JPH02235238A - 光磁気記録装置 - Google Patents
光磁気記録装置Info
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- JPH02235238A JPH02235238A JP5520989A JP5520989A JPH02235238A JP H02235238 A JPH02235238 A JP H02235238A JP 5520989 A JP5520989 A JP 5520989A JP 5520989 A JP5520989 A JP 5520989A JP H02235238 A JPH02235238 A JP H02235238A
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- magnetic field
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- magneto
- optical
- bias magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁化配向を有する磁区の向きによって情報を表
わすように、光磁気記録媒体を光学ヘッドからの光ビー
ムで温度上昇させると共Kバイアス磁界発生器Kよる垂
直磁界の印加を行なうようにした光磁気記録装置K関す
る。
わすように、光磁気記録媒体を光学ヘッドからの光ビー
ムで温度上昇させると共Kバイアス磁界発生器Kよる垂
直磁界の印加を行なうようにした光磁気記録装置K関す
る。
(従来の技術)
従来、光磁気記録装置において使用されているバイアス
磁界発生器は第5図に示すようK構成されている。ここ
ではバイアス磁界発生器52は光学ヘッド5lがトラッ
キング制御で動作する全情報記録領域54K.わたって
、おおむね均一なバイアス磁界を発生するように、光出
気記録媒体、ここでは光磁気ディスク50を挾んで配設
されている。そして、上記バイアス磁界発生器52はそ
のコイルに対してバイアス磁界発生電源53から電流が
供給されるようになっており、また、光磁気ディスク5
0はスピンドルモータ55で回転駆動される。
磁界発生器は第5図に示すようK構成されている。ここ
ではバイアス磁界発生器52は光学ヘッド5lがトラッ
キング制御で動作する全情報記録領域54K.わたって
、おおむね均一なバイアス磁界を発生するように、光出
気記録媒体、ここでは光磁気ディスク50を挾んで配設
されている。そして、上記バイアス磁界発生器52はそ
のコイルに対してバイアス磁界発生電源53から電流が
供給されるようになっており、また、光磁気ディスク5
0はスピンドルモータ55で回転駆動される。
このような構成では、全情報記録領域54に対応してバ
イアス磁界を発生させなければならないため、バイアス
磁界発生器、同電源の大塁化、重量代がさけ難い。te
、全情報記録領域54にわ九って均一な・ぐイアス磁界
をかけることが難しいから、記録時、光磁気ディスクに
対して形成される記録ピットの大きさ、形状が不均一と
なシ,読取〕エラーの発生原因となる。更に、バイアス
磁界発生の九めの消費電力が大きく、バイアス磁界発生
器52の温度上昇の影響をうけて、光出気ディスク50
自体が温度上昇することで、記録時の記録条件が変化し
,エラーの発生原因となる。
イアス磁界を発生させなければならないため、バイアス
磁界発生器、同電源の大塁化、重量代がさけ難い。te
、全情報記録領域54にわ九って均一な・ぐイアス磁界
をかけることが難しいから、記録時、光磁気ディスクに
対して形成される記録ピットの大きさ、形状が不均一と
なシ,読取〕エラーの発生原因となる。更に、バイアス
磁界発生の九めの消費電力が大きく、バイアス磁界発生
器52の温度上昇の影響をうけて、光出気ディスク50
自体が温度上昇することで、記録時の記録条件が変化し
,エラーの発生原因となる。
そこで、バイアス磁界の発生領域を光学ヘッドKよって
、現に光磁気記録を行っている領域に限って、光磁気デ
ィスクにバイアス磁界を印加するバイアス出界発生器も
提唱されまし九〇これは、第6図K示されるようなもの
であって、ここでは、バイアス磁界発生器62は光磁気
