JPH02235202A - バイアス磁界発生器 - Google Patents
バイアス磁界発生器Info
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- JPH02235202A JPH02235202A JP5521189A JP5521189A JPH02235202A JP H02235202 A JPH02235202 A JP H02235202A JP 5521189 A JP5521189 A JP 5521189A JP 5521189 A JP5521189 A JP 5521189A JP H02235202 A JPH02235202 A JP H02235202A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は光磁気記録方式において、光磁気記録媒体の記
録層にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界発生
装置に関するものである。
録層にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界発生
装置に関するものである。
(従来の技術)
従来、光磁気記録方式において使用されているバイアス
磁界発生器は第5図K示すように構成されている。ここ
では、バイアス磁界発生器52ほ光学ヘッド5lがト乏
ツキ/グ制御で動作する全情報記録領域54にわたって
、おおむね、均一なバイアス磁界を発生するようK、光
磁気記録媒体、ここでは光磁気ディスク5oを挾んで配
設されている。そして、上記バイアス磁界発生器52は
そのコイルに対してバイアス磁界発生電源53がら電流
が供給されるようになっておシ、また、光磁気ディスク
50はスピンドルモータ55で回転駆動される。
磁界発生器は第5図K示すように構成されている。ここ
では、バイアス磁界発生器52ほ光学ヘッド5lがト乏
ツキ/グ制御で動作する全情報記録領域54にわたって
、おおむね、均一なバイアス磁界を発生するようK、光
磁気記録媒体、ここでは光磁気ディスク5oを挾んで配
設されている。そして、上記バイアス磁界発生器52は
そのコイルに対してバイアス磁界発生電源53がら電流
が供給されるようになっておシ、また、光磁気ディスク
50はスピンドルモータ55で回転駆動される。
このような構成では、全情報記録領域54K対応してバ
イアス磁界を発生させなければならないため、バイアス
磁界発生器、同電源の大凰化、重量化がさけ難い。また
、全情報記録領域54にわたって均一なバイアス磁界を
かけることが離しいから、記録時、光磁気ディスクK対
して形成される記録ビットの大きさ、形状が不均一とな
り、読取りエラーの発生原因となる。さらに、バイアス
磁界発生のための消費電力が大きく、バイアス磁界発生
器52の温度上昇の影響をうけて、光磁気ディスク50
自体が温度上昇することで、記録時の記録条件が変化し
、エラーの発生原因となる。
イアス磁界を発生させなければならないため、バイアス
磁界発生器、同電源の大凰化、重量化がさけ難い。また
、全情報記録領域54にわたって均一なバイアス磁界を
かけることが離しいから、記録時、光磁気ディスクK対
して形成される記録ビットの大きさ、形状が不均一とな
り、読取りエラーの発生原因となる。さらに、バイアス
磁界発生のための消費電力が大きく、バイアス磁界発生
器52の温度上昇の影響をうけて、光磁気ディスク50
自体が温度上昇することで、記録時の記録条件が変化し
、エラーの発生原因となる。
そこで、バイアス磁界の発生領域を光学ヘッドKよって
、現に光磁気記録を行っている領域に限って、光磁気デ
ィスクにバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生器も
提唱された。これは第6図K示されるようなものであっ
て、ここではバイアス磁界発生器62は光磁気ディスク
60を挟んで反対側に配置された光学ヘッド61に対し
て支持部材66を介して連結されている。そして,光学
ヘッド61の情報記録、再生のための光ビーム67と、
バイアス磁界発生器62によって生じるバイアス磁界の
