JPH02238604A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
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- JPH02238604A JPH02238604A JP1058025A JP5802589A JPH02238604A JP H02238604 A JPH02238604 A JP H02238604A JP 1058025 A JP1058025 A JP 1058025A JP 5802589 A JP5802589 A JP 5802589A JP H02238604 A JPH02238604 A JP H02238604A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体に関
するものである。
するものである。
(従来の技術)
従来から酸化亜鉛を主成分とし、Biz03, Sbz
03S1021 MnO■等の添加物を含有した抵抗体
は、優れた電圧非直線性を示すことが広く知られており
、その性質を利用して避雷器等に使用されている。
03S1021 MnO■等の添加物を含有した抵抗体
は、優れた電圧非直線性を示すことが広く知られており
、その性質を利用して避雷器等に使用されている。
この電圧非直線抵抗体では、雷等のサージ電流が素子に
印加された場合に主として素子側面に沿った閃絡いわゆ
る沿面閃絡が生じ、素子が破壊することがあるため、抵
抗体の側面にBi−Sb−Si系化合物またはBi−S
b−Si−Zn系化合物よりなる高抵抗層を設けるのが
一般的である。
印加された場合に主として素子側面に沿った閃絡いわゆ
る沿面閃絡が生じ、素子が破壊することがあるため、抵
抗体の側面にBi−Sb−Si系化合物またはBi−S
b−Si−Zn系化合物よりなる高抵抗層を設けるのが
一般的である。
(発明が解決しようとする課題)
従来の電圧非直線抵抗体においては、その側面部に形成
される側面高抵抗層を、焼成時の熱膨張差によって結晶
粒界にクランクが発生しにくい結晶質構造としていた。
される側面高抵抗層を、焼成時の熱膨張差によって結晶
粒界にクランクが発生しにくい結晶質構造としていた。
しかし、結晶質構造は耐湿性が劣り、その結果特性がバ
ラツキ、放電耐量も変化するとともに課電寿命も悪くな
るという問題があった。
ラツキ、放電耐量も変化するとともに課電寿命も悪くな
るという問題があった。
本発明の目的は上述した課題を解決して、側面貰抵抗層
の耐湿性を向上し、雷サージ耐量を向上する電圧非直線
抵抗体を提供しようとするものである。
の耐湿性を向上し、雷サージ耐量を向上する電圧非直線
抵抗体を提供しようとするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明の電圧非直線抵抗体は、酸化亜鉛を主成分とし、
少なくともビスマス酸化物を含んで成る電圧非直線抵抗
体の側面部に形成される高抵抗層においで、 該高抵抗層を形成する酸化物の結晶化率が80%以下で
あることを特徴とするものである。
少なくともビスマス酸化物を含んで成る電圧非直線抵抗
体の側面部に形成される高抵抗層においで、 該高抵抗層を形成する酸化物の結晶化率が80%以下で
あることを特徴とするものである。
(作 用)
上述した構成において、本発明者らは側面抵抗層中の酸
化物の結晶化率を80%以下にすることにより、側面高
抵抗層の吸湿性を改善し、雷サージ耐量が良好になるこ
とを見出した。
化物の結晶化率を80%以下にすることにより、側面高
抵抗層の吸湿性を改善し、雷サージ耐量が良好になるこ
とを見出した。
また、この場合に上記酸化物に少なくとも酸化ビスマス
を含ませると良い。この理由は、酸化ビスマスは非晶質
の主要成分であり、側面高抵抗層においてはフラックス
として作用するからである。
を含ませると良い。この理由は、酸化ビスマスは非晶質
の主要成分であり、側面高抵抗層においてはフラックス
として作用するからである。
また、好ましくは結晶相として珪酸亜鉛を含むとよい。
この理由は、珪酸亜鉛は雷サージ耐量を向上させるから
である。
である。
(実施例)
酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体を得るには、
まず所定の粒度に調整した酸化亜鉛原料と所定の粒度に
調整したBi2(L++ CO3041 Mn02Sb
203+ Cr20,l+ s;o2, NiO等より
なる添加物の所?量を混合する。この際、本発明ではS
iO■源原料として平均粒径10μm以下の非晶質シリ
カを使用する。これら原料粉末に対して所定量のポリビ
ニルアルコール水溶液等を加え、好ましくはディスパー
ミルにより混合した後、好ましくはスプレードライヤに
より造粒して造粒物を得る。造粒後、成形圧力50〜1
00MPaの下で所定の形状に成形する。
まず所定の粒度に調整した酸化亜鉛原料と所定の粒度に
調整したBi2(L++ CO3041 Mn02Sb
203+ Cr20,l+ s;o2, NiO等より
なる添加物の所?量を混合する。この際、本発明ではS
iO■源原料として平均粒径10μm以下の非晶質シリ
