JPH02191695A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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- JPH02191695A JPH02191695A JP1011436A JP1143689A JPH02191695A JP H02191695 A JPH02191695 A JP H02191695A JP 1011436 A JP1011436 A JP 1011436A JP 1143689 A JP1143689 A JP 1143689A JP H02191695 A JPH02191695 A JP H02191695A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチン
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜10
00倍の高速応答が可能で、かつ多安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜10
00倍の高速応答が可能で、かつ多安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、SC′″と省略する。)相と呼ばれるもので
ある。
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、SC′″と省略する。)相と呼ばれるもので
ある。
SC“相を示す液晶化合物(以下、SC2化合物という
、)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかじながら、これらのsc
”化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を有すること (b)特にキラルネマチック(以下、N1と省略する。
、)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかじながら、これらのsc
”化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を有すること (b)特にキラルネマチック(以下、N1と省略する。
)相において長い螺旋ピンチを示すこと(ニ)適当なチ
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (ト)(ロ)及び(b)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (ト)(ロ)及び(b)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
そのため、現在では、SC”相を示す液晶組成物(以下
、SC”液晶組成物という、)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
、SC”液晶組成物という、)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭61−1
53623号公報等に示されているように、SC8相の
高温域にN“相を有する液晶において、N”相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にS01相とN”相の中間の温度域にスメクチッ
クA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配向
はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左螺
旋を生しさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる光
学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られて
いる。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に光
学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さに
調整することは既に公知の技術である。)シかし、これ
らの技術によっては良好な配向性は得られるものの、高
速応答性が得られるわけではなかった。
53623号公報等に示されているように、SC8相の
高温域にN“相を有する液晶において、N”相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合にS01相とN”相の中間の温度域にスメクチッ
クA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配向
はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左螺
旋を生しさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる光
学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られて
いる。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に光
学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さに
調整することは既に公知の技術である。)シかし、これ
らの技術によっては良好な配向性は得られるものの、高
速応答性が得られるわけではなかった。
高速応答性を示すには、例えば、第12回液晶討論会に
おける特別講演(同討論会予稿集p、98)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、Psと省略する。
おける特別講演(同討論会予稿集p、98)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、Psと省略する。
)の大きいSC”化合物を添加する方式が優れている。
この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物の
割合が少なくなるため、螺旋ビ・ンチは比較的長くなる
が、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようと
すると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり
、そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得
られなくなってしまう問題点があった。
割合が少なくなるため、螺旋ビ・ンチは比較的長くなる
が、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長くしようと
すると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり
、そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得
られなくなってしまう問題点があった。
また、SC母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
(R,R’はアキラルなアルキル基を表わす。)(R,
R’は上記と同様。) の如(、化合物自身、またはその同族体が、SC相を示
すものに限られるか、あるいはそれに加えて分子長軸に
対して垂直方向に強い分極を有するような液晶化合物を
添加した組成物であり、粘性が大きくなり、応答が遅く
なるという問題点があった。
R’は上記と同様。) の如(、化合物自身、またはその同族体が、SC相を示
すものに限られるか、あるいはそれに加えて分子長軸に
対して垂直方向に強い分極を有するような液晶化合物を
添加した組成物であり、粘性が大きくなり、応答が遅く
なるという問題点があった。
従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。
に実現するのは困難なことであった。
本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。
(課題を解決するための手段〕
本発明は上記課題を解決するために、以下に示す中温域
母体液晶と減粘液晶から成るSC相を示す液晶組成物(
