JPH02269795A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents

強誘電性液晶組成物

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JPH02269795A
JPH02269795A JP1090697A JP9069789A JPH02269795A JP H02269795 A JPH02269795 A JP H02269795A JP 1090697 A JP1090697 A JP 1090697A JP 9069789 A JP9069789 A JP 9069789A JP H02269795 A JPH02269795 A JP H02269795A
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JP1090697A
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English (en)
Inventor
Sadao Takehara
貞夫 竹原
Masashi Osawa
大沢 政志
Kayoko Nakamura
佳代子 中村
Tadao Shoji
東海林 忠生
Hiroshi Ogawa
洋 小川
Noburu Fujisawa
宣 藤沢
Takeshi Kuriyama
毅 栗山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kawamura Institute of Chemical Research
DIC Corp
Original Assignee
Kawamura Institute of Chemical Research
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
〔従来技術〕
現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜10
00倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、S08と省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
S01相を示す液晶化合物(以下、SC“化合物という
、)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかしながら、これらのS0
1化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を有すること (ハ)特にキラルネマチック(以下、N1と省略する。
)相において長い螺旋ピッチを示すこと(ニ)適当なチ
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (ト)(ロ)及び(ハ)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
そのため、現在では、S00相を示す液晶組成物(以下
、S01液晶組成物という、)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭61−1
53623号公報等に示されているように、SC1相の
高温域にN0相を有する液晶において、N“相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にSC*相とN0相の中間の温度域にスメクチッ
クA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配向
はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左螺
旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる光
学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られて
いる。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に光
学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さに
調整することは既に公知の技術である。)しかし、これ
らの技術によっては良好な配向性は得られるものの、高
速応答性が得られるわけではなかった。
高速応答性を示すには、例えば、第12回液晶討論会に
おける特別講演(同討論会予稿集P、9B)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発°分極(以下、P、と省略する
。)の大きいSC1化合物を添加する方式が優れている
。この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物
の割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなる
が、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようと
すると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり
、そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得
られなくなってしまう問題点があった。
また、SC母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
(R,R’はアキラルなアルキル基を表わす。)(R,
R’は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。
本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上記課題を解決するために、中温域液晶及び高