中心線とが、おおむね一致するように、バイアス磁界発
生器62と光学ヘッド61とは相対的に位置決めされて
いる。このため、バイアス磁界発生器62は光学ヘッド
61がトラッキング制御によって情報記録領域64内で
大きく移動される時には、これに追従して移動すること
ができる。
、現に光磁気記録を行っている領域に限って、光磁気デ
ィスクにバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生器も
提唱された。これは第6図K示されるようなものであっ
て、ここではバイアス磁界発生器62は光磁気ディスク
60を挟んで反対側に配置された光学ヘッド61に対し
て支持部材66を介して連結されている。そして,光学
ヘッド61の情報記録、再生のための光ビーム67と、
バイアス磁界発生器62によって生じるバイアス磁界の
中心線とが、おおむね一致するように、バイアス磁界発
生器62と光学ヘッド61とは相対的に位置決めされて
いる。このため、バイアス磁界発生器62は光学ヘッド
61がトラッキング制御によって情報記録領域64内で
大きく移動される時には、これに追従して移動すること
ができる。
なお、この筏の光磁気記録方式では、例えば、バイアス
磁界発生器62と光学ヘッド61とを連結する支持部材
66の一部領城Aに所要のぱね特性を持ったばね材が使
用され、光磁気ディスク60の回転によって表面に生じ
る空気流を利用して、上記バイアス磁界発生器62を光
磁気ディスク60の表面から僅かな間隙で浮上させるよ
うに構成している。
磁界発生器62と光学ヘッド61とを連結する支持部材
66の一部領城Aに所要のぱね特性を持ったばね材が使
用され、光磁気ディスク60の回転によって表面に生じ
る空気流を利用して、上記バイアス磁界発生器62を光
磁気ディスク60の表面から僅かな間隙で浮上させるよ
うに構成している。
このような構成によって、第.6図に示すようなバイア
ス磁界発生器では第5図K示すような全移動領域Kわた
ってバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生器で問題
となる上記バイアス磁界発生器の大型化、重量化、大消
費電力の欠点を除き、またエラー発生の原因を除くこと
ができる。
ス磁界発生器では第5図K示すような全移動領域Kわた
ってバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生器で問題
となる上記バイアス磁界発生器の大型化、重量化、大消
費電力の欠点を除き、またエラー発生の原因を除くこと
ができる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、第6図に示すようなノ々イアス発生器に
おいても、次のような問題が残されている。
おいても、次のような問題が残されている。
すなわち、上記バイアス磁界発生器では、発生バイアス
磁界の均一領域が狭いために、光学ヘッド6lからの光
束67と、バイアス磁界発生器62の発生バイアス磁界
の,中心線とを正確に一致させる必要があるが、このた
めKは高精度な設計、製作が必要であり、高精度な位置
合わせが必要で、コスト高となる。
磁界の均一領域が狭いために、光学ヘッド6lからの光
束67と、バイアス磁界発生器62の発生バイアス磁界
の,中心線とを正確に一致させる必要があるが、このた
めKは高精度な設計、製作が必要であり、高精度な位置
合わせが必要で、コスト高となる。
また、上記バイアス発生器はトラッキング制御κよって
大きく光学ヘッドが移動制御される時Kは、支持部材6
6を介して追従するが、光ビーム走査の過程で、光学ヘ
ッド61の移動Kよる光学へ・ツドアクチ為エータの振
動Kよる光ピーム67の振れや、バイアス磁界発生器6
2の振動Kよるバイアス磁界の中心線と光ビーム67と
の位置ずれK対して補正制御が必要となる。と<K,光
学ヘッド61における精密トラッキング制御アクチェエ
ータによクて光ピーム67をトラッキング動作する時、
このバイアス発生器62の位置ずれに対する補正制御を
欠くことができない。
大きく光学ヘッドが移動制御される時Kは、支持部材6
6を介して追従するが、光ビーム走査の過程で、光学ヘ
