JPS6134979A - 熱電子放射型静電誘導トランジスタ - Google Patents
熱電子放射型静電誘導トランジスタInfo
- Publication number
- JPS6134979A JPS6134979A JP15396984A JP15396984A JPS6134979A JP S6134979 A JPS6134979 A JP S6134979A JP 15396984 A JP15396984 A JP 15396984A JP 15396984 A JP15396984 A JP 15396984A JP S6134979 A JPS6134979 A JP S6134979A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- channel
- region
- source
- induction transistor
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/202—FETs having static field-induced regions, e.g. static-induction transistors [SIT] or permeable base transistors [PBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/602—Heterojunction gate electrodes for FETs
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は熱電子放射型静電誘導トランジスタに関する。
［先行技術とその問題点コ
静電誘導型トランジスタ（以下、ＳＩＴと略す）は、電
界効果トランジスタで、ゲートとゲートの間で空乏層が
つながって生じている電位障壁の高さを変化させてソー
ス・ドレイン間の電流を制御するトランジスタである。
界効果トランジスタで、ゲートとゲートの間で空乏層が
つながって生じている電位障壁の高さを変化させてソー
ス・ドレイン間の電流を制御するトランジスタである。
このとき、電位の制御が空乏層の静電容量を通して行な
われることから、バイポーラトランジスタにおけるベー
ス層の蓄積容量がないものに相等し、ＦＥＴと比べてみ
ても非常に高速、低雑音で動作するという優れた特性を
有している。
われることから、バイポーラトランジスタにおけるベー
ス層の蓄積容量がないものに相等し、ＦＥＴと比べてみ
ても非常に高速、低雑音で動作するという優れた特性を
有している。
しかし、従来のＳＩＴはソース・ドレイン間、特にソー
ス・ゲート間の寸法が割合と大きな構造になっていたた
め、キャリアが結晶格子の散乱を受け、上限周波数が制
限される問題点があった。
ス・ゲート間の寸法が割合と大きな構造になっていたた
め、キャリアが結晶格子の散乱を受け、上限周波数が制
限される問題点があった。
［発明の目的］
本発明は、上記従来の問題点を解消し、キャリアが結晶
格子の散乱を受けずに熱電子速度で動くことのできる熱
電子放射型ＳＩＴを提供することを目的とする。
格子の散乱を受けずに熱電子速度で動くことのできる熱
電子放射型ＳＩＴを提供することを目的とする。
［発明の概要コ
このため本発明は、ゲートをチャンネルよりも禁制帯幅
の大きい半導体で構成すると共に、ソース・ゲート間の
寸法をキャリアの平均自由行程以下にして熱電子放射が
行なわれるようにしたことを特徴としている。
の大きい半導体で構成すると共に、ソース・ゲート間の
寸法をキャリアの平均自由行程以下にして熱電子放射が
行なわれるようにしたことを特徴としている。
即ち、静電誘導トランジスタの高速化を回るために寸法
を小さくしていくと、ソース前面の電位の山を越えたも
のは全てドイレン側に走ると考えたときに、キャリアの
平均自由行程に近くなると。
を小さくしていくと、ソース前面の電位の山を越えたも
のは全てドイレン側に走ると考えたときに、キャリアの
平均自由行程に近くなると。
キャリアは殆んど格子散乱によらず、非常に高速で走行
するようになる。
するようになる。
このときの電流密度Ｊは下記（１）式で与えられる。
・・・・・（１）
ここで、ｑは単位電荷、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対
温度、ｍ“はキャリアの有効質量、ｎｓはソースの不純
物密度、φＧＢはゲート領域とソース領域の拡散電位、
ＶＧはゲートに加えた電位である。
温度、ｍ“はキャリアの有効質量、ｎｓはソースの不純
物密度、φＧＢはゲート領域とソース領域の拡散電位、
ＶＧはゲートに加えた電位である。