温液晶を含有し、スメクチックC相を示す液晶組成物(
以下、本発明で使用するSC母体液晶という。)に、光
学活性化合物から成るキラルドーパントを添加して成る
強誘電性液晶組成物であって、特に高温液晶が次の一般
式(A)で表わされる化合物の少なくとも1種を含有し
、室温を含む広い温度範囲でS08相を示す強誘電性液
晶組成物を提供する。
式中、R”及びR’は各々独立的に炭素原子数1〜18
の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシル基を
表わすが、R”及びRhが各々独立的に炭素原子数3〜
12のアルキル基又はアルコキシル基であって少なくと
も1方は直鎖状のアルキル基又はアルコキシル基である
場合が好ましく、R1及びRbのうち少なくとも1方が
アルキル基である場合が特に好ましい。
わすが、 ■は −COO− 又は 一〇C0 を表わす。
÷ を表わすが、 がアルキル基である場合には、 しく、 R& がアルコキシル基の場合には、 しい。
また、 ■が COO− の場合には、 しく、 ■が CO の場合には、 本発明で使用するSC母体液晶は、そのSC相の高温側
において、降温時に、 (イ)I(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (ロ)r相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)I相→N相→SC相の相系列を有するもの 又は (ニ)■相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、(イ)〜(ニ)の
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
。最も繁用性のあるのは(イ)であり、キラルドーバン
トのネマチック性(SC母体液晶に添加した場合に、N
“相の温度範囲を広げ、SA相の温度範囲を狭くしやす
い傾向)が強い場合には(ロ)を、キラルドーパントの
スメクチックA性(SC母体液晶に添加した場合に、S
A相の温度範囲を広げ、N0相の温度範囲を狭くしやす
い傾向)が強い場合には(ハ)を、また、SC性が弱く
、N0相やSA相の温度範囲を広げやすい場合などには
(ニ)を用いるのが、最も適している。重要であるのは
sc”液晶組成物とした場合の相系列であって、−船釣
には、1→N”→5A−3C”の相系列が配向性の点で
存利である。一方、■−+N*→S01の相系列も配向
制御方法によっては、より良好な配向を示す場合もあり
、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト・ホス
ト方式などには適している。
本発明で使用するSC母体液晶は、(■)2環構造であ
り、室温に近い温度でSC相を示す化合物又はその同族
体(アルキル鎖のみが異なる化合物)から成る組成物(
以下、中温域液晶という。)に、SC相の上限温度を高
くするために、(If)TC点(SC相又はS00相の
上限温度を表わす、)が高く、3環以上の環構造を有す
る化合物又はその同族体から成る組成物(以下、高温液
晶という、)を加えて成る組成物である。
本発明で用いる中温域液晶とは、それを構成する液晶化
合物が、光学的に不活性であり、2環構造であって、S
C相を示す化合物又は、そのアルキル鎖の炭素原子数、
形状のみが異った同族体から成り、その同族体中の少な
くとも1種の化合物は10°C以上における任意の1°
C以上の温度中の範囲でモノトロピックでもよいSC相
を示す化合物である。
中温域液晶として用いられる化合物の代表的なものを以
下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R,
、R,は各々独立的に炭素原子数1〜18のアルキル基
を表わす。
(I −a) (I −a−23) R,docOR2 (1−a−24) R10(究(温0COR2 (1−a−27) RICooイトでkoR。
−N (I −a−29) R,0CO((防4浜ORz −N (1−a−54) (l a−55) R,0CO(ト◎曲 R,0CO−f9刈40R2 (1−a R,ocoりHシ0CORt (1−a−57) R,OCO尋恰C0OR。
(1−b) (1−b−15) (1−b−16) (I −b−17) (I −b−18) (1−b−19) (1−b−20) (1−b−21) (I −b−22) RI +C00畳ocoRz R,+coo4ocORt R,0会000(涙0COlh R,0養coo÷0COR。
R,0合C00(湿0COR。
R,COO÷coo沓0CORz R,COO過−coo会0CORz R,coo+coo(漂OCORz (I C) (1−c 0−@−COO(涙C0OR。
(1−c R90(シC00(トRZ (1−c−8) R+0+C00+ORz (I −c−10) R80−@−COO(沢C00Rz (I −c−12) RIO−@−Coo合ocoRz (、I −d) (I −d−7) (1−d−8) (1−d−9) (1−d−10) (1−d−11) (1−d−12) (I −d−13) (1−d−14) R,O+C00(トcoSR。
R,0養C00(許C03R。
R10+C03(沢COO1h R10(防cos(トocol?z R,0+COO%5Rt R,0養coo÷SR。
R10+C03(妊R2 R,S−(防C00(涙OR。
(1−e) (I−f) 以上の化合物のうち、中温域母体液晶としては、式(1
−a)及び式(1−b)で表わされる化合物が好ましく
、式(I−a−1)、式(1−a−2)、式(I−a−
5)、式(1−a−6)、式(1−a−41)、式(I
 −a−42)及び式(1−b−1)で表わされる化合
物が特に好ましい。
本発明で用いる高温液晶とは、3環あるいは4環構造か
らなる光学的に不活性な化合物、あるいはそれから成る
組成物であって、各化合物は前記中温域液晶からなるS
C相の上限温度(以下、Tcと略称する。)が50〜6
0°Cの組成物にlO%混合した際に、そのTcを1.