以下、本発明で使用するSC母体液晶という、)に、一
般式(A) R+” X Rz” ・= (A
)で表わされる分子の両側鎖として、互いに異なったキ
ラル基を有する光学活性化合物の少なくとも1種を構成
成分として含有するキラルドーパントを添加して成るS
09液晶組成物を提供する。
母体液晶と減粘液晶から成るSC相を示す液晶組成物(
以下、本発明で使用するSC母体液晶という、)に、一
般式(A) R+” X Rz” ・= (A
)で表わされる分子の両側鎖として、互いに異なったキ
ラル基を有する光学活性化合物の少なくとも1種を構成
成分として含有するキラルドーパントを添加して成るS
09液晶組成物を提供する。
本発明で使用するSC母体液晶は、中温域母体液晶と減
粘液晶から成ることを特徴とするが、ここでいう中温域
母体液晶とは、それを構成する液晶化合物が、光学的に
不活性であり、2環又は3環構造であって、3環構造の
場合には、少なくとも1環はシ20ヘキシル環であって
、SC相を示す化合物又は、そのアルキル鎖の炭素原子
数、構造のみが異った同族体から成り、その同族体中の
少なくとも1種の化合物は10℃以上における任意のl
゛C0以上度巾の範囲でモノトロピックでもよいSC相
を示す化合物である。ただし、3環構造の場合には、S
C相の上限温度が90°C未満である液晶であり、10
℃〜80℃における任意の10°C以上の温度巾でモノ
ドロピンクでもよいSC相を示すものである。
粘液晶から成ることを特徴とするが、ここでいう中温域
母体液晶とは、それを構成する液晶化合物が、光学的に
不活性であり、2環又は3環構造であって、3環構造の
場合には、少なくとも1環はシ20ヘキシル環であって
、SC相を示す化合物又は、そのアルキル鎖の炭素原子
数、構造のみが異った同族体から成り、その同族体中の
少なくとも1種の化合物は10℃以上における任意のl
゛C0以上度巾の範囲でモノトロピックでもよいSC相
を示す化合物である。ただし、3環構造の場合には、S
C相の上限温度が90°C未満である液晶であり、10
℃〜80℃における任意の10°C以上の温度巾でモノ
ドロピンクでもよいSC相を示すものである。
中温域母体として用いられる化合物の代表的なものを以
下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R+
、Rzは各々独立的に炭素原子数1〜1日のアルキル基
を表わす。
下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R+
、Rzは各々独立的に炭素原子数1〜1日のアルキル基
を表わす。
(1−a)
(1−a−23)
(I −a−24)
R1(ン(トoCOR1
RlO(防(温0CORz
(1−a−27)
R,Coo((訓婬koR。
−N
(1−a−29)
R,0CO((叉婬し01?。
−N
(1−b)
(1−c)
(1−c−14)
RIO+C00沓0COOR1
(1−c−15)
RIO壱C00(騙COOR1
(I −c−17)
RIC00+C00灸C0OR。
(1−c−19)
(1−c−20)
RIOCO((防C00+C00Rz
R,0舎COO+C00Rt
(1−d7
(1−e)
(r −e−1)
(r −e−2)
(Lf)
以上の化合物のうち、式(I−a)及び(I−b)で表
わされる化合物が好ましく、式(1−a−1)、 (
1−a−5)、 (I−a−4,1)及びCI−b−
1>で表わされる化合物が特に好ましい。
わされる化合物が好ましく、式(1−a−1)、 (
1−a−5)、 (I−a−4,1)及びCI−b−
1>で表わされる化合物が特に好ましい。
本発明で使用するSC母体液晶は、以上の中温域母体液
晶に加えて、その粘性低下と応答性改善の目的で、減粘
液晶を含有する。
晶に加えて、その粘性低下と応答性改善の目的で、減粘
液晶を含有する。
ここでいう減粘液晶とは、光学的に不活性であり、低粘
度の液晶化合物又は組成物であって、構成する低粘度化
合物は2環構造であって必ずしもSC相を示さなくても
よいが、中温域母体液晶に添加することにより、応答性
の向上に寄与するものであり、両側類の少なくとも一方
は、アルキル基であり、特に望ましくは両側類がアルキ
ル基である化合物であって、分子内に含まれるエステル
結合は1個以下であることを特徴とするものである。
度の液晶化合物又は組成物であって、構成する低粘度化
合物は2環構造であって必ずしもSC相を示さなくても
よいが、中温域母体液晶に添加することにより、応答性
の向上に寄与するものであり、両側類の少なくとも一方
は、アルキル基であり、特に望ましくは両側類がアルキ
ル基である化合物であって、分子内に含まれるエステル
結合は1個以下であることを特徴とするものである。
減粘液晶として用いられる化合物の代表的なものを以下
に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R+
、Rzは各々独立的に炭素原子数1〜12のアルキル基
を表わす。
に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R+
、Rzは各々独立的に炭素原子数1〜12のアルキル基
を表わす。
(II−a)
/
、/
夕′
/
(II−b)
(II−c)・
(II−d)
(n−e)
本発明におけるSC母体液晶において、上記減粘液晶の
割合が少なすぎる場合には、粘性を下げる効果が充分で
なく、その結果、応答性の大きな改善はなく、また減粘
液晶の割合が多くなりすぎると、SC相の温度範囲を狭
くするので、減粘液晶の割合は3〜50重量%の範囲が
好ましく、5〜25重量%の範囲が特に好ましい。
割合が少なすぎる場合には、粘性を下げる効果が充分で
なく、その結果、応答性の大きな改善はなく、また減粘
液晶の割合が多くなりすぎると、SC相の温度範囲を狭
くするので、減粘液晶の割合は3〜50重量%の範囲が
好ましく、5〜25重量%の範囲が特に好ましい。
斯くして得られるSC母体液晶は極めて低粘性であり、
キラルドーパントを添加することにより容易に高速応答
性のSC“液晶組成物を得ることができる。
キラルドーパントを添加することにより容易に高速応答
性のSC“液晶組成物を得ることができる。
本発明におけるキラルドーパントは光学活性な化合物か
らなり、その構成成分として前記一般式(A)で示され
るキラル化合物を少なくとも1種含有することを特徴と
する。
らなり、その構成成分として前記一般式(A)で示され
るキラル化合物を少なくとも1種含有することを特徴と
する。
一般式(A)において、R−及びR,11は、互いに異
なった光学的に活性な基であって、R,11及びR1*
の少なくとも一方は、0、N、S、F、、Cj!等のへ
テロ原子を少なくとも1個含有する光学的に活性な基で
あり、R1゜又はRrが少なくとも1個の不斉炭素原子
を含む炭素原子数2〜20の光学的に活性なアルキル基
であり、又は、該アルキル基中の任意の1個又は互いに
隣接しない2〜3個の−CH7−が各々独立的に一〇−
−S−−coo−−oco〜 −cos−−5co−−
c−又士 は−3−に置換されていても良く、該アルキル基Y! 中の任意の1〜2個の−CH,−は−c−(y、及びY
3は互いに異なり、H,F、 fJSClh、CPf
f、0CHs又はCNを表わす。)で置換されていても
良く、該アルキル基中の任意の−CH!−CHl−は−
CI = C)! −又は−〇ミC−に置換されていて
も良く、該アルキル基中の任意の−CH!−は−CF!
−に置換されていても良く、該アルキル基中の−CH3
は−CFffに置換されていても良い光学的に活性なア
ルキル基である場合が好ましい。
なった光学的に活性な基であって、R,11及びR1*
の少なくとも一方は、0、N、S、F、、Cj!等のへ
テロ原子を少なくとも1個含有する光学的に活性な基で
あり、R1゜又はRrが少なくとも1個の不斉炭素原子
を含む炭素原子数2〜20の光学的に活性なアルキル基
であり、又は、該アルキル基中の任意の1個又は互いに
隣接しない2〜3個の−CH7−が各々独立的に一〇−
−S−−coo−−oco〜 −cos−−5co−−
c−又士 は−3−に置換されていても良く、該アルキル基Y! 中の任意の1〜2個の−CH,−は−c−(y、及びY
3は互いに異なり、H,F、 fJSClh、CPf
f、0CHs又はCNを表わす。)で置換されていても
良く、該アルキル基中の任意の−CH!−CHl−は−
CI = C)! −又は−〇ミC−に置換されていて
も良く、該アルキル基中の任意の−CH!−は−CF!
