JPH02242882A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。

〔従来技術］ 現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したＴＮ型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、ＣＲＴなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。ＴＮ型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。

ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のＴＮ型液晶表示素子の１００〜１０
００倍の高速応答が可能で、かつ多安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる（メモリー効果
）ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。

強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
Ｃ（以下、Ｓ０１と省略する。）相と呼ばれるものであ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

ＳＣゝ相を示す液晶化合物（以下、ＳＣ１化合物という
、）はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかじながら、これらのＳ０
１化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 （イ）室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと （ロ）高温域において適当な相系列を有すること （ハ）特にキラルネマチック（以下、Ｎ１と省略する。

）相において長い螺旋ピッチを示すこと（ニ）適当なチ
ルト角を持つこと （ホ）粘性が小さいこと （へ）自発分極がある程度以上大きな値であること さらに （ト）（ロ）及び（ハ）の結果として良好な配向を示す
こと （チ）（ホ）及び（へ）の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。

そのため、現在では、Ｓ００相を示す液晶組成物（以下
、Ｓ００液晶組成物という。）が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。

良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭６１−１
５３６２３号公報等に示されているように、ＳＣ０相の
高温域にＮ１相を有する液晶において、Ｎ１相の螺旋ピ
ッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。こ
の場合に５Ｃ１Ｔ相とＮ１相の中間の温度域にスメクチ
ックＡ（以下、ＳＡと省略する。）相を有する場合に配
向けより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左
螺旋を生しさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる
光学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られ
ている。（ネマチック（以下、Ｎと省略する。）液晶に
光学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さ
に調整することは既に公知の技術である。）しかし、こ
れらの技術によっては良好な配向性は得られるものの、
高速応答性が得られるわけではなかった。

高速応答性を示すには、例えば、第１２回液晶討論会に
おける特別講演（同討論会予稿集Ｐ、９８）で示されて
いるように、低粘性のスメクチックＣ（以下、ＳＣと省
略する。）相を示す母体の液晶組成物（以下、ＳＣ母体
液晶という。）に、自発分極（以下、Ｐｓと省略する。

）の大きいｓｃ”化合物を添加する方式が優れている。

この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物の
割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなるが
、配向性が良好となるほど螺旋ピ・ンチを長くしようと
すると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり
、そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得
られなくなってしまう問題点があった。

また、ＳＣ母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ゛８６講演予稿集
（３５２ページ〜）又は特開昭６２−５８３号公報に記
載されている。

（Ｒ，Ｒ’はアキラルなアルキル基を表わす。）（Ｒ，
Ｒ’は上記と同様。） の如く、化合物自身又はその同族体が、ＳＣ相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール（分極）を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、ＳＣ相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとＳＣ相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。

従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。

本発明が解決しようとする課題は、高速応答性及び配向
性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成物
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

・・・（Ａ） で表わされる光学活性化合物の少なくとも１種を構成成
分として含有するキラルドーバントを添加して成る室温
を含む広い温度範囲でＳＣ”相を示すＳ、’Ｅ″液晶組
成物を提供する。

−船人（Ａ、）において、Ｒ１は炭素原子数２〜１０の
アルキル基又はアルコキシ基を表わし、Ｒ２は炭素原子
数１〜１０のアルキル基又は炭素原子数４〜１０の光学
活性アルキル基を表わし、ｌは０−１０の整数を表わす
　Ｚ　Ｓは−ｏ−−−ｃｏ。

０ＣＯ−又は単結合を表わす。Ｃ＊及びＣ−は各々独立
的に（Ｒ）配置又は（Ｓ）配置の不斉炭素原子を表わす
。Ｘは一般式（Ｂ） 液晶に、−船人（Ａ） 一般式（Ｃ） 又は−船人（Ｄ） されていても良い。Ｙｌ　はフッ素原子、塩素原子、シ
アノ基、メチル基、メトキシ基を表わし、Ｚｚ２ヌはＺ
ｆｆは各々独立的に単結合、−ＣＯＯ−０ＣＯ−−ＣＨ
ｚＯ０Ｃ１ｂ　　　　ＣＨｚＣ）ｔｚ＝］１ −５−Ｃ−又は−ＣＨ＝Ｃｌｌ−を表わし、Ｚ４は−Ｃ
１ｌ□−５員環又は６員環の炭化水素環を表わすが、環
中Ｙ′ の任意の１〜２個の−Ｃｌ−は、−Ｎ−又は−〇−に置
換されていても良く、また、環中の任意の１〜２個の−
ＣＨ，−は、−０−−Ｓ−−Ｎｌｌ−−ＣＩ！−Ｃ−−
５−１又は−叶−を表わし、ｍ及びｎは各々独立的にＯ
又は１を表わす。）で表わされる液晶性分子の中心骨格
（コア）部分を表わす。

特に好ましくは、−船人（Ａ）において、Ｘが一般式（
Ｅ） （ハ）■相→Ｎ相→ＳＣ相の相系列を有するも立的に水
素原子、フッ素原子、塩素原子又はシアノ基を表わすが
、Ｙ２とＹ３が同時に水素原子を表わすことはない。Ｚ
ｌ　、　７．Ｚ及びｍは前記と同じものを表わす。） で表わされる化合物である。

本発明で使用するＳＣ母体液晶は、そのＳＣ相の高温側
において、降温時に、 （イ）！（等方性液体）相−→Ｎ相→ＳＡ相→ＳＣ相の
相系列を有するもの （ロ）■相→ＳＡ相→ＳＣ相の相系列を有するもの の 又は （ニ）■相→ＳＣ相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、（イ）〜（ニ）の
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
。最も繁用性のあるのは（イ）であり、キラルドー・パ
ントのネマチ・ンク性（ＳＣ母体液晶に添加した場合に
、Ｎ９相の温度範囲を広げ、ＳＡ相の温度範囲を狭くし
やすい傾向）が強い場合には（ロ）を、キラルドーバン
トのスメクチックＡ性（ＳＣ母体液晶に添加した場合に
、ＳＡ相の温度範囲を広げ、Ｎ″′相の温度範囲を狭（
しやすい傾向）が強い場合には（ハ）を、床た、ＳＣ性
が弱く、Ｎ′″相やＳＡ相の温度範囲を広げやすい場合
などには（ニ）を用いるのが、最も適している。重要で
あるのはＳＣ１液晶組成物とした場合の相系列であって
、−船釣には、１→Ｎ１→ＳＡ−＋ＳＣ”の相系列が配
向の点で有利である。一方、■→Ｎ１→Ｓ０１の相系列
も配量制御方法によっては、より良好な配向を示す場合
もあり、また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト
・ホスト方式などには適している。

