JPH022305B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH022305B2 JPH022305B2 JP55042214A JP4221480A JPH022305B2 JP H022305 B2 JPH022305 B2 JP H022305B2 JP 55042214 A JP55042214 A JP 55042214A JP 4221480 A JP4221480 A JP 4221480A JP H022305 B2 JPH022305 B2 JP H022305B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- thin film
- conversion device
- semiconductor thin
- transfer means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional [1D] array
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
- H04N1/1938—Details of the electrical scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional [1D] array
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Image Input (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光電変換装置、殊にフアクシミリ、
デジタル複写機、レーザ記録装置等の光情報入力
部、バーコード読取装置やその他の文字や画像等
の読取装置等々に適用される固体化された光電変
換装置に関する。
デジタル複写機、レーザ記録装置等の光情報入力
部、バーコード読取装置やその他の文字や画像等
の読取装置等々に適用される固体化された光電変
換装置に関する。
最近、装置全体の小型化指向から、フアクシミ
リやデジタルコピア、レーザ記録装置等の光情報
入力部、或いはその他の、原稿に書かれた文字や
像を読取る装置に適用される光電変換装置として
再生される原画像のサイズに相等いか若しくはそ
れに近いサイズの受光面を有し、且つ解像性に優
れ、原画像を忠実に読取り得、然もコンパクトな
所謂長尺化された受光面を有する光電変換装置の
開発の発展が著しい。
リやデジタルコピア、レーザ記録装置等の光情報
入力部、或いはその他の、原稿に書かれた文字や
像を読取る装置に適用される光電変換装置として
再生される原画像のサイズに相等いか若しくはそ
れに近いサイズの受光面を有し、且つ解像性に優
れ、原画像を忠実に読取り得、然もコンパクトな
所謂長尺化された受光面を有する光電変換装置の
開発の発展が著しい。
而乍ら、上記の様な長尺化された受光面を有す
る光電変換装置は、具備される光電変換部に附随
する信号処理回路部に大きな問題がある。
る光電変換装置は、具備される光電変換部に附随
する信号処理回路部に大きな問題がある。
即ち、前記信号処理回路部が光電変換部に較べ
て非常に大きなスペースを占め、光電変換部を長
尺化することで光路長を非常に短くすることが出
来ることにより生じた小型化の利点を生かし切れ
ないという点である。
て非常に大きなスペースを占め、光電変換部を長
尺化することで光路長を非常に短くすることが出
来ることにより生じた小型化の利点を生かし切れ
ないという点である。
通常この問題点を解決するための一手段として
光電変換部の画素（光電変換要素）群を複数個に
ブロツク化して各ブロツクをマトリクス配線し、
１ブロツク毎にこの信号処理回路部を動作させる
方式が取られる。
光電変換部の画素（光電変換要素）群を複数個に
ブロツク化して各ブロツクをマトリクス配線し、
１ブロツク毎にこの信号処理回路部を動作させる
方式が取られる。
ここで、このマトリクス配線において問題とな
るのは光電変換要素と信号処理部を接続し外部に
信号を取り出すために、ボンデイング工程が必要
であるが、光電変換要素と信号処理部を一体化し
なければ、このボンデイング工程が極端に多くな
ることである。
るのは光電変換要素と信号処理部を接続し外部に
信号を取り出すために、ボンデイング工程が必要
であるが、光電変換要素と信号処理部を一体化し
なければ、このボンデイング工程が極端に多くな
ることである。
通常この問題点を解決するために、結晶Si基板
上に信号処理部を設け、その上に、光電変換部を
作製し、一体化を計つている。
上に信号処理部を設け、その上に、光電変換部を