−に置換されていても良く、該アルキル基中の−CH3
は−CFffに置換されていても良い光学的に活性なア
ルキル基である場合が好ましい。
また、一般式(A)において、Xは液晶性分子の中心骨
格(コア)部分を表わすが、Xが一般式一般式(C) Z。
格(コア)部分を表わすが、Xが一般式一般式(C) Z。
又は一般式(D)
されていても良く、また、環中の任意の1〜2個の−C
H2−は、−0−−5−−IJH−−C−−CH−に置
換されていても良く、 また、環中の任 ても良い。Y、はフッ素原子、塩素原子、シアノ基、メ
チル基、メトキシ基を表わし、Z+、、 Zz又は2.
は各々独立的に単結合、−coo−−oco−CH!O
OCH* CLCHg c=c−は−CH
−C)I−を表わし、z4は−CHz CHzC
Ih−意の1〜2個の−CH−は、−N−又は−C=に
置換−5−1又は−〇−を表わし、m及びnは各々独立
的にO又は1を表わす。) で表わされる中心骨格(コア)部分である場合が好まし
い。
H2−は、−0−−5−−IJH−−C−−CH−に置
換されていても良く、 また、環中の任 ても良い。Y、はフッ素原子、塩素原子、シアノ基、メ
チル基、メトキシ基を表わし、Z+、、 Zz又は2.
は各々独立的に単結合、−coo−−oco−CH!O
OCH* CLCHg c=c−は−CH
−C)I−を表わし、z4は−CHz CHzC
Ih−意の1〜2個の−CH−は、−N−又は−C=に
置換−5−1又は−〇−を表わし、m及びnは各々独立
的にO又は1を表わす。) で表わされる中心骨格(コア)部分である場合が好まし
い。
Xで表わされる中心骨格のうち、
代表的なもの
を以下に掲げる。
(V−36)
■ト0バ公
′8−o、
上記各基本骨格中のベンゼン環あるいはシクロヘキサン
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
士シ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
士シ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
次に、
一般式
においてR−
及びR?
で表
わされる光学活性基のうち、代表的なものを以下(IV
−7’) CH。
−7’) CH。
1傘
(’−CH!÷T−CH−g。
に掲げる。
(IV−1)
CD。
1傘
+ CHt +T−CD CtHs
(IV−8)
CH3
−0(−CIb+T−CHR3
(IV−2)
CH3
1・
−0(−CIh+rCHC!)Is
(KV−3)
CHt
+ CHg□ O+ C)It +r CHC!)Is
(IV−4) C11゜ 1・ −Of CHzh−0+ CHt ’+’i−CHCJ
s(IV−12) L j申 −CHRa (IV−13) CHt 1傘 −C)It−CHCHz 0Rs (rV−21) CH3 1・ −5+ CHz +i−C[I(CHzhi−CHt(
IV−32) CH3 −0−CH−R4 (IV−20) −0−CHt にIf−CthL:tltL;th
−1−L;Hゴ(IV−35) −0−CH−C1,−L;II−υに5(IV−53) CH3 HORs (IV−55) 1串 OCHz CHRs (lV −4!(〕 L;ML;Lll;11z−シ■14 (IV−57) l (― OCH! CHR3 (iv −bt〕 −し−u−t、;h−に5 (IV−62) CF2 −OCD Rs (IV−69) CHl。
(IV−4) C11゜ 1・ −Of CHzh−0+ CHt ’+’i−CHCJ
s(IV−12) L j申 −CHRa (IV−13) CHt 1傘 −C)It−CHCHz 0Rs (rV−21) CH3 1・ −5+ CHz +i−C[I(CHzhi−CHt(
IV−32) CH3 −0−CH−R4 (IV−20) −0−CHt にIf−CthL:tltL;th
−1−L;Hゴ(IV−35) −0−CH−C1,−L;II−υに5(IV−53) CH3 HORs (IV−55) 1串 OCHz CHRs (lV −4!(〕 L;ML;Lll;11z−シ■14 (IV−57) l (― OCH! CHR3 (iv −bt〕 −し−u−t、;h−に5 (IV−62) CF2 −OCD Rs (IV−69) CHl。
1・
−COOCHz CJI Rs
(IV−64)
CH。
OCHz CHC1b 0Rs
(IV−70)
Hff
1◆
−OC8! CHC11z 0CORs(IV−6
5) CH3 −OCRCHl 0Rs (IV−71) CHl OCHCHl OCOR5 (IV−66) CI。
5) CH3 −OCRCHl 0Rs (IV−71) CHl OCHCHl OCOR5 (IV−66) CI。
−0−f CHz+rCH(CHzY「0Rs(IV−
72) CNユ OCM CTo(CHz)i−OCORs(It/−
67) −COOCHI Ctl Ctl Cu
rls(IV−73) CHl OCHz−CH−(C1(*)ii−OCORs(IV
−80) COOCTo CN Rs (IV−75) Hff −〇−C)l□−CH0Rs (IV−81) CN 1・ OCHz CHRs (IV−76) CHz −S−C1l −R5 (IV−82) CN 1傘 CHRs (IV−83) HICN −Coo −CH2−CH−Rs (IV−78) Js 1・ OCHz CH0Ra (IV−84) C)lICN I・ OCHt CHRs CH3 し■ゴ 上記各一般式において、mは1〜4の整数を表わし、n
は1〜10の整数を表わし、R3は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R6は炭素原子数2〜】Oのアル
キル基を表わし、R3は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、R9は炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
72) CNユ OCM CTo(CHz)i−OCORs(It/−
67) −COOCHI Ctl Ctl Cu
rls(IV−73) CHl OCHz−CH−(C1(*)ii−OCORs(IV
−80) COOCTo CN Rs (IV−75) Hff −〇−C)l□−CH0Rs (IV−81) CN 1・ OCHz CHRs (IV−76) CHz −S−C1l −R5 (IV−82) CN 1傘 CHRs (IV−83) HICN −Coo −CH2−CH−Rs (IV−78) Js 1・ OCHz CH0Ra (IV−84) C)lICN I・ OCHt CHRs CH3 し■ゴ 上記各一般式において、mは1〜4の整数を表わし、n
は1〜10の整数を表わし、R3は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R6は炭素原子数2〜】Oのアル
キル基を表わし、R3は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、R9は炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
光学活性基として、弐(IV−1)〜(■−22)で表
わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物は、
SC母体液晶に添加してSC”液晶組成物とした際に誘
起される自発分極が非常に小さく単独でsc”相を示す
場合においても、そのほとんどは10 n C70m”
以下にすぎない。
わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物は、