5°C以上上昇しうるちのであり、好ましくは、少なく
とも2環は芳香環(1,4−フェニレン、ピリミジン−
2,5−ジイル、ピラジン−2,5−ジイル、ピリジン
−2,5−ジイル、あるいはそのフッ素置換体)であり
、Tcが90℃以上で、かつ、SC相の温度域が5°C
以上の温度幅を有する化合物、あるいは、その側鎖のア
ルキル基の炭素原子数あるいはその形状が異った同族体
であり、特に、前記一般式(A)で表わされる化合物を
少なくとも1種構成要素として含有することを特徴とす
るものである。
一般式(A)で表わされる化合物として具体的には、以
下の弐で表わされる化合物を挙げることができ、その一
部については代表的なものの化合物の相転移温度も示し
た。
嬶 国 く Q ヱ = く く く ψψめ2− め め 嬶 上記中、Crは結晶相、SAはスメクチックA相、SB
はスメクチックB相、SCはスメクチックC相、SFは
スメクチックF相、SGはスメクチックC相、SHはス
メクチックH相、S及びS′は帰属不明のスメクチック
相、Nはネマチック相、Iは等方性液体相を各々表わす
一般式(A)で表わされる化合物のうち、−i式(A−
1)、(A−2)、(−A −3)、(A−4)、(A
−5)、(A−6)、(A−7)、(A−8)、(A−
11)、(A−13)、(A−14)、(A−15)、
(A−16)、(A−20)、(A−21)、(A−2
2)、(A−23)、(A−24) 、及び(A−26
)で表わされる化合物が好ましい。
高温液晶としては、以下の一般式(D)で表わされる化
合物が、前記一般式(A)の化合物と併用して使用する
ことができる。
式中、R’及びR1は各々独立的に炭素原子数1〜18
の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わし、Xl及びX
2は各々独立的に−o−、−co。
−oco−、−s−、又は単結合を表わし、Zl及び2
1は各々独立的に−coo−,−oco −、−c)I
、o−0CHz  、  COS  、  SCO、C
11z−CHz−−C=C−、又は単結合を表わし、 水素原子のフッ素原子置換体を表わすが、好ましくは、
XI及びX2の少なくとも1個は単結合でフッ素原子置
換体)であり、そのうちの少なくと前記中温域液晶及び
高温液晶を含有するSC母体液晶において、中温域液晶
の配合割合は、1〜95重量%が好ましく、40〜90
重四%が特に好ましい。
高温液晶中に、上記一般式(A)で示される化合物は1
0重量%以上、特に30重量%以上含まれることが好ま
しい。
本発明で使用するキラルドーパントとしては、(1) 
S C”相を示す化合物、(2) S C”相思外の液
晶相のみを示す化合物又は(3)液晶性を全く示さない
化合物を用いることができるが、(3)の場合には、S
C母体液晶に添加して得られるSC0液晶組成物の液晶
性が低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を
有する化合物を用いることが好ましい。
キラルドーパントがS00液晶組成物にもたらす諸物性
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
権の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
バントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。
これまでキラルドーバント、SC2化合物又はネマチッ
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。
ノ (KV−8> CH3 −O+C11,−)−CH−R3 (IV−9) 0          CH3 111゜ −C−Of CL−+−1−Ct(〜R1(IV−12
) CH3 −CHRa (IV−13) CH3 −CHrCHCL  0Rs (IV−14) CH。
−CHCHz  ORs (rV−20) Hz CH,CH3 C)I−CH2CHzCHz−CHCIl(IV−21
) C1+、1 −5 + CH2+T−CH(Cllz升1−CIl。
(IV−32) CH3 −0−CIl−R。
(iv −Jb) 0−1;H−C1l□−C11 OR。
(IV−53) CI。
−CH−0−Rs (IV−55) 0  CHz  C1(Rs (IV−57) 0  CHz  CHRs (■ CF。
1・ −0−CI−Rs (IV−71) CH3 0CHCHt  OCORs (IV−83) CH□CN j・ −C00−CI□−CIl−R5 (IV−84) 一〇 HzCN j* CH,−CI(−R。
CH3 CH8 上記各一般式において、mは1〜4の整数を表t)L、
nは1〜10の整数を表わし、R1は炭素原子数3〜8
のアルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のア
ルキル基を表わし、R1は炭素原子数1〜10のアルキ
ル基を表わし、R6は炭素原子数1〜4のアルキル基を
表わす。
光学活性基として、式(IV−1)〜(■−22)で表
わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物では
SC母体液晶に添加してsc”液晶組成物とした際に誘
起される自発分極は小さいものが多く、単独でSC*相
を示す場合でもそのほとんどが10nC/cn+”以下
にすぎない。
一方、光学活性基として、式(IV−31)〜(■−9
1)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物
は、SC母体液晶に添加してS00液晶組成物とした際
に誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でSC7
相を示す場合などでは300nC/cm”以上の大きな
値を示すものも存在する。
このような光学活性基を末端に有するような光学活性化
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。
(V−60) −密灸 (V−84) 一■()・・−〇 (V−108) ◇)oco −0べ今 (V 召沖COイ今X芝 (V−156) 分0CHz g (V−180) 不X〈)oCH2−Jシ (V−204) 一0■)oco () (V−228) 召へ)oco −((シ (V−500) (ボ)C00ぺ人 上記各基本骨格中のベンゼン環あるいはシクロヘキサン
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