作製し、一体化を計つている。
しかしながら、長尺化された受光面をもたせる
ため長尺な光電変換部に隣接した信号処理部を設
ける必要がありこの要求に対して結晶基板を用い
ることは充分答えるものではない。
ため長尺な光電変換部に隣接した信号処理部を設
ける必要がありこの要求に対して結晶基板を用い
ることは充分答えるものではない。
本発明は上記の点に鑑みて成されたものであつ
て従来の光電変換装置の改良を計ることを目的と
し、長尺な光電変換部と信号処理部を半導体薄膜
で形成することによつて無欠陥で長尺な光電変換
装置が提供される。
て従来の光電変換装置の改良を計ることを目的と
し、長尺な光電変換部と信号処理部を半導体薄膜
で形成することによつて無欠陥で長尺な光電変換
装置が提供される。
本発明の光電変換装置は受光面を有する光電変
換要素のＮ個が配されている光電変換部：前記光
電変換要素により光電変換された信号を蓄積する
蓄積手段；該蓄積手段に蓄積された信号電荷を転
送するための転送手段；該転送手段を時系列的に
駆動するためのシフトレジスター；で構成される
信号処理回路部：とが同一基板上に具備され、前
記光電変換要素、前記転送手段、及び前記シフト
レジスターの各半導体部が半導体薄膜で構成され
るとともに前記転送手段のトランジスタと前記蓄
積手段とに共有されている絶縁層を有することを
特徴とする。
換要素のＮ個が配されている光電変換部：前記光
電変換要素により光電変換された信号を蓄積する
蓄積手段；該蓄積手段に蓄積された信号電荷を転
送するための転送手段；該転送手段を時系列的に
駆動するためのシフトレジスター；で構成される
信号処理回路部：とが同一基板上に具備され、前
記光電変換要素、前記転送手段、及び前記シフト
レジスターの各半導体部が半導体薄膜で構成され
るとともに前記転送手段のトランジスタと前記蓄
積手段とに共有されている絶縁層を有することを
特徴とする。
上記構成から成る本発明の光電変換装置は、複
数の光電変換要素を備えた光電変換部、蓄積手
段、転送手段及びシフトレジスターで構成される
信号処理回路部とを同一基板上に一体的に具備さ
せ、前記光電変換要素、前記転送手段及び前記シ
フトレジスターの各半導体薄膜でかつ前記蓄積手
段が薄膜で構成されることによつて、小型化を計
ることのみならずボンデイング数を減らし、且
つ、光電変換部の長尺化も計れるという格別顕著
な効果をもたらす。
数の光電変換要素を備えた光電変換部、蓄積手
段、転送手段及びシフトレジスターで構成される
信号処理回路部とを同一基板上に一体的に具備さ
せ、前記光電変換要素、前記転送手段及び前記シ
フトレジスターの各半導体薄膜でかつ前記蓄積手
段が薄膜で構成されることによつて、小型化を計
ることのみならずボンデイング数を減らし、且
つ、光電変換部の長尺化も計れるという格別顕著
な効果をもたらす。
以下図面に従つて本発明を具体的に説明する。
第１図には本発明の光電変換装置の等価回路が
示される。この光電変換装置は一列アレー状に並
ぶｎ個の光電変換要素（PE１，PE２，…，
PEN）、該光電変換要素PEの出力信号が蓄積さ
れる蓄積手段としてコンデンサー（CE１，CE
２，…CEN）、前記光電変換要素の出力と出力端
子OUTに順次転送するための転送手段としての
トランジスタ（SW１，SW２，…，SWN）、及
びこれらの転送用トランジスタを次々に順序正し
くスイツチング動作させるためのシフトレジスタ
ー）Ｓ１１，…Ｓ１６…SN６）から構成される。
示される。この光電変換装置は一列アレー状に並
ぶｎ個の光電変換要素（PE１，PE２，…，
PEN）、該光電変換要素PEの出力信号が蓄積さ
れる蓄積手段としてコンデンサー（CE１，CE
２，…CEN）、前記光電変換要素の出力と出力端
子OUTに順次転送するための転送手段としての
トランジスタ（SW１，SW２，…，SWN）、及
びこれらの転送用トランジスタを次々に順序正し
くスイツチング動作させるためのシフトレジスタ
ー）Ｓ１１，…Ｓ１６…SN６）から構成される。
受光面に入射された光情報は、光電変換要素
PEの抵抗を変調し、光電変換部の電源Ｖより蓄
積コンデンサーCEに流れ込む電荷量を変化させ
る。一方蓄積コンデンサーCEに貯えられた電荷
はＮ個の転送用トランジスターSWを、１つずつ
順番に導通するようにスイツチングすることによ
り順次、出力端子OUTから放電される。すなわ
ち、入射された光情報は、転送用トランジスター
SWの導通状態から次の導通状態になるまでの間
に、蓄積コンデンサーCEに貯えられた電荷量と
して時系列的に出力端子OUTから取り出される。
PEの抵抗を変調し、光電変換部の電源Ｖより蓄
積コンデンサーCEに流れ込む電荷量を変化させ
