JPH02235240A

JPH02235240A - 光磁気記録装置

Info

Publication number: JPH02235240A
Application number: JP5521389A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Hasegawa; 光洋長谷川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-03-09
Filing date: 1989-03-09
Publication date: 1990-09-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は磁化配向を有する磁区の向きによって情報を表
わすように、光磁気記録媒体を光学ヘッドからの元ビー
ムで温度上昇させると共にバイアス磁界発生器による垂
直磁界の印加を行なうようにした光磁気記録装置に関す
る。

（従来の技術）従来、光磁気記録装置において使用されているバイアス
磁界発生器は第６図に示すように構成されている。ここ
ではバイアス磁界発生器５２は光学ヘッド５１がトラッ
キング制御で動作する全情報記録領域５４にわたって、
′おおむね均一なバイアス磁界を発生するように、光磁
気記録媒体、ここでは光磁気ディスク５０を挾んで配設
されている。そして、上記バイアス磁界発生器５２はそ
のコイルに対してバイアス磁界発生電源５３から電流が
供給されるようになっており、ま念、光磁気ディスク５
０はスビンｒルモータ５５で回転駆動される。

このような構成では、全情報記録領域５４に対応してバ
イアス磁界を発生させなければならないため、バイアス
磁界発生器、同電源の大型化、重量化がさけ難い。また
、全情報記録領域５４にわ九って均一なバイアス磁界を
かけることが難しいから、記録時、光磁気ディスクに対
して形成される記録ビットの大きさ、形状が不均一とな
り、読取シエラーの発生原因となる。更に、バイアス磁
界発生のための消費電力が大きく、バイアス磁界発生器
５２の温度上昇の影響をうけて、光磁気ディスク５０自
体が温度上昇することで、記録時の記録条件が変化し、
エラーの発生原因となる。

そこで、バイアス磁界の発生領域を光学ヘッド０によっ
て、現に光磁気記録を行っている領域に限って、光磁気
ディスクにバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生器
も提唱され念。これは第７図に示されるようなものであ
って、ここではバイアス磁界発生器６２は光磁気ディス
ク６ｏを挾んで反対側に配置された光学ヘッド６１に対
して支持部材６６を介して連結されている。そして、光
学ヘッＰ６ｌの情報記録、再生の九めの光ビーム６７と
、バイアス磁界発生器６２によって生じるバイアス磁界
の中心線とが、おおむね一致するように、バイアス磁界
発生器６２と光学ヘッド６ｌとは相対的に位置決めされ
ている。この念め、バイアス磁界発生器６２は光学ヘッ
ド６１がトラッキング制御Ｋよって情報記録領域６４内
で大きく移動される時にはこれに追従して移動すること
ができる。

なお、この種の元磁気記録装置では、例えばバイアス磁
界発生器６２と光学ヘッド６１とを連結する支持部材６
６の一部領域ＡＫ所要のぱね特性を持ウたばね材が使用
され、光磁気ディスク６ｏの回転によって表面に生じる
空気流を利用して、上記バイアス磁界発生器６２を光磁
気ディスク６００表面から僅かな間隙で浮上させるよう
に構成している。

このような構成κよって、第６図に示すようなバイアス
磁界発生器では第５図に示すような全移動領域にわ九っ
てバイアス磁界を印加するパイアス磁界発生器で問題と
なる上記バイアス磁界発生器の大型化、重量化，大消費
電力の欠点を除き、ｔた、エラー発生の原因を除くこと
ができる。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、第７図に示すようなバイアス発生器にお
いても、次のような問題が残されている。

すなわち、上記バイアス磁界発生器では発生バイアス磁
界の均一領域が狭いために、光学ヘッド６１からの光束
６７とバイアス磁界発生器６２の発生バイアス磁界の中
心線とを正確に一致させる必要があるが、とのためには
高精密な設計、製作が必要であシ、高精密な位置合わせ
が必要で、コスト高となる。

また、上記バイアス発生器はトラッキング制御によウて
大きく光学ヘッドが移動制御される時には支持部材６６
を介して追従するが、光ビーム走査の過程で、光学へッ
ｙ６１の移動での光学へッドアクチェエータの撮動によ
る光ピーム６７の振れや、バイアス磁界発生器６２の振
動によるバイアス磁界の中心線と光ピーム６７との位置
ずれに対して補正制御が必要となる。とくに、光学ヘッ
ド６１における精密トラッキング制御アクチェエータに
よって光ビーム６７をトラッキング動作する時、このバ
イアス磁界発生器６２の位置づれに対する補正制御を欠
くことができ力い。

