JPH02236548A - フォトマスク基板のエッチング方法およびエッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、平行平板型のフォトマスク用基板のエッチン
グ方法および装置に係り、特に、残留レジストの除去を
脊効、且つ簡単に行える、フォトマスク基板のエッチン
グ方法およびエッチング装置に関するものである。

［従来の技術コ 近年、半導体集積回路用等のフォトマスクは電子線露光
、紫外線露光またはＸ線露光等によるエッチング加工に
より製造されている。その製造工程を第２図を参照して
説明する。

第２図はフォトマスクの製造工程を断面図で示した図で
、図中、１は基板、２は金属薄膜、３はレジスト層、４
は露光線、５は露光部分、６はエッチングガスプラズマ
、７は酸素プラズマを示す。

基板１の一方の面には、クロム（Ｏｒ）等の適当な金属
を蒸着させることにより金属薄膜２が形成されており、
金属薄膜２の上には、更に、スピンコーティング法など
によりレジストを均一に塗布し、加熱乾爆処理を施し、
所定の厚みのレジスト薄膜３を形成する（第２図（ａ）
）。

次に、電子線、紫外線またはＸ線等の露光線４で所定の
パターンを描画し（第２図（ｂ）Ｌ　　現像液で現像後
、アルコール等でリンスし、所望のレジストパターンを
形成する（第２図（Ｃ））。

次に、レジストパターンの開口部より露出する被加工部
分をエッチングガスプラズマ６によりドライエッチング
し、所定のパターンを形成する（第２図（ｄ））。この
ようにしてエッチングした後、第２図（ｅ）における５
で示す残存するレジストを、酸素プラズマ７により灰化
除去し、フォトマスク基板が形成される（第２図（ｆ）
）。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来のスピンコーティングによるレジス
ト塗布方法においては、液滴状のレジストが基板１の裏
面や端而に付着することが多少とも避けられず、且つ、
端面、裏面では、塗布膜厚の倍以上となっている場合が
ほとんどである。

ところで、第２図に示す酸素プラズマによるレジスト除
去の工程では、第３図（ａ），　　（ｂ）に示すような
、平行平板型のドライエッチング装置が広く使用されて
いるが、これによれば、基板１はホルダ１０に指示され
た状態で酸素プラズマが照射されるようになされている
。なお、第３図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ
）のＡ−Ａにおける断面を示し、基板１はホルダ１０の
四隅に突出形成された指示部１１により指示されている
。

そして、基板１とホルダ１０とは略隙間なく嵌合されて
いるので、基板１の裏面側への酸素プラズマの回り込み
があったとしても、基板１の裏面や端面に付着したレジ
ストを完全に除去することはできないものである。なお
、第３図（ｂ）において、ホルダ１０の０２プラズマが
照射される側とは反対側、即ち同図のホルダ１０の上側
はアノードまたはカソード面となされている。

このように基板の裏面や端面に付着したレジストは、品
質面で問題が生じるのは勿論、後工程において汚れ、あ
るいはゴミの発生源となるので除去したいのであるが、
上述したように酸素プラズマによるレジスト除去工程で
は完全に除去できないために、別途何等かの洗浄工程を
設ける必要があるが、このような残留レジストを酸素プ
ラズマを利用したアッシングで除去する場合には、剥膜
条件を強くしなければならず、且つｆ＃１膜に長時間を
要するので、金属薄膜に対して反射率の変化等の悪影響
を与えるという問題があり、また、工程が増えるために
、結果的にコストが上昇することになる。

本発明は、上記の課題を解決するものであって、製造工
程を増やすことなく、効率的に残留レジストを除去する
ことのできるフォトマスク基板のエッチング方法および
エッチング装置を提供することを目的とするものである
。

［課題を解決するための手段コ 上記の目的を達成するために、本発明のフォトマスク基
板のエッチング方法は、平行平板型のエッチング装置を
使用するフォトマスク基板のエッチング方法において、
エッチング用のプラズーマを基板の裏面側に廻り込ませ
るようにし、且つ裏面側のレジスト除去能力が上がるよ
うにすることを特徴とし、また、本発明のフォトマスク
基板のエッチング装置は、平行平板型のドライエッチン
グ装置において、フォトマスク基板を保持するホルダの
形状を工夫し、且つホルダと基板との間に間隙を設ける
ことを特徴とする。