る。一方蓄積コンデンサーCEに貯えられた電荷
はＮ個の転送用トランジスターSWを、１つずつ
順番に導通するようにスイツチングすることによ
り順次、出力端子OUTから放電される。すなわ
ち、入射された光情報は、転送用トランジスター
SWの導通状態から次の導通状態になるまでの間
に、蓄積コンデンサーCEに貯えられた電荷量と
して時系列的に出力端子OUTから取り出される。
転送用トランジスターSWを駆動するシフトレ
ジスターは１個の転送用トランジスターSW１に
対し、６個のトランジスターＳ１１，Ｓ１２，
…，Ｓ１６から構成される。
ジスターは１個の転送用トランジスターSW１に
対し、６個のトランジスターＳ１１，Ｓ１２，
…，Ｓ１６から構成される。
第２図にはシフトレジスター、転送用トランジ
スターSWのタイミングチヤートが示される。
スターSWのタイミングチヤートが示される。
転送クロツクφ1，φ2は互いに逆位相とし、φ1
がＮ個カウントされた後に、端子INに転送パル
スが加えられる。φ1，φ2がカウントされる毎に
SW１，SW２，…，SWNの順に、順次転送用ト
ランジスタSWが導通状態に駆動される。
がＮ個カウントされた後に、端子INに転送パル
スが加えられる。φ1，φ2がカウントされる毎に
SW１，SW２，…，SWNの順に、順次転送用ト
ランジスタSWが導通状態に駆動される。
光電変換要素PEは光受容体層（半導体部）の
両面にオーミツク接合を持つ電極により構成され
る、いわゆるオートミツクセンサーが好適とさ
れ、転送用トランジスター、及びシフトレジスタ
ーを構成するトランジスターはすべて薄膜トラン
ジスターで形成される。
両面にオーミツク接合を持つ電極により構成され
る、いわゆるオートミツクセンサーが好適とさ
れ、転送用トランジスター、及びシフトレジスタ
ーを構成するトランジスターはすべて薄膜トラン
ジスターで形成される。
光電変換要素PEを構成する半導体部である光
受容体層は、例えば、アモルフアス水素化シリコ
ン（ａ−Si：Ｈと以後略記する）、PbO，CdSe，
Sb2S2，Se，Se−Te，Se−Te−As，Se−Bi，
ZnCdTe，CdS，Cu2Sアモルフアス水素化ゲルマ
ニウム、アモルフアス水素化GexSi（１−ｘ）、等
の高感度の光導電材料で構成される。
受容体層は、例えば、アモルフアス水素化シリコ
ン（ａ−Si：Ｈと以後略記する）、PbO，CdSe，
Sb2S2，Se，Se−Te，Se−Te−As，Se−Bi，
ZnCdTe，CdS，Cu2Sアモルフアス水素化ゲルマ
ニウム、アモルフアス水素化GexSi（１−ｘ）、等
の高感度の光導電材料で構成される。
薄膜トランジスターSW，Ｓの半導体部を構成
する半導体薄膜は、例えばCdSe，ａ−Si：Ｈ，
ａ−Ge：Ｈ（アモルフアス水素化ゲルマニウム）、
アモルフアス水素化GexSi（１−ｘ）、多結晶シリ
コン等で構成される。
する半導体薄膜は、例えばCdSe，ａ−Si：Ｈ，
ａ−Ge：Ｈ（アモルフアス水素化ゲルマニウム）、
アモルフアス水素化GexSi（１−ｘ）、多結晶シリ
コン等で構成される。
本発明においては、Ｎ，Ｐ，As，Sb，Bi等の
周期律表第族Ａの元素或いは、Ｂ，Al，Ga，
In，Tl等の周期率表第族Ａの元素を不純物と
してドーピングする事によつてｎ型或いはｐ型に
することが出来ることの利点から、光導電変換要
素の光受容体層及び薄膜トランジスターの半導体
部をａ−Si：Ｈで形成するのが好適とされる。
周期律表第族Ａの元素或いは、Ｂ，Al，Ga，
In，Tl等の周期率表第族Ａの元素を不純物と
してドーピングする事によつてｎ型或いはｐ型に
することが出来ることの利点から、光導電変換要
素の光受容体層及び薄膜トランジスターの半導体
部をａ−Si：Ｈで形成するのが好適とされる。
本発明においては、光受容体層の層厚は、光情
報の入射によつて生ずるホトキヤリアの拡散の度
合により決定されるが、好ましくは4000Å〜2μ
ｍ、より好適には6000Å〜1.5μｍとされるのが望
ましい。又、薄膜トランジスターの半導体薄膜層
の層厚は、絶縁層を介して設けられるゲート電極
に印加される電圧により生じる空乏層領域の層厚
よりも薄いことが望ましく、好ましくは1000Å〜
1μｍ、より好ましくは、4000Å〜1μｍが望まし
いものとされる。
報の入射によつて生ずるホトキヤリアの拡散の度
合により決定されるが、好ましくは4000Å〜2μ
ｍ、より好適には6000Å〜1.5μｍとされるのが望
ましい。又、薄膜トランジスターの半導体薄膜層
の層厚は、絶縁層を介して設けられるゲート電極
に印加される電圧により生じる空乏層領域の層厚
よりも薄いことが望ましく、好ましくは1000Å〜
1μｍ、より好ましくは、4000Å〜1μｍが望まし