そこで、バイアス磁界発生器におけるバイアス磁界の均
一領域を或る程度の大きさにして、位置ずれの許容範囲
を拡大し、実質的に上述の補正制御を行なわないように
することが考えられる。しかしながら、上述のバイアス
磁界発生器ではコイルを円筒状に巻く九めに、光磁気デ
ィスクに対する垂直方向の距離が大きくなり、磁界の集
中が難しくなる。そこで、必要な磁界の均一領域を広げ
るために磁極を大きくすると、インダクタンスの増加に
より、高周波駆動が困難になシ、また、バイアス磁界発
生器の大型化、重景化がさけもれ々い。

（発明の目的）本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、バイア
ス磁界発生器と、光磁気記録媒体の全記録領域にわたっ
て配設するが、トラッキング制御Ｋよる光ヘッドの移動
に対応して磁区の反転に必要表強度でバイアス磁界の均
一領域を確保するように制御する光磁気記録装置を提供
しようとするものである。

（課題を解決するための手段）そこで、本発明では、磁化配向を有する磁区の向きによ
って情報を表わすように光磁気記録媒体を光学ヘッドか
らの光ビームで温度上昇させると共に、バイアス磁界発
生器による垂直磁界の印加を行なうようにした光磁気記
録装置において、上配バイアス磁界発生器は主たる磁界
成分が上記記録媒体の記録層に対して垂直となるように
配置された磁界発生用コイルを複数個、具備しており、
該磁界発生用コイルは上記記録媒体に接近し友上下二つ
の平面において上配記録媒体の全記鋒領域にわたって光
学ヘッｒがトラッキング制御される方向に、上平面と下
平面とにそれぞれ配列されるコイルが半ピッチ分ずれた
状態に配列されていると共Ｋ，所要広さで磁区の反転に
必要な強度の磁界領域を具備しており、またその磁界領
域では当該磁界発生用コイルを付勢し、また、互いに重
複配置されかつ相隣る磁界発生用コイル間では両磁界発
生用コイルを附勢して必要強度の磁界領域を構成するよ
うに、各磁界発生用コイルを光学ヘッドの移動に対応し
て附勢する手段を具備している。

（作用）このような構成では、付勢される磁界発生用コイルは磁
区反転に必要な磁界領域を光学ヘッドの移動に対応して
確保するために、半ピッチずれて上下二面に配列される
磁界発生用コイルの１つあるいけ２つだけでよいから、
バイアス磁界発生のための消費電力が小さく、また、垂
直磁界の強度が均一化される。この場合、上下に重なり
合いかつ相隣る磁界発生コイルの共働で、各コイル間に
必要な磁界領域を確保するため、各コイルについては比
較的狭い磁界領域でもよいため、コイル配列に際して、
その形状、大きさの設計に無理がない。また、以上のこ
とから、バイアス磁界発生器での温度上昇の影響が光磁
気記録媒体に及ぱ彦いので、記録時の記録条件が安定で
あり、エラー発生がさけられる。しかも各磁界発生コイ
ルは光磁気記録媒体に接近した上下二千面上に例えばプ
リント手段によって構成できるから、大きさの割には磁
区を反転するのに充分で、かつ光学へッドアクチェエー
タの振動による光ビームの振れなどの影響を受けない大
きさの垂直領域を確保できる。

