JPH02237011A - 縮小投影型露光装置用レチクル，縮小投影型露光装置，大規模集積回路製造法及び大規模集積回路 - Google Patents
縮小投影型露光装置用レチクル，縮小投影型露光装置，大規模集積回路製造法及び大規模集積回路Info
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- JPH02237011A JPH02237011A JP1056720A JP5672089A JPH02237011A JP H02237011 A JPH02237011 A JP H02237011A JP 1056720 A JP1056720 A JP 1056720A JP 5672089 A JP5672089 A JP 5672089A JP H02237011 A JPH02237011 A JP H02237011A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路装置の製造に用いる縮小投
影型露光装置．レチクル．半導体集積回路製造法．半導
体集槓回路装置に関するものである。
影型露光装置．レチクル．半導体集積回路製造法．半導
体集槓回路装置に関するものである。
第６図は例えば昭和５７年７月発行ダイヤモンド社刊「
超ＬＳＩ技術総集編１９８２年版」１６０ぺ一ジに示さ
れた従米の縮小投影型露光装置の光学系を示す概略図で
ある。
超ＬＳＩ技術総集編１９８２年版」１６０ぺ一ジに示さ
れた従米の縮小投影型露光装置の光学系を示す概略図で
ある。
ウェハサイズの大型化とパターンの微細化要求に伴い、
ウェハ（ｌ４ｌ全面への一括露光が不可能となり、ウェ
ハＱ４）全面をいくつかに分割して露光する方式の露光
装置である。
ウェハ（ｌ４ｌ全面への一括露光が不可能となり、ウェ
ハＱ４）全面をいくつかに分割して露光する方式の露光
装置である。
第５図において、（ｌ｝は照明光学系、（２１はＩＴＶ
カメラ、（３１ｉステップモニタ光学系、（４）はコン
デンサーレンズ、＋５１ｉレチクル、（６１［レチクル
アライメント光学系，１７１ｔ！縮小投影レンズ、（８
）はＩＴＶカメラ、（９｝はＨｅ−Ｎｏレーザ、＋ｌｏ
ｔ ｕオートフォーカス検出系、（Ｉ’ｌｌはＸ軸干渉
計、（１２＋はＹ軸干渉計、０３１はウェハアライメン
ト光学系、Ｑ４はウェハ、０ωはＸＹステージ、α６１
は基準マークである。
カメラ、（３１ｉステップモニタ光学系、（４）はコン
デンサーレンズ、＋５１ｉレチクル、（６１［レチクル
アライメント光学系，１７１ｔ！縮小投影レンズ、（８
）はＩＴＶカメラ、（９｝はＨｅ−Ｎｏレーザ、＋ｌｏ
ｔ ｕオートフォーカス検出系、（Ｉ’ｌｌはＸ軸干渉
計、（１２＋はＹ軸干渉計、０３１はウェハアライメン
ト光学系、Ｑ４はウェハ、０ωはＸＹステージ、α６１
は基準マークである。
ウェハ０４１ｔレーザ干渉計（１１１ Ｑ２１付ｘｙス
テージ（ｌωにのせ、これをマイクロコンピュータによ
ってプログラム制御し、一定のピッチでステージｌＩ５
＋’ｉステップ状に移動させ、１７５〜１／１０に縮小
したレチクル像をウェハＩ上に露光させる。
テージ（ｌωにのせ、これをマイクロコンピュータによ
ってプログラム制御し、一定のピッチでステージｌＩ５
＋’ｉステップ状に移動させ、１７５〜１／１０に縮小
したレチクル像をウェハＩ上に露光させる。
縮小投影型露光装置のアライメント方式は、大別すると
２通りにわけられる。ひとつは、オフ・アクシス方式と
よばれるものである。この図の例でいえばレテイクル（
６）の位置決めは上側に設けられた、ＲＸ７＋ Ｒθと
いう２本のアライメント光学系（６１で行い、ウェハＩ
の方に、レテイクル（６１側とは全く独立したｗｘｅ
ＷＦ＠ Ｗａという３本の顕微鏡で位董決めを行う。し
かる後に、ウェハ（１４ｔ−のせたステージａ０を移動
させ、その移動ｆ＃はレーザ干渉計（１１１ （Ｊ’ｌ
Ｊによって正確に測定しながら、定められた露′光位置
へ送り込むという方法である。この場合、Ｌ’ テイ’
） ／Ｌ／ ＋５１ ０１１１の顕微鏡は、パターンの
コントラストが良いので、通常の限動スリット型光電顕
微鏡を用いれば、０．１声ｍ以内の高い精度で位１決め
をすることができる。ところがウエ八〇４側については
、条件が悪くなるのでいろいろ工夫を要する。
２通りにわけられる。ひとつは、オフ・アクシス方式と
よばれるものである。この図の例でいえばレテイクル（
６）の位置決めは上側に設けられた、ＲＸ７＋ Ｒθと