いものとされる。
光電変換要素、及び薄膜トランジスターが形成
される基板は、例えば基板側より光電変換要素の
受光面に光情報が入射される場合には、透光性の
材質のものが採用されるが、基板とは反対面上に
形成された光電変換要素側よりその受光面に光情
報が入射される場合には、このような制限は除く
ことが出来る。
される基板は、例えば基板側より光電変換要素の
受光面に光情報が入射される場合には、透光性の
材質のものが採用されるが、基板とは反対面上に
形成された光電変換要素側よりその受光面に光情
報が入射される場合には、このような制限は除く
ことが出来る。
本発明において基板として使用される好適な材
料としては、平面性、表面平滑性、耐熱性、製造
時の諸薬品に対しての耐性に優れたものであれば
通常市販されている或いは入手し得るものの多く
が挙げられる。その様な基板形成材料としては、
具体的には例えば、ガラス、7059番ガラス（コー
ニング社製）、マグネシア、ベリリア、スピネル、
酸化イツトリユウム等の透光性材料、アルミニウ
ムモリブデン、特殊ステンレス鋼（JIS規格SuS）
タンタル等の非透光性金属材料が挙げられる。
料としては、平面性、表面平滑性、耐熱性、製造
時の諸薬品に対しての耐性に優れたものであれば
通常市販されている或いは入手し得るものの多く
が挙げられる。その様な基板形成材料としては、
具体的には例えば、ガラス、7059番ガラス（コー
ニング社製）、マグネシア、ベリリア、スピネル、
酸化イツトリユウム等の透光性材料、アルミニウ
ムモリブデン、特殊ステンレス鋼（JIS規格SuS）
タンタル等の非透光性金属材料が挙げられる。
第３図には、本発明における光電変換要素の構
造を示す模式的斜視図が示される。この実施態様
例では基板材料としてガラスを用い、受光面を基
板の光電変換要素が作られている側に対し、反対
側とする。このため、基板側受光面電極３０２は
Ｎ個の光受容体層に対し、共通に接続され透光性
の材質のものが採用される。例えばSnO2，ITO
（インジユウム錫酸化物）、In2O3等の透光性導電
膜が使用される。
造を示す模式的斜視図が示される。この実施態様
例では基板材料としてガラスを用い、受光面を基
板の光電変換要素が作られている側に対し、反対
側とする。このため、基板側受光面電極３０２は
Ｎ個の光受容体層に対し、共通に接続され透光性
の材質のものが採用される。例えばSnO2，ITO
（インジユウム錫酸化物）、In2O3等の透光性導電
膜が使用される。
光受容体層３０３はnondope，ｎ型或いはｉ型
のａ−Si：Ｈで形成され、受光面側電極３０２、
及び上部画素電極３０５の接合部３０４において
n+型にdopeされる。このn+層３０４は、受光面
及び上部画素電極と光受容体層との間にオーミツ
クな接合をとるために設けられる。
のａ−Si：Ｈで形成され、受光面側電極３０２、
及び上部画素電極３０５の接合部３０４において
n+型にdopeされる。このn+層３０４は、受光面
及び上部画素電極と光受容体層との間にオーミツ
クな接合をとるために設けられる。
上部上画素電極は、Al等の材料が用いられ、
蓄電コンデンサーCE、及び転送用トランジスタ
ーSWに接続される。
蓄電コンデンサーCE、及び転送用トランジスタ
ーSWに接続される。
蓄積コンデンサーCEは絶縁層３０６と、該絶
縁層３０６を挾持する電極３０７，３０８により
構成される。絶縁層３０６の材料としては例えば
グロー放電法で作成されるSi3N4，スパツタ法で
作成されるSiO2，CVD法で作成されるSiO2が挙
げられ、本発明では半導体薄膜を構成するａ−
Si：Ｈがグロー放電で作製しうることから、グロ
ー放電法で作成されるSi3N4が好適とされる。
縁層３０６を挾持する電極３０７，３０８により
構成される。絶縁層３０６の材料としては例えば
グロー放電法で作成されるSi3N4，スパツタ法で
作成されるSiO2，CVD法で作成されるSiO2が挙
げられ、本発明では半導体薄膜を構成するａ−
Si：Ｈがグロー放電で作製しうることから、グロ
ー放電法で作成されるSi3N4が好適とされる。
第４図には薄膜トランジスターの構造を説明す
る為の模式的斜視図が示される。non−dope′n
型、或いはｉ型ａ−Si：Ｈから成る半導体薄膜層
４０４に対し絶縁層４０２をはさんでゲート電極
４０３を形成し、半導体薄膜層４０４の上部には
n+型層４０５をはさんでソース電極４０６、ド
レイン電極４０７が形成される。
る為の模式的斜視図が示される。non−dope′n
型、或いはｉ型ａ−Si：Ｈから成る半導体薄膜層
４０４に対し絶縁層４０２をはさんでゲート電極
４０３を形成し、半導体薄膜層４０４の上部には
n+型層４０５をはさんでソース電極４０６、ド