本発明で使用するＳＣ母体液晶は、従来用いられてきた
ようなＳＣ相を示す化合物から成る組成物を用いること
もできるが、より高速応答性を得るためには、以下に示
すような組成物がより好ましい。

即ち、主として２環構造であり、室温に近い温度でＳＣ
相を示す化合物又はその同族体（アルキル鎖のみが異な
る化合物）から成る組成物（以下、中温域母体液晶とい
う。）に、ＳＣ相の上限温度を高くするために、ＴＣ点
（ＳＣ相又はＳＣ′″相の上限温度を表わす。）が高く
、３環以上の環構造を有する化合物又はその同族体から
成る組成物（以下、高温液晶という。）を加えて成る組
成物である。

ここでいう中温域母体液晶とは、それを構成する液晶化
合物が、光学的に不活性であり、２環又は３環構造であ
って、３環構造の場合には、少なくとも１環はシクロヘ
キシル環であって、ＳＣ相を示す化合物又は、そのアル
キル鎖の炭素原子数、形状のみが異った同族体から成り
、その同族体中の少なくとも１種の化合物は１０℃以上
における任意の１℃以上の温度中の範囲でモノトロピッ
クでもよいＳＣ相を示す化合物である。ただし、３環構
造の場合には、ＳＣ相の上■温度が９０　’Ｃ未満であ
る液晶であり、工０℃〜８０″Ｃにおける任意の１０℃
以上の温度中でモノトロピックでもよいＳＣ相を示すも
のである。

中温域母体液晶として用いられる化合物の代表的なもの
を以下に掲げる。ただし２、以下に示す一般式において
、Ｒ，、Ｒ２は各々独立的に炭素原子数１〜工８のアル
キル基を表わす。

ノ （Ｉ ａ） ａ−７） ＲｌＯｑＯＲｌ （Ｉ　−ａ−９） Ｒ９＋泣ＯＲ。

Ｎ （１−ａ−１０） Ｒ１０（防４淋Ｆｉ。

−Ｎ （■ ａ−１１） Ｒ，ｏｐ訓冴騙ＯＲ。

−Ｎ （Ｉ Ｒ，０爬トドＯＲ。

−Ｎ （■ ｂ） （１−ｂ−３１） （１−ｂ−３２） （１−ｂ−３３） （１−ｂ−３４） （ｆ　−ｂ−３５） （１−ｂ−３６） ｏｃｏ合ｃｏｏや輝Ｒ２ Ｒ，ｏｃｏｏ＋ｃｏｏＪ防Ｒ２ Ｒ，０ＣＯＯよ濾ｃｏｏ（ｃ訓Ｒ２ ｐ、ｏｃｏｏ（伽Ｃ００（防Ｏｆ？。

Ｒ，０ＣＯＯ＋ｃｏｏ（（頌ＯＲ。

！？、０Ｃ００−■−０００（防Ｏ１１゜（Ｉ　−ｂ−
３７） Ｒ１０畳０００（涙０ＣＯＯＲＺ （１−ｃ−２２） ＲＩＣＯＯ−（５）ｃｏＯ−＜’５’、−Ｃ００Ｒ２ρ （Ｉ　−ｃ−２４） Ｒ，０ＣＯ（トＣＯＯ−乍”；７−ＣＯ０Ｒｚ（１−ｃ
−２５） Ｒ，Ｏ（（奈ｃｏｏ→厄←ＯＲ。

−Ｎ （Ｉ　−ｃ−２７） ＲｒＣＯＯ＋　ＣＯＯ−の−ＯＲ。

−Ｎ （Ｉ ｄ） （■ ｃ−５３） Ｒ１０（←ｏｏ（トＯＲ２ ρ （１−ｃ−５５） Ｒ，０子Ｃ００（ＸＯＣＯＲｔ （Ｉ ｃ−５７） （１−ｃ−５８） ＲＩＣＯＯ＋ＣＯＯ−＠−Ｒｚ Ｒ＋Ｃ０Ｏ−ｏ−Ｃ００（ト０Ｒｔ （■ ｃ−６０） Ｒ，Ｃ００＋ＣＯＯ（ＸＯＣＯＲｔ （１−ｅ） （１−ｅ４） （１−ｅ−２） 以上の化合物のうち、中温域母体液晶としては、式（１
−ａ）及び式（１−ｂ）で表わされる化合物が好ましく
、式（１−ａ−１）、弐（１＝ａ２）、式（１−ａ−５
）、式（１−ａ−４１）、。

式（Ｉ−ａ−４２）及び弐Ｎ−ｂ−１）で表ゎされる化
合物が特に好ましい。

ノ ここでいう高温液晶とは、主として３環構造からなるか
、あるいはそれ以上の環からなり、ＳＣ相を示す光学活
性でない化合物、その同族体、又は、これらから成る組
成物であって、ＳＣ相を示す化合物はそのＳＣ相の上限
温度が９０℃以北であり、かつ、少なくとも５度以上の
温度幅の温度域においζＳＣ相を示すものであり、その
同族体においては上限温度が９０℃未満であってもよく
、温度幅が５度未満であってもよく、あるいはＳＣ相が
モノトロピックであってもよいものであり、組成物とし
て、ＳＣ相の上限温度が９０℃以」二で４少なくとも５
度以上の温度幅の温度域においてＳＣ相を示すものであ
る。

高温液晶として用いられる化合物の代表的なものを以下
に掲げる。ただし以下に示す一般式において、Ｒ，、Ｒ
，は各々独立的に炭素原子数１〜・１８のアルキル基を
表わす。

ノ ／ ／ （■ ａ） （ＩＩ［−ａ Ｒ，０べ≧う〉（誇ＯＲ。

（■ ａ−１２） Ｒ，０べ３う〉（計ΣΣ〈く頌トｏｐｚ（Ｉｔｌ−ａ−
１３） （ＩＩＩ−ａ−１４） ・・Φズ防蔓・・ ・・るＹ沢勅・・ ＜ｍ−ａ （Ｉｌｌ−ａ−１６） ・・ΦＺ沢（ハ）・・ ＲＩΦシ（ｒう４ｏＲ。