いう２本のアライメント光学系（６１で行い、ウェハＩ
の方に、レテイクル（６１側とは全く独立したｗｘｅ
ＷＦ＠ Ｗａという３本の顕微鏡で位董決めを行う。し
かる後に、ウェハ（１４ｔ−のせたステージａ０を移動
させ、その移動ｆ＃はレーザ干渉計（１１１ （Ｊ’ｌ
Ｊによって正確に測定しながら、定められた露′光位置
へ送り込むという方法である。この場合、Ｌ’ テイ’
） ／Ｌ／ ＋５１ ０１１１の顕微鏡は、パターンの
コントラストが良いので、通常の限動スリット型光電顕
微鏡を用いれば、０．１声ｍ以内の高い精度で位１決め
をすることができる。ところがウエ八〇４側については
、条件が悪くなるのでいろいろ工夫を要する。
この例では、ウェハ（ｌ４側の顕微鏡Ｗｘ＊ Ｗｙ．
Ｗθにはレーザ光源（９１ヲ用い、ターゲット●マーク
ハｘ．Ｙ軸に対して４５°の傾きをもつ回折格子状のパ
ターンで構成している。したがってレーザ光がこのター
ゲット・パターンに当たると， ４５”方向に強い回折
党が得られるのでこれを利用してパターン検出を行って
いる。レーザのビームは微小振幅で振動走査されている
ので、光電出力は、前に述べた光電顕微蜆と同じく同期
検波方式で信号処理される。このようにオフ・アクシス
方式は、専用の顕微鏡を用いて比較的良好なＳＮの信号
を得ることができるが、２つの注意すべき問題がある。
Ｗθにはレーザ光源（９１ヲ用い、ターゲット●マーク
ハｘ．Ｙ軸に対して４５°の傾きをもつ回折格子状のパ
ターンで構成している。したがってレーザ光がこのター
ゲット・パターンに当たると， ４５”方向に強い回折
党が得られるのでこれを利用してパターン検出を行って
いる。レーザのビームは微小振幅で振動走査されている
ので、光電出力は、前に述べた光電顕微蜆と同じく同期
検波方式で信号処理される。このようにオフ・アクシス
方式は、専用の顕微鏡を用いて比較的良好なＳＮの信号
を得ることができるが、２つの注意すべき問題がある。
ひとつは、アライメント完了後、ウェハ（＋４を露光位
置、すなわち投影レンズ｛７１の光軸の位置へ移動させ
なければいけない。その間の移動ｔｒｉ，レーザ干渉計
（ｏ＋ ａ２１で測定されてはいるものの、もしウェハ
（Ｉ４ｔ−のせたＸ−Ｙステーション（１３１にヨーイ
ングがあると無視できない誤差が出ることになる。これ
を避けるため、第６図の例では、ＷＸｅ ＷＹ’ Ｗθ
という３木の顕微鏡の位置に工夫を＃１どこし、Ｗｘ，
ｗｙの顕微鏡をそれぞれ党軸を通るＸ軸．Ｙ軸上に配１
し、いわゆるアッペの哄差をとり除く構造をとっている
。
置、すなわち投影レンズ｛７１の光軸の位置へ移動させ
なければいけない。その間の移動ｔｒｉ，レーザ干渉計
（ｏ＋ ａ２１で測定されてはいるものの、もしウェハ
（Ｉ４ｔ−のせたＸ−Ｙステーション（１３１にヨーイ
ングがあると無視できない誤差が出ることになる。これ
を避けるため、第６図の例では、ＷＸｅ ＷＹ’ Ｗθ
という３木の顕微鏡の位置に工夫を＃１どこし、Ｗｘ，
ｗｙの顕微鏡をそれぞれ党軸を通るＸ軸．Ｙ軸上に配１
し、いわゆるアッペの哄差をとり除く構造をとっている
。
もうひとつの問題点は、レテイクル（６１側のアライメ
ント機構Ｒｘｙ． Ｒθと、ウェハ０４側のＷＸ ＊
Ｗｙ ｅＷθなるアラ、イメント系α３がそれぞれ独立
しているので、もしこれらの系の間に相対的なドリフト
があると、直接アライメント誤差をひきおこすことであ
る。そこで、これらの相対的な位置にもし変位が起これ
ば、それを補正できるようにするため、第６図に示すよ
うにＸ−Ｙウェハ嘩ステージ（１５１に直接基準マーク
！Ｉφをとりつけ、このマークを移動させて、アライメ
ント光学系＋８１ Ｑ４相互の間隔を自動的に測定する
方式を採用している。
ント機構Ｒｘｙ． Ｒθと、ウェハ０４側のＷＸ ＊
Ｗｙ ｅＷθなるアラ、イメント系α３がそれぞれ独立
しているので、もしこれらの系の間に相対的なドリフト
があると、直接アライメント誤差をひきおこすことであ
る。そこで、これらの相対的な位置にもし変位が起これ
ば、それを補正できるようにするため、第６図に示すよ
うにＸ−Ｙウェハ嘩ステージ（１５１に直接基準マーク
！Ｉφをとりつけ、このマークを移動させて、アライメ
ント光学系＋８１ Ｑ４相互の間隔を自動的に測定する
方式を採用している。
以上述べたオフ・アクシス方式に対するもうひとつのア
ライメント方式は、実際に露光に用いる投影レンズを通
して、レティクル｛６｝上のパターンとウェハＱ４１上
のパターンを光学的に重ね合わせ、アライメントを行な