ノ / / 以上のような基本骨格の片側もしくは両側に前記キラル
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式(B) Qlo Z  Ql− 〔式中、Ql“及びQ20は互いに異なった光学活性基
であって、各光学活性基は少な(とも1個の不斉炭素原
子を有し、かつ、Q 1m及びQ”のうち少なくとも1
方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオつ、窒素、フッ素
、塩素あるいは−C−又は−CENと直結した構造を有
する。Zは一般式これらの環上の任意の1〜2個の水素
原子がフン素原子又はシアノ基に置換した構造を表わす
が、上の水素原子がフッ素原子又はシアノ基に置換した
構造においては、 Yl及びY2は各々独立的に単結合、−COO−0CO
C1h0   0CHt    CHzCI(z−−c
 = c −−cos−又は−5CO−を表わすが、単
結合、−COO−−0CO−−CIl□〇−又は−0C
R2−である場合が好ましく、m=1の場合には、Yl
及びY2の内の少なくとも一方が単結合であることが好
ましい、) で表わ、される液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表
わす。] で表わされる光学活性化合物が好ましい。
一般式(B)で表わされる光学活性化合物において、特
に、少なくとも一方の光学活性基は前記(rV−31)
〜(■−91)で表わされる基のいずれかであることが
望ましい。
このように、基本骨格の両側に互いに異ったキラル基が
結合した光学活性化合物を用いることによる利点として
以下の点を挙げることができる。
(1)片側にのみキラル基を有する化合物より強い自発
分極を示しうる。
即ち、前記(IV−31)〜(IV−91)で表わされ
る基から選ばれるキラル基と(IV−1)〜(■−22
)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格の
両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基とし
ては(IV−31)〜(■−91)で表わされる基から
選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である化
合物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外挿値と
して自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有する
化合物の方がlO〜30nC/cIII2あるいはそれ
以上大きい、(IV−1)〜(IV−22)で表わされ
る基に由来する自発分極はたかだか10nC/cm2程
度であるので、両側のキラル基による自発分極の単純和
よりも大きくなっていることがわかる。
さらに(IV−31)〜(IV−91)で表わされる基
から選ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基
本骨格の両側に有するような化合物では、両方のキラル
基による自発分極の極性(よく知られた強誘電性液晶で
ある(S)−2−メチルブチルb−デシルオキシベンジ
リデンアミノフェニルシンナメート(DOBAMBC)
の極性をθと決める。)を同一にあわせた場合には非常
に大きい自発分極を得ることができる。
この場合には両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りもさらに100 nC7cm”あるいはそれ以上に大
きな自発分極を得ることもできる。
キラルドーパントとしてはその誘起しうる自発分極が大
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、S
01液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。
(2)  N”相あるいはS01相に誘起する螺旋ピッ
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
前述のように良好な配向性を得るためには、そのN“相
あるいはS09相における螺旋ピッチが長いことが重要
である。キラルドーバントは全体として螺旋ピッチが調
整されていればよいのであって、個々の化合物について
は、必ずしもその必要はないが、キラルドーバントの主
成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調整
が容易である。また、螺旋ピッチ調整を主目的として加
える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加量
を押えることができるので好都合である。
螺旋ピッチを長くするには、両側のキラル基による螺旋
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(It/−91)で表わされる基から選ばれる基を
両側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一で
あることが好ましい。
(3)大きな自発分極を示しうる特に(IV−31)〜
(IV−91)で表わされる基から選ばれるキラル基で
あって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得ら
れたものは、その光学純度は必ずしも100%ではない
ものが多いが、これらを100%に精製するのはかなり
困難である。しかしながら、天然物から得られた(S)
−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微生
物工学的手法で得られるような光学純度の穫めて高いキ
ラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマーと
なるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が容
易となり光学純度を100%に近づけることができる。
一般式(B)の化合物は、キラルドーパントの構成成分
として10%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である。
−a式(B)の化合物中で、特に好ましい基本骨格とキ
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。
