JPH02232961A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02232961A JPH02232961A JP1054224A JP5422489A JPH02232961A JP H02232961 A JPH02232961 A JP H02232961A JP 1054224 A JP1054224 A JP 1054224A JP 5422489 A JP5422489 A JP 5422489A JP H02232961 A JPH02232961 A JP H02232961A
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- nitride film
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Landscapes
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体装置に関し、特に強誘電体を集積化し
た半導体装置の構造に関する。
た半導体装置の構造に関する。
［従来の技術コ
従来の半導体装置の構造断面を第１図に示す。
第１図では、１０１の半導体基板に１０２．１０３の拡
散層と１０４のゲートで構成されるＭＯＳＦＩＴ，及び
１．０６の下部金属電極、１０７の強誘電体、１０８の
上部金属電極をそれぞれ示す。
散層と１０４のゲートで構成されるＭＯＳＦＩＴ，及び
１．０６の下部金属電極、１０７の強誘電体、１０８の
上部金属電極をそれぞれ示す。
該コンデンサー構造の両側電極は、１１０の配線を通じ
て他の回路と接続される。また該強誘電体によるコンデ
ンサー構造は、コンデンサー，誘電分極反転を用いたメ
モリー機能等多様な応用に供される。
て他の回路と接続される。また該強誘電体によるコンデ
ンサー構造は、コンデンサー，誘電分極反転を用いたメ
モリー機能等多様な応用に供される。
［発明が解決しようとする課題コ
該強誘電体を用いた半導体装置の応用は多様であるもの
の、長期信頼性，安定性又は分極反転の繰返しによる劣
化等、経時による特性の劣化が顕著であった。本発明は
かかる欠点を克服し、高信頼度な半導体装置を提供する
ものである。
の、長期信頼性，安定性又は分極反転の繰返しによる劣
化等、経時による特性の劣化が顕著であった。本発明は
かかる欠点を克服し、高信頼度な半導体装置を提供する
ものである。
［課題を解決するための手段コ
長期使用による劣化のメカニズムは、種々の検討の結果
、主として水分の侵入と可能イオンの侵入の２点に絞れ
てきた。したがって本発明は、これらの不純物の侵入を
防止することに主眼を置き、該強誘電体のコンデンサー
構造の周囲の一部又は全部を窒化シリコン膜で被膜する
ものである。
、主として水分の侵入と可能イオンの侵入の２点に絞れ
てきた。したがって本発明は、これらの不純物の侵入を
防止することに主眼を置き、該強誘電体のコンデンサー
構造の周囲の一部又は全部を窒化シリコン膜で被膜する
ものである。
［作用］
窒化シリコン膜は、通常の牛導体装置の最終保護膜とし
て用いられ、環境からの汚染特に水分の侵入に対して非
常に強固な防止能力をもつ。
て用いられ、環境からの汚染特に水分の侵入に対して非
常に強固な防止能力をもつ。
［実施例コ
本発明の実施例を第２図に示す。第２図は第１図の強誘
電体コンデンサー構造の一部を抜き出した構造断面であ
り、２０１の下部電極、２０２の強誘電体、２０３の上
部電極をそれぞれ示す。また該構造の周囲は、第２図に
示すように２０５の窒化シリコン膜で被膜される。但し
、２０４の配線で他の回路へ結線するため接続孔では、
窒化シ，リフン膜がエッチングされる。通常、金属薄膜
は、窒化シリコン膜と同等かそれ以上の耐湿性を示し、
特にこの部分で問題はない。また第３図に示すように、
強誘電体が金属部と接触していない側面部のみを３０１
の窒化シリコンで被膜してもよい。
電体コンデンサー構造の一部を抜き出した構造断面であ
り、２０１の下部電極、２０２の強誘電体、２０３の上
部電極をそれぞれ示す。また該構造の周囲は、第２図に
示すように２０５の窒化シリコン膜で被膜される。但し
、２０４の配線で他の回路へ結線するため接続孔では、
窒化シ，リフン膜がエッチングされる。通常、金属薄膜
は、窒化シリコン膜と同等かそれ以上の耐湿性を示し、
特にこの部分で問題はない。また第３図に示すように、
強誘電体が金属部と接触していない側面部のみを３０１
の窒化シリコンで被膜してもよい。
また窒化シリコン膜の被膜は通常のＯ Ｖ Ｄ’法又は
・プラズマ法で容易に得ることができ、被膜法の良さか
ら側面部にも安定Ｋ被膜することができる。
・プラズマ法で容易に得ることができ、被膜法の良さか
ら側面部にも安定Ｋ被膜することができる。
［発明の効果］
本発明の構造によれば、水の侵入や可能イオンの侵入を
極力防ぐことができ、分極反転の場合、反転回数として
３桁向上することができた。また長期信頼性や、高温バ
イアス試験でも１桁近《寿命を向上させることができた
。
極力防ぐことができ、分極反転の場合、反転回数として
３桁向上することができた。また長期信頼性や、高温バ
イアス試験でも１桁近《寿命を向上させることができた
。
第１図は従来の構造を示す断面構造図。
第２図は本発明の実施例を示す断面構造図。
第３図は本発明の実施例を示す断面構造図。
Claims (1)
- 半導体基板に能動素子、受動素子を集積してなる半導体
装置に於いて、電極金属、強誘電体、電極金属のコンデ
ンサー構造を有し、該コンデンサー構造の周囲の一部又
は全部が、窒化シリコン膜で被膜されていることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1054224A JP2830019B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1054224A JP2830019B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232961A true JPH02232961A (ja) | 1990-09-14 |
| JP2830019B2 JP2830019B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=12964568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1054224A Expired - Lifetime JP2830019B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830019B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0642167A3 (en) * | 1993-08-05 | 1995-06-28 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor device with capacitor and manufacturing process. |
| US5818079A (en) * | 1995-06-13 | 1998-10-06 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device having a ceramic thin film capacitor |
| US6121083A (en) * | 1997-08-21 | 2000-09-19 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2001044378A (ja) * | 1995-06-05 | 2001-02-16 | Sharp Corp | 不揮発性ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP1054224A patent/JP2830019B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0642167A3 (en) * | 1993-08-05 | 1995-06-28 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor device with capacitor and manufacturing process. |
| US5624864A (en) * | 1993-08-05 | 1997-04-29 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof |
| US6015987A (en) * | 1993-08-05 | 2000-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device having capacitor exhibiting improved mositure resistance and manufacturing method thereof |
| US6107657A (en) * | 1993-08-05 | 2000-08-22 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof |
| US6169304B1 (en) | 1993-08-05 | 2001-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device having a passivation layer which minimizes diffusion of hydrogen into a dielectric layer |
| US6294438B1 (en) | 1993-08-05 | 2001-09-25 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof |
| US6333528B1 (en) | 1993-08-05 | 2001-12-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device having a capacitor exhibiting improved moisture resistance |
| JP2001044378A (ja) * | 1995-06-05 | 2001-02-16 | Sharp Corp | 不揮発性ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 |
| US5818079A (en) * | 1995-06-13 | 1998-10-06 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device having a ceramic thin film capacitor |
| US6121083A (en) * | 1997-08-21 | 2000-09-19 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| KR100315324B1 (ko) * | 1997-08-21 | 2002-03-13 | 가네꼬 히사시 | 반도체장치및그제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830019B2 (ja) | 1998-12-02 |
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