おうとするものである。この方式は、スルー・ザ・レン
ズ（ＴＴＬ）方式、あるいはオン・アクシス方式などと
呼ぶことができる。
ライメント方式は、実際に露光に用いる投影レンズを通
して、レティクル｛６｝上のパターンとウェハＱ４１上
のパターンを光学的に重ね合わせ、アライメントを行な
おうとするものである。この方式は、スルー・ザ・レン
ズ（ＴＴＬ）方式、あるいはオン・アクシス方式などと
呼ぶことができる。
このような方法をとれば、確かに各ステップごとにアラ
イメントが行えて、高精度な重ね合わせ結果が期待でき
る。しかし、これを実用化するにはいろいろな技術的間
紬があり、現状ではまだ完全なＴＴＬ方式で商品化され
たものは少ない。第５図に示す例では、ステップ・モニ
タとして、ウェハ（１４とレテイクル（５）の重ね合わ
せ状態を、レティクル（５）側にあるＩＴＶカメラ（４
）で観察し、もしずれがあれば、ステップ送り機構の方
へ修正が加えられる機能を備えている。もちろん、この
ようにして得られるＩＴＶカメラ（４）からのビデオ信
号を用いて、自動アライメントを行うことも可能である
が、実際には投影レンズを通して得られる信号は、ＳＮ
比が低く、その信号処理方法についてはソフトウエア上
の改善工夫が必要であろう。このＴＴＬアライメントの
自動化は、縮小投影型露光装置にとっては重要な技術テ
ーマであり、いろいろな考案がなされている。特にＳＮ
比の高い信号を得る目的カラアライメント・マークとし
て、フＬ／ ネ７Ｌ／・ゾーン・プレート状のマークを
用い、コントラストの良い侶号を得るとともに、パター
ンの劣化による影響も少なくする考案がなされ、これを
利用して、ステップ状のアライメントを行う方式が開発
され念。以上述べたように、縮小投影型露光装置はステ
ップごとに、２次元的なアライメントを行うことができ
る特長をもっているが、同時に２軸、すなわち光軸方向
の合焦調節も可能という点が他の露光方式に比して大き
な長所になっている。これによって、ウェハＩの凹凸歪
の影Ｖを避け、ウェハθ４全面に良好なパターン像を得
ることができるのである。
イメントが行えて、高精度な重ね合わせ結果が期待でき
る。しかし、これを実用化するにはいろいろな技術的間
紬があり、現状ではまだ完全なＴＴＬ方式で商品化され
たものは少ない。第５図に示す例では、ステップ・モニ
タとして、ウェハ（１４とレテイクル（５）の重ね合わ
せ状態を、レティクル（５）側にあるＩＴＶカメラ（４
）で観察し、もしずれがあれば、ステップ送り機構の方
へ修正が加えられる機能を備えている。もちろん、この
ようにして得られるＩＴＶカメラ（４）からのビデオ信
号を用いて、自動アライメントを行うことも可能である
が、実際には投影レンズを通して得られる信号は、ＳＮ
比が低く、その信号処理方法についてはソフトウエア上
の改善工夫が必要であろう。このＴＴＬアライメントの
自動化は、縮小投影型露光装置にとっては重要な技術テ
ーマであり、いろいろな考案がなされている。特にＳＮ
比の高い信号を得る目的カラアライメント・マークとし
て、フＬ／ ネ７Ｌ／・ゾーン・プレート状のマークを
用い、コントラストの良い侶号を得るとともに、パター
ンの劣化による影響も少なくする考案がなされ、これを
利用して、ステップ状のアライメントを行う方式が開発
され念。以上述べたように、縮小投影型露光装置はステ
ップごとに、２次元的なアライメントを行うことができ
る特長をもっているが、同時に２軸、すなわち光軸方向
の合焦調節も可能という点が他の露光方式に比して大き
な長所になっている。これによって、ウェハＩの凹凸歪
の影Ｖを避け、ウェハθ４全面に良好なパターン像を得
ることができるのである。
従来の縮小露光型投影装置は以上のように構成されてい
るので以下のような問題点があった。
るので以下のような問題点があった。
１） 微ｍ化の進展と共にレチクルのパターンも値細
となり、レチクル喪造時のレチタル自身の歩留低下が深
刻となる。レチクルはガラス面にクロムなどの金１ｓ４
ｔ−付着させ現像エッチングしてパターンを作成するの
で、微細化により歩留が低下しやすい。しかも、レチク
ルの同じパターンが繰り返しウェハ面に嬉光されるので
、欠陥が存在する場合、ウェハ全面が不良となり致命的
である。
となり、レチクル喪造時のレチタル自身の歩留低下が深
刻となる。レチクルはガラス面にクロムなどの金１ｓ４
ｔ−付着させ現像エッチングしてパターンを作成するの
で、微細化により歩留が低下しやすい。しかも、レチク