ディスク60を挾んで反対側K配置され友光学ヘッド6
lに対して支持部材66を介して連結されている。そし
て、光学ヘッド61の情報記録、再生の几めの光ビーム
67と、バイアス磁界発生器62によって生じるバイア
ス磁界の中心線とが、おおむね一致するように,バイア
ス磁界発生器62と光学ヘッド61とは相対的に位置決
めされてhる。このため、バイアス磁界発生器62は光
学ヘッド6lがトラッキング制御によって情報記録領域
64内で大きく移動される時にはこれK追従して移動す
ることができる。
、現に光磁気記録を行っている領域に限って、光磁気デ
ィスクにバイアス磁界を印加するバイアス出界発生器も
提唱されまし九〇これは、第6図K示されるようなもの
であって、ここでは、バイアス磁界発生器62は光磁気
ディスク60を挾んで反対側K配置され友光学ヘッド6
lに対して支持部材66を介して連結されている。そし
て、光学ヘッド61の情報記録、再生の几めの光ビーム
67と、バイアス磁界発生器62によって生じるバイア
ス磁界の中心線とが、おおむね一致するように,バイア
ス磁界発生器62と光学ヘッド61とは相対的に位置決
めされてhる。このため、バイアス磁界発生器62は光
学ヘッド6lがトラッキング制御によって情報記録領域
64内で大きく移動される時にはこれK追従して移動す
ることができる。
なお、この種の光磁気記録装置では、例えばバイアス磁
界発生器62と光学ヘッド6lとを連結する支持部材6
6の一部領域Aに所要のばね特性を持ったばね材が使用
され、光磁気ディスク6oの回転によって表面に生じる
空気流を利用して、上記バイアス磁界発生器62を光磁
気ディスク60の表面から僅かな間隙で浮上させるよう
に構成している。
界発生器62と光学ヘッド6lとを連結する支持部材6
6の一部領域Aに所要のばね特性を持ったばね材が使用
され、光磁気ディスク6oの回転によって表面に生じる
空気流を利用して、上記バイアス磁界発生器62を光磁
気ディスク60の表面から僅かな間隙で浮上させるよう
に構成している。
このような構成によって、第6図に示すようなバイアス
磁界発生器では、第5図K示すような全移動領域Kわた
クてバイアス磁界を印加するパイアス磁界発生器で問題
となる上記バイアス磁界発生器の大型化、重量化、大消
費電力の欠点を除き、また、エラー発生の原因を除くこ
とができる。
磁界発生器では、第5図K示すような全移動領域Kわた
クてバイアス磁界を印加するパイアス磁界発生器で問題
となる上記バイアス磁界発生器の大型化、重量化、大消
費電力の欠点を除き、また、エラー発生の原因を除くこ
とができる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、第6図に示すようなバイアス発生器Kお
いても、次のような問題が残されている。
いても、次のような問題が残されている。
すなわち、上記バイアス磁界発生器では発生バイアス磁
界の均一領域が狭いために,光学ヘッド61からの光束
67とバイアス磁界発生器620発生バイアス磁界の中
心線とを正確K一致させる必要があるが、この友めには
高at密な設計、製作が必要であシ,高精密な位置合わ
せが必要で、コスト高となる。
界の均一領域が狭いために,光学ヘッド61からの光束
67とバイアス磁界発生器620発生バイアス磁界の中
心線とを正確K一致させる必要があるが、この友めには
高at密な設計、製作が必要であシ,高精密な位置合わ
せが必要で、コスト高となる。
ま九、上記バイアス発生器はトラッキング制御によって
大きく光学ヘッドが移動制御される時には支持部材66
を介して追従するが、光ビーム走査の過程で,光学ヘッ
ド6lの移動での光学へッドアクチ,二一タの振動Kよ
る光ビーム67の振れや,バイアス磁界発生器62の振
動によるバイアス磁界の中心線と光ピーム67との位置
ずれに対して補正制御が必要となる。とくに、光学ヘッ
ド61における精密トラッキング制御アクチュエー夕に
よって光ピーム67をトラッキング動作する時、このバ
イアス磁界発生器62の位置づれに対する補正制御を欠
くことができない。
大きく光学ヘッドが移動制御される時には支持部材66
を介して追従するが、光ビーム走査の過程で,光学ヘッ
