JPH02232957A - 樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用のリードフレームInfo
- Publication number
- JPH02232957A JPH02232957A JP1053230A JP5323089A JPH02232957A JP H02232957 A JPH02232957 A JP H02232957A JP 1053230 A JP1053230 A JP 1053230A JP 5323089 A JP5323089 A JP 5323089A JP H02232957 A JPH02232957 A JP H02232957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- semiconductor device
- lead
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は樹脂封止型半導体装置用のリードフレームに関
する． （従来の技術） 樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのダイバフド
部上に半導体素子を搭載し、この半導体素子と内部リー
ド部先端との間で必要なワイヤボンディングを施したの
ち、半導体素子と内部リード部とを樹脂により封止して
いる． この場合に耐湿性を向上させるため、特に内部リード部
表面と樹脂との境界部からの湿気の侵入を防止するため
、用いる樹脂はリードフレームとの密着力が大なるもの
が使われる． この種の樹脂において、リードフレームとの密着力の調
整は樹脂中に混入する各種助剤により行える． （発明が解決しようとする課題） ところで、製品の外観を向上させるため、一般的に樹脂
注入路を上型と下型のパーティング面上に形成して、ゲ
ート部が樹脂封止部のサイド面に位置するようなされる
場合が多い．この場合に、リードフレームにはサイドレ
ール部が存在することから樹脂注入路はサイドレール面
に沿うこととなる。
する． （従来の技術） 樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのダイバフド
部上に半導体素子を搭載し、この半導体素子と内部リー
ド部先端との間で必要なワイヤボンディングを施したの
ち、半導体素子と内部リード部とを樹脂により封止して
いる． この場合に耐湿性を向上させるため、特に内部リード部
表面と樹脂との境界部からの湿気の侵入を防止するため
、用いる樹脂はリードフレームとの密着力が大なるもの
が使われる． この種の樹脂において、リードフレームとの密着力の調
整は樹脂中に混入する各種助剤により行える． （発明が解決しようとする課題） ところで、製品の外観を向上させるため、一般的に樹脂
注入路を上型と下型のパーティング面上に形成して、ゲ
ート部が樹脂封止部のサイド面に位置するようなされる
場合が多い．この場合に、リードフレームにはサイドレ
ール部が存在することから樹脂注入路はサイドレール面
に沿うこととなる。
樹脂封止後、ランナーやゲートを樹脂封止部から分離除
去する必要があるが、前記のごとく、使用される樹脂が
リードフレームに対する接着力の大きなものであるため
、上記リードフレームに沿う樹脂注入路に対応するラン
ナー、ゲートが当該リードフレーム上に強固に密着して
しまい、ランナー、ゲートの除去が良好に行えない問題
点がある．ランナー、ゲートの除去にはランナーをリー
ドフレーム面から離れる方向に持ち上げてゲート部分で
折り取るようにするのであるが（通常自動機で行われる
）、ランナー、ゲートがリードフレームと強固に密着し
ているので、ランナーの中途で折れてしまうなど、特に
ゲート部分が樹脂本体部に残りやすい。このため別途人
手により除去する後処理工程が必要となり、作業性が劣
り、またコスト上昇を招くという問題があった。特に銅
主体のリードフレームではこの問題が多発していた。
去する必要があるが、前記のごとく、使用される樹脂が
リードフレームに対する接着力の大きなものであるため
、上記リードフレームに沿う樹脂注入路に対応するラン
ナー、ゲートが当該リードフレーム上に強固に密着して
しまい、ランナー、ゲートの除去が良好に行えない問題
点がある．ランナー、ゲートの除去にはランナーをリー
ドフレーム面から離れる方向に持ち上げてゲート部分で
折り取るようにするのであるが（通常自動機で行われる
）、ランナー、ゲートがリードフレームと強固に密着し
ているので、ランナーの中途で折れてしまうなど、特に
ゲート部分が樹脂本体部に残りやすい。このため別途人