ルの同じパターンが繰り返しウェハ面に嬉光されるので
、欠陥が存在する場合、ウェハ全面が不良となり致命的
である。
＋１） 同一ウェハ上に数種類のチップを同居させる
ことが難しい。装置にレチクルを装着し、それをウェハ
面に繰り返し縮小露光するので、同一レチクル上に同居
できるチップの種類′しか同一ウェハに露光できない。
ことが難しい。装置にレチクルを装着し、それをウェハ
面に繰り返し縮小露光するので、同一レチクル上に同居
できるチップの種類′しか同一ウェハに露光できない。
もし、露光途中でレチクルを交換する場合には、人手に
よるか、マイクロコンピュータと機械系を備えたオート
・レチクル・チェンジャーを装備する必要がある。これ
は、応用分野が拡大し多品樫少置生座が姿求されるよう
になった大規模集積回路（ＬＳＩ）製品市場において同
時に低価格化の要求も満たさねばならず、製造コストｉ
下げる上で深刻な間融である。また、レチクル交換時に
発生するゴミによるＬＳＩ製造歩留の低下も深刻である
。
よるか、マイクロコンピュータと機械系を備えたオート
・レチクル・チェンジャーを装備する必要がある。これ
は、応用分野が拡大し多品樫少置生座が姿求されるよう
になった大規模集積回路（ＬＳＩ）製品市場において同
時に低価格化の要求も満たさねばならず、製造コストｉ
下げる上で深刻な間融である。また、レチクル交換時に
発生するゴミによるＬＳＩ製造歩留の低下も深刻である
。
■） レチクルのパターンを変吏●修正するのに時間が
かかる。すなわち、従米のガラス面に描いていたレチク
ルの変蒐・修正は、まず計算機でパターン・データを変
更・修正し，それをレチクル露光用のデータ（通常は電
子ビーム露光）に変換し、新しいレチクル●ガラス面の
クロムなどの金属被膜を露光・現像した後、新しいレチ
クルのパターンに欠陥がないかを検証し、無欠陥の場合
に初めて縮小露光型投影装随に装置される。前述したよ
うに、レチクルに欠陥が無い場合はまれなので、このプ
ロセスには非常に時間がかかり、顧客から注文を受けて
の）らＬＳＩ製品を出荷するまでの時間がセールスポイ
ントとなっている現在、この時間を短縮する必要がある
。
かかる。すなわち、従米のガラス面に描いていたレチク
ルの変蒐・修正は、まず計算機でパターン・データを変
更・修正し，それをレチクル露光用のデータ（通常は電
子ビーム露光）に変換し、新しいレチクル●ガラス面の
クロムなどの金属被膜を露光・現像した後、新しいレチ
クルのパターンに欠陥がないかを検証し、無欠陥の場合
に初めて縮小露光型投影装随に装置される。前述したよ
うに、レチクルに欠陥が無い場合はまれなので、このプ
ロセスには非常に時間がかかり、顧客から注文を受けて
の）らＬＳＩ製品を出荷するまでの時間がセールスポイ
ントとなっている現在、この時間を短縮する必要がある
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ｆ４１′ｌｌＫの洩類のチップを同一ウェハ
上に露光でき、パターンの修正・変更が高速にでき、し
かもレチクル作成時の低歩留に悩まされることのない縮
小露光型投影装置．レチクル．大規模集積回路．大規模
渠槓回路製造法を得ることを目的とする。
たもので、ｆ４１′ｌｌＫの洩類のチップを同一ウェハ
上に露光でき、パターンの修正・変更が高速にでき、し
かもレチクル作成時の低歩留に悩まされることのない縮
小露光型投影装置．レチクル．大規模集積回路．大規模
渠槓回路製造法を得ることを目的とする。
この発明に係る縮小ｍ光型投影装ｆｉｌは、レチクルを
電気的に光の透過性を制御できる材料で形成し、露光す
べきグラフィック・データを前記透過性制彌可能のレチ
クルの電気端子に伝達するようにしたものである。
電気的に光の透過性を制御できる材料で形成し、露光す
べきグラフィック・データを前記透過性制彌可能のレチ
クルの電気端子に伝達するようにしたものである。
この発明に係るレチクルは電界の有無で光の透過性を制
御する材料で形成され縮小投影型露光装置用レチクルに
おいて、アレイ状に配置された光シャッタ・アレイの配
置ピッチを整数分の一ずつずらした光シャッタ・アレイ
ヲ複数枚重ね合わせることにより、光シャッタ・アレイ
の配置ピッチより小さいピッチの露光データを作成でき
るようにしたものである。
御する材料で形成され縮小投影型露光装置用レチクルに
おいて、アレイ状に配置された光シャッタ・アレイの配
置ピッチを整数分の一ずつずらした光シャッタ・アレイ
ヲ複数枚重ね合わせることにより、光シャッタ・アレイ