LVI E) ht−L;II−Y−乙 一〇−L;I′IZL;tl Ks 上記一般式中、R4及びR4’は各々独立的に炭素原子
数2〜10のアルキル基を表わし、R7及びR、/は各
々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わし、
R9は炭素原子数2〜lOの直鎖状のアルキル基又は炭
素原子数3〜10の分岐状のアルキル基、又は炭素原子
数4〜10の少なくとも1個の不斉炭素を含む光学的活
性なアルキル基を表わし、lは0〜5の整数を表わし、
Yは単結合、−o−、−oco−、−coo−、又は−
oco。
を表わし、Wは、塩素フッ素又は−〇  Clbを表わ
し、Z′は、 COO− OCO− −CH,0− 一0CH2−。
又は単 す。
Xl及びX4は各々独立的に水素原子、フッ素原子又は
シアノ基を表わし、X2は水素原子又はXlを表わし、
X3は水素原子又はX4を表わす及びX4のうち少なく
とも一方は水素原子を表わす。
上記のキラルドーパントは、SC母体液晶中に1〜60
重量%の割合で添加してS08液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重量%の
割合で添加することが好ましい。キラルドーパントの添
加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーバント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、S01液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない。また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましく、ない。一方、キラ
ルドーバントの添加割合が1重量%より少ないと、自発
分極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない
SC0液晶組成物の自発分極の値は、3〜30nC/c
III!の範囲にあるようにキラルドーバントの添加割
合を調整することが好ましく、SC”相を示すキラルド
ーバントの場合、単独で100nC/cm”程度の自発
分極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘
起するキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添
加割合は10〜40重量%の範囲が好ましく、300 
nC7cm”以上の強い自発分極を示すキラルドーバン
トの場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25重
景%の範囲が好ましい、キラルドーバントの誘起する自
発分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少する
が、例示した光学活性化合物からなるキラルドーバント
ではその添加割合が1重量%を下回ることはない。
本発明のSC′″液晶組成物は、等方性液体状態からの
冷却時においてN0相、次いでSA相を経てsc”相へ
と相転移するが、その際N’相からSA相への相転移温
度(以下N”−3A点という、)から、該N” −3A
点の1度高温側までにおけるN“相に出現する螺旋のピ
ッチが3μm以上であるSC′″液晶組成物がより好ま
しく、該螺旋のピッチが10μm以上であり、N”−3
A点に近づくにつれて該螺旋のピッチが発散的に大きく
なるSC*液晶組成物が特に好ましい。
一般式(B)の光学活性化合物のうち、両側のキラル基
R1” + R1*によってN“相に誘起される螺旋の
向きが互いに逆であるような化合物では、その誘起する
螺旋ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラ
ルドーバントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッ
チ調整が不要であるが、あるいは容易であることが多い
が、−船釣には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整
することができる。
複数の光学活性化合物を含むsc*液晶組成物のN*相
に出現する螺旋のピッチP (lIm)は各光学活性物
質の濃度をC#、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをP
i  (μm)とするとおり、(ここでは螺旋のピッチ
は右巻きを正、左巻きを負とする。)、これを用いてS
C4液晶組成物の5A−N″点T0におけるP直をPT
lとする時、となるようにC4を選べばよい。ここでP
iはN相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物を
単位濃度添加することにより測定が可能である。
実際にはToは各Ciによって変化するが、各光学活性
化合物を該SC母体液晶中に、濃度ΣCiだけ添加した
ときの5A−N”点の変化などから、かなり正確に類推
できることが多(、推定値T 0/とそれを用いて選ば
れた組成物のToとが太き(異なる場合にはll’l 
01に換えてToを用いて再度測定すればよい。
本発明のSC“液晶組成物のN′″相を示す温度範囲は
、3度以上30度未満の範囲が好ましい。
N*相を示す温度範囲が、3度未満である場合、降温時
にすみやかにSA相に相転移するため、N“相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い。また、N”相を示す温度範囲が30度以上である場
合、S01液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液
晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ぼ
す傾向にあるので好ましくない。
キラルドーパントは、キラルドーバント自体の液晶性の
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1)  N”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は <2)  N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のSC
