JPH02235341A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、超高速・超高周波デバイスとして有望なヘテ
ロ接合バイボーラトランジスタ（以下ＨＢＴ）に関する
ものである． 従来の技術 バイポーラトランジスタ（以下ＢＴ）の高速性を示す電
流利得遮断周波数ｆ，、最大発振周波数『。は次のよう
に表わされる． τ．Ｃ−τ８＋τ５＋τ。十τ． ・・・・・・（２） τｃｃ＝　　（Ｒ，＋Ｒｃ）Ｃｂｃ　　　　　−・・−
（６）ここで、τ．３はエミッタ・コレクタ間の遅延時
間、τ０はエミッタ空乏層の充電時間、τ，は電子のベ
ース走行時間（ｎｐｎ型の場合）、τ０は電子のコレク
タ空乏層の走行時間（ｎ　ｐ　ｎ型の場合）、τｃｃは
コレクタ空乏層の充電時間、Ｃａ＆はエミンタ・ベース
間容量、ｃｏはベース・コレクタ間容量、ＩＣはコレク
タ電流、Ｗ，はベース巾、Ｄはベース中の電子の拡散係
数、Ｘｏはコレクタ空乏層の中、Ｖｓは飽和速度、Ｒ，
はエミッタ抵抗、Ｒｂはヘース抵抗、Ｒｃ．はコレクタ
抵抗、ｋはボルツマン定数、Ｔは温度じＫ）、９は１ｔ
？Ｉ＃である． ＨＢＴではエミノタとしてヘースよりもエネルギーバン
ドギャップの大きい半導体材料を用いるため、バレンス
バンドにエネルギー差ΔＥｖが生じる。このため、ｎｐ
ｎ型の場合、ベースからエミソタへのホールの注入がほ
とんど無視できるほど小さくなり、エミッタからヘース
への電子の注入効率が顕著に増大する。このため、通常
のＢＴと違って、ベースをエミッタよりも高ドープにす
ることができ、Ｒｂｔ−小さくすることができる．また
、ベースが高ドープとなるため、ベースのエミ・７夕側
およびコレクタ側の空乏層巾が著しく小さくなる．この
ため、パンチスルーが生じないので、ベース巾Ｗ。を小
さくし、【，を小さくすることができる．また，注入効
率が大きいためエミ・７タを低濃度にし、ＣＩｌｂを小
さくすることができる．これらの効果により、ＨＢＴは
高速・高周波デバイスとしてＢＴよりも木質的に有利で
ある。しかしながら、それらの有利な点を有効に生かす
ためには、抵抗，容量の中でデバイスの各部分のサイズ
に依存した成分を小さくすること、エミッタ，ベース，
コレクタのコンタクト抵抗を低減することが必要である
．そのため、Ｒ，の低減のためには、電極金属とのコン
タクト抵抗を十分に小さくできる半導体材料を導入する
方法（たとえば、Ａｊ！ＧａＡｓ−ＧａＡｓ系ＨＢＴで
はエミッタ上に高ドープのｎ’−１ｎＣ；ａＡｓをエビ
タキシー形成する方法が用いられる），Ｒ，の低減のた
めにはＲ，の成分であるエミソタメサとベース電極との
距離に依存した抵抗成分を小さくするため、自己整合に
よりヘース電極をエミッタメサにサブミクロンのオーダ
で近接して形成する方法、Ｃｂｃの低減のためには、外
部ベース層を通してイオン注入し外部ベース下部のコレ
クタ層を絶縁化し、外部ベース領域の容Ｉ　ＣＩｌ＋ｌ
ｔ＋ｂｃを小さくする方法が導入されている。第６図は
ｃｂｃを小さくするための従来構造である．ＡＩＧａＡ
ｓ−ＧａＡｓ系ＨＢＴにおいて、外部ヘースの下部のコ
レクタ層をイオン注入により絶縁化した構造例を示す。