の配置ピッチより小さいピッチの露光データを作成でき
るようにしたものである。
この発明に係る大規模集積回路製造法は電界の有無によ
り光透過性を制御できる光シャツタをアレイ状に配置し
たレチクルのパターン・データを制御することにより、
ガラスのレチクル金介さず設計データをウェハへの露光
データに変換するようにしたものである。
り光透過性を制御できる光シャツタをアレイ状に配置し
たレチクルのパターン・データを制御することにより、
ガラスのレチクル金介さず設計データをウェハへの露光
データに変換するようにしたものである。
この発明に係る大規模集積回路は光透過性可変のレチク
ル上にアレイ状に配置された光シャッタ・アレイの光透
過性を制御する信号ｔ−発生する手段を有することを特
徴とする縮小投影型露光装置を用い、電界の有無によシ
光透過性１ｒｉｌＩ御できる光シャツタをアレイ状に配
置したレチクルのパターン・データを制御することによ
り、ガラスのレチクルを介さずに設計データをウェハへ
の露光データに変換することにより製造されるようにし
たものである。
ル上にアレイ状に配置された光シャッタ・アレイの光透
過性を制御する信号ｔ−発生する手段を有することを特
徴とする縮小投影型露光装置を用い、電界の有無によシ
光透過性１ｒｉｌＩ御できる光シャツタをアレイ状に配
置したレチクルのパターン・データを制御することによ
り、ガラスのレチクルを介さずに設計データをウェハへ
の露光データに変換することにより製造されるようにし
たものである。
この発明における縮小露光型投影装＃は、蕗光すべきグ
ラフィック（パターン）データを適宜レチクルの電気端
子に伝達し、レチクルの光透過性をパターン●データに
応じて局所的に制御することにより、柔軟にウェハに露
光されるべきデータをレチクルを変換することなしにス
テップ毎に変更でき、また、製造歩留の厳しいレチクル
製造プロセスを不要とするので、製造コスト．納期など
が大巾に改善される。
ラフィック（パターン）データを適宜レチクルの電気端
子に伝達し、レチクルの光透過性をパターン●データに
応じて局所的に制御することにより、柔軟にウェハに露
光されるべきデータをレチクルを変換することなしにス
テップ毎に変更でき、また、製造歩留の厳しいレチクル
製造プロセスを不要とするので、製造コスト．納期など
が大巾に改善される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（ｌ４はウェハ、（１５１はＸ−Ｙステー
ジ、（ｌ７１は光透過性可変レチクル、Ｑ８ｌは外部記
憶装置、０９はインターフェース回路、断はピ゛ントマ
ツプメモリ、■１１１１マイクロプロセッサ、ｆ２２Ｈ
インターフェース回路である。
図において、（ｌ４はウェハ、（１５１はＸ−Ｙステー
ジ、（ｌ７１は光透過性可変レチクル、Ｑ８ｌは外部記
憶装置、０９はインターフェース回路、断はピ゛ントマ
ツプメモリ、■１１１１マイクロプロセッサ、ｆ２２Ｈ
インターフェース回路である。
従来例のガラス面にクロムなどの金属を付着させて露光
パターンとするレチクル（５）の代わりに光透過性ｔ−
電気的に制御可能な材料で形成された光透過性可変レチ
クルαηを装備している。磁気ディスクなどの大容量外
部記憶装置賭に蓄槓されている露光データの一部を必要
に応じてインターフェース回路α傷を通ってビットマッ
プ嗜メモリーに一時記憶しておき、それらの一時記憶の
一部あるいは全部をインターフエース回路翰を通して光
透過性−’［レチクル（ｌηにビット・パターンとして
与える。マイクロプロセッサシ１）はｘＹステージＯｆ
９を移動させてウェハα舶の所望位置に、ビットマップ
・メモリ嬢中の所望露光データを元透過性可変レチクル
ａηに転送し所望の露光パターンを光透過性の有無に変
侠したものを露光させるように制御する。
パターンとするレチクル（５）の代わりに光透過性ｔ−
電気的に制御可能な材料で形成された光透過性可変レチ
クルαηを装備している。磁気ディスクなどの大容量外
部記憶装置賭に蓄槓されている露光データの一部を必要
に応じてインターフェース回路α傷を通ってビットマッ
プ嗜メモリーに一時記憶しておき、それらの一時記憶の
一部あるいは全部をインターフエース回路翰を通して光
透過性−’［レチクル（ｌηにビット・パターンとして
与える。マイクロプロセッサシ１）はｘＹステージＯｆ
９を移動させてウェハα舶の所望位置に、ビットマップ
・メモリ嬢中の所望露光データを元透過性可変レチクル