キャリアの注入状態が熱電子放射状態になったときのＳ
ＩＴのしゃ断周波数ｆｃは、電位障壁の幅をＷｇとした
ときに、ＳＩＴを従属接続して２段目の入力容量を考慮
したときには下記（２）式で与えられる。
ＩＴのしゃ断周波数ｆｃは、電位障壁の幅をＷｇとした
ときに、ＳＩＴを従属接続して２段目の入力容量を考慮
したときには下記（２）式で与えられる。
従って、ＧａＡｓを用いた場合で電位障壁の幅Ｗｇを０
．１μｍとしたときに、しゃ断周波数ｆｃはほぼ７８０
ＧＨｚ程度となる。
．１μｍとしたときに、しゃ断周波数ｆｃはほぼ７８０
ＧＨｚ程度となる。
以上のことがらソース・ゲート間の寸法をキャリアの平
均自由行程以下にしてＳＩＴを熱電子放射構造とすれば
、そのしゃ断周波数ｆｃを非常に高くし得ることが判る
。
均自由行程以下にしてＳＩＴを熱電子放射構造とすれば
、そのしゃ断周波数ｆｃを非常に高くし得ることが判る
。
［発明の実施例コ
以下、そのための実施例を化合物半導体としてＧａＡｓ
を用いた場合を例にとり１図面を参照して説明する。
を用いた場合を例にとり１図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例に係る熱電子放射型Ｓ
ＩＴの断面図を示したものである。図において、１はｎ
＋のＧａＡｓ基板でドレインとなる領域、２はチャンネ
ルのｎ一層、３はチャンネル２に接して設けられたれ中
層でソースとなる領域、４はＧａ＋−ｘＡρｘＡｓで形
成されるゲートとなる領域で、断面部のみ示しているが
相互に網目状あるいは線状になっていて、端部が一諸に
なって電極となるべき領域は表面に露出′しているもの
、５はドレイン電極、６はソース電極、７は前記ゲート
４のうち、表面に露出された部分に形成されたゲート電
極である。
ＩＴの断面図を示したものである。図において、１はｎ
＋のＧａＡｓ基板でドレインとなる領域、２はチャンネ
ルのｎ一層、３はチャンネル２に接して設けられたれ中
層でソースとなる領域、４はＧａ＋−ｘＡρｘＡｓで形
成されるゲートとなる領域で、断面部のみ示しているが
相互に網目状あるいは線状になっていて、端部が一諸に
なって電極となるべき領域は表面に露出′しているもの
、５はドレイン電極、６はソース電極、７は前記ゲート
４のうち、表面に露出された部分に形成されたゲート電
極である。
この構成から判るように、ＧａＡｓのように良好な絶縁
膜が得られない化合物半導体においては、ゲートをＧａ
Ａｓよりも禁制帯幅の大きな例えばＧａｒ−ｘ＾Ｑ ｘ
Ａｓのような混晶で形成することによって、ゲー１−を
絶縁ゲート類似とすることができる。
膜が得られない化合物半導体においては、ゲートをＧａ
Ａｓよりも禁制帯幅の大きな例えばＧａｒ−ｘ＾Ｑ ｘ
Ａｓのような混晶で形成することによって、ゲー１−を
絶縁ゲート類似とすることができる。
また、図の構成で、ゲート領域４の間を通り。
ソース３とドレイン１の間にできるチャンネル２中、ソ
ース３より真のゲート４までの距離が電子の平均自由行
程よりも小さくすることによって、熱電子放射型の静電
誘導トランジスタ構造が得られる。
ース３より真のゲート４までの距離が電子の平均自由行
程よりも小さくすることによって、熱電子放射型の静電
誘導トランジスタ構造が得られる。
このとき、ゲート領域の間隔と厚み、チャンネル領域の
不純物密度の大きさを変化させることによって、ノーマ
リオンとノーマリオフ型の動作とすることができる。ゲ
ート領域となるＧａ１−ｘＡΩｘＡｓのＸの値は例えば
ｘ＝０．３とする。不純物密度は電子の注入がおきない
ように′アンドープとすることが望ましい。
不純物密度の大きさを変化させることによって、ノーマ
リオンとノーマリオフ型の動作とすることができる。ゲ
ート領域となるＧａ１−ｘＡΩｘＡｓのＸの値は例えば
ｘ＝０．３とする。不純物密度は電子の注入がおきない
ように′アンドープとすることが望ましい。
第１図（ｂ）はソースからドレインまでのゲート領域の
間のチャンネルの電位分布を示したものである。
間のチャンネルの電位分布を示したものである。
ところで、上記実施例においては、ゲート・ソース間容
量（Ｃｇｓ）お、よびゲート・ドレイン間容量（Ｃｇｄ
）が大きくなり易いという問題がある。
量（Ｃｇｓ）お、よびゲート・ドレイン間容量（Ｃｇｄ
）が大きくなり易いという問題がある。
これを解決したが、第２図に示す実施例で、 Ｃｇｓを
極めて小さくできる。図中、第１図（ａ）と同一符号は
同一または相当部分を示している。この実施例において
は、ゲート４がソース３と同−主表面上にあるので、ゲ
ート電極７の取り出しが容易なことと、 Ｃｇｓとゲー
ト抵抗ｒｇが共に減少し、より高速動作が得られるとい
う利点が得られる。