手により除去する後処理工程が必要となり、作業性が劣
り、またコスト上昇を招くという問題があった。特に銅
主体のリードフレームではこの問題が多発していた。
このように、昨今の樹脂が、リードフレームに対して密
着性に優れるものが使用されているために、ランナー、
ゲートの除去が容易に行えない。
着性に優れるものが使用されているために、ランナー、
ゲートの除去が容易に行えない。
しかしリードフレームとの密着力の低い樹脂を用いれば
耐湿性に問題が生じるという相反する問題があるのであ
る。
耐湿性に問題が生じるという相反する問題があるのであ
る。
そこで本発明は上記問題点を解消すべくなされたもので
あり、その目的とするところは、ランチ、ゲートを樹脂
本体部に残すことなく、きれいに除去することのできる
リーＥフレームを提供するにある。
あり、その目的とするところは、ランチ、ゲートを樹脂
本体部に残すことなく、きれいに除去することのできる
リーＥフレームを提供するにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的による本発明では、上型と下型のバーティング
面上にキャビティに通じる樹脂流入路が形成された成形
金型により、組み込まれたリードフレームの少なくとも
サイドレール面に沿う前記樹脂流入路からキャビティ内
に樹脂が流入される樹脂封止型半導体装置用のリードフ
レームにおいて、前記樹脂流入路に対応するフレーム面
を含む範囲に樹脂との密着力が低いメッキ皮膜を形成し
たことを特徴とする。
面上にキャビティに通じる樹脂流入路が形成された成形
金型により、組み込まれたリードフレームの少なくとも
サイドレール面に沿う前記樹脂流入路からキャビティ内
に樹脂が流入される樹脂封止型半導体装置用のリードフ
レームにおいて、前記樹脂流入路に対応するフレーム面
を含む範囲に樹脂との密着力が低いメッキ皮膜を形成し
たことを特徴とする。
あるいは、リードフレーム面に対する密着力の低いメッ
キ皮膜を・対応するフレーム面とに形成するのでもよい
． （作用） 樹脂注入路に対応するリードフレーム面上に樹脂との密
着力の低いメッキ皮膜が形成されているので、当該リー
ドフレーム面上に残るランナーゲートを樹脂本体部に残
すことなくきれいに除去することができる． あるいはリードフレーム面との密着力の低いメッキ皮膜
を形成しておくことにより、メッキ皮膜と共にランナー
、ゲートを剥離・除去できる。
キ皮膜を・対応するフレーム面とに形成するのでもよい
． （作用） 樹脂注入路に対応するリードフレーム面上に樹脂との密
着力の低いメッキ皮膜が形成されているので、当該リー
ドフレーム面上に残るランナーゲートを樹脂本体部に残
すことなくきれいに除去することができる． あるいはリードフレーム面との密着力の低いメッキ皮膜
を形成しておくことにより、メッキ皮膜と共にランナー
、ゲートを剥離・除去できる。
（実施例）
以下には本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図はＤＩＰタイプの半導体装置に用いるリードフレ
ーム１０を示す。
ーム１０を示す。
図において、ｌ２はダイパγト部であり、サポートパー
１４によってサイドレ〒ル部１６、１６に支持されてい
る。１８は内部リード部であり、その先端がグイパッド
部１２を取り囲むように配置されている。２０は内部リ
ード部１８から外方に向けて延設される外部リード部で
あり、ダムパー２２によってサイドレール部１６、１６
に支持される。２４はタイバーである。また２６、２８
はサイドレール部ｌ６、１６上に設けたパイロットホー
ルである。
１４によってサイドレ〒ル部１６、１６に支持されてい
る。１８は内部リード部であり、その先端がグイパッド
部１２を取り囲むように配置されている。２０は内部リ
ード部１８から外方に向けて延設される外部リード部で
あり、ダムパー２２によってサイドレール部１６、１６
に支持される。２４はタイバーである。また２６、２８
はサイドレール部ｌ６、１６上に設けたパイロットホー
ルである。
内部リード部１８先端にはワイヤボンディングのための
メッキ、例えば銀メッキ皮膜が形成される． 上記のグイパッド部１２上には半導体素子（図示せず）
が搭載され、この半導体素子と内部リード部ｌ８先端と
の間にワイヤボンディングがなされてのち、公知の手段
により半導体素子と内部リード部１８とが樹脂により封
止されるのである。
メッキ、例えば銀メッキ皮膜が形成される． 上記のグイパッド部１２上には半導体素子（図示せず）
が搭載され、この半導体素子と内部リード部ｌ８先端と
の間にワイヤボンディングがなされてのち、公知の手段
により半導体素子と内部リード部１８とが樹脂により封