ッド61の移動Kよる光学へ・ツドアクチ為エータの振
動Kよる光ピーム67の振れや、バイアス磁界発生器6
2の振動Kよるバイアス磁界の中心線と光ビーム67と
の位置ずれK対して補正制御が必要となる。と<K,光
学ヘッド61における精密トラッキング制御アクチェエ
ータによクて光ピーム67をトラッキング動作する時、
このバイアス発生器62の位置ずれに対する補正制御を
欠くことができない。
なお、第6図に示されるバイアス磁界発生器では、コイ
ルを円筒状に巻くために、所要の磁界を発生させるのに
相当な巻数が必要であり、このため光磁気f’イスクに
対する垂直方向の距離が犬きぐなり、磁界の集中が難し
くなる。そこで、必要な磁界の均一領域を広げるために
磁極を大きくすると、インダクタンスの増加によυ高周
波駆動が因難になる。
ルを円筒状に巻くために、所要の磁界を発生させるのに
相当な巻数が必要であり、このため光磁気f’イスクに
対する垂直方向の距離が犬きぐなり、磁界の集中が難し
くなる。そこで、必要な磁界の均一領域を広げるために
磁極を大きくすると、インダクタンスの増加によυ高周
波駆動が因難になる。
(発明の目的)
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、記録媒
体のトラック方向については主たる磁界成分の分布を狭
くして、バイアス磁界発生器の小型化を充分κなし、高
転送レート、高密度記録を可能にすると共に、光学ヘッ
ドが精密トラッキング制御される範囲(上記トラック方
向と直交する方向)ではバイアス磁界の均一領域を確保
して置いて、光学うツドとの相対位置補正を必要としな
いように構成したバイアス磁界発生器を提供しようとす
るものである。
体のトラック方向については主たる磁界成分の分布を狭
くして、バイアス磁界発生器の小型化を充分κなし、高
転送レート、高密度記録を可能にすると共に、光学ヘッ
ドが精密トラッキング制御される範囲(上記トラック方
向と直交する方向)ではバイアス磁界の均一領域を確保
して置いて、光学うツドとの相対位置補正を必要としな
いように構成したバイアス磁界発生器を提供しようとす
るものである。
(課題を解決するための手段)
このため、本発明では、磁化配向を有する磁区の向きK
よって情報を表わすようK、光磁気記録媒体K光学ヘッ
ドからの光ビームで温度上昇させると共にバイアス磁界
の印加を行なうようにした光磁気記録方弐Kおいて、主
たる磁界成分が上記記録媒体の記録層に対して垂直とな
るように配置された磁界発生用コイルは、その主たる磁
界の分布が記録を行なう、上記光磁気記録媒体の情報ト
ラックの方向に狭くかつ光によって温度上昇される磁区
の向きを反転させるK必要充分な強さであり、また、上
記トラックの方向とは直交するトラッキング制御の方向
K広くかつ光学ヘッドの精密トラッキングKよる光ビー
ムの可動範凹を含む大きさになっている。
よって情報を表わすようK、光磁気記録媒体K光学ヘッ
ドからの光ビームで温度上昇させると共にバイアス磁界
の印加を行なうようにした光磁気記録方弐Kおいて、主
たる磁界成分が上記記録媒体の記録層に対して垂直とな
るように配置された磁界発生用コイルは、その主たる磁
界の分布が記録を行なう、上記光磁気記録媒体の情報ト
ラックの方向に狭くかつ光によって温度上昇される磁区
の向きを反転させるK必要充分な強さであり、また、上
記トラックの方向とは直交するトラッキング制御の方向
K広くかつ光学ヘッドの精密トラッキングKよる光ビー
ムの可動範凹を含む大きさになっている。
(作用)
このような構成では、記録媒体のトラック方向について
は主たる磁界成分の分布を狭くしているので、バイアス
磁界発生器の小型化が充分になされて、軽量化され、高
転送レート、高密度記録を可能とする.また、光学ヘッ
ドの精密なトラッキング制御の時には、上記バイアス磁
界発生器の必要充分な均一磁界領域内で光学ヘッドから
の光ビームが移動するので、光学ヘッドに対するバイア
ス磁界発生器の位置ずれ補正が不要であシ、構成上およ
び操作上Kおいて有利となる。
は主たる磁界成分の分布を狭くしているので、バイアス
磁界発生器の小型化が充分になされて、軽量化され、高
転送レート、高密度記録を可能とする.また、光学ヘッ