（ＩＩＩ−ｂ） （ＩＩＩ−ｃ） （■ ｄ） （ＩＩ［−ｄ ・（認沢灸・・ （■ ｄ−１０） （■ ｄ−１１） Ｒ，０バ３＝つ日６＝わ８づ面ε＞Ｒ。

Ｒ，ＯΦ罵防蕨Ｒ２ （■ Ｒ１０−ｆ■◎０ｈ （ＩＩ！−ｅ） （■ Ｃ） ＜ｒｌｉ−ｆ Ｒ５（バ亜ｃｏｏ■０ＣＯＲ。

（１−ｆ Ｒ，Ｏ象Ｘ僚ｃｏｏ◎０ＣＯＲ１ （ｔ［［−ｆ−１９） （Ｉ［Ｉ　−ｆ−２０） （Ｉ［−ｆ−２１） （ＩＩＩ　−ｆ−２２） Ｒ，ｃｏｏ（メ■ＣＯＯ−＠−ＲＺ Ｒ，ＣＯＯ（Ｘ亜Ｃ００ＧＯＲ２ Ｒ１（〆停ｃｏｏ（シＣ００Ｒ２ Ｒ（防□□□ｃｏｏ曇ＣＯＯＲ２ （ＩＩＩ−ｇ） （■ ｈ） （ＩＩ［−ｉ） （■ ｊ） （■ ｋ） （■ 以下に掲げる複素環を有する化合物も高温液晶として使
用することができる。また、以下に掲げる一般式で示さ
れる複素環を有する化合物におけるベンゼン環、シクロ
ヘキサン環にフッ素原子、塩素原子又はシアノ基が置換
した化合物も高温液晶として使用することができる。

ノ （ｆｆｉｌ） （ＩＩＩ　−ｍ−９） （■−１１０） （Ｉｎ　−ｍ−１１） （Ｉ［ｌ−０１−１２） （Ｉ［［−ｍ−１３） （１−ｍ−１４） （ＩＩＩ−ｎ＋−１５） （ｍ　−ｙｓ−１６） Ｒ１０（妥１ＣＯＯ（）−Ｒ２ Ｒ，０℃ｈ騒Ｃ００＜　０Ｒ２ Ｒ１（妥ヒＣ００（）ｏｃｏＲ２ Ｒ，ＣＯＯ℃＼功Ｃ００（い２ Ｒ１℃警５；’ｐｃｏｏ（（羽Ｒ２ Ｒ１（ハ可−ｃｏｏ＋ｏＲ− Ｒ１０℃胚奔ｃｏｏ（（羽Ｒ２ Ｒ，ＯΦＸ奔ｃｏｏ（羽ＯＲ。

（Ｉｎ　−ｍ−４１） （（ＩＩ−ｍ−４２） （Ｉｌｌ　−ｍ−４３） （ＩＩＩ　−ｍ−４４） （［１Ｉ−ｎ＋−４５） （Ｉｎ−ｍ−４６） （ＩＩＩ−ｍ−４７） （■−閂−４８） Ｒ１やぼＤＣｏｏ４）ＯｃＯＲｔ ＲＩＣＯＯ（０〆Ｄｃｏｏ−＠−Ｒ。

幀ｐ）＜ＤＣｏｏ（）Ｒ２ Ｒ１イの一＠−ＣＯＯ−＠−０Ｒ２ Ｒ，０（’β−＠−ｃｏｏ３ｐ。

Ｒ１０ＲＤ（）Ｃ００（）ｏＲ２ Ｒ１（、ｋ　Ｃ００（羽０ＣＯＲ。

Ｒ，ＣＯＯイの一＠−ｃｏｏ−＠−Ｒ。

（ｉｌｌ　−ｍ−７３） （Ｉｉｌ−ｉ−７４） （Ｉｌｌ−ｍ−７５） （ＩＩＩ　−ｎ＋−７６） （ＩＩＩ−＋５−７７） （ＩＩＩ　−ｍ−７８） （ＩＩＩ−ｍ−７９） （ＩＩＩ−ａ−８０） ｅ　（’ ａ、　　　　　　　ｃｏｏ　　ＱンＲ２Ｒ，％　ｃｏｏ
心＞　ＯＲ。

Ｒ，０℃＋ｃｏｏ（ｏ’）−Ｒ。

ＲｒＯｎ　ＣＯＯ心）−ｏｐ。

Ｒ，ｍ　ｃｏｏ挺’、−ｏｃｏＲ２ ＲＩＣＯＯΦＸ悴ｃｏｏ鞄ＹＲ２ ｐｌｅｃｏｏ−＜ｐ）ｐ２ Ｒ１（ｘ暗ＣＯＯ−＜ｐ）ＯＰ２ （■ ｎ） （ＩＩＩ　−ｎ−２９） （Ｉｌｌ　−ｎ−３０） （ｉｎ−３１） （ＩＩＩ−ｎ−３２） （ＩＩＩ−ｎ−３３） （ＩＩＩ−ｎ−３４） （■〜ｎ−３５） ＣＩ［ｌ−ｎ−３６） Ｒ（Ｎ７ｏｃｏ−◎０ＣＯＲ□ ＲＩＣＯＯ（３）＼奔０ＣＯ（鎮っ Ｒ（）信置ｏｃｏや〜Ｐ２ ＲＩ（丙防０ＣＯ（）ＯＲｔ ＲｌＯ（丙ン０ＣＯ（澱２ Ｒ１０（同防０ＣＯ−Ｃ←Ｒ７ Ｒ１−＠ｒ４火０ＣＯ（）ＯＣＯＲ２ ＲＩＣＯＯ（３）Ｘ防ｏｃｏ（）Ｒ２ （ＩＩＩ　−ｎ−６１） （ＩＩＩ−ｎ−６２） （ＩＩＩ−ｎ−６３） （ＩＩＩ−ｎ−６４） （■−ロー６５） （Ｉ［ｌ−ｎ−６６） （ＩＩＩ−ｎ−６７） （Ｉｆｆ−ｎ−６８） １？、屯べ）Ｑｏｃｏ−＠−ｐ。

