JPH02232292A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH02232292A JPH02232292A JP1052787A JP5278789A JPH02232292A JP H02232292 A JPH02232292 A JP H02232292A JP 1052787 A JP1052787 A JP 1052787A JP 5278789 A JP5278789 A JP 5278789A JP H02232292 A JPH02232292 A JP H02232292A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない. ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜10
00倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シャッタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない. ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜10
00倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シャッタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、SC*と省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、SC*と省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
S00相を示す液晶化合物(以下、SC“化合物という
。)はこれまでにも検討されてきており、既に数多《の
化合物が合成されている。しかじながら、これらのS0
4化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイッチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (口)高温域において適当な相系列を有すること (ハ)特にキラルネマチック(以下、N”と省略する。
。)はこれまでにも検討されてきており、既に数多《の
化合物が合成されている。しかじながら、これらのS0
4化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイッチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (口)高温域において適当な相系列を有すること (ハ)特にキラルネマチック(以下、N”と省略する。
)相において長い螺旋ピッチを示すこと(二)適当なチ
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (ト)(口)及び(ハ)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をずべて満足するようなものは知られていなかった。
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (ト)(口)及び(ハ)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をずべて満足するようなものは知られていなかった。
そのため、現在では、SC“相を示す液晶組成物(以下
、SC”液晶組成物という。)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
、SC”液晶組成物という。)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭61−1
53623号公報等に示されているように、SC”相の
高温域にN0相を有する液晶において、N1相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にSC*相とN′″相の中間の温度域にスメクチ
ックA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配
向はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左
螺旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる
光学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られ
ている.(ネマチソク(以下.,Nと省略する。)液晶
に光学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長
さに調整することは既に公知の技術である.)シかし、
これらの技術によっては良好な配向性は得られるものの
、高速応答性が得られるわけではなかった。
53623号公報等に示されているように、SC”相の
高温域にN0相を有する液晶において、N1相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にSC*相とN′″相の中間の温度域にスメクチ
ックA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配
向はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左
螺旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる
光学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られ
ている.(ネマチソク(以下.,Nと省略する。)液晶
に光学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長
さに調整することは既に公知の技術である.)シかし、
これらの技術によっては良好な配向性は得られるものの
、高速応答性が得られるわけではなかった。
高速応答性を示すには、例えば、第12回液晶討論会に
おける特別講演(同討論会予稿集p.9B)で示されて
いるように、低粘性のスメクチフクC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、Psと省略する。
おける特別講演(同討論会予稿集p.9B)で示されて
いるように、低粘性のスメクチフクC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、Psと省略する。
)の大きいSC0化合物を添加する方式が優れている.
この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物の
割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなるが
、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長《しようとす
ると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり、
そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得ら
れなくなってしまう問題点があった。
この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物の
割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなるが
、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長《しようとす
ると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり、
そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得ら
れなくなってしまう問題点があった。
また、SC母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・ディスプレイ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
は、例えば、ジャパン・ディスプレイ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
(R,R’はアキラルなアルキル基を表わす。)(R,
R’は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイボール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
R’は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイボール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。
に実現するのは困難なことであった。
本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに・充分に満足できる強誘電性液晶組成
物を提供することにある。
性においてともに・充分に満足できる強誘電性液晶組成
物を提供することにある。
本発明は上記課題を解決するために、中温域母体液晶、
減粘液品及び高温液晶を含有し、スメクチックC相を示
す液晶組成物(以下、本発明で使用するSC母体液晶と
いう.)に、光学活性化合物から成るキラルドーパント
を添加して成る強誘電性液晶組成物であって、特に高温
液晶が次の一般式(A)で表わされる化合物の少なくと
も1種を含有し、室温を含む広い温度範囲でSC0相を
示す強誘電性液晶組成物を提供する。
減粘液品及び高温液晶を含有し、スメクチックC相を示
す液晶組成物(以下、本発明で使用するSC母体液晶と
いう.)に、光学活性化合物から成るキラルドーパント
を添加して成る強誘電性液晶組成物であって、特に高温
液晶が次の一般式(A)で表わされる化合物の少なくと
も1種を含有し、室温を含む広い温度範囲でSC0相を
示す強誘電性液晶組成物を提供する。
式中、R”,Rゝは、各々独立的に炭素原子数1〜18
の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアを表わす.) 一般式(A)において、Rゝはアルキル基である場合が
好ましい。特に(A−1)、R′″カアルp る化合物、(A−2)、R”がアルキル基であっましい
. 本発明で使用するSC母体液晶は、そのSC相の高温側
において、降温時に、 (イ)I(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (口)■相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)I相→N相→SC相の相系列を有するもの 又は (二)■相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、(イ)〜(二)の
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
.最も繁用性のあるのは(イ)であり、キラルドーパン
トのネマチック性(SC母体液晶に添加した場合に、N
”相の温度範囲を広げ、SA相の温度範囲を狭《しやす
い傾向》が強い場合には(口)を、キラルドーパントの
スメクチックA性(SC母体液晶に添加した場合に、S
A相の温度範囲を広げ、N4相の温度範囲を狭くしやす
い傾向)が強い場合には(ハ)を、また、SC性が弱く
、N0相やSA相の温度範囲を広げやすい場合などには
(二)を用いるのが、最も適している.重要であるのは
SC1′液晶組成物とした場合の相系列であって、一般
的には、I→N0→SA4SC”の相系列が配向性の点
で有利である.一方、I−N”→SC3の相系列も配向
制御方法によっては、より良好な配向を示す場合もあり
、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト・ホス
ト方式などには適している.本発明で使用するSC母体
液晶は、従来用いられてきたようなSC相を示す化合物
から成る組成物を用いることもできるが、より高速応答
性を得るためには、以下に示すような組成物がより好ま
しい. 即ち、(1)主として2環構造であり、室温に近い温度
でSC相を示す化合物又はその同族体(アルキル鎖のみ
が異なる化合物)から成る組成物(以下、中温域母体液
晶という.)に、(■)2環構造であり、分子中に極性
基が少なく、低粘性の化合物(以下、減粘液晶という.