極めて小さくできる。図中、第１図（ａ）と同一符号は
同一または相当部分を示している。この実施例において
は、ゲート４がソース３と同−主表面上にあるので、ゲ
ート電極７の取り出しが容易なことと、 Ｃｇｓとゲー
ト抵抗ｒｇが共に減少し、より高速動作が得られるとい
う利点が得られる。
第３図は本発明の他の実施例であり、Ｃｇｄを減少させ
るべく、絶縁物８を設けたものである。絶縁物としては
５ｉＯｚ、５ｉ３Ｎａ膜またはポリイミド樹脂等が良い
。ＧａＡｓの誘導率１１に対してＳｉ ３Ｎ ａは５．
５、Ｓｉ０２は３．８、ポリイミドは３．２位であるの
で、Ｃｇｄは絶縁物ではな（ＧａＡｓが存在する場合に
くらべて半分以下となる。
るべく、絶縁物８を設けたものである。絶縁物としては
５ｉＯｚ、５ｉ３Ｎａ膜またはポリイミド樹脂等が良い
。ＧａＡｓの誘導率１１に対してＳｉ ３Ｎ ａは５．
５、Ｓｉ０２は３．８、ポリイミドは３．２位であるの
で、Ｃｇｄは絶縁物ではな（ＧａＡｓが存在する場合に
くらべて半分以下となる。
第４図はチャンネルを９層９とした実施例である。
ゲート領域４とチャンネルのｐ層が反転状態になり、ｐ
層のゲート領域４と接触している領域が０層になったと
きに、ソースより電子がドレインへ注入されて動作する
ようになる。
層のゲート領域４と接触している領域が０層になったと
きに、ソースより電子がドレインへ注入されて動作する
ようになる。
ソースよりドレインまでの長さ即ちチャンネル長は、例
えば０．１μ＝（１００ＯＡ）というような値に制御す
ることはできるが、ゲート間隔即ちチャンネル幅は、デ
バイ長を目安として決定する必要がある。
えば０．１μ＝（１００ＯＡ）というような値に制御す
ることはできるが、ゲート間隔即ちチャンネル幅は、デ
バイ長を目安として決定する必要がある。
そのデバイ長は下式（３）式で与えられる。
ここで、ｎはチャンネルの不純物密度、εは誘電率であ
る。
る。
上式（３）式で、ｎが１０”ａｍ’のときにλＤが３４
９５μｍ、１０”ｃｍ’のときに０．４μｍ。
９５μｍ、１０”ｃｍ’のときに０．４μｍ。
１０１ｆ′Ｃｌ１ｌ−３のときには０．０４μｍ位とな
る。おおまかにチャンネル幅は２λＤ以下とする必要が
ある。しかし、チャンネル長の寸法制御に比べて、チャ
ンネル幅の寸法制御はフォトリソグラフィの精度で決ま
るので、チャンネル幅の寸法は製作技術との兼ね合いで
決定する必要がある。
る。おおまかにチャンネル幅は２λＤ以下とする必要が
ある。しかし、チャンネル長の寸法制御に比べて、チャ
ンネル幅の寸法制御はフォトリソグラフィの精度で決ま
るので、チャンネル幅の寸法は製作技術との兼ね合いで
決定する必要がある。
第５図はソースからの電子を、能率よく、ゲート領域に
制限するために第４図の実施例のＰチャンネル中に高不
純物密度領域１０を形成した実施例である。
制限するために第４図の実施例のＰチャンネル中に高不
純物密度領域１０を形成した実施例である。
埋込領域１０はソース側の電子に対して電位障壁が高い
ので、電子はチャンネルの埋込領域の両側を通るように
なる。実際に動作する部分がゲート領域を形成している
ｐチャンネルの側面部分となるために、ソース領域３と
ソース電極６は例えば０．５μｍ位としても良いことに
なり製作は容易になる。
ので、電子はチャンネルの埋込領域の両側を通るように
なる。実際に動作する部分がゲート領域を形成している
ｐチャンネルの側面部分となるために、ソース領域３と
ソース電極６は例えば０．５μｍ位としても良いことに
なり製作は容易になる。
第６図は本発明の更に別の実施例であって、ｐ領域をソ
ース領域３に接し、残りの部分はｎ領域とした構造であ
る。′また、第７図は、ｐ領域をチャンネルのソースの
近くの領域に挿入したものであって、Ｃｇｓを小さくし
、ゲート領域を小さく形成できる実施例を示している。
ース領域３に接し、残りの部分はｎ領域とした構造であ
る。′また、第７図は、ｐ領域をチャンネルのソースの
近くの領域に挿入したものであって、Ｃｇｓを小さくし
、ゲート領域を小さく形成できる実施例を示している。
以上に説明した第１図〜第７図の実施例において、ソー
スより真のゲートまでの距離は、熱電子放射が能率より
良く起こるように、平均自由行程以下にする。ゲート領
域のＧａｒ−ｘＡｌｘＡｓはＧａＡｓとの間の表面準位
をできるだけ減少させる必要があり、ＧａＡｓとの間で
格子定数が合うようにＧａｐ−ｘＡρＸＡｓ＋−ｙＰｙ
のように少量のＰ（リン）を添加した混晶とすると良い
。また、そのときの組成はｘ＝０．３のときにｙは０．
０１程度とすれば良い。
スより真のゲートまでの距離は、熱電子放射が能率より
良く起こるように、平均自由行程以下にする。ゲート領
域のＧａｒ−ｘＡｌｘＡｓはＧａＡｓとの間の表面準位