Ｒ１祖Ｈ（ハ）ＯＣＯｕ　０Ｒ２ Ｒ，Ｏ祖Ｒ灸ｏｃｏ（鎮２ Ｒ，０祖べ灸ＯＣＯ＋　０Ｒｚ Ｒ１祖ぺ灸ｏｃｏ−■０ＣＯＲ２ Ｒ＋ＣＯＯ祖状□□□ｏｃｏ−＠−１？。

Ｒ１に衿０ＣＯ（頑Ｒ２ ト◎−０−ＯＣＯ−◎ＯＲ２ （ｍ　−ｎ−９３） （ＩＩＩ−ｎ−９４） （ＩＩＩ−ｎ−９５） （Ｉｌｌ−ｎ−９６） （ＩＩＩ　−ｎ−９７） （１−ｎ−９８） （ＩＩＩ−ｎ−９９） （Ｉｎ−ｎ−１００） Ｒ５０＃０ＣＯ−＠−Ｒ。

Ｒ，ｏｅ　ｏｃｏ　＋　０ＲＺ Ｌ％　ＯＣＯｉ　ＯＣＯ”２ ＲＩＣＯＯ％　ｏｃｏ　＋Ｒｚ Ｒ１＞ＯＣＯ＋”− Ｒ，やＸ■ｏｃｏ　＋０Ｒ２ ＲＩＯ＞　ｏｃＯ＋Ｒ２ Ｒｔｏｄ　ｏｃｏ−＋０Ｒ２ （ｍ　−ｏ） （Ｉｆｆ−ｏ４７） （■〜ｏ−１８） （］ＩＬｏ−１９） （ＩＩＩ−ｏ−２０） （ＩＩＩ　−ｏ−２１） （Ｉｌｌ−ｏ−２２） （ＩＩＩ−ｏ−２３） （Ｉ［［−ｏ−２４） Ｒ，鞄図５’）−ｃＨ−ｏ−４の一〇ＣＯｔ？ｚＲ１Ｃ
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羽（ト山０金Ｒ２ （［１−ｏ−４９） （Ｉ［Ｉ　−ｏ−５０） （ＩＩＩ　−ｏ−５１） （ＩＩＴ−ｏ−５２） （ＩＩＩ−ｏ−５３） （ＩＩＩ　−ｏ−５４） （ＩＩＩ−ｏ−５５） （ＩＩＩ−ｏ−５６） Ｒ１（頑◎ＣＨ，Ｏ＋Ｒｚ Ｒ１而醜（９）ＣｌｈＯ合ＯＲ。

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ｔｌｘｃ！Ｉｔ％ＯＲ。

Ｒ１（）Ｑｃｎｔｃｕｔ（ツ０ＣＯＲｔＲＩＣＯＯ９Ｃ
ＨｚＣｔｂｅ　Ｒ１ （ＩＩ［−ｑ−５７） （ＩＩＩ　−ｑ−５８） （ＩＩＩ−ｑ−５９） （０１−ｑ−６０） （ＩＩＩ　−ｑ−６１） （ＩＩＩ　−ｑ−６２） （ｍ　−ｑ−６３） （ＩＩＩ　−ｑ−６４） 古Ｘ可−−〇− Ｒ，ＯＣ１ｌ□ＣＩｌ、　　　　　　　ｌ？２喪バ■　
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９） （ＩＩＩ　−ｑ−９０） （ＩＩ　−ｑ−９１） （ＩＩＩ　−ｑ−９２） （ＩＩＩ　−ｑ−９３） （Ｉ［［−ｑ−９４） （ＩＩ［−ｑ−９５） （ＩＩＩ　−ｑ−９６） Ｒ１＄ＣＨ２Ｃｌ１２−＠−０ＣＯＲＺＲ，ＣＯＯ℃＋
ｃＩＩ２ＣＨｚ＜Ｏ＞　Ｒ２Ｒ１Ｉ　ＣＩＩＺＣＨべ５
？Ｒ− Ｒ，＄　ｃＨ２ＣＨｚ６　ＯＲ。

Ｒ，０℃ｈ’、−ＣＨ□Ｃ）Ｉｔ会Ｐ２Ｒ，ｏ（（羽ぐ
シＣＨ□山会ＯＲ。

Ｒ１ｑ　ＣＨ２Ｃ’ｈ−＠−０ＣＯＲｚＲ，ＣＯＯ℃＋
ｃｏ２ｃｏ−＠−Ｒ＝ 本発明におけるＳＣ母体液晶において、上記高温液晶の
割合が多くなりすぎるとＳＣ相の温度範囲は高温域まで
広がるものの、粘性が高くなって応答性に悪影響を及ぼ
し、少ない場合にはＳＣ相の温度範囲が狭くなってしま
うので、その割合は５〜８０重景％ルビましく、１０〜
５０重量％が特に好ましい。

斯くして、ＳＣ相の温度域が広く、かつ低粘性であるＳ
Ｃ母体液晶を得ることができる。これに、キラルドーバ
ントを添加することにより、容易に高速応答性のＳＣ１
液晶組成物を得ることができる。

本発明で使用するキラルドーバントとしては、（１）Ｓ
Ｃ”相を示す化合物、（２）　Ｓ　Ｃ”相思外の液晶相
のみを示す化合物又は（３）液晶性を全く示さない化合
物を用いることができるが、（３）の場合には、ＳＣ母
体液晶に添加して得られるｓｃ”液晶組成物の液晶性が
低下する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有す
る化合物を用いることが好ましい。

キラルドーバントがＳ００液晶組成物にもたらす諸物性
のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発分
極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルドー
バントを構成する各化合物の光学活性部位により最も大
きな影響を受ける。

これまでキラルドーパント、ＳＣ２化合物又はネマチッ
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。

ＣＨ。

（ＩＶ　　１　）　　　　＋　ＣＨｚ　＋−ＣＩ（Ｃｚ
！１ｓ（ＩＶ−２） ＣＨｏ ０＋　ＣＨ２＋−Ｃ１ｌ−ＣｚＨｓ （ＩＶ−３） ＣＨ３ ＋　ＣＨｘ＋ＶＯ＋　ＣＨｚ　−）−ｉｉ−ＣＨＣ２Ｈ
３（ｒＶ−４） ＣＨ３ −０（−ＣＦｌｚ＋Ｖ−０−（−ＣＬ　−ｈ−Ｃ［Ｉ　
　ＣｚＨｓ（ＩＶ−１２） Ｃ１＋。