SC母体液晶に添加してSC”液晶組成物とした際に誘
起される自発分極が非常に小さく単独でsc”相を示す
場合においても、そのほとんどは10 n C70m”
以下にすぎない。
一方、光学活性基とじて−1式(IV−31)〜(■9
1)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物
では、S00液晶組成物とした際に誘起する自発分極が
大きく単独でsc”相を示す場合などでは300 n
C/cmi”以上の大きな値を示すものも存在する。本
発明におけるキラルドーパントとしては、少量の添加で
もある程度大きな自発分極、好ましくはSC母体液晶中
に10%添加した場合に、S00相の上限温度の10”
低温側において1. On C70m”以上の自発分極
を誘起することが望ましく、光学活性基としてRど+R
2のうち、少くとも一方は(IV−31,)〜(■−9
1)で表わされる基である化合物を少くとも1種含有す
ることが望ましい。
1)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物
では、S00液晶組成物とした際に誘起する自発分極が
大きく単独でsc”相を示す場合などでは300 n
C/cmi”以上の大きな値を示すものも存在する。本
発明におけるキラルドーパントとしては、少量の添加で
もある程度大きな自発分極、好ましくはSC母体液晶中
に10%添加した場合に、S00相の上限温度の10”
低温側において1. On C70m”以上の自発分極
を誘起することが望ましく、光学活性基としてRど+R
2のうち、少くとも一方は(IV−31,)〜(■−9
1)で表わされる基である化合物を少くとも1種含有す
ることが望ましい。
好ましいR,”、R1”、Xの組み合わせによる化合物
を以下に掲げる。
を以下に掲げる。
CH。
(vl
]lノ
ビ? Utl L OL
−u−L、−L、+1
υhう
上記一般式中、R4及びR、lは各々独立的に炭素原子
数2〜10のアルキル基を表わし、R1及びR、tは各
々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わし、
R?は炭素原子数2〜10の直鎖アルキル基又は炭素原
子数3〜10の分岐アルキル基、又は炭素原子数4〜1
0の少なくとも1個の不斉炭素原子を含む光学的に活性
なアルキル基を表わし、!はO〜5の整数を表わし、Y
は単結合、−o−、−oco−、−coo−、又は−o
coo〜を表わし、Wは、塩素原子、フッ素原子又は−
0−CI(、を表わし、Z′は、 −COO0CO−、CHzO、0CHz 、又は単本
発明のおけるキラルドーパントの他の構成成分としては
、液晶性の分子の片側の側鎖のみが光学活性である化合
物を用いることができる。このような化合物のうち、特
に好ましいものを次に掲げる。
数2〜10のアルキル基を表わし、R1及びR、tは各
々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わし、
R?は炭素原子数2〜10の直鎖アルキル基又は炭素原
子数3〜10の分岐アルキル基、又は炭素原子数4〜1
0の少なくとも1個の不斉炭素原子を含む光学的に活性
なアルキル基を表わし、!はO〜5の整数を表わし、Y
は単結合、−o−、−oco−、−coo−、又は−o
coo〜を表わし、Wは、塩素原子、フッ素原子又は−
0−CI(、を表わし、Z′は、 −COO0CO−、CHzO、0CHz 、又は単本
発明のおけるキラルドーパントの他の構成成分としては
、液晶性の分子の片側の側鎖のみが光学活性である化合
物を用いることができる。このような化合物のうち、特
に好ましいものを次に掲げる。
CH,1
書
(Vl−b−1) R”−Z’ −COOC
II−R。
II−R。
(Vl−b−2)
C11゜
I・
R”−Z’ −0−CI(−1?。
(VT−b−3)
uff
1・
R” Z’ C00CRC00Rs(Vl−b−
4) Hs 1・ R砒−Z’ −COOCii−OR5(Vl−b−5
) CH3 1・ R靭−Z ’ −C00C)I −CI□−0R2(
Vl−b−6) C11゜ 1・ R” Z’ −〇〇〇GHz C1(ORs(V
l−b−7) CI’+3 1・ R” Z’ OCHCHxORs(VI−b−8
) R”−Z’ C11゜ OCToCfl OR% (Vl−b−9) C1l。
4) Hs 1・ R砒−Z’ −COOCii−OR5(Vl−b−5
) CH3 1・ R靭−Z ’ −C00C)I −CI□−0R2(
Vl−b−6) C11゜ 1・ R” Z’ −〇〇〇GHz C1(ORs(V
l−b−7) CI’+3 1・ R” Z’ OCHCHxORs(VI−b−8
) R”−Z’ C11゜ OCToCfl OR% (Vl−b−9) C1l。
R’ Z’ OCRC00Rs
L
(Vl−b−1,1) R’ Z’ OCO
C1f ORs式中、R1は炭素原子数1〜20のア
ルキル基、アルコキシ基、アルカノイルオキシ基、アル
コキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、
又はアルコキシアルキル基を表わし、Z’、R,、R,
、R,、Wは、それぞれ前述の意味を表わす。
C1f ORs式中、R1は炭素原子数1〜20のア
ルキル基、アルコキシ基、アルカノイルオキシ基、アル
コキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、
又はアルコキシアルキル基を表わし、Z’、R,、R,
、R,、Wは、それぞれ前述の意味を表わす。
キラルドーパント中、一般式(A)で表わされる化合物
を10重量%以上、好ましくは30重量%以上用いるの
が望ましく、50重量%以上用いるのが特に好ましい。
を10重量%以上、好ましくは30重量%以上用いるの
が望ましく、50重量%以上用いるのが特に好ましい。
上記のキラルドーパントは、SC母体液晶中に1〜60
重量%の割合で添加してsc”液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重量%の
割合で添加することが好ましい。キラルドーパントの添
加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、S01液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない。また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない、一方、キラル
ドーパントの添加割合が1重量%より少ないと、自発分
極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない。
重量%の割合で添加してsc”液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重量%の
割合で添加することが好ましい。キラルドーパントの添
加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、S01液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない。また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない、一方、キラル
ドーパントの添加割合が1重量%より少ないと、自発分
極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない。
S01液晶組成物の自発分極の値は、3〜30n C/
c−の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合
