JPH02244601A - 抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
抵抗器およびその製造方法Info
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- JPH02244601A JPH02244601A JP1065413A JP6541389A JPH02244601A JP H02244601 A JPH02244601 A JP H02244601A JP 1065413 A JP1065413 A JP 1065413A JP 6541389 A JP6541389 A JP 6541389A JP H02244601 A JPH02244601 A JP H02244601A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固定抵抗器、可変抵抗器、チップ抵抗器、ハイ
ブリッド回路用抵抗器など、電子機器の小型高性能化に
対応した抵抗器及びその製造方法に関するものである。
ブリッド回路用抵抗器など、電子機器の小型高性能化に
対応した抵抗器及びその製造方法に関するものである。
従来の技術
固定抵抗器は、少なくとも一対の電極、前記両電極と接
している抵抗体層、少なくとも表面が絶縁性であって、
その表面に前記電極と抵抗体層を支持している基板及び
抵抗体層の上に形成された保護層から基本的に構成され
ている。そして作り方によって薄膜型と厚膜型とがある
。薄膜型は電極、抵抗体層、耐摩耗層を真空中でのスパ
ッタリング、蒸着などにより形成したものである。用い
られる抵抗材料としては窒化タンタル、金属タンタルな
どがある。また、厚膜型は例えば銀を含有するガラスフ
リット系ペースト、Ｒｕ Ｏａとガラスフリットを含む
ペースト及びほう硅酸ガラスフリットのペーストをそれ
ぞれ印刷、焼成することにより銀電極、Ｒｕｂｓを分散
しているガラス層よりなる抵抗体層、ガラスよりなる保
護層を得るもので、薄膜型より低コストで高性能抵抗器
を得ることができる。現在生産されているディスクリー
トチップ抵抗器のほとんどがこれに属する。
している抵抗体層、少なくとも表面が絶縁性であって、
その表面に前記電極と抵抗体層を支持している基板及び
抵抗体層の上に形成された保護層から基本的に構成され
ている。そして作り方によって薄膜型と厚膜型とがある
。薄膜型は電極、抵抗体層、耐摩耗層を真空中でのスパ
ッタリング、蒸着などにより形成したものである。用い
られる抵抗材料としては窒化タンタル、金属タンタルな
どがある。また、厚膜型は例えば銀を含有するガラスフ
リット系ペースト、Ｒｕ Ｏａとガラスフリットを含む
ペースト及びほう硅酸ガラスフリットのペーストをそれ
ぞれ印刷、焼成することにより銀電極、Ｒｕｂｓを分散
しているガラス層よりなる抵抗体層、ガラスよりなる保
護層を得るもので、薄膜型より低コストで高性能抵抗器
を得ることができる。現在生産されているディスクリー
トチップ抵抗器のほとんどがこれに属する。
発明が解決しようとする課題
現在の抵抗器、特にチップ抵抗器のような超小型電子回
路に用いられる抵抗器に要求されることは、（１）抵抗
器の個々の抵抗値のばらつきが小さいこと、（２）抵抗
値の温度依存性が小さいこと、（３）優れた信頼性を有
すること、及び（４）量産性に優れ、低コストであるこ
とである。