半絶縁性のＧａＡｓ（Ｓ．１，４；ａＡｓ）７ｊ板１の
上に、コレクタコンタクトを形成するための高ドープの
ｎ型のＧａＡｓ　（ｎ’−ＧａＡｓ）２．　　コレクタ
層となるｎ型にドープしたＧａＡｓ（ｎ−ＧａＡｓ）３
、・＼−ス層となる高ドープのｐ型のＣａＡｓ（Ｐ’．
ＧａＡｓ）４、エミノタとなるｎ型にドープしたΔｌｏ
．ｘＧａｏ．７Ａｓ（ｎ−Ａ１ｏ．＊Ｇａｏ．ｑＡＳ）
５、エミノタコンタクトを形成するための高ドーフ゜の
ｎ型のＧａＡｓ（ｎ’−ＧａＡｓ）６をエヒ゜タキシー
形成した多層構造を用いて、エミンタメサ７、ベースメ
サ８、コレクタメサ９を形成し、外部ベース４ｂの下部
のコレクタ層が酸素イオン（Ｏ“）の注入により絶縁化
されており、エミノタ電極１１、ベース電極ｌ２、コレ
クタ電極ｌ３が、それぞれ、ｎ’−ＧａＡｓ６ａ．Ｐ’
−ＧａＡｓ４ｂ，ｎ９−ＧａＡｓ２ａの上に形成されて
いる．このため、Ｃ　ｂｃは、真性ベース領域４ａに対
応した次式で表わされる接合容量Ｃｊｂｃ、 と、Ｐ’　−ＧａＡｓ外部ベース４ｂとコレクタコンタ
クト層ｎ’−ＧａＡｓではさまれた頷域の、次式で表わ
される平行平板コンデンサ容ｉｉ　Ｃｅｘｔ，ｂｅεＳ ＣｅＸｔｌｂｃ＝Ｂ・・・・・・・（９）Ｗｎ ・・・・・・θω 但し、Ａは接合部分の面積、Ｂは外部ベース領域の面積
、ｎはコレクタ濃度、Ｗｎはコレククの厚さ、ｖｂｔは
ヘース・コレクク接合のビイルトイン電圧、■．はベー
ス・コレクタ接合にかかる電圧、εＳはＧａＡｓの誘電
率である． 外部ベースの下部のコレクタ層が絶縁化されない場合の
容量Ｃ’ｂｃは次のように表わされる．・・・・・・Ｕ
υ 一般に大きく、ＢはＡよりも数倍大きいため、Ｃ’ｂｃ
はＣｂＣよりもかなり大きくなる。

発明が解決しようとする課題 従来の技術により、τ．Ｃの成分のうち、τ，は｝ＩＢ
Ｔ個有の特徴として小さくでき、τ。とτ．は自己整合
技術の導入により小さくすることができるが、τ。の低
減が不十分であった。τ。の低滅のためには、（５）式
からわかるように、コレクタ空乏層の巾Ｘ。を小さくす
る必要がある，ＨＢＴでは、ベースが高ドープのため、
Ｘｏは次のように表わされる． 従って、Ｘｏを小さくするためには、ｎを大きくするこ
とが考えられるが、ｎを大きくすると、従来の構造では
Ｃｅｘｔ，ｂｅを小さくするために、コレクタ層の厚さ
を太き《する必要があるので、外部ヘースを通してのイ
オン注入により外部ベースを１員傷せずに外部ヘース下
部のコレクタ層を絶縁化するのが難しいという問題点が
あった．また、従来の構造では、バイアス電圧が増加す
ると、０ク式に従ってＸｃが増加し、その結果、ｃｈｉ
の減少による（６）式のτｃｃの減少分よりも（５）式
のτ。の増加分が大きくなってτ．，ｃが増加し、ｆｔ
が減少するという問題点があった．このため、高いｒ，
を与えるバイアス電圧範囲が極めて狭《なり、回路設計
において問題点を有していた。また、バイアス電圧が変
動するスインチング動作において、高ｒ，に対応した速
度が得られにくいという問題点があった。

本発明のＨＢＴの構造は、それらの課題を同時に解決す
るものである。

課題を解決するための手段 ＨＢＴの外部ヘースの下部のコレクタ層が絶縁化される
従来のデバイス構造において、ｎ型に均一ドープしたコ
レクタの代りに、高ドープのｎ型のドープしたうすい半
導体層（ｎ”　　（ｔｈｊｎ）Ｎ）を、それよりも低濃
度のｎ　１＋　ｎ　２にドープした半導体層ではさんだ
、ｎ，　ｎｌ　（ｔ　ｈ　ｉ　ｎ）ｎ２型コレクタ構造
を用いる。