止されるのである。
破線はその際の樹脂封止領域を示す。また３０はランナ
ー、３２はゲートである。樹脂注入路は成形金型の上型
と下型のパーティング面に形成される。したがってラン
ナー３０，ゲート３２はリードフレーム１０のサイドレ
ール部１６上に残る。
ー、３２はゲートである。樹脂注入路は成形金型の上型
と下型のパーティング面に形成される。したがってラン
ナー３０，ゲート３２はリードフレーム１０のサイドレ
ール部１６上に残る。
本実施例では、上記のランナー３０、ゲート３２が付着
する部位を含むリードフレーム部分（本実施例ではサイ
ドレール部）に、樹脂との密着性の低いメッキ皮膜Ａを
形成しておくのである。
する部位を含むリードフレーム部分（本実施例ではサイ
ドレール部）に、樹脂との密着性の低いメッキ皮膜Ａを
形成しておくのである。
したがって、ランナー３０、ゲート３２をリードフレー
ム面と離れる方向に折り曲げてゲート部分で折り取る際
に、ランナー３０，ゲート３２がリードフレーム面上に
付着したまま残ることがなく、きれいに除去することが
できる。
ム面と離れる方向に折り曲げてゲート部分で折り取る際
に、ランナー３０，ゲート３２がリードフレーム面上に
付着したまま残ることがなく、きれいに除去することが
できる。
上記リードフレーム部分に形成するメッキ皮膜Ａは、銀
メッキ、クロムメッキ、ニッケルメッキが好適である。
メッキ、クロムメッキ、ニッケルメッキが好適である。
特にクロムメッキ、ニッケルメッキは樹脂との密着力が
低いので好適である。
低いので好適である。
なお一般的に、樹脂注入路は、グイパッド部１２の素子
付け面とは反対側のリードフレーム（サイドレール部）
面に沿わせて形成されるので、当該部分へのメッキは、
内部リード部１８先端に形成するメッキとは別工程で行
う。
付け面とは反対側のリードフレーム（サイドレール部）
面に沿わせて形成されるので、当該部分へのメッキは、
内部リード部１８先端に形成するメッキとは別工程で行
う。
しかし、樹脂注入路を上記の素子付け面と同じ側に設け
るようにすれば、内部リード部１８先端に部分メッキを
施す際同時に、上記リードフレーム部分に内部リード部
先端と同一のメッキを施すようにしてもよい。
るようにすれば、内部リード部１８先端に部分メッキを
施す際同時に、上記リードフレーム部分に内部リード部
先端と同一のメッキを施すようにしてもよい。
また上記実施例においては、リードフレーム部分に樹脂
の密着力の低いメッキ皮膜Ａを形成するようにしたが、
このメッキ皮膜はリードフレームとの密着力の低いメッ
キ皮膜Ａに形成して、ランナー３０、ゲート３２を除去
する際、メッキ皮膜Ａがリードフレーム面から剥離する
ようにしてもよい。
の密着力の低いメッキ皮膜Ａを形成するようにしたが、
このメッキ皮膜はリードフレームとの密着力の低いメッ
キ皮膜Ａに形成して、ランナー３０、ゲート３２を除去
する際、メッキ皮膜Ａがリードフレーム面から剥離する
ようにしてもよい。
第２図はＱＦＰタイプのリードフレームを示す。
ＱＦＰタイプのリードフレームでは、四方に外部リード
部２０が延出するので、隣接する外部リ一ド部群とのコ
ーナ一部に相当するリードフレーム部分（サイドレール
部を含む）の表面に沿って樹脂が注入されるよう、樹脂
注入路が形成される．本実施例においても上記の樹脂注
・入路に対応するリードフレーム部分に樹脂の密着力の
低いメッキ皮膜Ａあるいはリードフレーム面との密着力
の低いメッキ皮膜Ａを形成しておくのである。
部２０が延出するので、隣接する外部リ一ド部群とのコ
ーナ一部に相当するリードフレーム部分（サイドレール
部を含む）の表面に沿って樹脂が注入されるよう、樹脂
注入路が形成される．本実施例においても上記の樹脂注
・入路に対応するリードフレーム部分に樹脂の密着力の
低いメッキ皮膜Ａあるいはリードフレーム面との密着力
の低いメッキ皮膜Ａを形成しておくのである。
以上、本発明の好適な実施例について種々述べてきたが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内でさらに多くの改変を施し得
るのはもちろんのことである． （発明の効果） 以上のように本発明に係るリードフレームによれば、リ
ードフレーム自体に対する密着力の良好な樹脂を用いて
、得られる半導体装置の耐湿性の向上を図れ、一方、ラ
ン・ナー、ゲートは容易に除去可能となる著効を奏する
。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内でさらに多くの改変を施し得
るのはもちろんのことである． （発明の効果） 以上のように本発明に係るリードフレームによれば、リ