路に用いられる抵抗器に要求されることは、（１）抵抗
器の個々の抵抗値のばらつきが小さいこと、（２）抵抗
値の温度依存性が小さいこと、（３）優れた信頼性を有
すること、及び（４）量産性に優れ、低コストであるこ
とである。
前述の薄膜型抵抗器は、抵抗値のばらつき、抵抗値の温
度依存性に関してはその抵抗材料を特定することにより
すぐれたものを得ることが可能である。しかしながら、
耐パルス性、耐湿性などの信頼性に問題があり、また薄
膜プロセスのため量産性、コストなどの点で不利である
。
度依存性に関してはその抵抗材料を特定することにより
すぐれたものを得ることが可能である。しかしながら、
耐パルス性、耐湿性などの信頼性に問題があり、また薄
膜プロセスのため量産性、コストなどの点で不利である
。
−刃厚模型抵抗器は量産性、コスト、信頼性などの点で
有利であるが、個々の抵抗体の抵抗値ばらつき、抵抗値
の温度依存性などの点で改善を要する。厚膜型抵抗器の
これらの問題点について以下に詳細に述べる。
有利であるが、個々の抵抗体の抵抗値ばらつき、抵抗値
の温度依存性などの点で改善を要する。厚膜型抵抗器の
これらの問題点について以下に詳細に述べる。
厚膜型抵抗器の抵抗体層は、抵抗体成分のＲｕ０２とガ
ラスフリットと有機バインダとからなるペーストを絶縁
性基板の上にスクリーン印刷し、これを焼成することに
より形成される。ところが、出発ペーストがＲｕ０ａ粉
末とガラス粉末との混合物であるため、生成する抵抗体
層も両者の混合物となる。そして、Ｒｕｏｐ粉末として
粒径の小さいものを用いても、凝集したり、ガラスマト
リクスへの分散が悪く、得られる抵抗体層中ではかなり
大きな粒径となる。その結果、電流は相互に接触してい
るＲｕＯ２粉末を通じて流れることとなる。
ラスフリットと有機バインダとからなるペーストを絶縁
性基板の上にスクリーン印刷し、これを焼成することに
より形成される。ところが、出発ペーストがＲｕ０ａ粉
末とガラス粉末との混合物であるため、生成する抵抗体
層も両者の混合物となる。そして、Ｒｕｏｐ粉末として
粒径の小さいものを用いても、凝集したり、ガラスマト
リクスへの分散が悪く、得られる抵抗体層中ではかなり
大きな粒径となる。その結果、電流は相互に接触してい
るＲｕＯ２粉末を通じて流れることとなる。
従って、−様な抵抗値を有する抵抗体を得るためには、
相当量のＲｕ ０２粉末が必要になる。
相当量のＲｕ ０２粉末が必要になる。
現在、このような個々の抵抗器の抵抗値のばらつきは抵
抗体層形成後レーザカッティングなど抵抗体層の切断ト
リミングにより低減化されており、例えば、５０ｍｍＸ
５０ｒｎｍのサイズの基板上１００素子の抵抗器の抵抗
値ばらつきは±１％にすることができる。しかしながら
、レーザトリミング後の保１層印刷焼成工程によってせ
っか＜トリミングされた抵抗値が熱的影響により変化し
、最終製品抵抗器としては抵抗値ばらつき±５％にまで
大きくなってしまうという問題がある。
抗体層形成後レーザカッティングなど抵抗体層の切断ト
リミングにより低減化されており、例えば、５０ｍｍＸ
５０ｒｎｍのサイズの基板上１００素子の抵抗器の抵抗
値ばらつきは±１％にすることができる。しかしながら
、レーザトリミング後の保１層印刷焼成工程によってせ
っか＜トリミングされた抵抗値が熱的影響により変化し
、最終製品抵抗器としては抵抗値ばらつき±５％にまで
大きくなってしまうという問題がある。
また、保護層形成後抵抗体層に電気パルスを印加して抵