作用 本発明のｎ，ｎｌ　　（ｔｈｉｎ）ｎ２型コレクタ構造
は、ＨＢＴの性能向上に次のように作用する。

ｎ’　　（ｔｈｉｎ）層は、数１０人とうずくでよく、
バイアス電圧の増加による空乏層巾Ｘ。の増加をｎ，層
の厚さＷｎ，以上に広げないようにし、τ，（−Ｘｃ／
２Ｖ，）を低減する働きをし、かつ、Ｃｊｂｃの変動を
小さくする働きをする．また、極めてうすいため、外部
ベース下部のコレクタ層をイオン注入により絶縁化する
際容易に絶縁化できる．０２層は低ドーピングでよく、
イオン注入による外部ベース下部の絶縁化を容易にして
、Ｃ　ｅｘ　ｔ，　ｂｅを低減する働きをする．０１屡
は、その濃度ｎ，と厚さＷ　ｎ　Ｈを種々に調整して、
目的に応じたＨＢＴの性能を得る役割を果す。たとえば
、Ｗｎ１の全域が空乏化するｎ１とＷ　ｎ　，の値にす
ることにより、τ。を小さくかつ一定にし、かつ、Ｃｊ
ｂｃを一定にすることによりＣｂｃを一定（但し、Ｃｂ
ｃ＝　Ｃｊｂｃ　＋　Ｃｅｘｔ．ｂｃにおけるＣｅｘｔ
．ｂｃは、上記のようにｎ゛　（ｔｈｉｎ）ｎ２横造の
特徴によりイオン注入により容易に一定にできる）とし
、τ．、τ０を一定にすることができる。このため、ｒ
，のバイアスによる変化を平坦化することができる．ま
た、ｎ１をかなりの高ドープにして、ＸｏをＷｎ，より
も小さくしても、Ｃｅｘｔ，ｂｃを低減し、かつ、一定
にできるので、ｎ，のみからなる通常型に比べτ。とτ
．を低滅でき、ｒｔを大きくすることができる。