ＣＨＲ４ （ＴＶ−１３） ＣＨ３ −ＣＨｚ　Ｃｈｉ　　ＣＨ２’０Ｒｓ （ＩＶ−１４） ＣＨ３ −ＣＩ−ＣＩ□−ＯＲ。

（１ｖ−ソノ し−Ｕ　　ｔ　Ｌ；ｌＩｚ　＋−ｃＨＲ３（ＩＶ−１’
）ノ ー（、Ｌｌ　　に１ｔ２Ｌ；ｔｌｚ−Ｌｉｔ−ｔ、１Ｉ
ｚｕＪＬ、Ｊ　　ｕｌｌ−１，ｆｉｔＣＢ。

Ｃ）ｌ−１１１１１ｚＧＨｚｃＨ ｌ１３ （ＩＶ−１８） ０−Ｃ１ｈＣＨ２ Ｃ−ＣＨ：１ （ＩＶ−３２） ＣＨ３ １中 −０−ＣＨＲａ （ＩＶ−２１） ＣＨ３ −Ｓ　＋　Ｃ１（、±、　Ｃｔｌ（Ｃ）Ｉｚ）−ＣＨ３
（ＩＶ−４３） 一〇−シーシれ υｈｓ （ＩＶ−５３） ＣＨ３ （・ ＣＨ−０−Ｒ５ （ＩＶ−５５） ＯＣＨ２ＣＨＲｓ （ＩＶ−６２） ｈ −ｏ−ＣＩ−Ｒ５ （ＩＶ−６４） ＣＩ３ ０　　Ｃ１１ｚ　　ＣＩ　　ＣｆＬｚ　　０ＲｓＣＨ。

ＯＣＲＣＨ２０Ｒ５ （ＩＶ−６６） ＣＨ３ −Ｏ＋　ＧＨｚ−＋−Ｔ−ＣＨ（ＣＨｚ）ｉｉ−０Ｒ５
（ＩＶ−５７） ｌ１ Ｏ−ＣＨｔ　　Ｃ１ｌ　　Ｒｓ （ＩＶ−６１） −し一〇−しｉ−に５ （ＴＶ−６９） −ＣＯ０ＣＩｂ　　ＣＨＲｓ （ＩＶ−７１） ＣＩ＋３ ０　　ＣＨ−Ｃｆｈ　　ＯＣＯＲ５ （ＩＶ−７２） ＨＩ ＯＣＨＣ）Ｉｔ（ＣＨｚ）ｒ　０ＣＯＲｓ（ＩＶ−７３
） ｌｈ ＯＣＬ−（ａｌ　４Ｃｔｌｚｈｒ同ＣＯ［ｌＳ（ＩＶ−
７６） Ｃ１１゜ Ｓ　　ＣＨＲｓ Ｃｌ１３ ＣＨ３ （ＩＶ−８０） −Ｃ００ＣＩＩ□−ＣＨ−Ｒ５ （■ 一〇 Ｎ Ｃｌ１２−　ＣＩ　−Ｒ。

（■−８２） Ｎ −Ｃ）Ｉ−Ｒ。

（■ Ｏ０ Ｈ２ＣＮ Ｃ）１．−Ｃ１ｌ−Ｒ。

（ＩＶ−８４） Ｃ）１２ｃＮ −−０−ＣＩ（□−Ｃ）Ｉ−Ｉｌｌ。

上記各−船人において、ｍは１〜４の整数を表わし、ｎ
は１．−１０の整数を表わし、１ン３は炭素原子数３〜
８のアルキル基を表わし、Ｒ４は炭素原子数２〜１０の
アルキル基を表わし、Ｐ、は炭素原子数１〜１０のアル
キル基を表わし、Ｒ７は炭素原子数１〜４のアルキル基
を表わす。

光学活性基として、弐（ｒＶ−１）〜（ｉＶ−２２）で
表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物は
、ＳＣ母体液晶に添加してｓｃ”液晶組成物とした際に
誘起される自発分極が非常に小さく、単独でＳＣ“相を
示す場合でもそのほとんどが１０ｎＣ／ｃｍ”以下にす
ぎない。

一方、光学活性基として１、式（ＩＶ−３１，）〜（■
９１）で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合
物は、ＳＣ母体液晶に添加してＳＣ°液晶組成物とした
際に誘起する自発分極が大きく、単独でＳＣ″′相を示
す場合などでは３００　ｎＣ／ｃ＋＋＋”以上の大きな
値を示すものも存在する。

特に、弐（ＩＶ−４５）　、式（ＩＶ−４６）及び式（
■−４７）で表わされる光学活性基を有する化合物は大
きい自発分極を誘起することが可能であり、４本発明に
おいては、一方の光学活性基としては、式（ＩＶ−４５
）　、式（ＩＶ−４６）又は式（ＩＶ−４７）から、他
の光学活性基としては、式（ＩＶ−１）　、式（■−２
）、式（ＩＶ−５）〜式（ＩＶ−１２）　、式（ＩＶ−
１５）、式（■−１６）、式（ＩＶ−１９）　、式（ｒ
Ｖ−２０）、弐（ＩＶ−３１）〜弐（ＴＶ−３３）　、
式（ＩＶ−４３）　、式（ＩＶ−５３）　、式（ＩＶ−
７４）及び式（ＩＶ−７５）等のＣ１ｌ：ｌ 一般式Ｒ’　　Ｃ）Ｉ　ｆＣＨ２）Ｔｉ’″−（式中、
Ｒ’、　　ｆｆｉ、　Ｚ”は−船人（Ａ）と同じものを
表わす。）で表わされる光学活性基から選ばれるところ
の、複数の光学活性基を有する化合物をキラルドーパン
トの構成成分として使用することを特徴の１つとするも
のである。