)を加えて粘度を低くし、 (III)減粘液晶を加えることによって低下したSC
相の上限温度を高くするために、TC点(SC相又はs
c”相の上限温度を表わす。)が高く、3環以上の環構
造を有する化合物又はその同族体から成る組成物(以下
、高温液晶という.)を加えて成る組成物である。
の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアを表わす.) 一般式(A)において、Rゝはアルキル基である場合が
好ましい。特に(A−1)、R′″カアルp る化合物、(A−2)、R”がアルキル基であっましい
. 本発明で使用するSC母体液晶は、そのSC相の高温側
において、降温時に、 (イ)I(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (口)■相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)I相→N相→SC相の相系列を有するもの 又は (二)■相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、(イ)〜(二)の
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
.最も繁用性のあるのは(イ)であり、キラルドーパン
トのネマチック性(SC母体液晶に添加した場合に、N
”相の温度範囲を広げ、SA相の温度範囲を狭《しやす
い傾向》が強い場合には(口)を、キラルドーパントの
スメクチックA性(SC母体液晶に添加した場合に、S
A相の温度範囲を広げ、N4相の温度範囲を狭くしやす
い傾向)が強い場合には(ハ)を、また、SC性が弱く
、N0相やSA相の温度範囲を広げやすい場合などには
(二)を用いるのが、最も適している.重要であるのは
SC1′液晶組成物とした場合の相系列であって、一般
的には、I→N0→SA4SC”の相系列が配向性の点
で有利である.一方、I−N”→SC3の相系列も配向
制御方法によっては、より良好な配向を示す場合もあり
、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト・ホス
ト方式などには適している.本発明で使用するSC母体
液晶は、従来用いられてきたようなSC相を示す化合物
から成る組成物を用いることもできるが、より高速応答
性を得るためには、以下に示すような組成物がより好ま
しい. 即ち、(1)主として2環構造であり、室温に近い温度
でSC相を示す化合物又はその同族体(アルキル鎖のみ
が異なる化合物)から成る組成物(以下、中温域母体液
晶という.)に、(■)2環構造であり、分子中に極性
基が少なく、低粘性の化合物(以下、減粘液晶という.
)を加えて粘度を低くし、 (III)減粘液晶を加えることによって低下したSC
相の上限温度を高くするために、TC点(SC相又はs
c”相の上限温度を表わす。)が高く、3環以上の環構
造を有する化合物又はその同族体から成る組成物(以下
、高温液晶という.)を加えて成る組成物である。
(1)中温域母体液晶
本発明で用いる中温域母体液晶とは、それを構成する液
晶化合物が、光学的に不活性であり、2環又は3環構造
であって、3環構造の場合には、少なくとも1環はシク
ロヘキシル環であって、SC相を示す化合物又は、その
アルキル鎖の炭素原子数、形状のみが異った同族体から
成り、その同族体中の少なくとも1種の化合物は10℃
以上における任意の1゜C以上の温度巾の範囲でモノト
ロビックでもよいSC相を示す化合物である。ただし、
3環構造の場合には、SC相の上限温度が90゜C未満
である液晶であり、10゜C〜80℃における任意のl
O℃以上の温度中でモノトロビックでもよいSC相を示
すものである. 中温域母体として用いられる化合物の代表的なものを以
下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、Rl
,R!は各々独立的に炭素原子数1〜18のアルキル基
を表わす. ( 1 −a) ( 1 −b) ( I −a−63) R1色一か012. N F ( I −a−65) ( 1 −a−66) ( 1 −a−67) R,唖l嵯OR2 N R.や→トOR2 N R{ν伽OR. N (I−c) ( 1 −c−14) R10+COO−C温OCOOR2 N ( I −c−15) R10{防C00{溺COOR. N F ( I −c−17) FllCOO+coo{YCOOR! N p ( 1 −c−19) ( I −c−20) R,OCO{防coo灸COOR. N R.O{(防cooペンCOORz N ( 1 −c−52) R10+COO−@−R− ( I −d) ( I −e) (be−1) ( 1 −e−2) ( 1 −d−15) RIS−@−C00{浸OR! ( r −d−21) RIO−4防cosで>OR. N−N ρ ( r −f) (II) 減粘液晶 本発明で用いる減粘液晶とは、低粘度の液晶化合物又は
組成物であって、構成する低粘度化合物は2環構造であ
って必ずしもSC相を示さなくてもよいが、中温域母体
液晶に添加することにより、応答性の向上に寄与するも
のであり、両側鎖の少なくとも一方は、アルキル基であ
り、特に望ましくは両側鎖がアルキル基である化合物で
あって、分子内に含まれるエステル結合は工個以下であ
ることを特徴とするものである。
晶化合物が、光学的に不活性であり、2環又は3環構造
であって、3環構造の場合には、少なくとも1環はシク
ロヘキシル環であって、SC相を示す化合物又は、その
アルキル鎖の炭素原子数、形状のみが異った同族体から
成り、その同族体中の少なくとも1種の化合物は10℃
以上における任意の1゜C以上の温度巾の範囲でモノト
ロビックでもよいSC相を示す化合物である。ただし、
3環構造の場合には、SC相の上限温度が90゜C未満
である液晶であり、10゜C〜80℃における任意のl
O℃以上の温度中でモノトロビックでもよいSC相を示
すものである. 中温域母体として用いられる化合物の代表的なものを以
下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、Rl
,R!は各々独立的に炭素原子数1〜18のアルキル基
を表わす. ( 1 −a) ( 1 −b) ( I −a−63) R1色一か012. N F ( I −a−65) ( 1 −a−66) ( 1 −a−67) R,唖l嵯OR2 N R.や→トOR2 N R{ν伽OR. N (I−c) ( 1 −c−14) R10+COO−C温OCOOR2 N ( I −c−15) R10{防C00{溺COOR. N F ( I −c−17) FllCOO+coo{YCOOR! N p ( 1 −c−19) ( I −c−20) R,OCO{防coo灸COOR. N R.O{(防cooペンCOORz N ( 1 −c−52) R10+COO−@−R− ( I −d) ( I −e) (be−1) ( 1 −e−2) ( 1 −d−15) RIS−@−C00{浸OR! ( r −d−21) RIO−4防cosで>OR. N−N ρ ( r −f) (II) 減粘液晶 本発明で用いる減粘液晶とは、低粘度の液晶化合物又は
組成物であって、構成する低粘度化合物は2環構造であ
って必ずしもSC相を示さなくてもよいが、中温域母体
液晶に添加することにより、応答性の向上に寄与するも
のであり、両側鎖の少なくとも一方は、アルキル基であ
り、特に望ましくは両側鎖がアルキル基である化合物で
あって、分子内に含まれるエステル結合は工個以下であ
ることを特徴とするものである。
滅粘液晶として用いられる化合物の代表的なものを以下
に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R,,
R.は各々独立的に炭素原子数1〜12のアルキル基を
表わす。
に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R,,
R.は各々独立的に炭素原子数1〜12のアルキル基を
表わす。
(II−a)
(IN−b)
(■−b−15)
R,O−ぐ=)一CH.06R.