実施例 以下本発明の一実施例について、図面を用いて詳細に説
明する。

半絶縁性のＧａＡｓ（Ｓ．Ｉ．−ＧａＡｓ）１の上に、
５ＸＩＯ’／ｃｄのＳｉを不純物として含むｎ”−Ｇａ
Ａｓ２を６０００人、ｎ，の１度のＳＬを含み、厚さＷ
　ｎ　，のｎ２−ＧａＡｓ３．５ＸｌＯ■の濃度のＳ１
を含み、厚さＷｎ’ａ　ｎ’−ＣａＡｓ　４、ｎ１の濃
度のＳｊを含み、厚さＷ　ｎ　，のｎ１−ＧａＡｓ５、
ＩＸＩＯ”の濃度のＢｅを含み、厚さ１０００人のＰ’
−ＧａＡｓ６、１×１０”の濃度のＳｉを含み、厚さ１
５００人のｎ　／’＞ｅ＠．３　Ｇａｏ．？Ａａ　？、
５Ｘ１０”の濃度のＳｉを含むｎ’　−ＣａＡｓ８を分
子線エビタキシー（ＭＢＥ）により順次成長して第１図
（ａ）の多層構造材料を作成する．ついで、第１図（ｂ
）のＨＢＴを次のようにして作製する．ＳｉＯｘのエミ
７タマスクを用いてエッチングしてエミンタメサ９を作
成し、Ｐ’−ＧａＡｓ層６を露出し、この段階で上方か
ら酸素イオン（０゛）を注入し、３ａ，４ａ　　５ａか
らなるコレクタ頌域の周辺部３ｂ，４ｂ，５ｂを絶縁す
る。ついで、ベースメサ１０，コレクタメサ１ｌをフォ
トリソグラフィーとエッチングにより形成し、さらにエ
ミノタ電極１２、ベース電極ｌ３、コレクタ電極ｌ４を
通常の方法により形成する． 第２図（ａｌ　，　（ｂ）　，　（Ｃ）は、それぞれ、
ｎ，とＷｎ１、バイアス電圧“Ｖｂｒ　　Ｖ＆Ｃ”に対
するコレクタ空乏層の巾Ｘ。．Ｘｏを通過する電子の走
行時間τ。、単位面積あたりのベース・コレクタ接合容
量Ｃｊｂｃ／Ａの変化を示したものである．点線はｎ゛
層４がある場合、実線はｎ，層５、ｎ゛層４，ｎ２層３
に代ってｎ１層のみからなる場合に対応する．第３図は
、ｎ゜層４中の空乏層の広がり方を、Ｗｎ，−１５００
人の場合について、“Ｖｂｌ−Ｖｂｃおよびｎ１をパラ
メータとして示したものであり、ｎ゜層４中への空乏層
の広がりは極めてわずかであり無視できることを示す．
従って、第２図（ａ）に示すように、空乏層Ｘｃは，従
来構造の場合には０２）式に従って増加し（図中実線）
、ｎ゜層４のある場合には空乏層が０１層４に到達する
”Ｖ＞Ｈ　　ＶｌｃｌＩｌ’までは０ク式に従って増加
し、それ以上の“ｖｂｔ　　Ｖｂｃ”では一定値Ｗｎ，
（図中の点線）となる．また、第２図ル》に示すように
、τ０は、従来構造の場合には、“Ｖｂｔ　　Ｖ。”と
ともに、（５）式に従って増加し（図中の実線）、ｎ″
１１４のある場合には、空乏層が０９層４に到達する“
Ｖ．！−Ｖｂｃ，　　ｆｆｉ”までは（５）式に従って
増加し、それ以上の“Ｖ　ｈＬ−Ｖ　ｈｃ”ではＷｎ，
／２Ｖ，の一定値（図中の点線）となる．また、第２図
（Ｃ）に示すように．Ｃｊｂｃ／Ａは、従来構造の場合
には、（８）式に従って滅少しつづけ、ｎ″層４のある
場合には、空乏層がｎ゜層４に到達する“Ｖｂｔ　　Ｖ
ｂ−，　　ｌ“までは、（８）式に従って減少し、それ
以上の電圧ではε５／Ｗｎ，の一定値（図中の点線）と
なる．第４図は、外部ベース領域６ｂの下部のコレクタ
層が絶縁化された場合において、コレクタ領域の面積が
１、５ＸＩＱｕｎｒ、外部ヘース頷域６ｂの下部の絶縁
領域の面積が２．５ＸｌＯμＭ、その厚さが５０００人
の場合のベース・コレクタ間容量Ｃｂｃの“Ｖｂ＋　　
Ｖ。”に対する変化を示したものである．コレクタ層が
１１層のみからなる従来構造の場合には、Ｃ　ｈｃはＯ
［ｌｌ式に従って変化する（図中の実線）．但し、Ａは
！．５Ｘ１０μイ、Ｂは２．５Ｘ１０ｕｎｆである　ｎ
，６層４がある場合には、ＣｂＣは、空乏層Ｘｃがｎ゛
層４に到達する“Ｖ．ｔ−Ｖ。，ｉ”以上では一定値と
なる（図中の点ｍ）． τｃｃは、（６）式のように表わされ、“Ｒｅ＋Ｒｃは
”Ｖｂｔ　　Ｖｂｃ”に対してほぼ一定であるため、″
ｖｂｔ　　Ｖｂｃ”に対して第４図と同じ傾向で変化す
る． 第５図は、第４図と同じデバイス構造の場釡における“
τ。十τＣゎ゜゜の“Ｖ　ｈ　ｉ　　Ｖ　ｈ　ｅ”に対
する変化を示したものであり、実線は従来の構造の場合
、点線はｎ゜層４を有する場合である．これは、第２図
ら》のτ。と第４図のＣ　ｂｃに“Ｒ，＋Ｒ，を乗じて
得られるで．との和として得られる．但し．Ｒｅ十Ｒｃ
−１　００とした場合である．図からわかるように、空
乏層Ｘｃがｎ９層４に到達する“Ｖｂｒ−Ｖｈｃ．１″
以上の電圧で、　τ。＋τ。

は一定値（図中の点線）となり、従来の構造の場合より
も小さな値を示す．これは、Ｃｂｃは第４図に示すよう
に従来構造の方が少し小さくなるが、τ０が第２１！ｌ
（ロ）に示すように従来構造の方が相当大きくなるため
に生じる，Ｗｎ１とｎ１を適当に選ぶことにより、かな
り小さい“Ｖｂ．−Ｖｂｃ，ｊ！”以上の電圧で“τ。

＋τｃｃ“を一定にすることができる． 従来構造と本構造のエミッタとベースの構造が同一であ
る場合には、（４）式のτ６は同一となり、Ｃ　ａｈも
同一となる．（３）式のτ。において、Ｃａｂは上記の
ように一定となり、Ｃｂｃは同一でないが、■ｏが大き
い場合には、τ６の“Ｖ，．−Ｖ。″に対する変化はτ
１に対して小さくほぼ一定となる．従って、（２》弐の
τ．い従って楡の“ｖｂｔ　　Ｖｈｃに対する変化は、
ほとんど“τ０＋τ。′の変化のみに依存する．従って
．Ｗｎ，と１１を適当に選ぶことにより、かなり小さい
“Ｖ，，−Ｖ，，，ｌ”以上の電圧でｆ，を一定にする
ことができる．本構造では、ｎ２層はＣｅｘｔ．ｂｃを
低減するために設けてあり、これはこの部分のコレクタ
抵抗が悪影響を及ぼさない程度に低４度にすることがで
き、２Ｘ１０’／ｃ＋Ｊあるいはそれ以下にできるため
、２Ｘ４０ＩＩ／ｃ−の０゛イオンで絶縁化できる。

