成され、反対面に抵抗皮膜が蒸着さ
    れ、上記メタライズ層によつて金属製蓋部の内
    面にろう付けされる構造である実用新案登録請
    求の範囲第(1)項に記載のマイクロ波集積回路用
    金属製気密容器。
JP15586383U 1983-10-06 1983-10-06 マイクロ波集積回路用金属製気密容器 Granted JPS6063948U (ja)

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JPS6063948U JPS6063948U (ja) 1985-05-07
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JPS6063948U (ja) 1985-05-07

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