ドの精密なトラッキング制御の時には、上記バイアス磁
界発生器の必要充分な均一磁界領域内で光学ヘッドから
の光ビームが移動するので、光学ヘッドに対するバイア
ス磁界発生器の位置ずれ補正が不要であシ、構成上およ
び操作上Kおいて有利となる。
と<K,磁界発生用コイルを渦巻状とすることで、イン
ダクタンスの増加をともなわずに必要充分な所要バイア
ス磁界の大きさを確保できるので、バイアス磁界発生器
を小型にでき、浮上式k支持することができる。
ダクタンスの増加をともなわずに必要充分な所要バイア
ス磁界の大きさを確保できるので、バイアス磁界発生器
を小型にでき、浮上式k支持することができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して具体的K説明す
る。なお、本実施例において光磁気記録装置全体は先述
の従来例(第6図参照)と同様な構成なので、特に発明
に係るバイアス磁界発生器についての構成のみを図解す
る。第1図(−)および(b)に示すように、本発明の
第1の実施例では磁性体ブロック1上に導体・臂ターン
8を形成し、該導体パターン8の両端の接続点5.6を
残して絶縁層7を積層し、上記絶縁層7上に渦巻状のプ
リントコイル2および上記プリントコイル2の外端に結
合する端子3、上記接続点6において上記導体パターン
8に結合する端子4をそれぞれ、導体パターンによって
形成している。なお、上記プリントコイル2の内端は上
記接続点5に結合されている。なお、要すれば、上記プ
リントコイル2の部分を覆うようにして、上記絶縁層7
の上に保護用の絶縁層を積層してもよい。
る。なお、本実施例において光磁気記録装置全体は先述
の従来例(第6図参照)と同様な構成なので、特に発明
に係るバイアス磁界発生器についての構成のみを図解す
る。第1図(−)および(b)に示すように、本発明の
第1の実施例では磁性体ブロック1上に導体・臂ターン
8を形成し、該導体パターン8の両端の接続点5.6を
残して絶縁層7を積層し、上記絶縁層7上に渦巻状のプ
リントコイル2および上記プリントコイル2の外端に結
合する端子3、上記接続点6において上記導体パターン
8に結合する端子4をそれぞれ、導体パターンによって
形成している。なお、上記プリントコイル2の内端は上
記接続点5に結合されている。なお、要すれば、上記プ
リントコイル2の部分を覆うようにして、上記絶縁層7
の上に保護用の絶縁層を積層してもよい。
ここで、磁性体ブロックlは高周波特性の良好な磁性体
、例えば高周波フエライトを使用するとよく、その磁気
特性としては、高周波での損失が少なく、透磁率が大き
な材料が好ましい。また、この実施例Kおいて、導体/
臂ター/8、グリントコイル2などを構成するプリント
導体を構成するには、蒸着あるいはス・ぐツタリングの
手法が採用されるとよい。また、材料としては銅などの
高導電率体を用いるとよい。ここではエッチング技術な
どで目的のパターンを残す方法も採用される。
、例えば高周波フエライトを使用するとよく、その磁気
特性としては、高周波での損失が少なく、透磁率が大き
な材料が好ましい。また、この実施例Kおいて、導体/
臂ター/8、グリントコイル2などを構成するプリント
導体を構成するには、蒸着あるいはス・ぐツタリングの
手法が採用されるとよい。また、材料としては銅などの
高導電率体を用いるとよい。ここではエッチング技術な
どで目的のパターンを残す方法も採用される。
ここで、グリ/トコイル2はy方向(記碌媒体の情報ト
ラックの方向)に長軸で、X方向(上記トラックと直交
するトラッキ/グ制御方向)に短軸である楕円状の渦巻
きに形成されている。したがって、このバイアス磁界発
生器は、その取付け方向が、光磁気記録装置忙おいて、
記録媒体に対して調整されなければならない。
ラックの方向)に長軸で、X方向(上記トラックと直交
するトラッキ/グ制御方向)に短軸である楕円状の渦巻
きに形成されている。したがって、このバイアス磁界発
生器は、その取付け方向が、光磁気記録装置忙おいて、
記録媒体に対して調整されなければならない。
なお、第1図のようK構成されたバイアス磁界発生器K
端子3から端子4K向って電流を流せば+2方向K磁界