をできるだけ減少させる必要があり、ＧａＡｓとの間で
格子定数が合うようにＧａｐ−ｘＡρＸＡｓ＋−ｙＰｙ
のように少量のＰ（リン）を添加した混晶とすると良い
。また、そのときの組成はｘ＝０．３のときにｙは０．
０１程度とすれば良い。
ところで、真のゲートからドレインまでの距離Ｗｄｇ’
は、平均自由行程以内であれば次式でおおよその目安が
与えられる。
は、平均自由行程以内であれば次式でおおよその目安が
与えられる。
ここで、Ｖは電子の速度、ｆは動作周波数である。
電子の速度がＩ Ｘ １０７ｃｍ／ｓｅｃとしたときに
１００Ｇ４１ｚ、３００ＧＨｚ、５００ＧＨｚ、 ７０
０ＧＨｚ、 １ｏｏＯＧＨｚ、（ＩＴ）Ｉｚ）でのＷｄ
ｇ’はそれぞれ１６００人、 ｌ１００Ａ、９５０人、
２２７人、１６０人程度となる。ＧａＡｇの場合には、
熱電子放射動作では、電子速度はＩ Ｘ １０’Ｃ１１
／ｓｅｃより大きいことが予想され、Ｗｄｇ’は前記の
計算値よりも更に大きくなることは、従来の飽和速度で
走行するＦＥＴよりも、素子製作上はより作り易いとい
う利点が生じることとなる。
１００Ｇ４１ｚ、３００ＧＨｚ、５００ＧＨｚ、 ７０
０ＧＨｚ、 １ｏｏＯＧＨｚ、（ＩＴ）Ｉｚ）でのＷｄ
ｇ’はそれぞれ１６００人、 ｌ１００Ａ、９５０人、
２２７人、１６０人程度となる。ＧａＡｇの場合には、
熱電子放射動作では、電子速度はＩ Ｘ １０’Ｃ１１
／ｓｅｃより大きいことが予想され、Ｗｄｇ’は前記の
計算値よりも更に大きくなることは、従来の飽和速度で
走行するＦＥＴよりも、素子製作上はより作り易いとい
う利点が生じることとなる。
チャンネルの不純物密度はｉ層から１０１７ｃｍ ”
程度、ソース、ドレイン領域はキャリア注入のためにｌ
Ｘｌ０” ” −ＩＸｌｏ” ’ ｃ＋ｎ ’ とす
れば良い。ソースとトレインの電極材料としては、Ａｕ
−Ｇｅ、 Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ、 Ａｕ−５ｅ、 Ａｕ−
Ｔｅ等のｎ ” ＧａＡｓに対して接触抵抗が１．Ｘ１
０ ’ Ω・ｄ以下となるものが良い。ゲート領域の
Ｇａ Ｉ−ｘＡ Ｑ ｘＡｓの電極材料としては、前記
ソース、ドレイン用の電極材料の他に、Ｔｉ、 Ｐｔ、
Ｗ、 Ｍｏ、 Ｃｒ、 ）Ｉｆ、 Ｎｉ等のＧａ１−ｘ
ＡｌｘＡｓに対して抵抗性接触を形成しない高触点重金
属材料とすることがより望ましい。
程度、ソース、ドレイン領域はキャリア注入のためにｌ
Ｘｌ０” ” −ＩＸｌｏ” ’ ｃ＋ｎ ’ とす
れば良い。ソースとトレインの電極材料としては、Ａｕ
−Ｇｅ、 Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ、 Ａｕ−５ｅ、 Ａｕ−
Ｔｅ等のｎ ” ＧａＡｓに対して接触抵抗が１．Ｘ１
０ ’ Ω・ｄ以下となるものが良い。ゲート領域の
Ｇａ Ｉ−ｘＡ Ｑ ｘＡｓの電極材料としては、前記
ソース、ドレイン用の電極材料の他に、Ｔｉ、 Ｐｔ、
Ｗ、 Ｍｏ、 Ｃｒ、 ）Ｉｆ、 Ｎｉ等のＧａ１−ｘ
ＡｌｘＡｓに対して抵抗性接触を形成しない高触点重金
属材料とすることがより望ましい。
素子の製作に際しては、チャンネル領域、ソース領域は
１本願発明者等の発明によるＧａＡｓの一分子層ずつ成
長できる分子層エピタキシャル成長法、および光分子層
エピタキシャル成長法、気相成長法、ＭＯＣＶＤ法、Ｍ
ＢＥ法、イオン注入法等が使用できる。ソース、ゲート
、ドレインの電極の形成は真空蒸着（抵抗加熱、電子ビ
ーム加熱、スパッタ法）法、プラズマエツチング、フォ
トエツチング、フォトリソグラフィ等の組合せにより形
成できる。
１本願発明者等の発明によるＧａＡｓの一分子層ずつ成
長できる分子層エピタキシャル成長法、および光分子層
エピタキシャル成長法、気相成長法、ＭＯＣＶＤ法、Ｍ
ＢＥ法、イオン注入法等が使用できる。ソース、ゲート
、ドレインの電極の形成は真空蒸着（抵抗加熱、電子ビ
ーム加熱、スパッタ法）法、プラズマエツチング、フォ
トエツチング、フォトリソグラフィ等の組合せにより形
成できる。
また、半導体材料はＧａＡｓに限らずＩｎＰ、ＩｎＡｓ
１ｌ−Ｖｌ族半導体その混晶等の半導体でも良いし、ゲ
ート領域はＩｎ ｓ −ｘＧａｘＰ、Ｉｎ １− ｘＧ
ａｘＡｓでも良いことは言うまでもない。
１ｌ−Ｖｌ族半導体その混晶等の半導体でも良いし、ゲ
ート領域はＩｎ ｓ −ｘＧａｘＰ、Ｉｎ １− ｘＧ
ａｘＡｓでも良いことは言うまでもない。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、従来のトランジスタでは
得られない高い周波数領域で増幅、発振等の三端子電子
デバイスで動作する機能を有する高速、低雑音、大電力