“液晶組成物のN“相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合1、N相を示す
温度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法
は、N1相に限らず、SA相及びsc”相についても同
様に応用することができる。例えば、キラルドーバント
がSC“液晶組成物のSA相のみを拡大し、N0相及び
SC3相を縮小するような場合には、SC母体液晶とし
て、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、
かつ、SC相→N相→■相の相系列を有するもの、又は
SA相の温度範囲が狭<SC相→SA相→N相→I相の
相系列を有するものを用いればよい。
このようなキラルドーパントの傾向は、SC母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるS08液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、S00液晶組成
物における各相、特にN“相を示す温度範囲は容易に調
整することができる。
本発明で使用するキラルドーパントとしては、一定量の
SC母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極(以下、P3と省略する。)を誘起することが
必要である。
前述の如く、SC*液晶組成物としては、そのP、の値
が、特に室温付近で3〜30nC/cm2の範囲になる
ようにキラルドーパントの添加量を調整すればよい。し
かしながら、キラルドーバントが誘起するP、の値が小
さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して多く
なり、これに伴なってSC′″液晶組成物の粘性が大き
くなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向に
あるので好ましくない。従って、本発明で使用するキラ
ルドーバントとしては、SC母体液晶に10重世%添加
した場合に1.0 nC/ e+m”以上のP、を誘起
できるものが好ましく、5重量%添加した場合に0.5
nC/cm”以上のP5を誘起できるものが特に好まし
い。
〔実施例〕
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
実施例1 とを混合して、N1相に出現させる螺旋のピッチが調整
されたキラルドーパントを調製した。このキラルドーパ
ントは51°C以下でSC“相、70.5°C以下でS
A相、71.5℃以下でN1相を示し、その融点は31
°Cであった。
次に中温域液晶として、前記一般式(1−al)で表わ
される化合物から式 %及び式 %と、前記一般式(I−b−1)で表わされる化合物か
ら式 8.2%及び式 8.2%と、高温液晶として前記式(A−22−1)の
化合物10%及び前記キラルドーバント35%から成る
S09液晶組成物を調製した。
この5011液晶組成物は54°C以下でS00相を、
66℃以下でSA相を、73°C以下でN*相を各々示
し、それ以上の温度で等方性液体(I)相となった。
また、融点は一12℃であった。
この5011液晶組成物の66.5℃におけるN*相の
螺旋ピッチは10am以上であって、このS00液晶組
成物を、配向処理(ポリイミドコーティング−ラビング
処理)を施した2枚のガラス透明電極からなる厚さ約2
μmのセルに充填し、■相から室温まで徐冷を行ったと
ころ、極めて良好な配向性を示し、均一なモノドメイン
が得られた。
このセルに電界強度lOv□P/μm、5〇七の矩形波
を印加してその電気光学応答速度を測定したところ、2
5゛Cで131μ秒の高速応答性が確認された。
このときのチルト角は26.8 ’ 、自発分極は10
、4 nC/ cm”であり、コントラストは良好であ
った。
実施例2 実施例1において、高温液晶として用いた式(A−22
−1)の化合物に代えて、前記式(A−23−1)、(
A−7−1)又は(A−17−1)の各化合物を各々用
いた以外は実施例1と同様にしてS01液晶組成物の調
製し、セルの作成、電気光学応答速度を測定を行った。
その結果を以下に示した。
実施例3 中温域液晶として、前記一般式(I−a−1)で表わさ
れる化合物から式 25%と、前記一般式(1−b−1)で表わされる化合
物から、式 物25%と、前記キラルドーバント20%、及び高温液
晶として、前記式(A−11−1)、(A−8−2)又
は(A−14−1)の各化合物を14%用いてS09液
晶組成物を各々調製した。このS01液晶組成物の相転
移温度、実施例1と同様にして測定した電気光学応答速
度及びコントラストの測定結果を以下に示した。
/ / 〔発明の効果〕 本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
従って、 本発明の強誘電性液晶組成物は、 強誘 電性スメクチック液晶を利用した液晶デバイスの材料と
して極めて有用である。
代 理 人

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、中温域液晶及び高温液晶を含有し、スメクチックC
    相を示す液晶組成物に、光学活性化合物から成るキラル
    ドーパントを添加して成る強誘電性液晶組成物であって
    、高温液晶が一般式(A)▲数式、化学式、表等があり
    ます▼ (式中、R^a及びR^bは各々独立的に炭素原子数1
    〜18の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシ
    ル基を表わし、Vは−COO−又は−OCO−を表わす
    。▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式
    、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
    ▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    又は ▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、▲数式、
    化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等があ
    ります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼又は▲数式、化学式、表等があります