レイン電極４０７が形成される。
絶縁層４０２の材料としてはグロー放電法で作
成されるSi3N4、スパツタ法で作成されるSiO2，
CVD法で作成されるSiO2等が挙げられ本発明で
はグロー放電法で作成されるSi3N4が好適とされ
る。ゲート電極４０３、ソース電極４０６、及び
ドレイン電極４０７の材料としてはAl等が好適
とされる。
成されるSi3N4、スパツタ法で作成されるSiO2，
CVD法で作成されるSiO2等が挙げられ本発明で
はグロー放電法で作成されるSi3N4が好適とされ
る。ゲート電極４０３、ソース電極４０６、及び
ドレイン電極４０７の材料としてはAl等が好適
とされる。
薄膜トランジスター間の配線、及び薄膜トラン
ジスターと光電変換要素間の電気的な接続は、絶
縁層４０２で電気的に分離された２層の配線パタ
ーンにより接続される。また、これらの２層間の
接続は絶縁層４０２の穴４０９によりスルーホー
ルで接続される。
ジスターと光電変換要素間の電気的な接続は、絶
縁層４０２で電気的に分離された２層の配線パタ
ーンにより接続される。また、これらの２層間の
接続は絶縁層４０２の穴４０９によりスルーホー
ルで接続される。
薄膜トランジスターでシフトレジスターを構成
した場合、第１図のＣ１１，Ｃ１２，…，CN２
で示されるコンデンサーを必要とする。
した場合、第１図のＣ１１，Ｃ１２，…，CN２
で示されるコンデンサーを必要とする。
第５図には、上記コンデンサーを含む薄膜トラ
ンジスターの構造の一例が示される。第５図にお
いて、ゲート電極５０３は、通常の薄膜トランジ
スター構造よりも大きくとられ、絶縁層５０２を
介してソース電極５０７との間に所定の静電容量
を持つように作られる。
ンジスターの構造の一例が示される。第５図にお
いて、ゲート電極５０３は、通常の薄膜トランジ
スター構造よりも大きくとられ、絶縁層５０２を
介してソース電極５０７との間に所定の静電容量
を持つように作られる。
第６図には、本発明における配線パターンの一
例が示される。光電変換要素６０１の上部電極よ
り蓄積コンデンサー６０２、転送用トランジスタ
ー６０３に接続される。シフトレジスターはトラ
ンジスター３０４，６０６，６０７，６０８，６
０９、及びコンデンサーを含むトランジスター６
０５により構成され、これ等の構成がＮ個直列に
組み合される。
例が示される。光電変換要素６０１の上部電極よ
り蓄積コンデンサー６０２、転送用トランジスタ
ー６０３に接続される。シフトレジスターはトラ
ンジスター３０４，６０６，６０７，６０８，６
０９、及びコンデンサーを含むトランジスター６
０５により構成され、これ等の構成がＮ個直列に
組み合される。
第１図は本発明の光電変換装置の等価回路を示
す回路図、第２図は本発明の光電変換装置の動作
のタイミングを示すタイミングチヤート図、第３
図は本発明における光電変換要素の構造を示す模
式的斜視図、第４図は、本発明における薄膜トラ
ンジスターの構造を示す模式的斜視図、第５図は
本発明における転送コンデンサーを含む薄膜トラ
ンジスターの構造を示す模式的斜視図、第６図は
本発明の配線パターンの一例を示す模式的斜視図
である。
す回路図、第２図は本発明の光電変換装置の動作
のタイミングを示すタイミングチヤート図、第３
図は本発明における光電変換要素の構造を示す模
式的斜視図、第４図は、本発明における薄膜トラ
ンジスターの構造を示す模式的斜視図、第５図は
本発明における転送コンデンサーを含む薄膜トラ
ンジスターの構造を示す模式的斜視図、第６図は
本発明の配線パターンの一例を示す模式的斜視図
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 受光面を有する光電変換要素のＮ個が配され
ている光電変換部： 前記光電変換換要素により光電変換された信号
を蓄積する蓄積手段； 該蓄積手段に蓄積された信号電荷を転送するた
めの転送手段； 該転送手段を時系列的に駆動するためのシフト
レジスター； で構成される信号処理回路部： とが同一基板上に具備され、前記光電変換要素、
前記転送手段、及び前記シフトレジスターの各半
導体部が半導体薄膜で構成されるとともに前記転
送手段のトランジスタと前記蓄積手段とに共有さ
れている絶縁層を有することを特徴とする光電変
換装置。 ２ 前記光電変換要素の半導体薄膜がアモルフア
ス水素化シリコンで構成されている特許請求の範
囲第１項に記載の光電変換装置。 ３ 前記光電変換要素の半導体薄膜がアモルフア
ス水素化ゲルマニウムで構成されている特許請求
の範囲第１項に記載の光電変換装置。 ４ 前記光電変換要素の半導体薄膜がアモルフア
ス水素化ゲルマニウムシリコンで構成されている