ードフレーム自体に対する密着力の良好な樹脂を用いて
、得られる半導体装置の耐湿性の向上を図れ、一方、ラ
ン・ナー、ゲートは容易に除去可能となる著効を奏する
。
第１図はＤＩＰタイプのリードフレームの説明図、第２
図はＱＦＰタイプのリードフレームの説明図を示す。 １０・・ パッド部、 工６・ ・ 一ド部、 ２２・ ３２・ １２・ ・ ・ダイ トバー １８・・・内部リ ド部、 ・・ランナー ・リードフレーム、 １４・・・サポー ・サイドレール部、 ２０・・・外部リー ・・ダムパー ３０・ ・ ・ゲート。
図はＱＦＰタイプのリードフレームの説明図を示す。 １０・・ パッド部、 工６・ ・ 一ド部、 ２２・ ３２・ １２・ ・ ・ダイ トバー １８・・・内部リ ド部、 ・・ランナー ・リードフレーム、 １４・・・サポー ・サイドレール部、 ２０・・・外部リー ・・ダムパー ３０・ ・ ・ゲート。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、上型と下型のパーティング面上にキャビティに通じ
る樹脂流入路が形成された成形金型により、組み込まれ
たリードフレームの少なくともサイドレール面に沿う前
記樹脂流入路からキャビティ内に樹脂が流入される樹脂
封止型半導体装置用のリードフレームにおいて、前記樹
脂流入路に対応するフレーム面を含 む範囲に樹脂との密着力が低いメッキ皮膜を形成したこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置用のリードフレー
ム。 ２、上型と下型のパーティング面上にキャビティに通じ
る樹脂流入路が形成された成形金型により、組み込まれ
たリードフレームの少なくともサイドレール面に沿う前
記樹脂流入路からキャビティ内に樹脂が流入される樹脂
封止型半導体装置用のリードフレームにおいて、前記樹
脂流入路に対応するフレーム面を含 む範囲に、フレーム面に対する密着力の低いメッキ皮膜
を形成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置用の
リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053230A JPH02232957A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053230A JPH02232957A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232957A true JPH02232957A (ja) | 1990-09-14 |
Family
ID=12937020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1053230A Pending JPH02232957A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02232957A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04326561A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム |
| WO2020148879A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2020-07-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
-
1989
- 1989-03-06 JP JP1053230A patent/JPH02232957A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04326561A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム |
| WO2020148879A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2020-07-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
| JPWO2020148879A1 (ja) * | 2019-01-18 | 2021-09-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 |
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