を調整することが好ましく、S01相を示すキラルドー
パントの場合、単独で100nC/C−程度の自発分極
を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起す
るキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加割
合は10〜40重量%の範囲が好ましく、300 n
C/cd以上の強い自発分極を示すキラルドーパントの
場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25重量%
の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起する自発分
極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少するが、
例示した光学活性化合物からなるキラルドーパントでは
その添加割合が通常1重量%を下回ることはない。
c−の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合
を調整することが好ましく、S01相を示すキラルドー
パントの場合、単独で100nC/C−程度の自発分極
を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を誘起す
るキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加割
合は10〜40重量%の範囲が好ましく、300 n
C/cd以上の強い自発分極を示すキラルドーパントの
場合、キラルドーパントの添加割合は、2〜25重量%
の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起する自発分
極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少するが、
例示した光学活性化合物からなるキラルドーパントでは
その添加割合が通常1重量%を下回ることはない。
本発明のSC“液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時において、まずN“相と相転移し、次いでSA相を
経るか、あるいは直接SC“相へと相転移するが、その
際、N0相を示す温度範囲は、3°以上30°未滴の範
囲が好ましい。N0相を示す温度範囲が、3度未満であ
る場合、降温時にすみやかにSA相に相転移するため、
N1相で液晶分子を充分に配向しにくくなる傾向にある
ので好ましくない。また、N1相を示す温度範囲が30
’以上である場合、S09液晶組成物の透明点が高温に
なり、セルに液晶材料を充填する工程等における作業性
に悪影響を及ぼす傾向にあるので好ましくない。
却時において、まずN“相と相転移し、次いでSA相を
経るか、あるいは直接SC“相へと相転移するが、その
際、N0相を示す温度範囲は、3°以上30°未滴の範
囲が好ましい。N0相を示す温度範囲が、3度未満であ
る場合、降温時にすみやかにSA相に相転移するため、
N1相で液晶分子を充分に配向しにくくなる傾向にある
ので好ましくない。また、N1相を示す温度範囲が30
’以上である場合、S09液晶組成物の透明点が高温に
なり、セルに液晶材料を充填する工程等における作業性
に悪影響を及ぼす傾向にあるので好ましくない。
キラルドーパントは、キラルドーパント自体の液晶性の
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1) N”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は (2) N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のSC
°液晶組成物のN1相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法は
、N1相に限らず、SA相及びSC9相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーパントが
SC3液晶組成物のSA相のみを拡大し、N′″相及び
SC1相を縮小するような場合には、SC母体液晶とし
て、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、
かつ、SC相→N相→r相の相系列を有するもの、又は
SA相の温度範囲が狭りSC相→SA相→N相→I相の
相系列を有するものを用いればよい。
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1) N”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は (2) N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のSC
°液晶組成物のN1相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法は
、N1相に限らず、SA相及びSC9相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーパントが
SC3液晶組成物のSA相のみを拡大し、N′″相及び
SC1相を縮小するような場合には、SC母体液晶とし
て、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、
かつ、SC相→N相→r相の相系列を有するもの、又は
SA相の温度範囲が狭りSC相→SA相→N相→I相の
相系列を有するものを用いればよい。
このようなキ)ルドーバントの傾向は、SC母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるSC0液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、SC0液晶組成
物における各相、特にN″′相を示す温度範囲は容易に
調整3−ることかできる。
一定量のキラルドーパントを添加して得られるSC0液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、SC0液晶組成
物における各相、特にN″′相を示す温度範囲は容易に
調整3−ることかできる。
さらに、N*相からSA相、あるいはS C”相に転移
する温度(N”相の下限温度)から、その1°高温側ま
でにおけるN’相に出現する螺旋ピンチが3μm以上で
あるごとが好ましく、該螺旋ピッチが108m以上であ
り、N“相の下限温度に近づくにつれて該螺旋ピッチが
発散的に大きくなるSC”液晶組成物が配向上、特に好
ましいものである。
する温度(N”相の下限温度)から、その1°高温側ま
でにおけるN’相に出現する螺旋ピンチが3μm以上で
あるごとが好ましく、該螺旋ピッチが108m以上であ
り、N“相の下限温度に近づくにつれて該螺旋ピッチが
発散的に大きくなるSC”液晶組成物が配向上、特に好
ましいものである。
未発明におけるキラルドーパントの構成成分として、一
般式(A)で示される光学活性化合物を用いた場合、単
一の化合物であっても上記条件を満足するような螺旋ピ
ッチの長いSC“液晶組成物を得ることも可能であるが
、一般的にはキラルドーパントの濃度が実用的な範囲で
は、螺旋ビ、・チが必ずしも」二記条件を満足するとは
限らない。
般式(A)で示される光学活性化合物を用いた場合、単
一の化合物であっても上記条件を満足するような螺旋ピ
ッチの長いSC“液晶組成物を得ることも可能であるが
、一般的にはキラルドーパントの濃度が実用的な範囲で