このため、バイアス磁界発生器としても、小形化、軽量
化が実現され、例えば浮上式に支持することができ、記
録時の記録条件が安定できる。また、所要のバイアス磁
界を得るのに、比較的小さい電流でよいことになるから
、インダクタンスの増加をもたらさず、したがって，高
周波スイッチング動作が可能である。また、光学ヘッド
のトラッキング制御において、バイアス磁界発生器との
位置ずれに対する補正制御が不要である。このようにし
て高性能，高信頼性のある光磁気記停装置が提供できる
。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面を参照して具体的に説明す
る。なお、本実施例において、光磁気記鍮装置全体は先
述の従来例（第６図参照）と同様なので、特に発明に係
るバイアス発生器についての構成のみを図解する。第１
図（＆）ないし（ｃ）に示すように本発明の実障例では
光磁気記録媒体としての光磁気ディスクにおける全記碌
領域にわたって細長く延びる磁性体でロック１上に、光
学ヘッドがトラッキング制御される方向に複数の磁界発
生用コイルとしてのゾリントコイル２ａ，２ｂ・・・２
●の群および２　ｆ　ｐ　２　ｇ・・・２１を上下二つ
の平薗について配列するように、導体ノリ一ンを構成し
ている。このために、両平面間には絶縁層３が設けられ
ている。そして上記プリントコイル２ｍ＋２ｂ・・・２
−の各両端Ｋ接続される端子１０．１１：１２．１３：
・・・１８．１９が下側平面に、また、上記デリントコ
イル２ｆ，２ｇ・・・２１の各両端に接続される端子２
０．２１：２２．２３・・・２６，２７が上側平面に設
けられている。実際には、このような構成圧するために
先づ一方の端子１１，１３・・・１９とプリントコイル
２息，２ｂ・・２ｓと中央接続点とを結ぶ導体パターン
を上記磁性ブロック１上に形成し、その上に上記中央接
続点を残して絶縁層を形成し、この絶縁層の上に上配プ
リントコイル２ｍ，２ｂ・・・２ｓ．端子１０，１１：
１　２，　１　３：・・・１８，１９１−形成するよう
にするとよい．同様に、絶縁層３上においても、一方の
端子２１．２３・・・２７とプリントコイル２ｆ，２ｇ
・・・２１と中央接続点とを結ぶ導体パターンを上記絶
緻層３上に形成し、その上に上記中央接続点を残して絶
縁層を形成し、この絶縁層の上に上記プリントコイル２
　ｆ　ｔ　２　ｇ・・・２ｌ，端子２０　，　２１：２
２，２３：・・・２６，２７を形成するようにするとよ
い。

ここで磁性体ブロック１は高周波特性の良好な磁性体、
例えば高周波フエライトを使用するとよく、また、上記
磁性体ブロック１、絶縁層３などはその磁性特性として
は、高周波での損失が少なく、透磁率が大きな材料が好
ましい。″ｔｅ、この実施例において、導体ノクターン
を構成するプリント導体の形成には蒸着あるいはス・ぐ
ツタリングの手法が採用されるとよい。ま念、材料とし
ては鋼などの高導電率体を用いるとよい。ここではエッ
チング技術などで、目的のパターンを残す方法も採用さ
れる。

上記プリントコイル２ａ，２ｂ・・・２ｅは磁区の反転
に必要な強度の磁界領域が相隣るコイル間では互いに連
続しない程度の大きさであるが、別の平面上に配列され
る上記プリントコイル２ｆ，２ｇ・・・２１が上記プリ
ントコイル２ｍ，２ｂ・・・２＠とは半♂ツチずれて配
置される関係で、互いに重複配置される磁界発生用コイ
ル間、例えば２１１．２ｆ間、２ｆ，２ｂ間，２ｂ　，
２ｇ間・・・では磁区の反転Ｋ必要な強度の磁界領域は
互いに光学へッＰのトラッキング制御の方向について連
続する形となる。ま九，その磁界領域の大きさは光学ヘ
ッドの精密トラッキングアクチ為二一タによる光ビーム
・の可動範囲、振動ずれの範囲をカバーするものである
ように設定される。例えば上記トラッ中ングアクチ為エ
ータの移動範囲および光学ヘッドとバイアス磁界発生器
の位置合わせ誤差を含めた範囲が±３００μｍであれば
、少なくとも±３００ｌＲｎの範囲Ｋ所要垂直磁界が得
られる大きさとするのである。

またＸ方向に配雪するコイルの数は、１つのコイルがカ
バーする磁界領域に対し、上下二千面において重複する
長さを考慮して光磁気ディスクの半径方向に対する記録
゛範囲の長さに必要な数とする。例えば１つのコイルの
大きさが直径１ｍ、重複する長さが０．　１　ｍであれ
ば記録領域の半径方向の範囲が２０霞〜４０■でおると
して、第１の平面（下平面）に１２個、第２の平面（上
平面）に１１個のコイルを配置すればよい。