ａηに転送し所望の露光パターンを光透過性の有無に変
侠したものを露光させるように制御する。
第２図にマイクロプロセッサｔ２１１によるレチクル（
ｌ４）へのデータ転送方法を示す。その他、アライメン
ト方式などは従来例と同様である。
ｌ４）へのデータ転送方法を示す。その他、アライメン
ト方式などは従来例と同様である。
尤透過性を制御できる材料としては、最近商用のページ
・プリンタ等に用いられるようになった液晶シャツタ・
パネルが挙げられる。第３図（Ａ） （Ｂ）（Ｃ）にそ
の動、作原理を示す。
・プリンタ等に用いられるようになった液晶シャツタ・
パネルが挙げられる。第３図（Ａ） （Ｂ）（Ｃ）にそ
の動、作原理を示す。
液晶の高速駆動方式として液晶の肪電分散特性を利用し
た２＠波駆動方式が知られている。（ｌ）２周波駆動用
液晶の特性を第３図（Ａ）に示す。交差周波数ｆｃより
高い周波数ｆＨでは負の誘電異方性を示し液晶分子はホ
モジニアス配列となり、ｆｃより低い周波故ルでは正の
誘電異方性を示し、液晶分子はホメオト口ピック配列と
なることを示している。
た２＠波駆動方式が知られている。（ｌ）２周波駆動用
液晶の特性を第３図（Ａ）に示す。交差周波数ｆｃより
高い周波数ｆＨでは負の誘電異方性を示し液晶分子はホ
モジニアス配列となり、ｆｃより低い周波故ルでは正の
誘電異方性を示し、液晶分子はホメオト口ピック配列と
なることを示している。
ゲストホス｝ （ＧＨ）型液晶セルの動作原理を第３図
（Ｂ） ． （Ｃ）に示す。｛２）第３図（Ｂ）に示す
ように無電界時又は高周波ｆＨ印加時には液晶分子がホ
モジニアス配列されるに伴ない、染料の分子軸も同方向
に配列され入射光は染料特有の光成分が吸収された着色
光となる。この際入射光（光源）の光波長特性と染料の
光吸収波長特性を一致させれば入射光は染料により吸収
され、ほとんどセル中を透過しない光辿断状態を得られ
る（シャツタＯＦＦ時）。
（Ｂ） ． （Ｃ）に示す。｛２）第３図（Ｂ）に示す
ように無電界時又は高周波ｆＨ印加時には液晶分子がホ
モジニアス配列されるに伴ない、染料の分子軸も同方向
に配列され入射光は染料特有の光成分が吸収された着色
光となる。この際入射光（光源）の光波長特性と染料の
光吸収波長特性を一致させれば入射光は染料により吸収
され、ほとんどセル中を透過しない光辿断状態を得られ
る（シャツタＯＦＦ時）。
又、第３図（Ｃ）に示すように低目波ル印加時には、液
晶分子はホメオト口ピック配列（染料の分子軸も同方向
にψ列）となり、入射光は染料により吸収されることな
く、セル中を透過する（シャツタＯＮ時）。
晶分子はホメオト口ピック配列（染料の分子軸も同方向
にψ列）となり、入射光は染料により吸収されることな
く、セル中を透過する（シャツタＯＮ時）。
従って、電界が印加されていないノーマル時に、シャツ
タのノーマルオフの状態が作り出されている〇 また、ツイステツド・ネマチツク型液晶と２枚の偏光板
を用いる例もある。いずれも、電界の印加の有無により
、シャツタのオン／オフの２状態が決定される。これら
の微細な液晶シャツタをアレイ状に配列し、各々独立に
電界を印加することによって所望のパターン・データを
描くことができる。
タのノーマルオフの状態が作り出されている〇 また、ツイステツド・ネマチツク型液晶と２枚の偏光板
を用いる例もある。いずれも、電界の印加の有無により
、シャツタのオン／オフの２状態が決定される。これら
の微細な液晶シャツタをアレイ状に配列し、各々独立に
電界を印加することによって所望のパターン・データを
描くことができる。
第４図に現在商用に供されているページ会プリンタの液
晶プリンタ●ヘッドの例を示す。
晶プリンタ●ヘッドの例を示す。
第４図において、＠は螢光灯、（２４ｌは駆動用ＩＣ，
（２６１は液晶シャツタパネル、翰ハ集束性ロツドレン
ズアレイである。
（２６１は液晶シャツタパネル、翰ハ集束性ロツドレン
ズアレイである。
光源から出た光を液晶シャッタ・アレイによって遡り、
感光体上に印刷すべきパターンを描く。
感光体上に印刷すべきパターンを描く。
印刷すべきパターンはドット（画素）ごとのデータとし
てビットマップメモリに入り、プリンタ本体へ一定の単
位で送られる。
てビットマップメモリに入り、プリンタ本体へ一定の単
位で送られる。
この技術を縮小投影型露光装置に応用することにより、
柔軟で高速なＬＳＩの試作・製造システムが構築できる
。
柔軟で高速なＬＳＩの試作・製造システムが構築できる
。
なお、上記実施例では、光透過性可変レチクルを液晶シ