は、螺旋ビ、・チが必ずしも」二記条件を満足するとは
限らない。
その場合は、上記の好ましい範囲に螺旋ピッチを調整す
るために、SC母体液晶ムこ添加してSC。
るために、SC母体液晶ムこ添加してSC。
液晶組成物とした際に、N*相に出現する螺旋の向きが
、互いに相反する光学活性化合物を少なくとも1種ずつ
加えてキラルドーパントを調製することが必要である。
、互いに相反する光学活性化合物を少なくとも1種ずつ
加えてキラルドーパントを調製することが必要である。
複数の光学活性化合物を含むSC″液晶組成物のN0相
に出現する螺旋のピッ−(−P(μm)は各光学活性物
質の濃度をCi、各単位濃度あたりの螺旋のピンチをP
i (、!/l1l)とするよおり、(ここでは螺旋
のピッチは右巻きを正、左巻きを負とする。)、これを
用いてSC0液晶組成物のSAN”点T0におけるPl
をPPとする時、となるようにCiを選べばよい。ここ
でPiはN相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合
物を単位濃度添加することにより測定が可能である。
に出現する螺旋のピッ−(−P(μm)は各光学活性物
質の濃度をCi、各単位濃度あたりの螺旋のピンチをP
i (、!/l1l)とするよおり、(ここでは螺旋
のピッチは右巻きを正、左巻きを負とする。)、これを
用いてSC0液晶組成物のSAN”点T0におけるPl
をPPとする時、となるようにCiを選べばよい。ここ
でPiはN相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合
物を単位濃度添加することにより測定が可能である。
実際にはToは各C4によって変化するが、各光学活性
化合物を該SC母体液晶中に、濃度ΣCiだけ添加した
ときの5A−N”点の変化などから、かなり正確に類推
できることが多く、推定値T 、 /とそれを用いて選
ばれた組成物のToとが大きく異なる場合にはT 、
rに換えてToを用いて再度測定すればよい。
化合物を該SC母体液晶中に、濃度ΣCiだけ添加した
ときの5A−N”点の変化などから、かなり正確に類推
できることが多く、推定値T 、 /とそれを用いて選
ばれた組成物のToとが大きく異なる場合にはT 、
rに換えてToを用いて再度測定すればよい。
本発明で使用するキラルドーパントとしては、一定量の
SC母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極(以下、P、と省略する。)を誘起することが
必要である。
SC母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極(以下、P、と省略する。)を誘起することが
必要である。
前述の如く、S00液晶組成物としては、そのP、の値
が、特に室温付近で3〜30 n Cicdの範囲にな
るようにキラルドーパントの添加量を調整すればよい、
しかしながら、キラルドーバン1−が誘起するP8の値
が小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して
多くなり、これに伴なってSC″′液晶組成物の粘性が
大きくなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾
向にあるので好ましくない。従って、本発明で使用する
キラルドーパントとしては、SC母体液晶に10重世%
添加した場合に1. On C/ci以Fの■)、を誘
起できるものが好ましく、5重量%添加した場合に0、
5 n Clcd以上のP、を誘起できるものが持に好
ましい。
が、特に室温付近で3〜30 n Cicdの範囲にな
るようにキラルドーパントの添加量を調整すればよい、
しかしながら、キラルドーバン1−が誘起するP8の値
が小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して
多くなり、これに伴なってSC″′液晶組成物の粘性が
大きくなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾
向にあるので好ましくない。従って、本発明で使用する
キラルドーパントとしては、SC母体液晶に10重世%
添加した場合に1. On C/ci以Fの■)、を誘
起できるものが好ましく、5重量%添加した場合に0、
5 n Clcd以上のP、を誘起できるものが持に好
ましい。
/
/
/
〔実施例〕
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
実施例】 (キラルドーパントの調製)scI(1体液
晶に添加してSC0液晶組成物とした際に、N“相に右
巻きの螺旋を出現させる化合物とし2て、式 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN8相に出現させる螺旋ピッチは60″Cにお
いて4.7μmである。)の化合物73%と、左巻きの
螺旋を出現させる化合物として、式 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN“相に出現させる螺旋ピッチは60℃におい
て11.9μmである。)の化合物27%とを混合して
、N“相に出現させる螺旋のピッチが調整されたキラル
ドーパントを調製した。
晶に添加してSC0液晶組成物とした際に、N“相に右
巻きの螺旋を出現させる化合物とし2て、式 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN8相に出現させる螺旋ピッチは60″Cにお
いて4.7μmである。)の化合物73%と、左巻きの
螺旋を出現させる化合物として、式 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN“相に出現させる螺旋ピッチは60℃におい
て11.9μmである。)の化合物27%とを混合して
、N“相に出現させる螺旋のピッチが調整されたキラル
ドーパントを調製した。
以下キラルドーパント(A)と称する。
なお、実施例1で用いたSC母体液晶は、及び
から成る組成物であり、57゛C以下でSC相を、64
、5 ’C以下でSA相を、69“C以下でN相を各々
示し、その融点は14°Cであった。
、5 ’C以下でSA相を、69“C以下でN相を各々
示し、その融点は14°Cであった。
実施例2(キラルドーパントの調製(2))とを混合し
て、N”相に出現させる螺旋ピッチが調整されたキラル
ドーパントを調製した。このキラルドーパントは51°
C以下でsc”相、70.5’C以下でSA相、71,
5℃以下でN”相を示し、その融点は31′Cであった
。
て、N”相に出現させる螺旋ピッチが調整されたキラル
ドーパントを調製した。このキラルドーパントは51°
C以下でsc”相、70.5’C以下でSA相、71,
5℃以下でN”相を示し、その融点は31′Cであった
。
以下、キラルドーパント(B)と称する。
実施例3(キラルドーパントの調製(3))実施例4
(キラルドーパントの調製(4))とを混合してN1相
に出現させる螺旋ピッチが調整されたキラルドーパント
を調製した。このキラルドーパントは56,5°C以下
で高次のキラルスメクチンク相を、65℃以下でN0相
を示し、その融点は55°Cであった。
(キラルドーパントの調製(4))とを混合してN1相
に出現させる螺旋ピッチが調整されたキラルドーパント
を調製した。このキラルドーパントは56,5°C以下
で高次のキラルスメクチンク相を、65℃以下でN0相
を示し、その融点は55°Cであった。
以下、キラルドーパント(C)と称する。
とを混合してN1相に出現させる螺旋ピッチが調整され
たキラルドーパントを調製した。