ド6lの移動での光学へッドアクチ,二一タの振動Kよ
る光ビーム67の振れや,バイアス磁界発生器62の振
動によるバイアス磁界の中心線と光ピーム67との位置
ずれに対して補正制御が必要となる。とくに、光学ヘッ
ド61における精密トラッキング制御アクチュエー夕に
よって光ピーム67をトラッキング動作する時、このバ
イアス磁界発生器62の位置づれに対する補正制御を欠
くことができない。
そこで、バイアス龜界発生器Kおけるバイアス磁界の均
一領域を或る程度の大きさにして゜、位置ずれの許容範
囲を拡大し、実質的K上述の補、正制御を行なわないよ
うにすることが考えられる。しかしながら、上述のバイ
アス磁界発生器ではコイルを円筒状κ巻く几めに、光磁
気ディスクに対する垂直方向の距離が大きくなシ、磁界
の集中が難しくなる。そこで,必要な磁界の均一領域を
広げる九めK磁極を大きくすると、インダクタンスの増
加Kよシ、高周波駆動が困難になり、また、バイアス磁
界発生器の大型化、重量化がさけられない。
一領域を或る程度の大きさにして゜、位置ずれの許容範
囲を拡大し、実質的K上述の補、正制御を行なわないよ
うにすることが考えられる。しかしながら、上述のバイ
アス磁界発生器ではコイルを円筒状κ巻く几めに、光磁
気ディスクに対する垂直方向の距離が大きくなシ、磁界
の集中が難しくなる。そこで,必要な磁界の均一領域を
広げる九めK磁極を大きくすると、インダクタンスの増
加Kよシ、高周波駆動が困難になり、また、バイアス磁
界発生器の大型化、重量化がさけられない。
(発明の目的)
本発明は上記事情にもとづいてなされ次もので、バイア
ス磁界発生器を、光磁気記録媒体の全記録領域Kわたっ
て配設するが、トラッキング制御による光ヘッドの移動
K対応して、磁区の反転に必要な強度でバイアス磁界の
均一領域を確保するようK制御する光磁気記録装置を提
供しようとするものである。
ス磁界発生器を、光磁気記録媒体の全記録領域Kわたっ
て配設するが、トラッキング制御による光ヘッドの移動
K対応して、磁区の反転に必要な強度でバイアス磁界の
均一領域を確保するようK制御する光磁気記録装置を提
供しようとするものである。
(課題を解決するための手段)
そこで、本発明では、磁化配向を有する磁区の向きによ
って情報を表わすようK,光磁気記録媒体を光学ヘッド
からの光ビームで温度上昇させると共κ、バイアス磁界
発生器Kよる垂直磁界の印加を行なうようにし九光磁気
記録装置において、上記バイアス磁界発生器は主九る磁
界成分が上記記録媒体の記録層に対して垂直となるよう
K配置された磁界発生用コイルを複数個、具備しておシ
、該磁界発生用コイルは上記記録媒体に接近した平面に
おいて、上記記録媒体の全記録領域Kわたクて光学ヘッ
ドがトラッキング制御される方向に配列されていると共
に、磁区の反転κ必要な強度の磁界領域が相隣る磁界発
生用コイル間で互いK連続するように構成されておシ、
また、各磁界発生用=イルを光学ヘッドの移動に対応し
て附勢する手段を具備している。
って情報を表わすようK,光磁気記録媒体を光学ヘッド
からの光ビームで温度上昇させると共κ、バイアス磁界
発生器Kよる垂直磁界の印加を行なうようにし九光磁気
記録装置において、上記バイアス磁界発生器は主九る磁
界成分が上記記録媒体の記録層に対して垂直となるよう
K配置された磁界発生用コイルを複数個、具備しておシ
、該磁界発生用コイルは上記記録媒体に接近した平面に
おいて、上記記録媒体の全記録領域Kわたクて光学ヘッ
ドがトラッキング制御される方向に配列されていると共
に、磁区の反転κ必要な強度の磁界領域が相隣る磁界発
生用コイル間で互いK連続するように構成されておシ、
また、各磁界発生用=イルを光学ヘッドの移動に対応し
て附勢する手段を具備している。
(作用)
このような構成では、附勢される磁界発生用コイルは光
学ヘッドの移動に対応するものだけであるから、バイア
ス磁界発生のための消費電力が小さくてよい。また、こ
のため、バイアス磁界発生器での温度上昇の影響が光磁
気記録媒体に及ばないので、記録時の記録条件が安定で
あシ、エラーの発生がさけられる。しかも、各磁界発生
用コイルは、光磁気記鎌媒体に接近した平面上に、例え
ばプリントの手段によって構成できるから、大きさの割