ャッタ・アレイで構成したが、磁性ガーネットのファラ
デイ効果を利用したものや、強誘電性の液晶を用いたも
のでもよい。また、自分自牙で発光する発光ダイオード
・アレイを用いたものでも同様の効果ｔ−奏し、コント
ラストが明確で応答速度の早いものが得られる。
ャッタ・アレイで構成したが、磁性ガーネットのファラ
デイ効果を利用したものや、強誘電性の液晶を用いたも
のでもよい。また、自分自牙で発光する発光ダイオード
・アレイを用いたものでも同様の効果ｔ−奏し、コント
ラストが明確で応答速度の早いものが得られる。
又、液晶シャッタ・アレイのピッチが要求されるＬＳＩ
の最小ピッチに対して不十分な場合は、第４図のように
Ｎ枚の液晶シャッタ・アレイｔピツチのＩＡずつずらし
て重ね合わせることによって実寅上、液晶シャッタ・ア
レイを１ハに縮小することも可能である。
の最小ピッチに対して不十分な場合は、第４図のように
Ｎ枚の液晶シャッタ・アレイｔピツチのＩＡずつずらし
て重ね合わせることによって実寅上、液晶シャッタ・ア
レイを１ハに縮小することも可能である。
ゲートアレイやマスクＲＯＭ （読み出し専用メモリ）
などの製品のように、途中工程までは共通に製作してお
き、顧客の注文に応じて迅速にその後の工程のレチクル
を作成し完成品としなければならない製品に対して特に
有効性を発揮する。
などの製品のように、途中工程までは共通に製作してお
き、顧客の注文に応じて迅速にその後の工程のレチクル
を作成し完成品としなければならない製品に対して特に
有効性を発揮する。
以上のように、この発明によれば縮小投影型露光装隨の
レチクルを電界の有無により光の透過性が変わる材料で
構成したので、露光データの変更が容易にでき、レチク
ル交換時のゴミの発生がなく、柔軟性に富む装置とＬＳ
Ｉ製造法が得られる効果がある。
レチクルを電界の有無により光の透過性が変わる材料で
構成したので、露光データの変更が容易にでき、レチク
ル交換時のゴミの発生がなく、柔軟性に富む装置とＬＳ
Ｉ製造法が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一笑施例による縮小投影型娼光装置
を示す概略図、第２図はマイクロプロセッサによるデー
タ転送方法を示す図、第３図は液晶シャツタの動作原理
図、第４図は液晶シャツタ・プリンタのヘッド部を示す
概略図、第５図は本発明の他の実施例を示す概略幽、第
６図は従来の縮小投影型露光装置を示す概略図である。 （１１は照明光学系、（６）はレチクル、（７１は縮小
投影レンズ、α４１はウェハ、（ｌ６）はＸＹステージ
、（１？’ｌは光透過性可変レチクルである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
を示す概略図、第２図はマイクロプロセッサによるデー
タ転送方法を示す図、第３図は液晶シャツタの動作原理
図、第４図は液晶シャツタ・プリンタのヘッド部を示す
概略図、第５図は本発明の他の実施例を示す概略幽、第
６図は従来の縮小投影型露光装置を示す概略図である。 （１１は照明光学系、（６）はレチクル、（７１は縮小
投影レンズ、α４１はウェハ、（ｌ６）はＸＹステージ
、（１？’ｌは光透過性可変レチクルである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）照明光学系、レチクル、縮小投影レンズ、ＸＹス
テージを有し、ＸＹステージ上に置かれたウェハにレチ
クルの像を縮小露光する縮小投影型露光装置において、
前記レチクルを電界の有無により光の透過性を制御する
材料で形成し、前記光透過性可変のレチクル上にアレイ
状に配置された光シャッタ・アレイの光透過性を制御す
ることにより露光パターンを発生することを特徴とする
縮小投影型露光装置。 - （２）電界の有無で光の透過性を制御する材料で形成さ
れ縮小投影型露光装置用レチクルにおいて、アレイ状に
配置された光シャッタ・アレイの配置ピッチを整数分の
一ずつずらした光シャッタ・アレイを複数枚重ねあわせ
ることにより、光シャッタ・アレイの配置ピッチより小
さいピッチの露光データを作成できるようにしたことを
特徴とする縮小投影型露光装置用レチクル。 - （３）電界の有無により光透過性を制御できる光シャッ
タをアレイ状に配置したレチクルのパターン・データを
制御することにより、ガラスのレチクルを介さずに設計
データをウェハへの露光データに変換することを特徴と
する大規模集積回路製造法。 - （４）照明光学系、レチクル、縮小投影レンズ、ＸＹス