カを使用する。これら原料粉末に対して所定量のポリビ
ニルアルコール水溶液等を加え、好ましくはディスパー
ミルにより混合した後、好ましくはスプレードライヤに
より造粒して造粒物を得る。造粒後、成形圧力50〜1
00MPaの下で所定の形状に成形する。
そして成形体を昇降温速度50〜70゜C /hrで8
50〜980゜C、保持時間1〜5時間という条件で仮
焼成する。
50〜980゜C、保持時間1〜5時間という条件で仮
焼成する。
なお、仮焼成の前に成形体を昇降温速度10〜100’
C/hrで400〜600゜C、保持時間1〜10時間
で熱処理し結合剤を飛散除去することが好ましい。
C/hrで400〜600゜C、保持時間1〜10時間
で熱処理し結合剤を飛散除去することが好ましい。
次に、仮焼成した仮焼体の側面に側面高抵抗層を形成す
る。本発明では、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化
ケイ素等の所定量に有機結合剤としてエチルセルロース
、プチルカルビトール、酢酸nブチル等を加えた側面高
抵抗層用混合ペーストを、60〜300 μmの厚さに
成形体の側面に塗布する。この際、本発明では上記混合
ペーストは、酸化ビスマスの粒度を1〜10μm、好ま
しくは1〜5μmとし、酸化ケイ素の粒度を10μm以
下、好ましくは1μm以下とし、全体の粒度を調整して
10μm以下にし、酸化ケイ素として、より好ましくは
平均粒径が10μm以下の非品質シリヵを使用する。こ
れと以下に示す焼成条件を組合わせることにより、本発
明で必要な側面高抵抗層中の酸化物の結晶化率80%以
下を達成することができる。
る。本発明では、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化
ケイ素等の所定量に有機結合剤としてエチルセルロース
、プチルカルビトール、酢酸nブチル等を加えた側面高
抵抗層用混合ペーストを、60〜300 μmの厚さに
成形体の側面に塗布する。この際、本発明では上記混合
ペーストは、酸化ビスマスの粒度を1〜10μm、好ま
しくは1〜5μmとし、酸化ケイ素の粒度を10μm以
下、好ましくは1μm以下とし、全体の粒度を調整して
10μm以下にし、酸化ケイ素として、より好ましくは
平均粒径が10μm以下の非品質シリヵを使用する。こ
れと以下に示す焼成条件を組合わせることにより、本発
明で必要な側面高抵抗層中の酸化物の結晶化率80%以
下を達成することができる。
なお、ここでは側面高抵抗層形成材料として酸化物を用
いたが、非晶質シリカを除き酸化物に限定されることな
く炭酸塩、水酸化物等の化合物でもよい。これらの化合
物は1000゜C以下、好ましくは800゜C以下で酸
化物に変化するものが好ましい。
いたが、非晶質シリカを除き酸化物に限定されることな
く炭酸塩、水酸化物等の化合物でもよい。これらの化合
物は1000゜C以下、好ましくは800゜C以下で酸
化物に変化するものが好ましい。
次にこれを昇温速度40〜60゜C /hrで1000
〜1300゜C、好ましくは1100〜1250゜Cま
で昇温し、そこに3〜7時間保持して、800゜Cまで
降温速度100〜200゜C /hrで冷却する。
〜1300゜C、好ましくは1100〜1250゜Cま
で昇温し、そこに3〜7時間保持して、800゜Cまで
降温速度100〜200゜C /hrで冷却する。
なお、ガラス粉末に有機結合剤としてエチルセルロース
、プチルカルビトール、酢酸nブチル等を加えたガラス
ペーストを上記側面高抵抗層上に?00〜300μmの
厚さに塗布し、空気中で昇降温速度100〜200゜C
/hr 、400 〜600゜C保持時間0.5〜2時
間という条件で熱処理することによりガラス層を形成す
ると好ましい。
、プチルカルビトール、酢酸nブチル等を加えたガラス
ペーストを上記側面高抵抗層上に?00〜300μmの
厚さに塗布し、空気中で昇降温速度100〜200゜C
/hr 、400 〜600゜C保持時間0.5〜2時
間という条件で熱処理することによりガラス層を形成す
ると好ましい。
その後、得られた電圧非直線抵抗体の両端面をSjC,
AI■03,ダイヤモンド等の#400−・2000
相当の研磨剤により水好ましくは油を使用して研磨する
。次に研磨面を洗浄後、研磨した両端面に例えばアルミ
ニウム等によって電極を例えば溶射により設けて電圧非
直線抵抗体を得ている,以下、実際に本発明範囲内およ
び範囲外の電圧非直線抵抗体について各種特性を測定し
た結果について説明する。
AI■03,ダイヤモンド等の#400−・2000
相当の研磨剤により水好ましくは油を使用して研磨する
。次に研磨面を洗浄後、研磨した両端面に例えばアルミ
ニウム等によって電極を例えば溶射により設けて電圧非
直線抵抗体を得ている,以下、実際に本発明範囲内およ
び範囲外の電圧非直線抵抗体について各種特性を測定し
た結果について説明する。
実施五上
上述した方法で作成した直径47Inffl、厚さ22
.5mmでV l.,.A −200 〜230V/m
mの電圧非直線抵抗体において、側面高抵抗層の結晶化
率を変化させた場合にその耐湿性と特性に及ぼす影響を
調べるため、本発明範囲内の試料No.1〜6と、いず
れかの点で本発明の範囲内を満たさない比較例No.