このように構成されたバイアス磁界発生器による発生バ
イアス磁界の分布は第２図のようになる。

ここでは横軸【光磁気ディスクの中心からの距離を、ま
た、縦軸にその点における光磁気ディスクの記録層に印
加される垂直磁界成分の大きさを示して゛いる。そして
、曲線Ａａ，Ａｂ・・・は各プリントコイル２　ａ　ｅ
　２　ｂ・・・による磁界の分布を示すものであり、Ｔ
｛ｂは記碌に必要なバイアス磁界の最小値を示している
。この実施例におけるプリントコイル２ｍ　，２ｂ・・
・２●の群および２　ｆ　＊　２　ｇ・・・２％の群の
各々の発生磁界は相隣るコイルについて重複される位置
（実線，点線の全てにおいて）がＨｂのレベルより下に
位置されるが、後述の付勢手段によってこの領域に光学
ヘッドが移動する時、相隣るプリントコイル、例えば２
ａと２ｆ　，　２ｆと２ｂ・・・と金同時付勢すること
で、１＋ｆ，・・・の磁界によってＨｂのレペルよシ上
に磁界を上げることができる。このため、磁区反転に必
要な磁界領域は実際上、連続した形となり、また、強度
が均一化される。この場合、磁界領域の広さは実用上、
可及的に小さくできる。

光学ヘッドが移動するに従って、対応するプリントコイ
ル２ｍ　，２ｆ　，　２ｂ　，　２ｇ　ｅ　２ｅ””を
各別にあるいは上下に重なりかつ相隣るものを同時に付
勢するための制御手段が第３図に図解されている。ここ
では各プリントコイル２凰，２ｂ・・・２ｌの両端にス
イッチＳｍｌ　，Ｓｍ１：ｓｂＬ，ｓｂ！：　　＝８１
！，８１，が直列接続してあり、駆動用トランクスタＱ
１　ｅＱ雪の接続点およびトランジスタＱｓｐＱ４の接
続点の間に接続されている。このトランゾス，ＪＱｔ＊
Ｑｓお・よびＱｓｔＱ４は電源ｖｃｃに対して、それぞ
れ直列接続されており、各ペースに対しては制御電圧ｖ
ｌ　，■，，ｖ３およびｖ４が印加できるようになって
いる。ここで、トランジスタＱｓおよびＱ４は＋２方向
に磁界を発生させる時にオンされ、トランジスタＱ２お
よびＱ３はオフされる。また、トランジスタＱ！および
Ｑ１はーｉ方向に磁界を発生させる時にオンされ、トラ
ンジスタＱ１およびＱ４はオフされる。

そして、上記プリントコイル２　ｍ　，　２　ｂ　”・
は上記スイッチＳ　ａ　１＊　８　ａ　＠　：・・・が
第４図に示すようなタイミングで選択的にオン状態にな
る時、光学ヘッドの移動位置に対応して付勢されること
になる。

本実施例では半径２０〜４０一の範囲を９個のコイルで
所定のバイアス磁界の分布にするため、上下に重複しか
つ相隣るプリントコイルの同時付勢範凹を約ｌｍとする
と、１つのコイルは約１．４一の範囲をカバーすればよ
い。なお、光学ヘッドの位置は光磁気ディスクの半径方
向に取付けられた位置センサからの信号よシ求めてもよ
いが、アクセスの際のトラック信号から演算して求めて
もよい。

なお、上記実施例では第１の平面におけるデリントコイ
ル゜２ａ　，２ｂ・・・２●については、端子１１．１
３・・・１９のための導体デリントの上に、また第２の
平面におけるプリントコイル２ｆ，２ｇ・・・２ｌにつ
いては端子２１　，２３・・・２７のための導体プリン
トの一ヒに、それぞれ絶縁層を設けて、その絶縁層の上
にプリントコイル２ａ，２ｂ・・・２ｅおよび２　ｆ　
ｓ　２　ｇ・・・２１などの導体プリントを施している
が、端子１１，１３・・・ｌ９および２１，２３・・・
２７の念めの導体プリントを形成する磁性体ブロック１
および絶縁層３の上に、巻き方向が中心から外に向けて
逆になる別のプリントコイルをそれぞれ形成して、これ
らプリントコイルの中心を接続点を介して上述のプリン
トコイル２凰，２ｂ・・・２６および２ｆ，２ｇ・・・
２１に接続し、各デリントコイルの外側の端を各対の端
子１０．１１：１２，１３：・・・および２０．２１：
２２，２３：・・・に接統するようにしてもよい。この
湯合にはコイル長が実質的に２倍になるので集中磁界の
強度も倍加される。これは何等かの事由でバイアス磁界
発生器と光磁気ディスクとの距離を近づけることができ
ない場合、あるいは大きなバイアス磁界が必要な時に有
効である。