( II −b−16)
R+{へCH.O{X}lg
( U −b−18)
R1不ト113へ嵯R2
(■−b−19)
( II −b−20)
( n −b−21)
( II −b−22)
R,O舎CHffiO合R2
F
R,0侶Hco.oよXR2
R,0舎CH.0{糾R2
R.{}CH!0{今痛
(ff−c)
(II−c−4)
( II −c−5)
( U −c−6)
( n −c−7)
( If −c−8)
(II−c−9)
(II−c−1.0)
( II −c−11)
?,るCH!CI.合R2
Rイ仝cnzcnz合R2
R,←〈覆}CH,CII→(=4−R2Rべ今CHz
CHz4吸R2 R{今C}l!CI■−DOR. F R.{今CO!CHべ嵯OR, R+{÷co.cu.《吸onz R,舎CH.Clh合OCOR■ ( El −d) ( n −d−13) R,擾X◇xR! N (n−d−14) R.−{◇{トR2 N p (n−d−17) R,炸か◇XRz N (II −d−18) R,−&鉢やXR! N−N (n−d−19) R=n R= N ( If −d−20) ?,奮バ所R■ (n−e) ( I[ −e−3) ( n −e−4) (n−e−5) (II−e−6) (II−e−7) (II−e−8) R.O−@−C=C−@−R− F RIO依防C=C会R! F R,4cミC{(Σ)−Rt F R,04−C=C−@−R, F R.0+C=C−6R. F R,0−@−C=iC−6−R, (I!−e−9) R,+C=C擾ΣR2 以上の化合物のうち、中温域母体液晶としては、式(1
−a)及び式(1−b)で表わされる化合物が好ましく
、式(I−a−1)、式(1−a−2)、式(I−a−
5)、式(1−a−6),式(1−a−41)、式(
1 − a−42)及び式(I−b−1)で表わされる
化合物が特に好ましい。減粘液晶としては、式(II−
a)及び式(II一b)で表わされる化合物が好ましく
、式(II−a−1)式(II−a−6)及び式(II
−b−1)で表わされる化合物が特に好ましい。
CHz4吸R2 R{今C}l!CI■−DOR. F R.{今CO!CHべ嵯OR, R+{÷co.cu.《吸onz R,舎CH.Clh合OCOR■ ( El −d) ( n −d−13) R,擾X◇xR! N (n−d−14) R.−{◇{トR2 N p (n−d−17) R,炸か◇XRz N (II −d−18) R,−&鉢やXR! N−N (n−d−19) R=n R= N ( If −d−20) ?,奮バ所R■ (n−e) ( I[ −e−3) ( n −e−4) (n−e−5) (II−e−6) (II−e−7) (II−e−8) R.O−@−C=C−@−R− F RIO依防C=C会R! F R,4cミC{(Σ)−Rt F R,04−C=C−@−R, F R.0+C=C−6R. F R,0−@−C=iC−6−R, (I!−e−9) R,+C=C擾ΣR2 以上の化合物のうち、中温域母体液晶としては、式(1
−a)及び式(1−b)で表わされる化合物が好ましく
、式(I−a−1)、式(1−a−2)、式(I−a−
5)、式(1−a−6),式(1−a−41)、式(
1 − a−42)及び式(I−b−1)で表わされる
化合物が特に好ましい。減粘液晶としては、式(II−
a)及び式(II一b)で表わされる化合物が好ましく
、式(II−a−1)式(II−a−6)及び式(II
−b−1)で表わされる化合物が特に好ましい。
(II!) 高温液晶
本発明で用いる高温液晶とは、3環あるいは4環構造か
らなる光学的に不活性な化合物、あるいはそれから成る
組成物であって、各化合物は前記中温域液晶からなるS
C相の上限温度(以下、Tcと略称する.)が50〜6
0℃の組成物に10%混合した際に、そのTcを3 ’
C以上上昇しうるものであり、好ましくは、少なくとも
2環は芳香環( 1.4−フエニレン,ビリミジン−2
.5−ジイル,ピラジン−2,5−ジイル,ピリジン−
2.5−ジイル.あるいはそのフッ素置換体)であり、
Tcが90℃以上で、かつ、SC相の温度域が5℃以上
の温度幅を有する化合物、あるいは、その側鎖のアルキ
ル基の炭素原子数あるいはその形状が異った同族体であ
り、特に、前記一般式(A)で表わされる化合物を少な
くとも1種構成要素として含有することを特徴とするも
のである。
らなる光学的に不活性な化合物、あるいはそれから成る
組成物であって、各化合物は前記中温域液晶からなるS
C相の上限温度(以下、Tcと略称する.)が50〜6
0℃の組成物に10%混合した際に、そのTcを3 ’
C以上上昇しうるものであり、好ましくは、少なくとも
2環は芳香環( 1.4−フエニレン,ビリミジン−2
.5−ジイル,ピラジン−2,5−ジイル,ピリジン−
2.5−ジイル.あるいはそのフッ素置換体)であり、
Tcが90℃以上で、かつ、SC相の温度域が5℃以上
の温度幅を有する化合物、あるいは、その側鎖のアルキ
ル基の炭素原子数あるいはその形状が異った同族体であ
り、特に、前記一般式(A)で表わされる化合物を少な
くとも1種構成要素として含有することを特徴とするも
のである。
一般式(A)で表わされる化合物として具体的には、以
下の化合物を挙げることができる.目 目 目 目 Ll’)C/5 i↑ 上記中、Cは結晶相、SCはスメクチフクC相、SAは
スメクチックA相、Nはネマチック相、SGはスメクチ
ックG相、SFはスメクチックF相、■は等方性液体相
を各々表わす. 高温液晶としては、以下の一般式(D)で表わされる化
合物が、前記一般式(A)の化合物と併用して使用する
ことができる. 式中、Rl及びR!は各々独立的に炭素原子数1〜l8
の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わし、X宜及びX
!は各々独立的にーo−, −coo−−oco−,−
s−,又は単結合を表わし、Z1及び21は各々独立的
にーcoo−, −oco−, −CHzO−OCHz
, COS , SCO , Cl{t
−CHz一一〇ミC−.又は単結合を表わし、 水素原子のフッ素原子置換体を表わすが、好ましくは、
X′及びX″は少なくとも1個は単結合で好ましい.高
温液晶の配合割合は1〜70重量%が好ましく、5〜6
0重量%が特に好ましい。
下の化合物を挙げることができる.目 目 目 目 Ll’)C/5 i↑ 上記中、Cは結晶相、SCはスメクチフクC相、SAは
スメクチックA相、Nはネマチック相、SGはスメクチ
ックG相、SFはスメクチックF相、■は等方性液体相
を各々表わす. 高温液晶としては、以下の一般式(D)で表わされる化
合物が、前記一般式(A)の化合物と併用して使用する
ことができる. 式中、Rl及びR!は各々独立的に炭素原子数1〜l8
の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わし、X宜及びX
!は各々独立的にーo−, −coo−−oco−,−
s−,又は単結合を表わし、Z1及び21は各々独立的
にーcoo−, −oco−, −CHzO−OCHz
, COS , SCO , Cl{t
−CHz一一〇ミC−.又は単結合を表わし、 水素原子のフッ素原子置換体を表わすが、好ましくは、
X′及びX″は少なくとも1個は単結合で好ましい.高
温液晶の配合割合は1〜70重量%が好ましく、5〜6
0重量%が特に好ましい。
高温液晶中に、上記一般式(A)で示される化合物は1
0%以上、特に50%以上含まれることが好ましい。
0%以上、特に50%以上含まれることが好ましい。
フッ素原子置換体)であり、そのうちの少なくと前記中
温域母体液晶、減粘液品及び高温液晶からなるSC母体
液晶において、中温域母体液晶の配合割合は、1〜90
重量%が好ましく、5〜75重量%が特に好ましい。減
粘液晶の配合割合は1〜50重量%が好ましく、5〜4
0i量%が特に本発明で使用するキラルドーパントとし
ては、(1)SC”相を示す化合物、(2) S C
”相以外の液晶相のみを示す化合物又は(3)液晶性を
全く示さない化合物を用いることができるが、(3)の
場合には、SC母体液晶に添加して得られるS01液晶
組成物の液晶性が低下する傾向を防止するために、液晶
141uの骨格を有する化合物を用いることが好ましい
。
温域母体液晶、減粘液品及び高温液晶からなるSC母体
液晶において、中温域母体液晶の配合割合は、1〜90
重量%が好ましく、5〜75重量%が特に好ましい。減
粘液晶の配合割合は1〜50重量%が好ましく、5〜4
0i量%が特に本発明で使用するキラルドーパントとし
ては、(1)SC”相を示す化合物、(2) S C
”相以外の液晶相のみを示す化合物又は(3)液晶性を
全く示さない化合物を用いることができるが、(3)の
場合には、SC母体液晶に添加して得られるS01液晶
組成物の液晶性が低下する傾向を防止するために、液晶
141uの骨格を有する化合物を用いることが好ましい
。
キラルドーパントがSC0液晶組成物にもたらす諸物性
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
パントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。
これまでキラルドーパント、S00化合物又はネマチッ
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。
(IV−2)
(IV−3 )
(IV−4)
(IV−7)
CI.
1・
−O{−CHz+rCH CzHs
CH.
+ CHx+T−0 +CI!−)−T−CH C!
IsCI{3 −o+ CIlzh−0 + Ctb +T−CH
CJsCH3 {−CHr+t−CO Rs Clh 1・ (IV 1 ) + Cut +−rCH
CJs(IV−8) CH3 −O+COr±,CHR3 (IV−21) CI! −S +CH z +r CH (CH t+T−(J