特許請求の範囲第１項に記載の光電変換装置。 ５ 前記光電変換要素の半導体薄膜が、PbO，
CdSe，Sb2S3，Se，Se−Te，Se−Te−As，Se
−Bi，ZnCdTe，CdS，Cu2Sの中より選択される
光導電材で構成されている特許請求の範囲第１項
に記載の光電変換装置。 ６ 前記転送手段の半導体薄膜がアモルフアス水
素化シリコンで構成されている特許請求の範囲第
１項に記載の光電変換装置。 ７ 前記転送手段の半導体薄膜が多結晶シリコン
構成されている特許請求の範囲第１項に記載の光
電変換装置。 ８ 前記転送手段の半導体薄膜が、CdS、アモル
フアス水素化ゲルマニウム、アモルフアス水素化
ゲルマニウムシリコン、の中より選択される半導
体材料で構成されている特許請求の範囲第１項に
記載の光電変換装置。 ９ 前記シフトレジスターを構成するトランジス
ターが薄膜トランジスターである特許請求の範囲
第１項に記載の光電変換装置。 １０ 前記半導体薄膜の層厚が4000Å〜2μｍで
ある特許請求の範囲第２項に記載の光電変換装
置。 １１ 前記半導体薄膜にはオーミツク接合を介し
て電極が設けられている特許請求の範囲第２項に
記載の光電変換装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4221480A JPS56138969A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Photoelectric converter |
| DE19813112907 DE3112907A1 (de) | 1980-03-31 | 1981-03-31 | "fotoelektrischer festkoerper-umsetzer" |
| US06/558,573 US4461956A (en) | 1980-03-31 | 1983-12-06 | Solid-state photoelectric converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4221480A JPS56138969A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Photoelectric converter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56138969A JPS56138969A (en) | 1981-10-29 |
| JPH022305B2 true JPH022305B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=12629778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4221480A Granted JPS56138969A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Photoelectric converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56138969A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126666A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-07-21 | Seiko Epson Corp | 固体イメ−ジセンサ |
| JPS6064467A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-13 | Seiko Epson Corp | 固体イメ−ジセンサ |
| JPH0612811B2 (ja) * | 1983-04-04 | 1994-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| JPS59188168A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-25 | Seiko Epson Corp | 光電変換装置 |
| JPS59211262A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像検出器およびそれを用いた放射線像検出方法 |
| JPH0682858B2 (ja) * | 1983-05-16 | 1994-10-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像検出方法 |