には磁区を反転するのに充分で、かつ光学へッドアクチ
,エータの振動Kよる光ビームの振れなどの影響を受け
ない大きさの垂直磁界領域を確保できる。このため、バ
イアス磁界発生器としても小形化、軽量化が実現され、
例えば浮上式に支持することができ、記録時の記録条件
が安定できる。また、所要のバイアス磁界を得るのに、
比較的小さい電流でよいことになるから、インダクタン
スの増加をもたらさず、したがって、高周波スイッチン
グ動作が可能である。また、光学ヘッドのトラッキング
制御において、バイアス磁界発生器との位置づれK対す
る補正制御が不要である。
学ヘッドの移動に対応するものだけであるから、バイア
ス磁界発生のための消費電力が小さくてよい。また、こ
のため、バイアス磁界発生器での温度上昇の影響が光磁
気記録媒体に及ばないので、記録時の記録条件が安定で
あシ、エラーの発生がさけられる。しかも、各磁界発生
用コイルは、光磁気記鎌媒体に接近した平面上に、例え
ばプリントの手段によって構成できるから、大きさの割
には磁区を反転するのに充分で、かつ光学へッドアクチ
,エータの振動Kよる光ビームの振れなどの影響を受け
ない大きさの垂直磁界領域を確保できる。このため、バ
イアス磁界発生器としても小形化、軽量化が実現され、
例えば浮上式に支持することができ、記録時の記録条件
が安定できる。また、所要のバイアス磁界を得るのに、
比較的小さい電流でよいことになるから、インダクタン
スの増加をもたらさず、したがって、高周波スイッチン
グ動作が可能である。また、光学ヘッドのトラッキング
制御において、バイアス磁界発生器との位置づれK対す
る補正制御が不要である。
このようにして、高性能、高信頼性のある光磁気記録装
置が提供できる。
置が提供できる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して具体的に説明す
る。なお、本実施例において、光磁気記録装置全体は先
述の従来例(第5図参照)と同様なので、特に発明K係
る・ぐイアス発生器についての構成のみを図解する。第
1図(.)および(b)に示すように、本発明の実施例
では、光磁気記録媒体としての光磁気ディスクにおける
全記鎌領域にわたクて細長く延びる磁性体ブロック1上
に、光学ヘッドがトラッキング制御される方向K複数の
磁界発生用コイルとしてのプリントコイル2a*2b・
・・を配列するようK導体・9ターンを構成している。
る。なお、本実施例において、光磁気記録装置全体は先
述の従来例(第5図参照)と同様なので、特に発明K係
る・ぐイアス発生器についての構成のみを図解する。第
1図(.)および(b)に示すように、本発明の実施例
では、光磁気記録媒体としての光磁気ディスクにおける
全記鎌領域にわたクて細長く延びる磁性体ブロック1上
に、光学ヘッドがトラッキング制御される方向K複数の
磁界発生用コイルとしてのプリントコイル2a*2b・
・・を配列するようK導体・9ターンを構成している。
また、上記磁性体ブロックlの両端には、各プリントコ
イル2m,2b・・・の各両端に接続されている端子2
0,21:22,23:・・・30.31が設けられて
いる。
イル2m,2b・・・の各両端に接続されている端子2
0,21:22,23:・・・30.31が設けられて
いる。
このような構成にするために、先づ一方の端子21e2
3,・・・31とプリントコイル2a , 2b・・・
の中央接続点とを結ぶ導体・臂ターンを上記磁性ブロッ
ク1上に形成し、その上に、上記中央接続点を残して絶
縁層を形成し、この絶縁層の上に上記プリントコイル2
m,2b・・・、端子20,21:22,23:・・・
30,31を形成するようにするとよい。
3,・・・31とプリントコイル2a , 2b・・・
の中央接続点とを結ぶ導体・臂ターンを上記磁性ブロッ
ク1上に形成し、その上に、上記中央接続点を残して絶
縁層を形成し、この絶縁層の上に上記プリントコイル2
m,2b・・・、端子20,21:22,23:・・・
30,31を形成するようにするとよい。
ここで、磁性体ブロック1は高周波特性の良好表磁性体
、例えば高周波フエライトを使用するとよく、その磁気
特性としては、高周波での損失が少なく、透磁率が大き
な材料が好ましい。また、この実施例において、導体ノ