弐（ＴＶ−１＞　、式（ＩＶ−２）、式（ＩＶ−５）〜
式（ＩＶ−１２）　、弐（ＩＶ−１５）　、式（Ｉ’ｖ
’ｉ６）、式（■−１９）及び式（■−２０）で表わさ
れる光学活性基に由来する自発分極は、弐（ＩＶ−４５
）　、式（ＩＶ−４６）及び弐（ＩＶ−４７）で表わさ
れる光学活性基に由来するものと比較すると、非常に小
さいので、組み合せを考える場合、螺旋ピッチの向きだ
けを考慮すればよい。

式（ＩＶ−３１）〜式（ＩＶ−３３）、式（ＩＶ−４３
）、式（ＩＶ−５３）　、弐（■−７４）及び式（ＩＶ
−７５）等で表わされる光学活性基と組み合わせる場合
には、両者の自発分極の方向を揃えることが望ましく、
相反している場合には化合物の自発分極が非常に小さく
なることがある。

このような光学活性基を末端に有するような光学活性化
合物の基本骨格（−船人（Ａ）におけるＸ）の代表的な
ものを以下に掲げる。

（Ｖ−２４） ■）−ｃ＝ｃ−００ｏｃｏ−＠ （Ｖ−４８） ℃ＨＳイ） （Ｖ−９６） 一〇ＦＷ・・・−骨 （Ｖ−１２０） 分・・・４ト〈：今 （Ｖ−１４４） ◇）ｏｃｏ　−０べ州 （Ｖ−１６８） ※Ｘ・・・−Ｃ戸０ （Ｖ−１９２） 侶＋ｏｃｏ（） （Ｖ　−２４０） ■イキ・・・（） （Ｖ や）ＣＨ□０奏吹糸次 （Ｖ そＯＣＨ，やトメ、 Ｎ （Ｖ （いＣＯ享 （Ｖ 合ＣＨ□Ｏ享 （■ （いＣＨ，赫 （Ｖ ０Ｃ００＾込 （Ｖ−４８４） 舎ｏｃｏ＾人 （Ｖ （Ｅ＞−ＣＨ２０赫 （Ｖ 〈）０山ヱソベ （Ｖ−５０８） （濾■−・・・挾〆、 （■ 鞄べ發ｏｃｏ赫 Ｃ〜 （Ｖ−５１１） やバ其０ＣＩ（スス Ｎ 上記のうち、弐（Ｖ−１）〜式（Ｖ−２７４）で表わさ
れる基本骨格、及びそれらのベンゼン【。

が、フッ素置換したものが好ましく、式（Ｖ−１〜式（
Ｖ−３）、式（Ｖ−７）〜式（Ｖ−９）、式（Ｖ−１７
）、（Ｖ−１８）、式（Ｖ−２１）式（Ｖ−２２）又は
式（Ｖ−２５）〜式（Ｖ−２７４）で表わされる基本骨
格が特に好ましい。

具体的には、例えば、以下の化合物を挙げることができ
る。

ノ 上記各基本骨格のベンゼン環にフッ素原子、塩、素原子
、臭素原子、メチル基、メトキシ基、シアノ基又はニト
ロ基が置換した各基本骨格も使用できる。特にフッ素原
子が置換した各基本骨格が好ましい場合が多い。また、
上記各基本骨格のうち、左右非対称なものについては、
左右が逆のものも同様に使用可能である。

上記中、Ｃは結晶相、Ｎ１はキラルネマチック相、ＳＡ
はスメクチックＡ相、Ｓ８は帰属不明のスメクチック相
を各々表わす。

以上のような一般式（Ａ）で表わされる化合物をキラル
ドーパントの構成成分として用いることによる利点とし
て以下に挙げることができる。

（１）片側にのみキラル基を有する化合物より強い自発
分極を示しうる。

即ち、前記化合物（Ａ）と、次の一般式（Ｆ）（式中、
Ｒ７は光学的に不活性なアルキル基を表わし、Ｚ”、Ｘ
、Ｃ”、Ｒ”　は−船人（Ａ）と同じものを表わす、） で表わされるところの片側にのみ、式（ＩＶ−４５）。

式（ＩＶ−４６）又は式（ＩＶ−４７）で表わされる光
学活性基を有する化合物をそれぞれＳＣ母体液晶に添加
して−２その外挿値とＣ７て自発分極を求めると、７同
一条件下では、−船人（Ａ）で表わされる化合物の方が
相当大きく、特に、他力の光学活性基が式（ＩＶ−３１
）〜式（ＩＶ−３３）　、　（ＩＶ−４３）　、式（Ｉ
Ｖ−５３）　、式（ＩＶ−７４）又は弐（ＩＶ−７５）
から選ばれた場合には１００〜２００　ｎＣ／　Ｃ１ｍ
”あるいはそれ以上大きな値を示す場合もあることがわ
かる。

キラルドーバントとして用いる際には、その誘起１゛る
自発分極が大きい程、その使用量が少量ですむので、粘
性の低いＳＣ母体液晶の割合を多くでき、ＳＣ２液晶組
成物の粘度低下が可能となり、結果として応答性の向上
につながるものである。

（２）Ｎ“相あるいはＳ０２相に誘起する螺旋ピッチが
非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺旋ピ
ッチを調整することが可能である。

前述のように良好な配向性を得るためには、そのＮ”相
あるいはＳＣ１相における螺旋ピンチが長いことが重要
である。キラルドーバントは全体として螺旋ピッチが調
整されていればよいのであって、個々の化合物について
は、必ずしもその必要はないが、キラルドーバントの主
成分としては、ある程度螺旋ピッチが長い方が、その調
整が容易である。また、螺旋ピッチの調整を主目的とし
て加える化合物では、その螺旋ピンチが短い程、その添
加量を押えることができるので好都合である。

一般弐（Ａ）の化合物は、キラルドーバントの構成成分
として５重量％以上、好ましくは、２０重量％以」−用
いるのがよく、他の構成成分としては前述の式（Ｖ−Ｌ
）〜式（Ｖ　＝５３９）で表わされる基本骨格に式（Ｉ
Ｖ−ｉ）〜式Ｈｙ−９１）で表わされる光学活性基のう
ち、任意の２個あるいしＪ、１個（他方は光学的に不活
性な鎖状基）が側鎖として結合した化合物を用いること
ができる。