抗値を変化させる、いわゆる通電過負荷トリミング法も
提案されているが、従来の抵抗体層は前記のごと＜Ｒｕ
２Ｏ３の偏在により抵抗層の中で特にトリミングされ易
い部分で抵抗値の優先的な変化が起きるので、抵抗値が
目標値に達した場合でも信頼性の高い抵抗器を得ること
は難しい。
抗値を変化させる、いわゆる通電過負荷トリミング法も
提案されているが、従来の抵抗体層は前記のごと＜Ｒｕ
２Ｏ３の偏在により抵抗層の中で特にトリミングされ易
い部分で抵抗値の優先的な変化が起きるので、抵抗値が
目標値に達した場合でも信頼性の高い抵抗器を得ること
は難しい。
一方抵抗値の温度依存性はＲｕＯ２の抵抗値の温度変化
に支配され、ガラスとＲｕｂｓとの混合物である従来の
抵抗器では大きな正特性を示す。
に支配され、ガラスとＲｕｂｓとの混合物である従来の
抵抗器では大きな正特性を示す。
以上のように、Ｒｕｏｔとガラス粉末との混合物から抵
抗体層を形成する従来の方法では、抵抗値の−様な抵抗
体層を得るのは困難であった。
抗体層を形成する従来の方法では、抵抗値の−様な抵抗
体層を得るのは困難であった。
課題を解決するための手段
本発明は、以上のような従来の抵抗器の不都合を解消す
るため、少なくとも一対の電極、前記画電極と接してい
る抵抗体層、及び少なくとも表面が絶縁性であって、そ
の表面に前記電極と抵抗体層とを支持している基板を構
成要素とする抵抗器において、前記抵抗体層が、ガラス
のマトリクスと、前記マ） ＩＪガラス原子結合の間隙
に入り込んだ抵抗体成分元素の金属もしくはその酸化物
又はその両者とから構成されていることを特徴とするも
のである。又、ガラスのマトリクス中に主として分子レ
ベルで酸化ルテニウムを分散させてもよい。
るため、少なくとも一対の電極、前記画電極と接してい
る抵抗体層、及び少なくとも表面が絶縁性であって、そ
の表面に前記電極と抵抗体層とを支持している基板を構
成要素とする抵抗器において、前記抵抗体層が、ガラス
のマトリクスと、前記マ） ＩＪガラス原子結合の間隙
に入り込んだ抵抗体成分元素の金属もしくはその酸化物
又はその両者とから構成されていることを特徴とするも
のである。又、ガラスのマトリクス中に主として分子レ
ベルで酸化ルテニウムを分散させてもよい。
作 用
本発明によれば、抵抗値ばらつきが小さく、抵抗値の温
度依存性が小さく、しかも信頼性に優れた抵抗器を生産
性良く得ることができる。
度依存性が小さく、しかも信頼性に優れた抵抗器を生産
性良く得ることができる。
実施例
本発明の具体的な実施例を示す前に本発明で用いる抵抗
材料及び抵抗体層の形成方法について詳しく説明する。
材料及び抵抗体層の形成方法について詳しく説明する。
本発明の抵抗器の抵抗体層を得る好ましい方法は、抵抗
体成分元素の熱分解性有機化合物、及びガらスのマトリ
クスを形成３−る元素の熱分解性有機化合物を含むペー
ストの被膜を印刷、スピンフート、描画法などにより形
成する工程、加熱処理により前記ペースト中の前記有機
化合物を熱分解してガラスマトリクスと、前記マトリク
ス中に分散した抵抗体成分元素の金属、その酸化物又は
その両者とからなる抵抗体層を生成させる工程とからな
る。
体成分元素の熱分解性有機化合物、及びガらスのマトリ
クスを形成３−る元素の熱分解性有機化合物を含むペー
ストの被膜を印刷、スピンフート、描画法などにより形
成する工程、加熱処理により前記ペースト中の前記有機