Jターンを構成するプリント導体の形成Kは、蒸着ある
いはスA!ツタリングの手法が採用されるとよい。また
、材料としては銅などの高導電率体を用いるとよい。こ
こでは、エッチング技術表とで、目的の・ぐターンを残
す方法も採用される。
、例えば高周波フエライトを使用するとよく、その磁気
特性としては、高周波での損失が少なく、透磁率が大き
な材料が好ましい。また、この実施例において、導体ノ
Jターンを構成するプリント導体の形成Kは、蒸着ある
いはスA!ツタリングの手法が採用されるとよい。また
、材料としては銅などの高導電率体を用いるとよい。こ
こでは、エッチング技術表とで、目的の・ぐターンを残
す方法も採用される。
上記プリントコイル2m,2b・・・は、磁区の反転に
必要な強度の磁界領域が相隣るコイル間で互いに連続す
るように、例えば図示のようにハート形に変形された渦
巻状をなしている。また、その磁界領域の大きさは光学
ヘッドの精密トラッキングアクチ.二一タによる光ビー
ムの可動範囲、振動ずれの範囲をカバ−するものである
ように設定される。例えば、上記トラッキングアクチュ
エータの移動範囲および光学ヘッドとノ々イアス磁界発
生器の位置合わせ誤差を含めた範囲が±300μmであ
れば、少なくとも±300μmの範囲に所要垂直磁界が
得られる大きさとするのである。
必要な強度の磁界領域が相隣るコイル間で互いに連続す
るように、例えば図示のようにハート形に変形された渦
巻状をなしている。また、その磁界領域の大きさは光学
ヘッドの精密トラッキングアクチ.二一タによる光ビー
ムの可動範囲、振動ずれの範囲をカバ−するものである
ように設定される。例えば、上記トラッキングアクチュ
エータの移動範囲および光学ヘッドとノ々イアス磁界発
生器の位置合わせ誤差を含めた範囲が±300μmであ
れば、少なくとも±300μmの範囲に所要垂直磁界が
得られる大きさとするのである。
このように構成されたノ々イアス磁界発生器による発生
バイアス磁界の分布は、第2図のようになる。ここでは
横軸に光磁気ディスクの中心からの距離を、また、縦軸
にその点における光磁気ディスクの記録層に印加される
垂直磁界成分の大きさを示している。そして、曲線Aa
,Ab・・・・は各プリントコイル2a,2b・・・
による磁界の分布を示すものであシ、また、Hbは記録
に必要なノ々イアス磁界の最小値を示している。この実
施例におけるプリントコイル2m,2b・・・の各々の
発生磁界は、相隣るコイルについて重複される位置がH
bのレベルより上に位置するように設定されるので、ト
ラッキング制御の方向について、磁区反転の強さを確保
した磁界領域が相隣るコイル間で連続されることになる
。
バイアス磁界の分布は、第2図のようになる。ここでは
横軸に光磁気ディスクの中心からの距離を、また、縦軸
にその点における光磁気ディスクの記録層に印加される
垂直磁界成分の大きさを示している。そして、曲線Aa
,Ab・・・・は各プリントコイル2a,2b・・・
による磁界の分布を示すものであシ、また、Hbは記録
に必要なノ々イアス磁界の最小値を示している。この実
施例におけるプリントコイル2m,2b・・・の各々の
発生磁界は、相隣るコイルについて重複される位置がH
bのレベルより上に位置するように設定されるので、ト
ラッキング制御の方向について、磁区反転の強さを確保
した磁界領域が相隣るコイル間で連続されることになる
。
光学ヘッドが移動するに従って、対応するプリントコイ
ル2a,2b・・・を各別に附勢するための制御手段が
第3図に図解されている。ここでは、各プリントコイル
2a,2b・・・の両端にスイッチS1,812:Sb
1*Sb2:・・・が直列接続してあシ、駆動用トラン
ジスタQ1sQ2の接続点およびQ 5 * Q 4の
接続点の間に接続されている。このトランジスタQ1+
Q2およびQsjQ4は電源V。Cに対して、それぞれ
直列接続されておシ、各ペースに対しては制御電圧v,
,v2,vsおよびv4が印加できるようになっている
。
ル2a,2b・・・を各別に附勢するための制御手段が
第3図に図解されている。ここでは、各プリントコイル
2a,2b・・・の両端にスイッチS1,812:Sb
1*Sb2:・・・が直列接続してあシ、駆動用トラン