たキラルドーパントを調製した。
以下、キラルドーパント(D)と称する。
実施例5(SC”液晶組成物の調製1)中温域母体液晶
として式(1−b−1)の化合物、減粘液晶として式(
II−a−6)の化合物、及びキラルドーパンl−(A
)から成る以下の組成のSC0液晶組成物を調製した。
として式(1−b−1)の化合物、減粘液晶として式(
II−a−6)の化合物、及びキラルドーパンl−(A
)から成る以下の組成のSC0液晶組成物を調製した。
(1−b−1)
(II−a−6)
n−CJ+s(HΣC00% n −Ca H+ t1
6% キラルドーパント 20%この組
成物は、62°C以下でsc”相を、73℃以下でSA
相を、79°C以下でN3相を各々示した。この組成物
の73.1 ’Cにおける螺旋ピッチは、10am以上
であり、配向処理を施したセルに充填して等方性液体相
から徐冷すると極めて良好な配向性を示した。
6% キラルドーパント 20%この組
成物は、62°C以下でsc”相を、73℃以下でSA
相を、79°C以下でN3相を各々示した。この組成物
の73.1 ’Cにおける螺旋ピッチは、10am以上
であり、配向処理を施したセルに充填して等方性液体相
から徐冷すると極めて良好な配向性を示した。
配向処理をポリイミド−片側ラビングで行い、充填、配
向させたセルに、電界強度10 V 、、7μm。
向させたセルに、電界強度10 V 、、7μm。
50 Hzの矩形波を印加してその電気光学応答速度を
測定したところ、25°Cで62μ秒という高速応答性
を示し、コントラストも良好であった。
測定したところ、25°Cで62μ秒という高速応答性
を示し、コントラストも良好であった。
この時のチルト角は19.1°、自発分極は19,4n
C/aa”であった。
C/aa”であった。
実施例6 (SC”液晶組成物の鋼製2)実施例5にお
いて、式(II−a−6)の減粘液晶に代えて式(II
−b −1,)の化合物n−C5H+ t +0CH
t8n−C*HI ?を用いた以外は実施例5と同様に
してSC”液晶組成物を調製した。
いて、式(II−a−6)の減粘液晶に代えて式(II
−b −1,)の化合物n−C5H+ t +0CH
t8n−C*HI ?を用いた以外は実施例5と同様に
してSC”液晶組成物を調製した。
この組成物は、61゛CまでSC8相を、65°Cまで
SA相を、70.5°CまでN”相を各々示した。
SA相を、70.5°CまでN”相を各々示した。
実施例5と同様にして、その光学応答速度を測定したと
ころ、25°Cで37μ秒という高速応答性を示し、配
向性、コントラストともに良好であった。このときのチ
ルト角は31.3°、自発分極は25.5 n C7c
m”であった。
ころ、25°Cで37μ秒という高速応答性を示し、配
向性、コントラストともに良好であった。このときのチ
ルト角は31.3°、自発分極は25.5 n C7c
m”であった。
実施例7 (SC’″液晶組成物の調製3)中温域母体
液晶として弐(1−1)−1)の化合物、減粘液晶とし
て式(■−a−1)の化合物及びキラルドーパント(B
)から成る以下の組成のSC“液晶組成物を調製した。
液晶として弐(1−1)−1)の化合物、減粘液晶とし
て式(■−a−1)の化合物及びキラルドーパント(B
)から成る以下の組成のSC“液晶組成物を調製した。
(1−b−1)
ri−CJIJ4COO80−n−C61+t 14
%(III −a−1) キラルドーパント(B) 30% この組成物は、60°C以下でsc”相を、71℃以下
でSA相を、78°C以下でN”相を各々示した。
%(III −a−1) キラルドーパント(B) 30% この組成物は、60°C以下でsc”相を、71℃以下
でSA相を、78°C以下でN”相を各々示した。
実施例5と同様にして、その光学応答速度を測定したと
ころ、25°Cで119μ秒という高速応答性を示し、
配向性、コントラストともに良好であった。
ころ、25°Cで119μ秒という高速応答性を示し、
配向性、コントラストともに良好であった。
実施例8 (SC”液晶組成物の調製4)中温域母体液
晶として式(1−a−1)の化合物、減粘液晶として弐
(U−a−6)の化合物及びキラルドーバンi−(B)
から成るSC“液晶組成物を調製した。
晶として式(1−a−1)の化合物、減粘液晶として弐
(U−a−6)の化合物及びキラルドーバンi−(B)
から成るSC“液晶組成物を調製した。
(I−a−1)
(U−a −6)
この組成物は36°Cまでsc”相、61゛CまでSA
相、62°CまでN“相を各々示した。
相、62°CまでN“相を各々示した。
実施例5と同様にして、その光学応答速度を測定したと
ころ、25°Cで99μ秒という高速応答性を示し、配
向性、コントラストともに良好であった。
ころ、25°Cで99μ秒という高速応答性を示し、配
向性、コントラストともに良好であった。
実施例9 (SC”液晶組成物の調製5)実施例8にお
いて、弐(U−a−6)の減粘液晶に代えて式(ff−
a−1)の化合物n−CH6)f214COO4n−C
J+ sを用い、キラルドーパント(B)に代えて、キ
ラルドーパント(C)を用いた以外は実施例8と同様に
してSC′″液晶組成物を調製した。
いて、弐(U−a−6)の減粘液晶に代えて式(ff−
a−1)の化合物n−CH6)f214COO4n−C
J+ sを用い、キラルドーパント(B)に代えて、キ
ラルドーパント(C)を用いた以外は実施例8と同様に
してSC′″液晶組成物を調製した。
この組成物は、47.5 ”C以下でSC”相、59°
C以下でN1相を各々示した。
C以下でN1相を各々示した。
実施例5と同様にして、その光学応答速度を測定したと
ころ、25°Cで48μ秒という高速応答性を示し、配
向性、コントラストともに良好であった。
ころ、25°Cで48μ秒という高速応答性を示し、配
向性、コントラストともに良好であった。
実施例1ocse”液晶組成物の調製6)中温域母体液
晶として式(1−a−1)の化合物、減粘液晶として式
(U−b−1)の化合物及びキラルドーバンl−(D)
から成る以下の組成のS00液晶組成物を調製した。
晶として式(1−a−1)の化合物、減粘液晶として式
(U−b−1)の化合物及びキラルドーバンl−(D)
から成る以下の組成のS00液晶組成物を調製した。
(1−a −1)
(fJ−b
の組成物は52.5°CまでSC0相を、59°Cまで
SA相を各々示した。
SA相を各々示した。
実施例5と同様にして、その光学応答速度を測定したと
ころ、25゛Cで40 u、秒という高速応答性を示し
、配向性、コントラストともに良好であった。
ころ、25゛Cで40 u、秒という高速応答性を示し
、配向性、コントラストともに良好であった。
〔発明の効果]
本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
従って、本発明の強誘電性液晶組成物は、強誘電性スメ
クチンク液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。
クチンク液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。
代
理
人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(1)光学的に不活性で、10℃以上における任意
の1度以上の温度巾の範囲でモノトロピックであっても
よい、(a)2環構造のスメクチックC相を示す液晶化
合物、(b)シクロヘキシル環を有する3環構造のスメ
クチックC相を示す液晶化合物、又は(c)上記(a)
又は(b)の化合物のアルキル鎖の炭素原子数又は構造
のみが異なった同族体、を含有するスメクチックC相を
示す中温域液晶と、(2)光学的に不活性であり、2環