が発生し、逆に端子4から端子3K向って電流を流せば
、−z方向に磁界が発生する。
端子3から端子4K向って電流を流せば+2方向K磁界
が発生し、逆に端子4から端子3K向って電流を流せば
、−z方向に磁界が発生する。
上記バイアス磁界発生器による発生バイアス磁界の分布
は、第2図のようになる。ここでは横軸Kグリントコイ
ルの中心からの距離を、また、縦軸K,その点Kおける
光磁気記録媒体としての光磁気ディスクの記録層K印加
される垂直磁界成分の大きさを示している。そして、曲
線Aは第1図におけるX方向の分布、曲線Bはy方向の
分布を示す。また、直線Cは記録に必要なバイアス磁界
の最小値を示す。したがクて、X方向、換言すれば光学
ヘッドのトラッキング制御を行なう方向について、光学
ヘッドとバイアス磁界発生器との位置合わせ調整誤差、
トラッキングアクチェエータによる光ビームの可動範囲
を含めた距離(例えば±200綿)の範囲での磁界が2
00 0e以上でかければならないことを意味している
。また、トラッキングアクチュエータの移動方向と直交
する方向Kついては、光学ヘッドの光ビームとバイアス
磁気発生器との中心線のy方向Kおける位置合わせvI
4!I誤差と、振動、経時変化を含めた位置ずれをカバ
ーできる範囲(たとえば±100μm)で20000以
上であればよい。このように、光磁気記録媒体の記録層
K印加しなければならない磁界の主成分の範囲は、光学
ヘッドのトラッキング方向と、これと直交する方向では
大きく異なるので、記録媒体の情報トラックの方向Kク
いては可及的K狭くでき、また,トラッキング方向くつ
いては精密トラッキングによって光学ヘッドからの光ビ
一ムが移動する範囲を上記磁界の均一領域(X方向)が
カバーしていればよい。
は、第2図のようになる。ここでは横軸Kグリントコイ
ルの中心からの距離を、また、縦軸K,その点Kおける
光磁気記録媒体としての光磁気ディスクの記録層K印加
される垂直磁界成分の大きさを示している。そして、曲
線Aは第1図におけるX方向の分布、曲線Bはy方向の
分布を示す。また、直線Cは記録に必要なバイアス磁界
の最小値を示す。したがクて、X方向、換言すれば光学
ヘッドのトラッキング制御を行なう方向について、光学
ヘッドとバイアス磁界発生器との位置合わせ調整誤差、
トラッキングアクチェエータによる光ビームの可動範囲
を含めた距離(例えば±200綿)の範囲での磁界が2
00 0e以上でかければならないことを意味している
。また、トラッキングアクチュエータの移動方向と直交
する方向Kついては、光学ヘッドの光ビームとバイアス
磁気発生器との中心線のy方向Kおける位置合わせvI
4!I誤差と、振動、経時変化を含めた位置ずれをカバ
ーできる範囲(たとえば±100μm)で20000以
上であればよい。このように、光磁気記録媒体の記録層
K印加しなければならない磁界の主成分の範囲は、光学
ヘッドのトラッキング方向と、これと直交する方向では
大きく異なるので、記録媒体の情報トラックの方向Kク
いては可及的K狭くでき、また,トラッキング方向くつ
いては精密トラッキングによって光学ヘッドからの光ビ
一ムが移動する範囲を上記磁界の均一領域(X方向)が
カバーしていればよい。
このように、本発明Kよるバイアス磁界発生器の構成K
よれば、精密トラッキングアクチーエータによる光ビー
ムの移動方向に対して充分広い領域で均一な磁界の発生
を実現すると共に、これと直交する情報トラックの方向
については不必要な広範囲に大きな磁界を発生させるこ
とがないため、磁界の不均一性Kよる記録ピットの変動
が少なく、エラーの発生頻度が著しく低下できる。また
、記録を行っていない領域に大きな磁界を印加しないか
ら、記録情報K変化を与えることなく、長期にわたって
情報の信頼性を確保できる。とくに、y方・向について
は磁性体ブロックの長さを可及的に短くすることができ
、バイアス磁界発生器の小型化、軽量化に有利である。
よれば、精密トラッキングアクチーエータによる光ビー
ムの移動方向に対して充分広い領域で均一な磁界の発生
を実現すると共に、これと直交する情報トラックの方向
については不必要な広範囲に大きな磁界を発生させるこ
とがないため、磁界の不均一性Kよる記録ピットの変動