    ▼を表 わし、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化
    学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    又は ▲数式、化学式、表等があります▼を表わすが、▲数式
    、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
    あります▼ 及び▲数式、化学式、表等があります▼のうち少なくと
    も1つの環は ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
    、表等があります▼を表わす。) で表わされる化合物を含有することを特徴とする室温を
    含む広い温度範囲でキラルスメクチックC相を示す強誘
    電性液晶組成物。 2、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
    式、表等があります▼ である請求項1記載の強誘電性液晶組成物。 3、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
    式、表等があります▼ であり、Vが−OCO−である請求項1記載の強誘電性
    液晶組成物。 4、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
    式、表等があります▼ であり、Vが−OCO−である請求項1記載の強誘電性
    液晶組成物。 5、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
    式、表等があります▼ であり、R^aがアルコキシル基であり、Vが−OCO
    −である請求項1記載の強誘電性液晶組成物。 6、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
    式、表等があります▼ であり、R^aがアルキル基であり、Vが−OCO−で
    ある請求項1記載の強誘電性液晶組成物。 7、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
    式、表等があります▼ であり、R^aがアルコキシル基であり、Vが−OCO
    −である請求項1記載の強誘電性液晶組成物。 8、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
    式、表等があります▼ であり、R^aがアルキル基であり、Vが−COO−で
    ある請求項1記載の強誘電性液晶組成物。 9、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
    式、表等があります▼である請求項2、 3、4、5、6、7又は8記載の強誘電性液晶組成物。 10、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化
    学式、表等があります▼であり、R^bが アルキル基である請求項2、3、4、5、6、7又は8
    記載の強誘電性液晶組成物。 11、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化
    学式、表等があります▼又は▲数式、化学式、表等があ
    ります▼ である請求項2、3又は8記載の強誘電性液晶組成物。 12、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化
    学式、表等があります▼であり、R^bが アルコキシル基である請求項2、3、4、6又は7記載
    の強誘電性液晶組成物。 13、キラルドーパントが一般式(B) Q^1^*−Z−Q^2^* 〔式中、Q^1^*及びQ^2^*は互いに異なった光
    学活性基であって、各光学活性基は少なくとも1個の不
    斉炭素原子を有し、かつ、Q^1^*及びQ^2^*の
    うち少なくとも1方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオ
    ウ、窒素、フッ素、塩素あるいは▲数式、化学式、表等
    があります▼又は−C≡Nと直結した構造を有する。Z
    は一般式(C) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式、表等が
    あります▼ は各々独立的に▲数式、化学式、表等があります▼、▲
    数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    又はこれら の環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子又はシ
    アノ基に置換した構造を表わし、Y^1及びY^2は各
    々独立的に単結合、−COO−、−OCO−、−CH_
    2O−、−OCH_2−、−CH_2CH_2−、−C
    ≡C−、−COS−又は−SCO−を表わし、mは0又
    は1を表わす。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
    す。〕 で表わされる光学活性化合物を含有する請求項1、2、
    3、4、5、6、7、8、9、10、11又は12記載
    の強誘電性液晶組成物。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03203987A (ja) * 1989-12-29 1991-09-05 Sony Corp 強誘電性液晶組成物
JPH0572535A (ja) * 1991-09-11 1993-03-26 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH05173144A (ja) * 1991-12-25 1993-07-13 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2005068340A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 分子性材料の均一配向膜作製方法及び該方法により得られる素子

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