化合物を熱分解してガラスマトリクスと、前記マトリク
ス中に分散した抵抗体成分元素の金属、その酸化物又は
その両者とからなる抵抗体層を生成させる工程とからな
る。
前記のペーストは、前記有機化合物、及びこれらの有機
化合物を溶解する溶媒、前記溶媒に可溶の有機バインダ
から構成されるものが好ましい。
化合物を溶解する溶媒、前記溶媒に可溶の有機バインダ
から構成されるものが好ましい。
このペースト中では、抵抗体成分元素の有機化合物と、
ガラスのマトリクスを形成する元素の有機化合物とが分
子レベルで混じり合っており、これらを熱分解すること
によりガラスのマトリクスを形成するする酸化物、抵抗
体成分元素の金属、その酸化物又はその両者が生成し、
そして前記の酸化物の融合により生じるガラスのマトリ
クス中に後者の金属もし２くはその酸化物又はその両者
が取り込まれて抵抗体層が形成される。このようにして
生成゛づる抵抗体層中では、抵抗体成分元素の金属、そ
の酸化物又はその両者は、原子または分子レベルでガラ
スのマトリクスの原子結合の間隙に入り込んだ状態にあ
る。従って、抵抗体層は非常に均一な組成となり、抵抗
体成分元素の量が従来より少量でよい。
ガラスのマトリクスを形成する元素の有機化合物とが分
子レベルで混じり合っており、これらを熱分解すること
によりガラスのマトリクスを形成するする酸化物、抵抗
体成分元素の金属、その酸化物又はその両者が生成し、
そして前記の酸化物の融合により生じるガラスのマトリ
クス中に後者の金属もし２くはその酸化物又はその両者
が取り込まれて抵抗体層が形成される。このようにして
生成゛づる抵抗体層中では、抵抗体成分元素の金属、そ
の酸化物又はその両者は、原子または分子レベルでガラ
スのマトリクスの原子結合の間隙に入り込んだ状態にあ
る。従って、抵抗体層は非常に均一な組成となり、抵抗
体成分元素の量が従来より少量でよい。
第３図は、ガラスマトリクスとそのマトリクス中に分散
している主としてルテニウムの酸化物とからなる抵抗体
層のルテニウム元素含有率と抵抗体層の抵抗値のばらつ
きとの関係を示したものである。ただしこの結果は５０
ｍｒｒｘＸ５０ｍｒｎサイズのアルミナ基板の上の１０
０素子の抵抗器チップの個々の抵抗値のばらつきである
。なお、抵抗値に関連する縦軸には、σ／Ｒ，ｖＸ１０
０の値を表したａ ＲＰＶは抵抗値の平均値、σは標
準偏差値である。
している主としてルテニウムの酸化物とからなる抵抗体
層のルテニウム元素含有率と抵抗体層の抵抗値のばらつ
きとの関係を示したものである。ただしこの結果は５０
ｍｒｒｘＸ５０ｍｒｎサイズのアルミナ基板の上の１０
０素子の抵抗器チップの個々の抵抗値のばらつきである
。なお、抵抗値に関連する縦軸には、σ／Ｒ，ｖＸ１０
０の値を表したａ ＲＰＶは抵抗値の平均値、σは標
準偏差値である。
第３図で、Ａは、本発明の方法により得た抵抗体層の特
性、Ｂは従来の方法による抵抗体層の特性を表す。Ａの
場合は、ルテニウムの酸化物の粒子径は１μｍ以下であ
り、Ｂの場合は粒子径は５μｍ以上である。
性、Ｂは従来の方法による抵抗体層の特性を表す。Ａの
場合は、ルテニウムの酸化物の粒子径は１μｍ以下であ
り、Ｂの場合は粒子径は５μｍ以上である。
Ｂの場合は、ルテニウム元素含有量が１０重量％より少
ないと、急に抵抗値のばらつきが大きくナル。一方、Ａ
の場合は、ルテニウム元素含有向が少なくても抵抗値の
ばらつきは非常に低い。