I3(IV−53) CH3 CHORs (IV−55) F O CH! CH RS (IV−62) CF, 1廟 −O−CO−RS 上記各一般式において、mは1〜4の整数を表わし、n
は1〜10の整数を表わし、R,は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R,は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、R.は炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
IsCI{3 −o+ CIlzh−0 + Ctb +T−CH
CJsCH3 {−CHr+t−CO Rs Clh 1・ (IV 1 ) + Cut +−rCH
CJs(IV−8) CH3 −O+COr±,CHR3 (IV−21) CI! −S +CH z +r CH (CH t+T−(J
I3(IV−53) CH3 CHORs (IV−55) F O CH! CH RS (IV−62) CF, 1廟 −O−CO−RS 上記各一般式において、mは1〜4の整数を表わし、n
は1〜10の整数を表わし、R,は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R,は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、R.は炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
光学活性基として、式(IV− 1 )〜(IV−22
)で表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合
物ではSC母体液晶に添加してS03液晶組成物とした
際に誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でS
00相を示す場合でもそのほとんどが10nC/cm”
以下にすぎない。
)で表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合
物ではSC母体液晶に添加してS03液晶組成物とした
際に誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でS
00相を示す場合でもそのほとんどが10nC/cm”
以下にすぎない。
一方、光学活性基として、式(IV−31)〜(■−9
1)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物
は、SC母体液晶に添加してS01液晶組成物とした際
に誘起する自発分極が大きいものが多《、単独でSC”
相を示す場合などでは300nC/cm”以上の大きな
値を示すものも存在する。
1)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物
は、SC母体液晶に添加してS01液晶組成物とした際
に誘起する自発分極が大きいものが多《、単独でSC”
相を示す場合などでは300nC/cm”以上の大きな
値を示すものも存在する。
このような光学活性基を末端に有するような光学活性化
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。
CHs
CL
(V−18)
{〉CIzCElべ公
(V−61)
lバ}
(V−63)
ー0■}
(V−64)
徊べ}
(V−65)
ー〈:金K}
(V−66)
−○雪
(V−90)
−CトOXoc・−0
(V−114)
◇}ocぺ今{}
(V−138)
※}OCR.4トの
(V−157)
■)−oco吾
(V−158)
{}OCH冨{}
(V−159)
−{E}−cooや8公
(V−160)
召)−oco令8金
(V−161)
◇}cHzo+及
(V−162)
−CJ)−0cHzヤ8公
(V−186)
noCHg−(:O)
(V−205)
℃R}HCHtや
(V −206)
WoCH!J今
( V − 207)
徊べE)−coo −{:今
( V − 208)
=■}OCO {}
(V−209)
夕べ}CH!0{}
(V−210)
徊旨}OCHz{8
(V−234)
?旨吟OCfl■{}
(V−254)
0R}OCH2■
(V−255)
Qべ}000K羽
(V−256)
QRIE>−oco −0
(V−257)
+cHto0
(V−258)
0べ}OCHZ分
(V−446)
慢Pジ・
(V−447)
畳coo祖治入
(V−448)
合oco℃給ス
(V−449)
合cu.o−@凶兆
(V−450)
合OCH!−@巳ス
(V−451)
[相]4ンメ
(V−479)
{い00ぺ人
(V−501)
やバ佐oco赫
(V−502)
{バ俊CO,O赫
(V−503)
{旨(9)OCHt松ス
(V−504)
旨}C00松休
(V−505)
※X幣oco人人
(V−506)
(バ}OCR!0享
(V−507)
$OCH詠込
(V−532)
や巴隆4
CN
上記各基本骨格中のベンゼン環あるいはシクロヘキサン
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
以上のような基本骨格の片側もしくは両側に前記キラル
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式(B) Q”−Z−Q” 〔式中、Q”及びQ2”は互いに異なった光学活性基で
あって、各光学活性基は少なくとも1個の不斉炭素原子
を有し、かつ、Q”及びQハのうち少なくとも1方の基
は、不斉炭素原子が酸素、イオウ、窒素、フッ素、塩素
あるいはーC一又は−C,:Nと直結した構造を有する
,,Zは一般式(C) ?れらの環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子
又はシアノ基に置換した構造を表わし、Yl及びY!は
各々独立的に単結合、− COO −OCO C
O z0 0CH ! CI■CI!−−
c=c− −cos一又は−SCO一を表わし、mは
O又は1を表わす。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す.] で表わされる光学活性化合物が好ましい.一般式(B)
で表わされる光学活性化合物において、各キラル基が同
一でなく、かつ、その少なくとも一方が、その不斉炭素
原子が酸素(0)、イオウ(S)、チッ素(N)、フッ
素(F)、塩素(CZ)等のへテロ原子あるいはCSC
Nに直結した構造であることが好ましい.特に、少なく
とも一方の基は前記(IV−31)〜(IV−101)
で表わされる基のいずれかであることが望ましい.この
ように、基本骨格の両側に互いに異ったキラル基が結合
した光学活性化合物を用いることによる利点として以下
の点を挙げることができる.(1)片側にのみキラル基
を有する化合物より強い自発分極を示しうる. 即ち、前記(IV−31)〜(IV−101)で表わさ
れる基から選ばれるキラル基と(IV−1)〜(TV−
22)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨
格の両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基
としては(IV−31)〜(■−101)で表わされる
基から選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基で
ある化合物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外
挿値として自発分権を求めてみると、両側にキラル基を
有する化合物の方が10〜30nC/cm”あるいはそ
れ以上大きい,(IV−1)〜(IV− 2 2 )で
表わされる基に由来する自発分極はたかだか10nC/
cd程度であるので、両側のキラル基による自発分極の
単純和よりも大きくなっていることがわかる.さらに(
mV−31)〜(IV−101)で表わされる基から選
ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基本骨格
の両側に有するような化合物では、両方のキラル基によ
る自発分極の極性(よく知られた強誘電性液晶である(
S)−2−メチルブチルb−デシルオキシベンジリデン
アミノフェニルシンナメート(DOBAMBC)の極性
をeと決める.)を同一にあわせた場合には非常に大き
い自発分極を得ることができる。
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式(B) Q”−Z−Q” 〔式中、Q”及びQ2”は互いに異なった光学活性基で
あって、各光学活性基は少なくとも1個の不斉炭素原子
を有し、かつ、Q”及びQハのうち少なくとも1方の基
は、不斉炭素原子が酸素、イオウ、窒素、フッ素、塩素
あるいはーC一又は−C,:Nと直結した構造を有する
,,Zは一般式(C) ?れらの環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子
又はシアノ基に置換した構造を表わし、Yl及びY!は
各々独立的に単結合、− COO −OCO C
O z0 0CH ! CI■CI!−−
c=c− −cos一又は−SCO一を表わし、mは
O又は1を表わす。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す.] で表わされる光学活性化合物が好ましい.一般式(B)
で表わされる光学活性化合物において、各キラル基が同
一でなく、かつ、その少なくとも一方が、その不斉炭素
原子が酸素(0)、イオウ(S)、チッ素(N)、フッ
素(F)、塩素(CZ)等のへテロ原子あるいはCSC