の熱電子放射型静電誘導トランジスタが得られる。
得られない高い周波数領域で増幅、発振等の三端子電子
デバイスで動作する機能を有する高速、低雑音、大電力
の熱電子放射型静電誘導トランジスタが得られる。
第１図は本発明の一実施例に係る熱電子放射型静電誘導
トランジスタの説明図で、（ａ）はその断面図、（ｂ）
はその動作説明図、第２図〜第７図はそれぞれ本発明の
他の各実施例に係る熱電子放射型静電誘導トランジスタ
の断面図である。 １・・・ ドレインとなるべきｎ子基板、２，９・・・
チャンネル、３・・・ ソース領域、４・・・ＧａＡｓ
よりも禁制帯幅の広い半導体で形成されるゲート領域、
５・・・ドレイン電極、６・・・ ソース電極、７・・
・ゲート電極、８・・・絶縁物。 第１図 （ｂ） 第２図 第４図 第５図 ９４６図 第７図
トランジスタの説明図で、（ａ）はその断面図、（ｂ）
はその動作説明図、第２図〜第７図はそれぞれ本発明の
他の各実施例に係る熱電子放射型静電誘導トランジスタ
の断面図である。 １・・・ ドレインとなるべきｎ子基板、２，９・・・
チャンネル、３・・・ ソース領域、４・・・ＧａＡｓ
よりも禁制帯幅の広い半導体で形成されるゲート領域、
５・・・ドレイン電極、６・・・ ソース電極、７・・
・ゲート電極、８・・・絶縁物。 第１図 （ｂ） 第２図 第４図 第５図 ９４６図 第７図
Claims (8)
- （１）チャンネルとなる半導体領域と、このチャンネル
の両側に接触して形成される高不純物密度領域より形成
されるソースおよびドレイン領域と、前記チャンネルの
一部もしくは全面に接触して、前記チャンネルよりも禁
制帯幅の大きい半導体よりなるゲート領域とを具備し、
前記ソースより真のゲート領域の寸法がキャリアの平均
自由行程以下に形成されて成ることを特徴とする熱電子
放射型静電誘導トランジスタ。 - （２）特許請求の範囲第１項記載において、チャンネル
となる半導体がＧａＡｓ、ゲート領域がＧａ＿１＿−＿
ｘＡｌ＿ｘＡｓである熱電子放射型静電誘導トランジス
タ。 - （３）特許請求の範囲第１項記載において、ゲート領域
がチャンネル領域の半導体と格子定数補正されて成る熱
電子放射型静電誘導トランジスタ。 - （４）特許請求の範囲第１項または第３項記載において
、ゲート領域がＧａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ＿１＿−
＿ｙＰ＿ｙである熱電子放射型静電誘導トランジスタ。 - （５）特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項
のいずれかの記載において、チャンネル幅の寸法がチャ
ンネル領域の不純物密度より決まるデバイ長λ＿Ｄに対
して、２λ＿Ｄ以内である熱電子放射型静電誘導トラン
ジスタ。 - （６）特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項
、第５項のいずれかの記載において、ゲート領域に接し
て設けられるゲート電極がゲート領域に対して抵抗性接
触となる金属材料で形成されて成る熱電子放射型静電誘
導トランジスタ。 - （７）特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項
、第５項のいずれかの記載において、ゲート領域に接し
て設けられるゲート電極がゲート領域に対して抵抗性接
触とならない金属材料で形成されて成る熱電子放射型静
電誘導トランジスタ。 - （８）特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項
、第５項、第６項、第７項のいずれかの記載において、
チャンネル領域中にソース領域からのキャリアに対して
他のチャンネル領域よりも電位障壁の高い半導体領域を
含む熱電子放射型静電誘導トランジスタ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59153969A JPH0614551B2 (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 熱電子放射型静電誘導トランジスタ |
| US06/759,090 US4712122A (en) | 1984-07-26 | 1985-07-25 | Heterojunction gate ballistic JFET with channel thinner than Debye length |
| GB8518841A GB2162370B (en) | 1984-07-26 | 1985-07-25 | Static induction transistor and integrated circuit comprising such a transistor |