ないと、急に抵抗値のばらつきが大きくナル。一方、Ａ
の場合は、ルテニウム元素含有向が少なくても抵抗値の
ばらつきは非常に低い。
抵抗体層をえるためのもう一つの方法として、前記ペー
ストの代わりに、抵抗体成分元素の熱分解性有機化合物
と、ガラスフリットを含むペーストを用いる方法がある
。この場合もペーストは、前記有機化合物を溶解する溶
媒、及びこの溶媒に可溶の有機バインダを含むのがよい
。このペーストを用いると、生成する抵抗体層中での抵
抗体成分元素の金属もしくはその酸化物又はその両省の
分散性は、前記の方法に比べると劣るが、従来の方法に
比べるとはるかに優れている。すなわち、前記有機化合
物は、ペースト中では溶液の状態でガラスフリットの粒
子に接しており、熱分解により生成する金属、その酸化
物又はその両者は分子レベルでガラスフリット粒子表面
に分散し、その状態でガラスフリットの融合により形成
されるガラスマトリクス中に取り込まれるのである。
ストの代わりに、抵抗体成分元素の熱分解性有機化合物
と、ガラスフリットを含むペーストを用いる方法がある
。この場合もペーストは、前記有機化合物を溶解する溶
媒、及びこの溶媒に可溶の有機バインダを含むのがよい
。このペーストを用いると、生成する抵抗体層中での抵
抗体成分元素の金属もしくはその酸化物又はその両省の
分散性は、前記の方法に比べると劣るが、従来の方法に
比べるとはるかに優れている。すなわち、前記有機化合
物は、ペースト中では溶液の状態でガラスフリットの粒
子に接しており、熱分解により生成する金属、その酸化
物又はその両者は分子レベルでガラスフリット粒子表面
に分散し、その状態でガラスフリットの融合により形成
されるガラスマトリクス中に取り込まれるのである。
ここで、本発明に適用する抵抗体成分元素としては、ル
テニウム、金、銀、ニッケル、クロム、タンタルなどが
あり、なかでもルテニウムが好ましい。ルテニウムは抵
抗体層中では、主として酸化物として存在する。ルテニ
ウムを用いた抵抗体層は、抵抗値の温度依存性が第４図
のａのように非常に大きい。これを改良するにはロジウ
ムを併用するのがよい。ロジウムの併用により、抵抗値
の温度依存性は、第４図のｂのように改善される。
テニウム、金、銀、ニッケル、クロム、タンタルなどが
あり、なかでもルテニウムが好ましい。ルテニウムは抵
抗体層中では、主として酸化物として存在する。ルテニ
ウムを用いた抵抗体層は、抵抗値の温度依存性が第４図
のａのように非常に大きい。これを改良するにはロジウ
ムを併用するのがよい。ロジウムの併用により、抵抗値
の温度依存性は、第４図のｂのように改善される。
また、ロジウムの添加により、抵抗体層の成膜性も改善
される。ルテニウムとロジウムを併用する場合、重量比
はＯ＜Ｒｈ／Ｒｕ＜５が適当である。
される。ルテニウムとロジウムを併用する場合、重量比
はＯ＜Ｒｈ／Ｒｕ＜５が適当である。
次に、ガラスのマトリクスを形成する元素としては、ほ
うけい酸ガラスを構成するほう素、珪素、その他ほう硅
酸鉛ガラスを構成する鉛、ランタン系ガラスを構成する
ランタン、その他ビスマス等が挙げられる。
うけい酸ガラスを構成するほう素、珪素、その他ほう硅
酸鉛ガラスを構成する鉛、ランタン系ガラスを構成する
ランタン、その他ビスマス等が挙げられる。
また、上記の他、必要に応じてジルコニウム、チタン、
バナジウム、アルミニウム、タンタル、亜鉛などを添加
することもある。