なお、光学ヘッげにおける対物レンズがアーム先端に設
けられていて、トラッキング制御時、上記アームの回動
中心から対物レンズまでの半径で円弧状に走査される場
合、バイアス磁界発生器の構造は第５図（ａ）　．　（
ｂ）および（ｃ）のように構成される。

この場合磁界発生用コイルは円弧の方向に沿って配列さ
れる。

なお、上記実施例において、最上部絶縁層上のプリント
コイル２ｆ，２ｇ・・・２１を保護する目的で非磁性の
保ｌ！Ｉ膜を形成してもよい。

（発明の効果）本発明は以上詳述し九ようになり、バイアス磁界尭生の
ための消費電力が小さくてよく、パイアス磁界発生器側
から光磁気記録媒体側への温度の影響がなくて記録条件
が安定しておシ、エラー発生がさけられる．しかも各磁
界発生用コイルは大きさの割には、充分な垂直磁界領域
の広さを確保しておシ、また上下に重複しかつ相隣る磁
界発生用コイルが共働して、必要な垂直磁界強度を確保
し、その強度の均一化を達成でき、記碌条件は更に向上
する。そして、バイアス磁界発生器として小形化、軽量
化が実現でき、高速アクセスが可能となり、ｔた、磁界
発生用コイルの形状，相対間隔など、設計上における制
約が解消できる。また、所要のバイアス磁界を得るのに
、比較的小さい電流でよいから、インダクタンスの増加
をもたらさず、高周波スイッチング動作が可能である。

また、光学ヘッドのトラッキング制御において、光学ヘ
ッドとバイアス磁界発生器との位置ずれに対する補正制
御が不要で、構造上、制御上、有利となる。

まな、平面上に磁界発生用コイルを設けるために、薄膜
プリント技術を採用して大量生産が可能となるなどの利
点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（＆）　，　（ｂ）および（ｃ）は本発明の一実
施例を示す側面図、上面図および一部取除いた状態の上
面図、第２図は本発明に係るバイアス磁界発生器につい
ての磁界分布図、第３図は磁界発生用コイルの制御回路
図、第４図は上記コイルの付勢状況を示すタイムチャー
ト、第５図（ａ）　Ｉ　（ｂ）および（Ｃ）は本発明の
他の実施例を示す側面図、上面図および一部取除いた状
態の上面図、第６図および第７図はそれぞれ従来のバイ
アス磁界発生器の構成を示す磁気記録装置の模式図であ
る。ｌ・・・磁性体ブロック，ｌａ，２ｂ〜・・・プリント
コイル、３・・・絶縁層、１ｏ；ｘｉ：ｔ２，ｘ３：〜
・・・端子、２０，２１：２２，２３：〜・・・端子。代理人　弁理士　山　下　穣　平第１図第２図勢２４製一第図第図半イＬ４０（ｍｍ）第図第図Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

　磁化配向を有する磁区の向きによって情報を表わすよ
うに、光磁気記録媒体を光学ヘッドからの光ビームで温
度上昇させると共に、バイアス磁界発生器による垂直磁
界の印加を行なうようにした光磁気記録装置において、
上記バイアス磁界発生器は主たる磁界成分が上記記録媒
体の記録層に対して垂直となるように配量された磁界発
生用コイルを複数個、具備しており、該磁界発生用コイ
ルは上記記録媒体に接近した上下二つの平面において、
上記記録媒体の全記録領域にわたって光学ヘッドがトラ
ッキング制御される方向に、上平面と下平面とにそれぞ
れ配列されるコイルが互いにとなりあう各コイルの中心
が一致しないように配列されていると共に、所要広さで
磁区の反転に必要な強度の磁界領域を具備しており、ま
た、その磁界領域では当該磁界発生用コイルを附勢し、
また、互いに重複配置されかつ相隣る磁界発生用コイル
間では両磁界発生用コイルを附勢して必要強度の磁界領
域を構成するように、各磁界発生用コイルを光学ヘッド
の移動に対応して附勢する手段を具備していることを特
徴とする光磁気記録装置。