また、ｎ゛は５ＸｌＯ”の濃度の場合、第３図からわか
るように数１０人の厚さがあれば、かなりひろい“Ｖ，
，−Ｖ，ｃ”において、空乏層がｎ゛をつきぬけること
がないので、十分の厚さであり、ＩＸＩＯ”／ｃｄ以下
のイオン注入で容易に、かつ、外部ベースに悪影響を及
ぼさずに絶縁化できる．また、ｎｉ層についても、Ｗ　
ｎ　，は２０００人あるいはそれ以下にするため、ｎ１
が小さいときは２ＸｌＯ’／ｃｊ以下のイオン注入によ
り、ｎ１が大きいときでもＩＸＩＯ”以下のイオン注入
で容易に絶縁化できる．これに対して，従来構造の場合
には、コレクタが厚さの大きい均一ドープの０１で構成
されるため、ｎ１を高濃度にすると、外部ベースに悪影
響を及ぼさずに絶縁化することが難しくなる． 実施例においては、本発明の構造として、ＡｌＧａＡｓ
−ＧａＡｓ系の材料を用いているが、他の材料系の｝｛
ＢＴでも、またホモ接合のバイボーラトランジスタでも
通用できることは勿論のことである． 発明の効果 ｎ１　ｎ”　　（ｔｈｉｎ）ｎ２型のコレクタと外部ベ
ース下部のコレクタ層が絶縁化された構造を有する本発
明のＨＢＴでは、τ。を小さく、かつバイアス電圧に対
す，る変化を平坦化し、さらに、τｅ（を小さく、かつ
、バイアス電圧に対する変化を平坦化することができる
ため、τ１を小さくし、かつ、バイアス電圧に対する変
化を平坦化することができる。これにより、ｉｉ流利得
遮断周波数ｆ，を大きくし、かつ、バイアスによる変化
を平坦化することができ、高周波回路への応用に適した
高周波特性の良いＨ　Ｂ　Ｔが作製できる。