構造からなり、両側鎖の少なくとも一方がアルキル基で
あり、分子内に含まれるエステル結合が1個以下である
化合物から成る減粘液晶、から成るスメクチックC相を
示す液晶組成物に、(3)光学活性化合物から成るキラ
ルドーパントを添加して成る強誘電性液晶組成物であっ
て、光学活性化合物が一般式(A) R_1^*−X−R_2^* (式中、Xは液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
し、R_1^*及びR_2^*は少なくとも一方の基が
ヘテロ原子を少なくとも1個含有する互いに異なった光
学的に活性な基を表わす。) で表わされる化合物であることを特徴とする、室温を含
む広い温度範囲でキラルスメクチックC相を示す強誘電
性液晶組成物。 2、Xが一般式(B) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(C) ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は一般式(D) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
ります▼及 び▲数式、化学式、表等があります▼は、各々独立的に
飽和又は不飽和の5員環又は6員環の炭化水素環を表わ
すが、環中の任意の1〜2個の−CH=は、−N=又は
▲数式、化学式、表等があります▼に置換されていても
良く、また、環中の任意の1〜2個の−CH_2−は、
−O−、−S−、−NH−、▲数式、化学式、表等があ
ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼に置換さ
れていても良く、また、環中の任意の1〜2個の▲数式
、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等が
あります▼に置換されていても良い。Y_1はフッ素原
子、塩素原子、シアノ基、メチル基、メトキシ基を表わ
し、Z_1、Z_2又はZ_3は各々独立的に単結合、
−COO−、−OCO−、−CH_2O−、−OCH_
2−、−CH_2CH_2−、−C≡C−、▲数式、化
学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は−CH=CH−
を表わし、Z_4は−CH_2−、−CH_2CH_2
−、−CH=CH−、▲数式、化学式、表等があります
▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼、−S−、又は−O−を表わし、
m及びnは各々独立的に0又は1を表わす。) で表わされる中心骨格(コア)部分である請求項1記載
の強誘電性液晶組成物。 3、R_1^*及びR_2^*が少なくとも1個の不斉
炭素原子を含む炭素原子数2〜20の光学的に活性なア
ルキル基であり、又は、該アルキル基中の任意の1個又
は互いに隣接しない2〜3個の−CH_2−が各々独立
的に−O−、−S−、−COO−、−OCO−、−CO
S−、−SCO−、▲数式、化学式、表等があります▼
又は▲数式、化学式、表等があります▼に置換されてい
ても良く、該アルキル基中の任意の1〜2個の−CH_
2−は▲数式、化学式、表等があります▼(Y_2及び
Y_3は互いに異なり、H、F、Cl、CH_3、CF
_3、OCH_3又はCNを表わす。)で置換されてい
ても良く、該アルキル基中の任意の−CH_2−CH_
2−は−CH=CH−又は−C≡C−に置換されていて
も良く、該アルキル基中の任意の−CH_2−は−CF
_2−に置換されていても良く、該アルキル基中の−C
H_3は−CF_3に置換されていても良い光学的に活
性なアルキル基である請求項1又は2記載の強誘電性液
晶組成物。 4、等方性液体状態からの冷却時において、3度以上3
0度未満の温度幅を有するキラルネマチック相を経由し
、該キラルネマチック相からより低温側の相に相転移す
る温度から、該相転移温度の1度高温側までにおける温
度域において、該キラルネマチック相における螺旋ピッ
チが3μm以上である請求項1、2又は3記載の強誘電
性液晶組成物。 5、スメクチックC相を示す液晶組成物に10重量%添
加してキラルスメクチックC相を示す強誘電性液晶組成
物とした場合に、該キラルスメクチックC相の上限温度
より10度低温側において1.0nC/cm^2以上の
自発分極を誘起するキラルドーパントを用いる請求項1
、2、3又は4記載の強誘電性液晶組成物。 6、等方性液体状態からの冷却時において、キラルネマ
チック相、次いでスメクチックA相を経てキラルスメク
チックC相に相転移する請求項1、2、3、4又は5記
載の強誘電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1011436A JPH02191695A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1011436A JPH02191695A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02191695A true JPH02191695A (ja) | 1990-07-27 |
Family
ID=11778038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1011436A Pending JPH02191695A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02191695A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10017520B2 (en) | 2014-12-10 | 2018-07-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Myc modulators and uses thereof |
| US10106555B2 (en) | 2016-02-16 | 2018-10-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Max binders as MYC modulators and uses thereof |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1011436A patent/JPH02191695A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10017520B2 (en) | 2014-12-10 | 2018-07-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Myc modulators and uses thereof |
| US10106555B2 (en) | 2016-02-16 | 2018-10-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Max binders as MYC modulators and uses thereof |
| US10865213B2 (en) | 2016-02-16 | 2020-12-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Max binders as MYC modulators and uses thereof |
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