バナジウム、アルミニウム、タンタル、亜鉛などを添加
することもある。
上記の元素の熱分解性有機化合物としては、エチルアル
コキシド、イソプロポキシドなどのアルコラード、ヘキ
サン酸エステルで代表される脂肪酸エステル、メントー
ルアルコラードやエステルなどの多環有機化合物、アビ
エチン酸塩などのロジン化合物、シロキサン類、ホウ酸
有機化合物などがある。
コキシド、イソプロポキシドなどのアルコラード、ヘキ
サン酸エステルで代表される脂肪酸エステル、メントー
ルアルコラードやエステルなどの多環有機化合物、アビ
エチン酸塩などのロジン化合物、シロキサン類、ホウ酸
有機化合物などがある。
これらの有機化合物を含むペーストを加熱して所望の金
属や酸化物を生成させる温度は用いる化合物によって異
なるが１１通常５００〜８００ ’Ｃであり、酸素を含
む雰囲気下が好ましい。
属や酸化物を生成させる温度は用いる化合物によって異
なるが１１通常５００〜８００ ’Ｃであり、酸素を含
む雰囲気下が好ましい。
上記では、熱分解性の有機化合物を用いたが、紫外線照
射により励起して金属もしくはその酸化物又はその両者
を与える化合物、例えばカルボキシル基を有するナフト
キノンジアゾ化合物のルテニウム塩、ノボラック系フェ
ノール樹脂化合物と鉛、けい素またはビスマスとの化合
物などがある。
射により励起して金属もしくはその酸化物又はその両者
を与える化合物、例えばカルボキシル基を有するナフト
キノンジアゾ化合物のルテニウム塩、ノボラック系フェ
ノール樹脂化合物と鉛、けい素またはビスマスとの化合
物などがある。
これらの化合物を用いる場合は、ペーストの被膜に紫外
線を照射して分解させる。
線を照射して分解させる。
本発明によると０． ３〜３μｍの均一な膜厚の抵抗体
層を得ることができる。この抵抗体層は、厚さが薄く、
かつ気泡などの欠陥が殆どないので抵抗値ばらつきが小
さく高信頓性を有する。
層を得ることができる。この抵抗体層は、厚さが薄く、
かつ気泡などの欠陥が殆どないので抵抗値ばらつきが小
さく高信頓性を有する。
次に図面に従って本発明の具体的な実施例を示す。
実施例１
第１図に示すように、厚さＯＪｍｍ、 ５０＋ｎｍＸ
５０ｍｍのアルミナ基板１（純度９７％）の上に、−
群の対向導電電極２のパターンを銀−ガラスフリット系
ペーストの印刷焼成（８１０°Ｃ）により形成する。前
記対向溝Ｎ電極２の間に画電極と接して抵抗体用ペース
トをスクリーン印刷し、焼成して抵抗体層３を形成する
。抵抗体用ペーストは、Ｒｕｔ Ｒｈ。
５０ｍｍのアルミナ基板１（純度９７％）の上に、−
群の対向導電電極２のパターンを銀−ガラスフリット系
ペーストの印刷焼成（８１０°Ｃ）により形成する。前
記対向溝Ｎ電極２の間に画電極と接して抵抗体用ペース
トをスクリーン印刷し、焼成して抵抗体層３を形成する
。抵抗体用ペーストは、Ｒｕｔ Ｒｈ。
Ｓｉｔ Ｂ、 Ｐｂそれぞれのへキサン酸塩、エチ
ルセルロース及びテルピネオールから作った粘度５００
００ｃｐのものを用いた。ペースト印刷後は放置により
乾燥した後、８００″Ｃで焼成して抵抗体層３とした。
ルセルロース及びテルピネオールから作った粘度５００
００ｃｐのものを用いた。ペースト印刷後は放置により
乾燥した後、８００″Ｃで焼成して抵抗体層３とした。
抵抗体層３の上にほう硅酸ガラスフリットのペーストを
印刷し、焼成して保護層４を形成した。なお、抵抗体用
ペースト中のヘキサン酸塩の混合比率は、Ｒｕ： Ｒｈ