| DE19853526826 DE3526826A1 (de) | 1984-07-26 | 1985-07-26 | Statischer induktionstransistor und denselben enthaltenden integrierte schaltung |
| FR8511514A FR2568410B1 (fr) | 1984-07-26 | 1985-07-26 | Transistor statique a induction et son circuit integre |
| US07/469,226 US5117268A (en) | 1984-07-26 | 1990-01-24 | Thermionic emission type static induction transistor and its integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59153969A JPH0614551B2 (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 熱電子放射型静電誘導トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134979A true JPS6134979A (ja) | 1986-02-19 |
| JPH0614551B2 JPH0614551B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=15574028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59153969A Expired - Lifetime JPH0614551B2 (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 熱電子放射型静電誘導トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614551B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0627761A3 (en) * | 1993-04-30 | 1995-02-08 | Texas Instruments Inc | Epitaxial waxing method and devices. |
| JP2006196552A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 接合型電界効果トランジスタ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186374A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Semiconductor Res Found | Tunnel injection type travelling time effect semiconductor device |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP59153969A patent/JPH0614551B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186374A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Semiconductor Res Found | Tunnel injection type travelling time effect semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0627761A3 (en) * | 1993-04-30 | 1995-02-08 | Texas Instruments Inc | Epitaxial waxing method and devices. |
| JP2006196552A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 接合型電界効果トランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0614551B2 (ja) | 1994-02-23 |
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