上記のキラルドーバントは、ＳＣ母体液晶中に１〜６０
重量％の割合で添加してＳＣ”液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは２〜５０重量％の
割合で添加することが好ましい。キラルドーバントの添
加割合が６０重量％より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーバント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、Ｓ００液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない。また、キラルドーバントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない。一方、キラル
（！・−バントの添加υＩ合が１重量％より少ないと、
自発分極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望め
ない。

ｓｃ”液晶組成物の自発分極の値は、３〜３０ｎＣ／ｃ
ｍ”の範囲にあるようにキラルドーバントの添加割合を
調整することが好まし７く、Ｓ０１相を示すキラルＩ乙
−バントの場合、単独で１００ｎＣ／Ｃ１！”程度の自
発分極を示すか、又はそれに相当する強さの自発分極を
誘起するキラルドーパントの場合、キラルドーバントの
添加割合は１０〜４０重量％の範囲が好ましく、３００
　ｎＣ／　ｃａｎ”以上の強い自発分極を示すキラルド
ーパントの場合、キラルドーバントの添加割合は、２〜
２５重量％の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起
する自発分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減
少するが、例示した光学活性化合物からなるキラルドー
バントではその添加割合が１重量％を下回ることはない
。

本発明のＳ００液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてＮ１相、次いでＳＡ相を経てＳ００相へと
相転移するが、その際Ｎ０相からＳＡ相への相転移温度
（以下Ｎ”−３Ａ点という、）から、該Ｎ”−３Ａ点の
１度高温側までにおけるＮ”相に出現する螺旋のピッチ
が３μｍ以上であるＳ０１液晶組成物がより好ましく、
該螺旋のピッチが１０μｍ以上であり、Ｎ”−３Ａ点に
近づくにつれて該螺旋のピッチが発散的に大きくなるＳ
Ｃ“液晶組成物が特に好ましい。

−船人（Ａ）の光学活性化合物のうち１５両側のキラル
基によって、Ｎ”相に誘起される螺旋の向きが互いに逆
であるような化合物では、その誘起する螺旋ピッチがか
なり長いため、このような化合物をキラルドーパントの
主成分として用いる場合には螺旋ピッチの調整が不要で
あるか、あるいは容易であることが多いが、−船釣には
以下のようにして螺旋ピッチを長く調整することができ
る。

複数の光学活性化合物を含むＳ０１液晶組成物のＮ１相
に出現する螺旋のピッチＰ（μｍ）は各光学活性物質の
濃度をＣｉ、各単位濃度あたりの螺旋のピッチをＰｉ　
　（μｍ）とするとおり、（ここでは螺旋のピッチは右
巻きを正、左巻きを負とする。）、これを用いてＳ００
液晶組成物の５Ａ−Ｎ”点Ｔ０におけるｐｉをＰＴ”と
する時、となるようにＣｔを選べばよい。ここでＰｉは
Ｎ相を有する該ＳＣ母体液晶に各光学活性化合物を単位
濃度添加することにより測定が可能である。

実際にはＴｏは各（ｊによって変化するが、各光学活性
化合物を該ＳＣ母体液晶中に、濃度ΣＣｉだけ添加した
ときの５Ａ−Ｎ”点の変化などから、かなり正確に類推
できることが多く、推定値Ｔ。′とそれを用いて選ばれ
た組成物のＴｏとが大きく異なる場合にはＴ０′に換え
てＴｏを用いて再度測定すればよい。

本発明のＳ０１液晶組成物のＮ０相を示す温度範囲は、
３度以上３０度未満の範囲が好ましい。

Ｎ“相を示す温度範囲が、３未満である場合、降温時に
すみやかにＳＡ相に相転移するため、Ｎ”相で液晶分子
を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくない
。また、Ｎ１相を示す温度範囲が３０度以上である場合
、Ｓ００液晶組成物の透明点が高温になり、セルに液晶
材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及ばず
傾向にあるので好ましくない。

キラルドーバントは、キラルドーバント自体の液晶性の
有無にかかわらず、ＳＣ母体液晶に添加した場合に、 （１）　　Ｎ”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は （２）　　Ｎ”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のＳ０
１液晶組成物のＮ″相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、（１）の場合、Ｎ相を示す温
度範囲が狭いＳＣ母体液晶、又は、Ｎ相を示さないＳＣ
母体液晶を用いればよ（、（２）の場合、Ｎ相を示す温
度範囲が広いＳＣ母体液晶を用いればよい。この方法は
、Ｎ＊相に限らず１、ＳＡ相及びＳＣＩ相についても同
様に応用することができる。例えば、キラルドーバント
がＳＣ１液晶組成物のＳＡ相のみを拡大し、Ｎ”相及び
Ｓ０１相を縮小するような場合には、ＳＣ母体液晶とし
て、ＳＣ相の上限温度が高く、Ｎ相の温度範囲が広く、
かつ、ＳＣ相→Ｎ相→Ｉ相の相系列を有するもの、又は
ＳＡ相の温度範囲が狭＜ＳＣ相→ＳＡ相→Ｎ相→ｌ相の
相系列を有するものを用いればよい。

このようなキラルドーパントの傾向は、ＳＣ母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるＳ００液
晶組成物の相転移温度の変化合測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、Ｓ０４液晶組成
物における。各相、特にＮ１相を示す温度範囲は容易に
調整することができる。

本発明で使用するキラルドーバントとしては、一定量の
ＳＡ母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極（以下、Ｐ、と省略する。）を誘起することが
必要である。

前述の如（、ＳＣ“液晶組成物としては、そのＰ、の値
が、特に室温付近で３〜３００Ｃ／ｃＩ１１２の範囲に
なるようにキラルドーパントの添加量を調整すればよい
。しかしながら、キラルドーバントが誘起するＰｌの値
が小さい場合には、その添加量がＳＣ母体液晶に対して
多くなり、これに伴なってＳ００液晶組成物の粘性が大
きくなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向
にあるので好ましくない、従って、本発明で使用するキ
ラルドーバントとしては、ＳＣ母体液晶に１０重量％添
加した場合に１．０ｎＣ／ｃｍ”以上のＰ、を誘起でき
るものが好ましく、５重量％添加した場合に０、５　ｎ
Ｃ／　ｃｒｘ”以上のＰ、を誘起できるものが特に好ま
しい。