7〜10とを準備し、側面高抵抗層の耐湿性、絶縁抵抗
および雷サージ耐量を測定した。また、本試料の結晶部
については珪酸亜鉛およびスピネル結晶が認められた。
.5mmでV l.,.A −200 〜230V/m
mの電圧非直線抵抗体において、側面高抵抗層の結晶化
率を変化させた場合にその耐湿性と特性に及ぼす影響を
調べるため、本発明範囲内の試料No.1〜6と、いず
れかの点で本発明の範囲内を満たさない比較例No.
7〜10とを準備し、側面高抵抗層の耐湿性、絶縁抵抗
および雷サージ耐量を測定した。また、本試料の結晶部
については珪酸亜鉛およびスピネル結晶が認められた。
この結果を第1表に示す。この第1表において、耐湿性
は浸透液中に圧力200 kg/c[、浸漬時間24時
間という条件にて全く吸湿しないものを○、部吸湿する
ものを△、全体が吸湿するものを×で示し、雷サージ耐
量は、温度40゜C、湿度100%の雰囲気中に24時
間放置した後に、IOOKA, IIOKA120KA
, 130KAのパルス電流を4/10 p sの電流
波形で2回印加して破壊したものを×で、破壊しなかっ
たものを○で示す。また、絶縁抵抗はIOOOVの電圧
を素子に印加したときの電流から測定した。
は浸透液中に圧力200 kg/c[、浸漬時間24時
間という条件にて全く吸湿しないものを○、部吸湿する
ものを△、全体が吸湿するものを×で示し、雷サージ耐
量は、温度40゜C、湿度100%の雰囲気中に24時
間放置した後に、IOOKA, IIOKA120KA
, 130KAのパルス電流を4/10 p sの電流
波形で2回印加して破壊したものを×で、破壊しなかっ
たものを○で示す。また、絶縁抵抗はIOOOVの電圧
を素子に印加したときの電流から測定した。
また、結晶化率はX線回折による定量法で結晶を定量し
、残部を非晶質としてその割合を求めた。
、残部を非晶質としてその割合を求めた。
第1表
第1表の結果から側面高抵抗層の結晶化率を80%以下
とした本発明例の試料は比較例に比べてその絶縁抵抗も
高く、かつ雷サージ耐量が良好であることが分かった。
とした本発明例の試料は比較例に比べてその絶縁抵抗も
高く、かつ雷サージ耐量が良好であることが分かった。
(発明の効果)
以上の説明から明らかなように、本発明の電圧非直線抵
抗体によれば、その側面高抵抗層の結晶化率を80%以
下としたことにより、側面高抵抗層の吸湿性を改善し、
雷サージ耐量が向上し、素子の経年変化(課電寿命)を
も良好なものとした電圧非直線抵抗体を得ることができ
る。
抗体によれば、その側面高抵抗層の結晶化率を80%以
下としたことにより、側面高抵抗層の吸湿性を改善し、
雷サージ耐量が向上し、素子の経年変化(課電寿命)を
も良好なものとした電圧非直線抵抗体を得ることができ
る。
また、制限電圧比においても良好な結果が得られた。
Claims (1)
- 1.酸化亜鉛を主成分とし、少なくともビスマス酸化物
を含んで成る電圧非直線抵抗体の側面部に形成される高
抵抗層において、該高抵抗層を形成する酸化物の結晶化
率が80%以下であることを特徴とする電圧非直線抵抗
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058025A JPH02238604A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058025A JPH02238604A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02238604A true JPH02238604A (ja) | 1990-09-20 |
Family
ID=13072410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1058025A Pending JPH02238604A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02238604A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5030091A (ja) * | 1973-07-20 | 1975-03-26 |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP1058025A patent/JPH02238604A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5030091A (ja) * | 1973-07-20 | 1975-03-26 |
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