ジスタQ1sQ2の接続点およびQ 5 * Q 4の
接続点の間に接続されている。このトランジスタQ1+
Q2およびQsjQ4は電源V。Cに対して、それぞれ
直列接続されておシ、各ペースに対しては制御電圧v,
,v2,vsおよびv4が印加できるようになっている
。
ここで、トランジスタQ,およびQ4は+2方向に磁界
を発生させる時にオンされ、トランジスタQ2およびQ
5はオフされる。また、トランジスタQ2およびQ3は
−2方向に磁界を発生させる時にオンされ、トランジス
タQ1およびQ4はオフされる。
を発生させる時にオンされ、トランジスタQ2およびQ
5はオフされる。また、トランジスタQ2およびQ3は
−2方向に磁界を発生させる時にオンされ、トランジス
タQ1およびQ4はオフされる。
そして、上記プリントコイル2m+2b・・・は、上記
スイッチSa1@Sa2 :・・・が第4図に示すよう
なタイミングで選択的にオン状態になる時、光学ヘッド
の移動位置に対応して附勢されることになる。
スイッチSa1@Sa2 :・・・が第4図に示すよう
なタイミングで選択的にオン状態になる時、光学ヘッド
の移動位置に対応して附勢されることになる。
本実施例では、半径20〜40■の範囲を6個のプリン
トコイルで所定のバイアス磁界の分布にするため、1つ
のコイルは約3. 4 mの範囲を垂直磁界領域として
確保すればよい。なお、光学へ“ツドの位置は光磁気デ
ィスクの半径方向K取付けられた位置センナからの信号
よシ求めてもよいが、アクセスの際のトラック信号から
演算して求めてもよい。
トコイルで所定のバイアス磁界の分布にするため、1つ
のコイルは約3. 4 mの範囲を垂直磁界領域として
確保すればよい。なお、光学へ“ツドの位置は光磁気デ
ィスクの半径方向K取付けられた位置センナからの信号
よシ求めてもよいが、アクセスの際のトラック信号から
演算して求めてもよい。
なお、上記実施例では、端゜子21.23・・・31の
ための導体プリントの上K絶緑層を設けて、絶縁層の上
Kデリントコイル2ae2b・・・などの導体プリント
を施したが、端子21.23・・・31のための導体プ
リントを形成する磁性体ブロック1の上K、巻き方向が
中心から外に向けて逆になる別のプリントコイルを形成
して、このプリントコイルの中心を接続点を介して絶縁
層上のプリントコイルに接続し、各プリントコイルの外
側の端を各対の端子20,21:22,23:・・・に
接続するようにしてもよい.この場合には、コイル長が
実質的に2倍になるので、集中磁界の強度も倍加される
。これは、何等かの事由で、バイアス磁界発生器と光磁
気ディスクとの距離を近づけることができない場合、あ
るいは大きな・々イアス磁界が必要な時に有効である。
ための導体プリントの上K絶緑層を設けて、絶縁層の上
Kデリントコイル2ae2b・・・などの導体プリント
を施したが、端子21.23・・・31のための導体プ
リントを形成する磁性体ブロック1の上K、巻き方向が
中心から外に向けて逆になる別のプリントコイルを形成
して、このプリントコイルの中心を接続点を介して絶縁
層上のプリントコイルに接続し、各プリントコイルの外
側の端を各対の端子20,21:22,23:・・・に
接続するようにしてもよい.この場合には、コイル長が
実質的に2倍になるので、集中磁界の強度も倍加される
。これは、何等かの事由で、バイアス磁界発生器と光磁
気ディスクとの距離を近づけることができない場合、あ
るいは大きな・々イアス磁界が必要な時に有効である。
なお、上記実施例において、絶縁層上のプリントコイル
を保護する目的で非磁性の保護膜を形成してもよい。
を保護する目的で非磁性の保護膜を形成してもよい。
(発明の効果)
本発明は、以上詳述したようになり、バイアス磁界発生
のための消費電力が小さくてよく、バイアス磁界発生器
側から光磁気記録媒体側への温度の影響がなくて、記録
条件が安定しておシ、エラー発生がさけられる。しかも
、各磁界発生用コイルは、大きさの割には、充分な垂直
磁界領域の広さを確保でき、バイアス磁界発生器として
小形化、軽量化が実現でき、高速アクセスが可能となる
。
のための消費電力が小さくてよく、バイアス磁界発生器
側から光磁気記録媒体側への温度の影響がなくて、記録