【図面の簡単な説明】

第ｌ図は本発明のＨ　Ｂ　Ｔを形成するための多層構造
材料およびＨＢＴの構造を示す断面図、第２図５第３図
，第４図，第５回は本発明の構造と従来構造のＨＢＴに
おける、空乏層巾Ｘ。、コレクタ空乏層走行時間τ。、
単位面積あたりのベース・コレクタ接合容量、ｎ’　　
（ｔｈｉｎ）層中への空乏層の広がり、ベース・コレク
タ間容ｉｔ　ｃ　ｈいおよびτ。とコレクタ空乏層の充
電時間τ．との和、の比較を、バイアス電圧“■ゎＩ　
　Ｖｂｃ　　ｓコレクタ層の濃度ｎ，と厚さＷｎ，をパ
ラメータとして示したグラフ、第６図は従来のＨＢＴの
構造を示す断面図である． ｌ・・・・・・半絶縁性のＧａＡｓ基板、２・・・・・
・コレクタコンタクトを形成するためのｎ０〜ＧａＡｓ
、３・・・・・・低不純物４度の０２−ＧａＡｓ、３ａ
・・・・・３のコレクタ碩域形成部分、３ｂ・・・・・
・３の絶縁化頷域、４・・・・・・うすいｎ”　−Ｇａ
Ａｓ．４ａ・・・・・・４のコレクタ領域形成部分、４
ｂ・・・・・・４の絶縁化領域、訃・・・・・コレクタ
を形成するためのｎ，−ＧａＡｓ、５ａ・・・・・・５
のコレクタ領域形成部分、５ｂ・・・・・・５の絶縁化
領域、６・・・・・・ベースを形成するためのＰ’−Ｇ
ａＡＳ，６ａ・・・・・・真性ベース領域、６ｂ・・・
・・・外部ベース領域、７・・・・・・エミッタを形成
するためのｎ−Ａｆｆｉ６．ｚ　Ｇａｓ．．　Ａｓ，　
７　ａ＝１のエミッタ領域、８・・・・・・エミッタコ
ンタクトを形成するためのｎ”−ＧａＡｓ，９・・・・
・・エミッタメサ、１０・・・・・・ベースメサ、１１
・・・・・・コレクタメサ、ｌ２・・・・・・エミンタ
電極、ｌ３・・・・・・ベース電極、ｌ４・・・・・・
コレクタ電極、ｌ５・・・・・・コレクタを形成するた
めのｎ−ＧａＡｓ，１５ａ・・・・・・１５のコレクタ
形成部分、１５ｂ・・・・・・１５の絶縁イビ領域。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はかｌ名ィ一一雫叶
ａ本！Ｇシ→５五丁灸 ２・−−『−らＡｓコし７９】ン９？レ１２α−−−２
のドラシ９χｌ１動１ｋＦ考會一一ｊ−−Ｊｔ−ＧａＡ
５コＬ７夕層 ｋ−・−３リフＬクタ勤乍々頁べ ｈ−−−３句＃！＄１化傾べ ４ｂ−−−４　りＪ四辷』１＆イ【峠ｔ９１，５−−ｎ
＋−ＧａＡｊコしワタ１ １４−一−コし７々ｔ本ｋ てコ一一一項ｉ手のコしワタ’２ｆ．ｆＪＪ？ｌ｝８Ｍ
・軟ｉ−−・ｈ丁｛ｔの・１フ’ｊシ丁Ｗ。，０シ！｛
トＶｂＨ　　　　Ｖｂｅ　　（Ｖ） ｍｌ−Ｊ＋ｌｅ７ｒＨ”ｍ５Ｈ 虞緑−＋．ｎ　，Ｊバラｔ　Ｌ　ｌ　ｄ　８Ｖｂｉ　−
　Ｖｂｃ ７セ、ＡＬ−−ｎＪ　ｕ’ｓ％Ｗｒ＋＋ｅｒｒｖｊｙｋ
Ｖｂｉ一ｂｃ （Ｖ） 図 ｎｌ−一一−１の不μｌ迦導蔑 Ｖｂｉ　−Ｖｂｅ−−バイアス麩 Ｖｂｉ　　　　Ｖｂｃ　　（Ｖ） ｎ，−・一柘１の工料物５裏賀 Ｗｎ＋−−ｎ＋．ｉｓ４二 ｆ級−ｌ’＋１％　ｔ　ｅ　ｌ：　．．％　ｒ　＋　ｄ
　４Ａ．ｔｌ−／１１．１〜％：Ｉ’ＣＷｎ４＋Ｖｂｉ
　−Ｖｂｃ　（Ｖ） Ｃｂｃ−−−’ｒ・スコＬクタ３１ Ｗｒｕ　−−ｎ＋ｌｌｋ／ＩＨ 實１％−　ｎ　Ｉ４　２１’　ｔ４１＝７１　ｓＩ　ｔ
ｌｘ％．起ｔＬ．−．ｎ劃のノ１ｚ〆Ｗｎ　Ｉ　／ｌ　
ｘ．＊　６ｂｉ−ｂｃ　（ＶＪ ｛−４ｔ’ｌ縁村ら眉５｛仮 ２（Ｌ−−−ｎ’ＧｔＬＡ’；：ＩＬク＋コ：ｉｔｙ７
卜鷺ＥＣＬ−−−Ｐ”−ＣＪユハ５真不τＮ〜又暢１べ
Ｅｂ−−−Ｐ−イ−λハ５Ｑ｝庄やへ゜一又仝看ｊ号（
７α−一〜ｎ−，Ｕ６．ｚ’ｊな。，７４５エミ−，９
々々柩，８α−・ハ”−ＧｒｔＡ５エミ・ソタコ）ダク
ド寿女一刈１１−−−コし”ｌ’／−１ｔ ｒ２−−一エミ・／夕膚ユトｋ Ｉ３−−−へ′−ズ噴に至〜 ！＋−−〜コし／７９ｔ不仮 ｆ５ｃＬ−−　ｎ−ＣｒｃＬＡｓ　］ム７ダ頭１咬ｆ５
Ｂ−−−ｎ−（ｒａＡｓａ＞　ｊと！！；Ａｔ４４Ａｔ
ｂｂ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ｎ型のコレクタ、Ｐ型のベース、ｎ型のエミッタをこ
   の順序で基板の上に有するヘテロ接合バイポーラトラン
   ジスタのコレクタにおいて、ｎ型層にはさまれた高ドー
   プのｎ型のうすい層を有し、かつ、外部ベース領域の下
   部のコレクタ層が絶縁化された構造を有することを特徴
   とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。