Nに直結した構造であることが好ましい.特に、少なく
とも一方の基は前記(IV−31)〜(IV−101)
で表わされる基のいずれかであることが望ましい.この
ように、基本骨格の両側に互いに異ったキラル基が結合
した光学活性化合物を用いることによる利点として以下
の点を挙げることができる.(1)片側にのみキラル基
を有する化合物より強い自発分極を示しうる. 即ち、前記(IV−31)〜(IV−101)で表わさ
れる基から選ばれるキラル基と(IV−1)〜(TV−
22)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨
格の両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基
としては(IV−31)〜(■−101)で表わされる
基から選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基で
ある化合物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外
挿値として自発分権を求めてみると、両側にキラル基を
有する化合物の方が10〜30nC/cm”あるいはそ
れ以上大きい,(IV−1)〜(IV− 2 2 )で
表わされる基に由来する自発分極はたかだか10nC/
cd程度であるので、両側のキラル基による自発分極の
単純和よりも大きくなっていることがわかる.さらに(
mV−31)〜(IV−101)で表わされる基から選
ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基本骨格
の両側に有するような化合物では、両方のキラル基によ
る自発分極の極性(よく知られた強誘電性液晶である(
S)−2−メチルブチルb−デシルオキシベンジリデン
アミノフェニルシンナメート(DOBAMBC)の極性
をeと決める.)を同一にあわせた場合には非常に大き
い自発分極を得ることができる。
この場合には両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りもさらに1 0 0 nC/cra”あるいはそれ以
上に大きな自発分極を得ることもできる。
りもさらに1 0 0 nC/cra”あるいはそれ以
上に大きな自発分極を得ることもできる。
キラルドーパントとしてはその誘起しうる自発分極が大
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、S
C0液晶組成物の低粘度化が可能となる.結果として、
応答性の向上につながるものである. (2) N”相あるいはsc”相に誘起する螺旋ピッ
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、S
C0液晶組成物の低粘度化が可能となる.結果として、
応答性の向上につながるものである. (2) N”相あるいはsc”相に誘起する螺旋ピッ
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
前述のように良好な配同性を得るためには、そのN″I
相あるいはS00相における螺旋ピッチが長いことが重
要である.キラルドーパントは全体として螺旋ピッチが
調整されていればよいのであって、個々の化合物につい
ては、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの
主成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調
整が容易である.また、螺旋ピッチ調整を主目的として
加える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加
量を押えることができるので好都合である。
相あるいはS00相における螺旋ピッチが長いことが重
要である.キラルドーパントは全体として螺旋ピッチが
調整されていればよいのであって、個々の化合物につい
ては、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの
主成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調
整が容易である.また、螺旋ピッチ調整を主目的として
加える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加
量を押えることができるので好都合である。
螺旋ピッチを長くするには、両側のキラル基による螺旋
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(IV−101)で表わされる基から選ばれる基を
両側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一で
あることが好ましい。
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(IV−101)で表わされる基から選ばれる基を
両側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一で
あることが好ましい。
(3)大きな自発分極を示しうる特に(IV−31)〜
(IV−101)で表わされる基から選ばれるキラル基
であって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得
られたものは、その光学純度は必ずしも100%ではな
いものが多いが、これらを100%に精製するのはかな
り困難である。しかしながら、天然物から得られた(S
)−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微
生物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高い
キラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマー
となるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が
容易となり光学純度を100%に近づけることができる
。
(IV−101)で表わされる基から選ばれるキラル基
であって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得
られたものは、その光学純度は必ずしも100%ではな
いものが多いが、これらを100%に精製するのはかな
り困難である。しかしながら、天然物から得られた(S
)−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微
生物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高い
キラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマー
となるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が
容易となり光学純度を100%に近づけることができる
。
一般式(B)の化合物は、キラルドーパントの構成成分
としてlO%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である. 一般式(B)の化合物中で、特に好ましい基本骨格とキ
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す. 上記一般式中、R4及びR4′は各々独立的に炭素原子
数2〜1oのアルキル基を表わし、Rs及びR , /
は各々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わ
し、R,は炭素原子数2〜10の直鎖状のアルキル基又
は炭素原子数3〜10の分岐状のアルキル基、又は炭素
原子数4〜10の少なくとも1個の不斉炭素を含む光学
的活性なアルキル基を表わし、2はO〜5の整数を表わ
し、Yは単結合、−o−. −oco−. −coo−
.又はーocoo −を表わし、Wは、塩素フッ素又は
一〇 CH3を表わし、2′は、 −COO−. −OCO−, CI,0, OCIIi
.又は単結合を水素原子がフッ素原子又はシアノ基と置
換されていてもよい. 上記のキラルドーパントは、SC母体液晶中に1〜60
重景%の割合で添加してSC*液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重量%の
割合で添加することが好ましい.キラルドーパントの添
加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、S01液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない。また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない.一方、キラル
ドーパントの添加割合が1重景%より少ないと、自発分
極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない。
としてlO%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である. 一般式(B)の化合物中で、特に好ましい基本骨格とキ
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す. 上記一般式中、R4及びR4′は各々独立的に炭素原子
数2〜1oのアルキル基を表わし、Rs及びR , /
は各々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わ