条件が安定しておシ、エラー発生がさけられる。しかも
、各磁界発生用コイルは、大きさの割には、充分な垂直
磁界領域の広さを確保でき、バイアス磁界発生器として
小形化、軽量化が実現でき、高速アクセスが可能となる
。
また、所要のバイアス磁界を得るのに、比較的小さい電
流でよいからインダクタンスの増加をもたらさず、高周
波スイッチング動作が可能である。
流でよいからインダクタンスの増加をもたらさず、高周
波スイッチング動作が可能である。
また、光学ヘッドのトラッキング制御において、光学ヘ
ッドとバイアス磁界発生器との位置づれに対する補正制
御が不要で構造上、制御上、有利となる。また、平面上
に磁界発生用コイルを設けるために、薄膜グリント技術
を採用して大量生産が可能と表るなどの利点がある。
ッドとバイアス磁界発生器との位置づれに対する補正制
御が不要で構造上、制御上、有利となる。また、平面上
に磁界発生用コイルを設けるために、薄膜グリント技術
を採用して大量生産が可能と表るなどの利点がある。
第1図(a)および(b)は本発明の一実施例を示す側
面図および上面図、第2図は本発明に係るバイアス磁界
発生器についての磁界分布図、第3図は磁界発生用コイ
ルの制御回路図、第4図は上記コイルの附勢状況を示す
タイムチャート、第5図および第6図はそれぞれ従来の
バイアス磁界発生器の構成を示す磁気記録装置の模式図
である。 1・・・磁性体ブロック,2m,2b・・・プリントコ
イル、20.21〜30.31・・・端子(mm) 第 図 A
面図および上面図、第2図は本発明に係るバイアス磁界
発生器についての磁界分布図、第3図は磁界発生用コイ
ルの制御回路図、第4図は上記コイルの附勢状況を示す
タイムチャート、第5図および第6図はそれぞれ従来の
バイアス磁界発生器の構成を示す磁気記録装置の模式図
である。 1・・・磁性体ブロック,2m,2b・・・プリントコ
イル、20.21〜30.31・・・端子(mm) 第 図 A
Claims (1)
- 磁化配向を有する磁区の向きによって情報を表わすよ
うに、光磁気記録媒体を光学ヘッドからの光ビームで温
度上昇させると共にバイアス磁界発生器による垂直磁界
の印加を行なうようにした光磁気記録装置において、上
記バイアス磁界発生器は主たる磁界成分が上記記録媒体
の記録層に対して垂直となるように配置された磁界発生
用コイルを複数個、具備しており、該磁界発生用コイル
は、上記記録媒体に接近した平面において、上記記録媒
体の全記録領域にわたって光学ヘッドがトラッキング制
御される方向に配列されていると共に、磁区の反転に必
要な強度の磁界領域が相隣る磁界発生用コイル間で互い
に連続するように構成されており、また、各磁界発生用
コイルを光学ヘッドの移動に対応して附勢する手段を具
備していることを特徴とする光磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5520989A JPH02235238A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5520989A JPH02235238A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02235238A true JPH02235238A (ja) | 1990-09-18 |
Family
ID=12992252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5520989A Pending JPH02235238A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 光磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02235238A (ja) |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP5520989A patent/JPH02235238A/ja active Pending
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