| JPH03135525A (ja) * | 1983-09-20 | 1991-06-10 | Seiko Epson Corp | 固体イメージセンサーの製造方法 |
| JP2749051B2 (ja) * | 1988-04-01 | 1998-05-13 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | イメージ・センサ・アレイの水平スキャナ |
| JPH0372770A (ja) * | 1990-07-17 | 1991-03-27 | Seiko Epson Corp | 読み取り装置 |
| JP3189990B2 (ja) * | 1991-09-27 | 2001-07-16 | キヤノン株式会社 | 電子回路装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS536517B2 (ja) * | 1975-02-28 | 1978-03-08 | ||
| JPS605107B2 (ja) * | 1976-11-26 | 1985-02-08 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
| JPS54139342A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-29 | Canon Inc | Information processing unit |
| JPS55108781A (en) * | 1979-02-15 | 1980-08-21 | Fuji Xerox Co Ltd | Light receiving element |
-
1980
- 1980-03-31 JP JP4221480A patent/JPS56138969A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56138969A (en) | 1981-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4461956A (en) | Solid-state photoelectric converter | |
| JP3189990B2 (ja) | 電子回路装置 | |
| JPH022304B2 (ja) | ||
| US4517733A (en) | Process for fabricating thin film image pick-up element | |
| JPH0237108B2 (ja) | ||
| JPH03231560A (ja) | 光電変換装置 | |
| US4405857A (en) | Solid-state photoelectric converter | |
| JPH022305B2 (ja) | ||
| US4471371A (en) | Thin film image pickup element | |
| JPS6156912B2 (ja) | ||
| US4788445A (en) | Long array photoelectric converting apparatus with insulated matrix wiring | |
| JPS58221562A (ja) | 原稿読取装置 | |
| JP3154850B2 (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| JPH04261071A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH022299B2 (ja) | ||
| JPH0590557A (ja) | 光電変換装置及び情報処理装置 | |
| JPS639669B2 (ja) | ||
| JPH02229470A (ja) | 光電変換装置 | |
| US4916326A (en) | Long array photoelectric converting apparatus with reduced crosstalk | |
| JPH06236997A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001320546A (ja) | 電子回路装置 | |
| JPS631525B2 (ja) | ||
| JPH02111068A (ja) | 密着形イメージセンサ | |
| JPH065834A (ja) | イメージセンサ | |
| JPH02102573A (ja) | 密着形イメージセンサ |