し、R,は炭素原子数2〜10の直鎖状のアルキル基又
は炭素原子数3〜10の分岐状のアルキル基、又は炭素
原子数4〜10の少なくとも1個の不斉炭素を含む光学
的活性なアルキル基を表わし、2はO〜5の整数を表わ
し、Yは単結合、−o−. −oco−. −coo−
.又はーocoo −を表わし、Wは、塩素フッ素又は
一〇 CH3を表わし、2′は、 −COO−. −OCO−, CI,0, OCIIi
.又は単結合を水素原子がフッ素原子又はシアノ基と置
換されていてもよい. 上記のキラルドーパントは、SC母体液晶中に1〜60
重景%の割合で添加してSC*液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重量%の
割合で添加することが好ましい.キラルドーパントの添
加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、S01液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない。また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない.一方、キラル
ドーパントの添加割合が1重景%より少ないと、自発分
極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない。
S01液晶組成物の自発分極の値は、3〜30nC/c
m”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合を
調整することが好ましく、S09相を示すキラルドーパ
ントの場合、単独で100nC/c1l!程度の自発分
極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起
するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加
割合はlO〜40重景%の範囲が好ましく、3 0 0
nC/cm”以上の強い自発分極を示すキラルドーパ
ントの場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25
重景%の範囲が好ましい.キラルドーパントの誘起する
自発分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少す
るが、例示した光学活性化合物からなるキラルドーパン
トではその添加割合が1重量%を下回ることはない. 本発明のSC0液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてN0相、次いでSA相を経てS09相へと
相転移するが、その際N″相からSA相への相転移温度
(以下N”−SA点という。)から、該N” −SA点
の1度高温側までにおけるN*相に出現する螺旋のピッ
チが3μm以上であるS01液晶組成物がより好ましく
、該螺旋のピッチが10μm以上であり、N“一SA点
に近づくにつれて該螺旋のピッチが発散的に大きくなる
SC*液晶組成物が特に好ましい。
m”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合を
調整することが好ましく、S09相を示すキラルドーパ
ントの場合、単独で100nC/c1l!程度の自発分
極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起
するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加
割合はlO〜40重景%の範囲が好ましく、3 0 0
nC/cm”以上の強い自発分極を示すキラルドーパ
ントの場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25
重景%の範囲が好ましい.キラルドーパントの誘起する
自発分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少す
るが、例示した光学活性化合物からなるキラルドーパン
トではその添加割合が1重量%を下回ることはない. 本発明のSC0液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてN0相、次いでSA相を経てS09相へと
相転移するが、その際N″相からSA相への相転移温度
(以下N”−SA点という。)から、該N” −SA点
の1度高温側までにおけるN*相に出現する螺旋のピッ
チが3μm以上であるS01液晶組成物がより好ましく
、該螺旋のピッチが10μm以上であり、N“一SA点
に近づくにつれて該螺旋のピッチが発散的に大きくなる
SC*液晶組成物が特に好ましい。
一般式(A)の光学活性化合物のうち、両側のキラル基
Rl”+p,1)によってN1相に誘起される螺旋の向
きが互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺
旋ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラル
ドーパントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ
調整が不要であるか、あるいは容易であることが多いが
、一般的には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整す
ることができる. 複数の光学活性化合物を含むSC′″液晶組成物のN1
相に出現する螺旋のとッチP(μm)は各光学活性物質
の濃度をCi、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをPi
(μm)とするとおり、 (ここでは螺旋のピッチ
は右巻きを正、左巻きを負とする.)、これを用いてS
00液晶組成物のSA−N′点T0におけるP1をP,
1とする時、となるようにCiを選べばよい.ここでP
LはN相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物を
単位濃度添加することにより測定が可能である.実際に
はT0は各Ciによって変化するが、各光学活性化合物
を該SC母体液晶中に、濃度ΣCk直 だけ添加したときのSA−N”点の変化などから、かな
り正確にN准できることが多く、推定値T 0rとそれ
を用いて選ばれた組成物のT0とが大きく異なる場合に
は7+ , lに換えてT0を用いて再度測定すればよ
い. 本発明のSC*液晶組成物のN*相を示す温度範囲は、
3度以上30度未満の範囲が好ましい。
Rl”+p,1)によってN1相に誘起される螺旋の向
きが互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺
旋ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラル
ドーパントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ
調整が不要であるか、あるいは容易であることが多いが
、一般的には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整す
ることができる. 複数の光学活性化合物を含むSC′″液晶組成物のN1
相に出現する螺旋のとッチP(μm)は各光学活性物質
の濃度をCi、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをPi
(μm)とするとおり、 (ここでは螺旋のピッチ
は右巻きを正、左巻きを負とする.)、これを用いてS
00液晶組成物のSA−N′点T0におけるP1をP,
1とする時、となるようにCiを選べばよい.ここでP
LはN相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物を
単位濃度添加することにより測定が可能である.実際に
はT0は各Ciによって変化するが、各光学活性化合物
を該SC母体液晶中に、濃度ΣCk直 だけ添加したときのSA−N”点の変化などから、かな
り正確にN准できることが多く、推定値T 0rとそれ
を用いて選ばれた組成物のT0とが大きく異なる場合に
は7+ , lに換えてT0を用いて再度測定すればよ
い. 本発明のSC*液晶組成物のN*相を示す温度範囲は、
3度以上30度未満の範囲が好ましい。
N”相を示す温度範囲が、3度未満である場合、降温時
にすみやかにSA相に相転移するため、N”相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い.また、N“相を示す温度範囲が30度以上である場
合、S00液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液
晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ぼ
す傾向にあるので好ましくない。
にすみやかにSA相に相転移するため、N”相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い.また、N“相を示す温度範囲が30度以上である場
合、S00液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液
晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ぼ
す傾向にあるので好ましくない。
キラノレドーバントは、キラノレドーバント自体の液晶
性の有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に