が少なく、エラーの発生頻度が著しく低下できる。また
、記録を行っていない領域に大きな磁界を印加しないか
ら、記録情報K変化を与えることなく、長期にわたって
情報の信頼性を確保できる。とくに、y方・向について
は磁性体ブロックの長さを可及的に短くすることができ
、バイアス磁界発生器の小型化、軽量化に有利である。
また、コイル間隔をy方向においてつめることができる
ので、コイル2のインダクタンスを減少でき、よシ高周
波スイッチング特性の優れたものとすることができる。
ので、コイル2のインダクタンスを減少でき、よシ高周
波スイッチング特性の優れたものとすることができる。
第3図Kは、本発明の別の実施例が示されている。なお
、ここでは上部のグリントコイル3lを平面的に示して
いる。コイル31の形状はX方向K寸法が長い長方形の
渦巻状をなしている。なお、ここで符号32は磁性体ブ
ロック、33.34は端子、35 .36は接続点であ
る。
、ここでは上部のグリントコイル3lを平面的に示して
いる。コイル31の形状はX方向K寸法が長い長方形の
渦巻状をなしている。なお、ここで符号32は磁性体ブ
ロック、33.34は端子、35 .36は接続点であ
る。
第4図(a)および(b)は本発明の更K別の実施例を
示している。ここでは、上部のプリントコイル4lが第
1図に示す実施例と同様であるが、プリント導体パター
ン8の代りに、上記プリントコイル41とは中心から外
K向けて逆の巻き方向で下部のプリントコイル46を構
成して、各接続点44 .45をそれぞれ接続して、倍
のコイル巻数を確保している。このため、同じ駆動電流
で2倍の磁界を発生させることが可能である。これは何
等かの事由で、バイアス磁界発生器と光磁気ディスクと
の距離を近づけることができない場合、あるいは大きな
バイアス磁界が必要な時K有効である。
示している。ここでは、上部のプリントコイル4lが第
1図に示す実施例と同様であるが、プリント導体パター
ン8の代りに、上記プリントコイル41とは中心から外
K向けて逆の巻き方向で下部のプリントコイル46を構
成して、各接続点44 .45をそれぞれ接続して、倍
のコイル巻数を確保している。このため、同じ駆動電流
で2倍の磁界を発生させることが可能である。これは何
等かの事由で、バイアス磁界発生器と光磁気ディスクと
の距離を近づけることができない場合、あるいは大きな
バイアス磁界が必要な時K有効である。
々お、渦巻きの形状は第3図のような長方形あるいはそ
の他長円形々どの変形が可能なことは勿論である. (発明の効果) 本発明は以上詳述したようKなり、記録媒体のトラック
方向については主たる磁界成分の分布を狭くかつ光によ
って温度上昇される磁区の向きを反転させるに必要充分
な強さであり、また、上記トラノク方向とは直交するト
ラッキ/グ制御の方向に広く、かつ光学ヘッドの精密ト
ラッキングKよる光ビームの可動範囲を含む大きさにし
てあるから、精密トラッキングK関しては光学ヘッドと
バイアス磁界発生器との相対位置合わせの制御が不要と
なり、構造上および制御上、有利となる。
の他長円形々どの変形が可能なことは勿論である. (発明の効果) 本発明は以上詳述したようKなり、記録媒体のトラック
方向については主たる磁界成分の分布を狭くかつ光によ
って温度上昇される磁区の向きを反転させるに必要充分
な強さであり、また、上記トラノク方向とは直交するト
ラッキ/グ制御の方向に広く、かつ光学ヘッドの精密ト
ラッキングKよる光ビームの可動範囲を含む大きさにし
てあるから、精密トラッキングK関しては光学ヘッドと
バイアス磁界発生器との相対位置合わせの制御が不要と
なり、構造上および制御上、有利となる。
その結果、低コスト化でき、記録時のエラー発生が低減
される。また,記録K際して余分な範囲への磁界の印加
がなされないので、記録情報を変化させるおそれがなく
、情報の長期信頼性が確保でき、また、トラック方向に
ついて可及的K短くできるためk,バイアス磁界発生器
が小形化されるので、磁気ヘッドを浮上式に保持できる
などの効果が得られる。このようにして、光学ヘッドの
シークなどの高速移動性を確保し、振動を軽減し、更に
は安定で高信頼性が得られる。
される。また,記録K際して余分な範囲への磁界の印加