〔実施例〕

以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例により限定
されるものではない。なお、実施例中、「％」は重量％
を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調節
ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳ
Ｃ）を併用して行った。

実施例１ 中温域母体液晶として前記−船人（１−ａ−１）で表わ
される化合物及び高温液晶として前記−船人Ｃｍ−ａ−
１）で表わされる化合物を以ｒの割合で用いてＳＣ母体
液晶（Ａ）を調製した。

（１−ａ−１） （ＩＩＩ−ａ−１） このＳＣ母体液晶（Ａ）は６８，５℃以下でＳＣ相を、
７３．５℃以下でＳＡ相を、８３．５℃以下でＮ相を各
々示す、低粘性の組成物であった。また、その融点は１
３．０℃であった。

次に、ＳＣ母体液晶に添加してＳＣ０液晶組成物とした
際に、Ｎ０相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として
前記式（Ｖｌ−１３）の化合物５５％と、左巻きの螺旋
を出現させる化合物として式台してＮ０相に出現させる
螺旋のピッチが調整されたキラルドーパントを調製した
。

このキラルドーパント１０％と前記ＳＣ母体液晶９０％
から成るｓｃ”液晶組成物の２５℃における自発分極の
値は１０ｎＣ／ｃｍ”であった。

このＳＣ＊液晶組成物は６９℃までＳＣ４相を、７３℃
までＳＡ相を、８０℃までＮ０相を各々示し、それ以上
の温度で等方性液体（１）相となった。

また、その融点は明確でなかった。このＳＣ“液晶組成
物の７４．５　”ＣにおけるＮ１相の螺旋ピッチは２０
μｍ以上であり、配向処理を施したセルに充填してＩ相
から徐冷すると極めて良好な配向性を示した。このセル
に電界強度１０ＶＦ−Ｐ／μｍの５０１Ｌの矩形波を印
加して、その電気光学応答速度を測定したところ、２５
℃で５２μ秒という高速応答性が確認できた。このとき
のチルト角は２３、５　”であった。

〔発明の効果〕

本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。

従って、本発明の強誘電性液晶組成物は、強誘電性スメ
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。

代 理 人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（１）光学的に不活性で、１０℃以上における任意
   の１度以上の温度巾の範囲でモノトロピックであっても
   よい、（ａ）２環構造のスメクチックＣ相を示す液晶化
   合物、（ｂ）シクロヘキシル環を有する３環構造のスメ
   クチックＣ相を示す液晶化合物、又は（ｃ）上記（ａ）
   又は（ｂ）の化合物のアルキル鎖の炭素原子数又は構造
   のみが異なった同族体、から成る中温域母体液晶と、（
   ２）光学的に不活性で、スメクチックＣ相の上限温度が
   ９０℃以上であって、かつ少なくとも５℃以上の温度域
   においてモノトロピックでもよい、（ａ）３環若しくは
   それ以上の環構造から成り、スメクチックＣ相を示す液
   晶化合物、又は（ｂ）該化合物のアルキル鎖の炭素原子
   数又は構造のみが異なった同族体から成るスメクチック
   Ｃ相を示す高温液晶、を含有するスメクチックＣ相を示
   す液晶組成物に、（３）キラルドーパントを添加して成
   る強誘電性液晶組成物であって、キラルドーパントが一
   般式（Ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１は炭素原子数２〜１０のアルキル基又は
   アルコキシ基を表わし、Ｒ＾２は炭素原子数１〜１０の
   アルキル基又は炭素原子数４〜１０の光学活性アルキル
   基を表わし、ｌは０〜１０の整数を表わす、Ｚ＾ａは−
   Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合を表わす。　
   Ｃ＾＊及びＣ＾＊＾＊は各々独立的に（Ｒ）配置又は（
   Ｓ）配置の不斉炭素原子を表わす。Ｘは一般式（Ｂ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式（Ｃ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は一般式（Ｄ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼及 び▲数式、化学式、表等があります▼は、各々独立的に
   飽和又は不飽和の５員環又は６員環の炭化水素環を表わ
   すが、環中の任意の１〜２個の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝又は
   ▲数式、化学式、表等があります▼に置換されていても
   良く、また、環中の任意の１〜２個の−ＣＨ＿２−は、
   −Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼に置換さ
   れていても良く、また、環中の任意の１〜２個の▲数式
   、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等が
   あります▼に置換されていても良い。Ｙ＾１はフッ素原
   子、塩素原子、シアノ基、メチル基、メトキシ基を表わ
   し、Ｚ＾１、Ｚ＾２又はＺ＾３は各々独立的に単結合、
   −ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿
   ２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は−ＣＨ＝ＣＨ−
   を表わし、Ｚ＾４は−ＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２
   −、−ＣＨ＝ＣＨ−、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼、−Ｓ−、又は−Ｏ−を表わし、
   ｍ及びｎは各々独立的に０又は１を表わす。） で表わされる液晶性分子の中心骨格（コア）部分を表わ
   す。〕 で表わされる光学活性化合物を含有することを特徴とす
   る、室温を含む広い温度範囲でキラルスメクチックＣ相
   を示す強誘電性液晶組成物。 ２、Ｘが一般式（Ｅ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式、表等が
   あります▼ は各々独立的に▲数式、化学式、表等があります▼、▲
   数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わし、Ｙ＾
   ２及びＹ＾３は各々独立的に水素原子、フッ素原子、塩
   素原子又はシアノ基を表わすが、Ｙ＾２とＹ＾３が同時
   に水素原子を表わすことはない。Ｚ＾１、Ｚ＾２及びｍ
   は請求項１記載のものと同じものを表わす。） で表わされる中心骨格（コア）部分である請求項１記載
   の強誘電性液晶組成物。 ３、等方性液体状態からの冷却時において、３度以上３
   ０度未満の温度幅を有するキラルネマチック相を経由し
   、該キラルネマチック相からより低温側の相に相転移す
   る温度から、該相転移温度の１度高温側までにおける温
   度域において、該キラルネマチック相における螺旋ピッ
   チが３μｍ以上である請求項１又は２記載の強誘電性液
   晶組成物。 ４、キラルネマチック相からの冷却時において、１度以
   上３０度未満の温度幅を有するスメクチックＡ相を経由
   し、キラルスメクチックＣ相に相転移する請求項３記載
   の強誘電性液晶組成物。