、 (1) N”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は (2) N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のS0
4液晶組成物のN9相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい.この方法は
、N9相に限らず、SA相及びSC″相についても同様
に応用することができる.例えば、キラルドーパントが
SC”液晶組成物のSA相のみを拡大し、N9相及びS
C′″相を縮小するような場合には、SC母体液晶とし
て、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、
かつ、SC相→N相→r相の相系列を有するもの、又は
sA相の温度範囲が狭<SC相→SA相→N相→■相の
相系列を有するものを用いればよい. このようなキラルドーパントの傾向は、SC母休液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるsc”液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、SC*液晶組成
物における各相、特にN”相を示す温度範囲は容易に調
整することができる. 本発明で使用するキラルドーパントとしては、一定量の
SC母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極(以下、P3と省略する.)を誘起することが
必要である。
性の有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に
、 (1) N”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は (2) N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のS0
4液晶組成物のN9相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい.この方法は
、N9相に限らず、SA相及びSC″相についても同様
に応用することができる.例えば、キラルドーパントが
SC”液晶組成物のSA相のみを拡大し、N9相及びS
C′″相を縮小するような場合には、SC母体液晶とし
て、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、
かつ、SC相→N相→r相の相系列を有するもの、又は
sA相の温度範囲が狭<SC相→SA相→N相→■相の
相系列を有するものを用いればよい. このようなキラルドーパントの傾向は、SC母休液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるsc”液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、SC*液晶組成
物における各相、特にN”相を示す温度範囲は容易に調
整することができる. 本発明で使用するキラルドーパントとしては、一定量の
SC母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極(以下、P3と省略する.)を誘起することが
必要である。
前述の如く、S01液晶組成物としては、そのP,の値
が、特に室温付近で3〜30nC/cn+”の範囲にな
るようにキラルドーパントの添加量を調整すればよい。
が、特に室温付近で3〜30nC/cn+”の範囲にな
るようにキラルドーパントの添加量を調整すればよい。
しかしながら、キラルドーパントが誘起するP.の値が
小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して多
くなり、これに伴なってSC”液晶組成物の粘性が大き
くなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向に
あるので好ましくない.従って、本発明で使用するキラ
ルドーパントとしては、SC母体液晶にlO重量%添加
した場合に1.0nC/cm”以上のP.を誘起できる
ものが好まし《、5重景%添加した場合に0.5nC/
cgm”以上のP.を誘起できるものが特に好ましい。
小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して多
くなり、これに伴なってSC”液晶組成物の粘性が大き
くなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向に
あるので好ましくない.従って、本発明で使用するキラ
ルドーパントとしては、SC母体液晶にlO重量%添加
した場合に1.0nC/cm”以上のP.を誘起できる
ものが好まし《、5重景%添加した場合に0.5nC/
cgm”以上のP.を誘起できるものが特に好ましい。
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は.、これらの実施例によって
限定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重
量%を表わす.また組成物の相転移温度の測定は、温度
調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(
DSC)を併用して行った. 実施例I SC母体液晶に添加してS01液晶組成物とした際に、
N′″相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、式 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN0相に出現させる螺旋のピッチは60℃にお
いて4.7μmである.)の化合物73%と、左巻きの
螺旋を出現させる化合物として、式 CI. (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN“相に出現させる螺旋のピッチは60゜Cに
おいて11.9μmである。)の化合物27%とを混合
して、N9相に出現させる螺旋のピンチが調整されたキ
ラルドーパントを調製した。
発明の主旨及び適用範囲は.、これらの実施例によって
限定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重
量%を表わす.また組成物の相転移温度の測定は、温度
調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(
DSC)を併用して行った. 実施例I SC母体液晶に添加してS01液晶組成物とした際に、
N′″相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、式 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN0相に出現させる螺旋のピッチは60℃にお
いて4.7μmである.)の化合物73%と、左巻きの
螺旋を出現させる化合物として、式 CI. (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN“相に出現させる螺旋のピッチは60゜Cに
おいて11.9μmである。)の化合物27%とを混合
して、N9相に出現させる螺旋のピンチが調整されたキ
ラルドーパントを調製した。
このキラルドーパントを、以下に示したSC母体液晶に
10%添加して得たSC”液晶組成物の25゜Cにおけ
る自発分極の値は、5.5nC/cm”であった. なお、用いたSC母体液晶は前記一般式(Ia−1)で
表わされる化合物から 3 b% からなる組成物(以下、母体液晶(A)という.)であ
り、57゜C以下でSC相を、6 4. 5 ’C以下
でSA相を、69゜C以下でN相を各々示した。なお、
60゜Cにおける螺旋ピッチの値は外挿゜的に求めた値
である. 次に滅粘液晶として前記一般式(II−a−6)で表わ
される化合物から、 40% 40% 及び 式 n−Cill+s舎C Q O《司トn − C
m H + tの化合物20% からなる減粘液品組成物を調製した。
10%添加して得たSC”液晶組成物の25゜Cにおけ
る自発分極の値は、5.5nC/cm”であった. なお、用いたSC母体液晶は前記一般式(Ia−1)で
表わされる化合物から 3 b% からなる組成物(以下、母体液晶(A)という.)であ
り、57゜C以下でSC相を、6 4. 5 ’C以下
でSA相を、69゜C以下でN相を各々示した。なお、
60゜Cにおける螺旋ピッチの値は外挿゜的に求めた値
である. 次に滅粘液晶として前記一般式(II−a−6)で表わ
される化合物から、 40% 40% 及び 式 n−Cill+s舎C Q O《司トn − C
m H + tの化合物20% からなる減粘液品組成物を調製した。
次に上記キラルドーパント20%、母体液晶(A)54
.4%、減粘液晶組成物13.6%及び、高温液晶とし
て前記式(III−6)の化合物12%からなるSC”
液品組成物を調製した。
.4%、減粘液晶組成物13.6%及び、高温液晶とし
て前記式(III−6)の化合物12%からなるSC”
液品組成物を調製した。
このSC*液品組成物は55゜C以下でS01相を、6
6“C以下でSA相を、69.5゜C以下でN0相を各
々示し、それ以上の温度で、等方性液体(1)相となっ
た.また、室温以下で長時間放置しても結晶化せず、そ
の融点は明確ではなかった.このS01液晶組成物を、
配向処理(ポリイミドコーティングーラビング処理)を
施した2枚のガラス透明電極からなる厚さ約2μmのセ
ルに充填し、I相から室温まで徐冷を行ったところ、極
めて良好な配同性を示し、均一なモノドメインが得られ
た. このセルに電界強度1 0 V P−F/ !l m、