テージを有し、ＸＹステージ上に置かれたウェハにレチ
クルの像を縮小露光する縮小投影型露光装置において、
前記レチクルを電界の有無で光の透過性を制御する材料
で形成し、前記光透過性可変のレチクル上にアレイ状に
配置された光シャッタ・アレイの光透過性を制御する信
号を発生する手段を有することを特徴とする縮小投影型
露光装置を用い、電界の有無により光透過性を制御でき
る光シャッタをアレイ状に配置したレチクルのパターン
・データを制御することにより、ガララスのレチクルを
介さずに設計データをウェハへの露光データに変換する
ことにより製造されることを特徴とする大規模集積回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056720A JPH02237011A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 縮小投影型露光装置用レチクル，縮小投影型露光装置，大規模集積回路製造法及び大規模集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056720A JPH02237011A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 縮小投影型露光装置用レチクル，縮小投影型露光装置，大規模集積回路製造法及び大規模集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237011A true JPH02237011A (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=13035327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1056720A Pending JPH02237011A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 縮小投影型露光装置用レチクル，縮小投影型露光装置，大規模集積回路製造法及び大規模集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02237011A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002372791A (ja) * | 1994-02-21 | 2002-12-26 | Friedrich Luellau | オフセット印刷版等の版面を写真製版によって形成するための装置 |
| WO2008084825A1 (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. | 露光装置用液晶フォトマスク、露光装置及び露光方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638888A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-14 | Hitachi Ltd | Pattern forming method |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP1056720A patent/JPH02237011A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638888A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-14 | Hitachi Ltd | Pattern forming method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002372791A (ja) * | 1994-02-21 | 2002-12-26 | Friedrich Luellau | オフセット印刷版等の版面を写真製版によって形成するための装置 |
| WO2008084825A1 (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. | 露光装置用液晶フォトマスク、露光装置及び露光方法 |
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