がなされないので、記録情報を変化させるおそれがなく
、情報の長期信頼性が確保でき、また、トラック方向に
ついて可及的K短くできるためk,バイアス磁界発生器
が小形化されるので、磁気ヘッドを浮上式に保持できる
などの効果が得られる。このようにして、光学ヘッドの
シークなどの高速移動性を確保し、振動を軽減し、更に
は安定で高信頼性が得られる。
第1図(&)および(b)は本発明の一実施例を示す上
面図、および断面図、第2図は本発明K係るバイアス磁
界発生器についての磁界分布図、第3図は本発明の別の
実施例の上面図、第4図(.) . (b)は更に別の
実施例の上面図、一部取除いた上面図、第5図および第
6図はそれぞれ従来のバイアス磁界発生器の構成を示す
磁気記録装置の模式図である。 1・・・磁性体ブロック、2・・・グリントコイル、3
.4・・・端子、5.6・・・接続点、7・・・絶縁層
、8・・・導体パター/。 代理人 弁理士 山 下 積 平 第 図 第 図 第
面図、および断面図、第2図は本発明K係るバイアス磁
界発生器についての磁界分布図、第3図は本発明の別の
実施例の上面図、第4図(.) . (b)は更に別の
実施例の上面図、一部取除いた上面図、第5図および第
6図はそれぞれ従来のバイアス磁界発生器の構成を示す
磁気記録装置の模式図である。 1・・・磁性体ブロック、2・・・グリントコイル、3
.4・・・端子、5.6・・・接続点、7・・・絶縁層
、8・・・導体パター/。 代理人 弁理士 山 下 積 平 第 図 第 図 第
Claims (1)
- 磁化配向を有する磁区の向きによって情報を表わすよ
うに、光磁気記録媒体に光学ヘッドからの光ビームで温
度上昇させると共にバイアス磁界の印加を行なうように
した光磁気記録方式において、主たる磁界成分が上記記
録媒体の記録層に対して垂直となるように配置された磁
界発生用コイルは、その主たる磁界の分布が記録を行な
う上記光磁気記録媒体の情報トラックの方向に狭くかつ
光によって温度上昇された磁区の向きを反転させるに必
要充分な強さであり、また、上記トラックの方向とは直
交するトラッキング制御の方向に広くかつ光学ヘッドの
精密トラッキングによる光ビームの可動範囲を含む大き
さになっていることを特徴とするバイアス磁界発生器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5521189A JPH02235202A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | バイアス磁界発生器 |
| US07/895,249 US5293360A (en) | 1989-03-09 | 1992-06-08 | Magnetic field generating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5521189A JPH02235202A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | バイアス磁界発生器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02235202A true JPH02235202A (ja) | 1990-09-18 |
Family
ID=12992301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5521189A Pending JPH02235202A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | バイアス磁界発生器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02235202A (ja) |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP5521189A patent/JPH02235202A/ja active Pending
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