5 0 Hzの矩形波を印加してその電気光学応答速度
を測定したところ、25℃で45μ秒の高速応答性が確
認された。
6“C以下でSA相を、69.5゜C以下でN0相を各
々示し、それ以上の温度で、等方性液体(1)相となっ
た.また、室温以下で長時間放置しても結晶化せず、そ
の融点は明確ではなかった.このS01液晶組成物を、
配向処理(ポリイミドコーティングーラビング処理)を
施した2枚のガラス透明電極からなる厚さ約2μmのセ
ルに充填し、I相から室温まで徐冷を行ったところ、極
めて良好な配同性を示し、均一なモノドメインが得られ
た. このセルに電界強度1 0 V P−F/ !l m、
5 0 Hzの矩形波を印加してその電気光学応答速度
を測定したところ、25℃で45μ秒の高速応答性が確
認された。
このときのチルト角は2 5. 3 ’ ,自発分極は
1 5. O nC/cm”であり、コントラストは良
好であった. 実施例2 実施例1において、高温液晶として式(III−6)の
化合物に代えて、式(III−1)の化合物を用いた以
外は実施例1と同様にしてS09液晶組成物を調製した
ところ、53.5゜C以下でSC“相を示し25゜にお
ける応答速度は42μ秒であり、このときのチルト角は
22@であった. 実施例3 中温域母体液晶として母体液晶(A)を56%、減粘液
晶として一般式(II−a−6)で表わされる化合物か
ら、 8% 高温液晶として前記式(I[−26)の化合物16% 及び、実施例lで用いたキラルドーパント20%から成
るS00液晶組成物を調製した。
1 5. O nC/cm”であり、コントラストは良
好であった. 実施例2 実施例1において、高温液晶として式(III−6)の
化合物に代えて、式(III−1)の化合物を用いた以
外は実施例1と同様にしてS09液晶組成物を調製した
ところ、53.5゜C以下でSC“相を示し25゜にお
ける応答速度は42μ秒であり、このときのチルト角は
22@であった. 実施例3 中温域母体液晶として母体液晶(A)を56%、減粘液
晶として一般式(II−a−6)で表わされる化合物か
ら、 8% 高温液晶として前記式(I[−26)の化合物16% 及び、実施例lで用いたキラルドーパント20%から成
るS00液晶組成物を調製した。
このS00液晶組成物は50.0“C以下でSCゝ相を
示し、実施例1と同様にして、その電気光学応答速度を
測定したところ、25℃で52μ秒であり、コントラス
トも良好であった。
示し、実施例1と同様にして、その電気光学応答速度を
測定したところ、25℃で52μ秒であり、コントラス
トも良好であった。
実施例4
中温域母体液晶として母体液晶(A)を56%、滅粘液
晶として一般式(II−a−6)で表わされる化合物か
ら、 8% 高温液晶として前記式(it[−42)の化合物16% 及び、実施例1で用いたキラルドーパント20%から成
るS01液晶組成物を調製した。
晶として一般式(II−a−6)で表わされる化合物か
ら、 8% 高温液晶として前記式(it[−42)の化合物16% 及び、実施例1で用いたキラルドーパント20%から成
るS01液晶組成物を調製した。
このS01液晶組成物は60.5゜C以下でSC”相を
示し、実施例lと同様にしてその電気光学応答速度を測
定したところ、25℃で45μ秒であり、コントラスト
も良好であった. 〔発明の効果〕 本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である.従って、本発明の強誘電性液晶
組成物は、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスの材料として極めて有用である.
示し、実施例lと同様にしてその電気光学応答速度を測
定したところ、25℃で45μ秒であり、コントラスト
も良好であった. 〔発明の効果〕 本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である.従って、本発明の強誘電性液晶
組成物は、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスの材料として極めて有用である.
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、中温域母体液晶、減粘液晶及び高温液晶を含有し、
スメクチックC相を示す液晶組成物に、光学活性化合物
から成るキラルドーパントを添加して成る強誘電性液晶
組成物であって、高温液晶が一般式(A) ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、R^a及びR^bは各々独立的に炭素原子数1〜
18の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル
基を表わし、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲
数式、化学式、表等があります▼ のうち、一方は▲数式、化学式、表等があります▼又は
▲数式、化学式、表等があります▼を 表わし、他方は▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼を表わす。) で表わされる化合物を含有することを特徴とする、室温
を含む広い温度範囲でキラルスメクチックC相を示す強
誘電性液晶組成物。 2、R^aが炭素原子数1〜18のアルコキシル基であ
り、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼であり、▲数式、化
学式、表等があります▼が▲数式、化学式、表等があり
ます▼であ る請求項1記載の強誘電性液晶組成物。 3、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼であり、▲数式、化学式、表等が
あります▼ が▲数式、化学式、表等があります▼である請求項1記
載の強誘電性液晶組成物。 4、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
式、表等があります▼であり、▲数式、化学式、表等が
あります▼ が▲数式、化学式、表等があります▼である請求項1記
載の強誘電性液晶組成物。 5、キラルドーパントが一般式(B) Q^1^*−Z−Q^2^* 〔式中、Q^1^*及びQ^2^*は互いに異なった光
学活性基であって、各光学活性基は少なくとも1個の不
斉炭素原子を有し、かつ、Q^1^*及びQ^2^*の
うち少なくとも1方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオ
ウ、窒素、フッ素、塩素あるいは▲数式、化学式、表等
があります▼又は−C≡Nと直結した構造を有する。Z
は一般式(C) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式、表等が
あります▼ は各々独立的に▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
又はこれら の環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子又はシ
アノ基に置換した構造を表わし、Y^1及びY^2は各
々独立的に単結合、−COO−、−OCO−、−CH_
2O−、−OCH_2−、−CH_2CH_2−、−C
≡C−、−COS−又は−SCO−を表わし、mは0又
は1を表わす。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 で表わされる光学活性化合物を含有する請求項1、2、
3又は4記載の強誘電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052787A JPH02232292A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052787A JPH02232292A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232292A true JPH02232292A (ja) | 1990-09-14 |
Family
ID=12924548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1052787A Pending JPH02232292A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02232292A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0553114A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Sharp Corp | 強誘電性液晶表示装置 |
| JPH05173144A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP1052787A patent/JPH02232292A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0553114A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Sharp Corp | 強誘電性液晶表示装置 |
| JPH05173144A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-13 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
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