［作用および発明の効果］ 本発明のフォトマスク基板のエッチング装置においては
、エッチング用のプラズマが基板の裏面側に回り込める
ようになされ、且つ裏面側のレジスト除去能力が高いの
で、レジストの塗布工程で、レジストが基板の裏面ある
いは端面に付着したとしても、容易に、効率的に除去す
ることができるものである。また、工程を増やすことが
ないので、コストの上昇につながらないものである。

［実施例コ 以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。

第１図は本発明に係るフォトマスク基板のエッチング装
置の１実施例の構成を示し、同図（ａ）はその平面図、
同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａにおける断面を示し
、図中、１２は間隙、１３は酸素プラズマの基板裏面側
への廻り込みを示す。なお、図中、第２図、第３図と同
じものについては同じ番号を付す。

第１図において、ホルダ１０の四隅に指示部１１が設け
られていることは第図に示す従来のものと同様であるが
、第３図の場合と異なって、ホルダ１０の基板１が置か
れる部分の面積は基板１のサイズより大きくなされ、基
板１が置かれても間隙１２が生じるようになされている
。また、基板１はホルダ１０のアノードまたはカソ一ド
面、即ち、第１図（ｂ）のホルダ１０の上面、から離さ
れている。

これにより、酸素プラズマを照射した場合には、第１図
（ｂ）の１３で示すように、酸素プラズマが間隙１２か
ら基板１の裏面側に回り込むので、基板１の裏面あるい
は端面に付着したレジストは完全に除去されることにな
る。また、基板１がアノードまたはカソード面から離れ
ているので、酸素プラズマによる基板１の裏面に付着し
たレジストの剥離がより効果的に行えるものである。

［具体例コ 電子ビーム露光装置で描画され、現像されたＣＭＳレジ
スト（東洋ソーダ（株）製）を付着したフォトマスク基
板を、第１図に示すホルダに装着し、平行平板型ドライ
エッチング装置を用いてＣｒ薄膜のエッチングを行った
。

エッチング条件は、ＲＦ（高周波）出力４００Ｗ１　　
エッチング圧力４０Ｐａであり、四塩化炭素および酸素
を適当量流したところ、フォトマスク基板の端面および
裏面に付着したレジストを除去することができた。Ｃｒ
側のＣＭＳＩＩＩ減りは１０００人に対し裏面側の膜減
りは５ｏｏｏＡ以上あり、裏面側のレジスト除去能力が
強いという結果が得られた。

以上、本発明の１実施例について説明したが、本発明は
上記実施例に限定されるものでなく、種々の変形が可能
である。例えば、ホルダの指示部は四隅に設けるとした
が、基板を保持し得、且つ適当な間隙があり、基板がア
ノードまたはカソード面から離れるようなものであれば
よいものであって、ホルダの四隅に限定されるものでは
ない。

また、レジスト除去のために酸素プラズマを使用する旨
説明したが、その他の適当なプラズマでよいことは明か
である。ただ、エッチングガスには酸素を適当量混入す
ることによりレジストを効率よく除去できるものである
。また、本発明のエッチング装置の構造を０２プラズマ
を用いた平行平板型のレジスト剥膜装置に適用しても、
基板の裏面、端面に付着したレジストの剥膜に有効であ
ることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るフォトマスク基板のエッチング装
置の１実施例の構成を示す図、第２図はフォトマスク基
板の製造工程の例を示す図、第３図は従来のフォトマス
ク基板のエッチング装置の例を示す図である。 １・・・基板、２・・・金属薄膜、３・・・レジスト層
、４・・・露光線、５・・・露光部分、６・・・エッチ
ングガスプラズマ、７・・・酸素プラズマ、１０・・・
ホルダ、１１・・・指示部、１２・・・間隙。 出　　願　　人　大日本印刷株式会社 代理人　弁理士　菅　井　英　雄（外５名）第 図 （ｂ） ０２フ゜ラスマ 第 図 第 ３図 （ｂ） ｏ２フ゛ラス゜゜マ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）平行平板型のエッチング装置を使用するフォトマ
   スク基板のエッチング方法において、エッチング用のプ
   ラズマを基板の裏面側に廻り込ませるようにすることを
   特徴とするフォトマスク基板のエッチング方法。
2. （２）前記基板はアノード面またはカソード面から離さ
   れていることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク
   基板のエッチング方法。
3. （３）平行平板型のドライエッチング装置において、フ
   ォトマスク基板を保持するホルダと基板との間に間隙を
   設けることを特徴とするフォトマスク基板のエッチング
   装置。
4. （４）前記基板は、アノード面またはカソード面から離
   れるようになされていることを特徴とする請求項３記載
   のフォトマスク基板のエッチング装置。