： Ｓｉ： Ｂ： Ｐｂの重量比で１０： ４：
１４： ４： ６８となるようにした。次に個々の
チップに分離し、最後に導電電極２に接して集電電極５
を銀ペーストにより形成した。
印刷し、焼成して保護層４を形成した。なお、抵抗体用
ペースト中のヘキサン酸塩の混合比率は、Ｒｕ： Ｒｈ
： Ｓｉ： Ｂ： Ｐｂの重量比で１０： ４：
１４： ４： ６８となるようにした。次に個々の
チップに分離し、最後に導電電極２に接して集電電極５
を銀ペーストにより形成した。
実施例２
ルテニウムのオクタン酸塩、ルテニウムのエチルアルコ
キシド、Ｐｂ、 Ｓｉｔ Ｂそれぞれのエチルアル
コラードをＲｕ： Ｐｂ： Ｓｉ： Ｂの重量比で：
７０： １５： ７となるように混合し、これにエチ
ルセルロース、テルピネオールを加えたペーストを印刷
、焼成して抵抗体層とした。他は実施例１と同じである
。
キシド、Ｐｂ、 Ｓｉｔ Ｂそれぞれのエチルアル
コラードをＲｕ： Ｐｂ： Ｓｉ： Ｂの重量比で：
７０： １５： ７となるように混合し、これにエチ
ルセルロース、テルピネオールを加えたペーストを印刷
、焼成して抵抗体層とした。他は実施例１と同じである
。
実施例３
第２図（ａ）に示すように、ホーロ被覆層ＩＯを有する
鋼板＋１の上に、ロールコータにより実施例１と同じ抵
抗体ペースト被覆を施し、８００′Ｃで焼成して抵抗体
層１２とした。次に、第２図（ｂ）に示すように、抵抗
体層１２の上に金のエチルメルカプチドとエチルセルロ
ース、テルピネオールとからなるペーストを印刷焼成す
ることにより一群の対向溝Ｎ電極１３を形成した。電極
マージン部１４を残して、ペーストの印刷焼成により保
護層Ｉ５を形成した。ここで用いたペーストは、Ｓ Ｌ
Ｂｒｐｂそれぞれのヘキサン酸塩とエチルセルロー
ス、テルピネオールとから構成される物である。最後に
電極マージン部１４に接するように銀ペースト電極Ｂ１
６を形成した。最後に、第２図（ｅ）に示すように、個
々のチップを切断分離した。
鋼板＋１の上に、ロールコータにより実施例１と同じ抵
抗体ペースト被覆を施し、８００′Ｃで焼成して抵抗体
層１２とした。次に、第２図（ｂ）に示すように、抵抗
体層１２の上に金のエチルメルカプチドとエチルセルロ
ース、テルピネオールとからなるペーストを印刷焼成す
ることにより一群の対向溝Ｎ電極１３を形成した。電極
マージン部１４を残して、ペーストの印刷焼成により保
護層Ｉ５を形成した。ここで用いたペーストは、Ｓ Ｌ
Ｂｒｐｂそれぞれのヘキサン酸塩とエチルセルロー
ス、テルピネオールとから構成される物である。最後に
電極マージン部１４に接するように銀ペースト電極Ｂ１
６を形成した。最後に、第２図（ｅ）に示すように、個
々のチップを切断分離した。
実施例４
カルボキシル基を有するナフトキノジアゾ化合物のルテ
ニウム塩、ノボラック系フェノール樹脂化合物と鉛、珪
素、ほう素との化合物、エチルセルロース、テルピネオ
ールから成るペーストを印刷して皮膜形成後、紫外線照
射によりルテニウム／ガラス系の抵抗体膜を形成する。
ニウム塩、ノボラック系フェノール樹脂化合物と鉛、珪
素、ほう素との化合物、エチルセルロース、テルピネオ
ールから成るペーストを印刷して皮膜形成後、紫外線照
射によりルテニウム／ガラス系の抵抗体膜を形成する。
他は実施例１と同じである。
実施例５
抵抗体ペーストとして、ルテニウムのヘキサン酸塩とぼ
う珪酸ガラスフリットとの重量比１：１０の混合物にエ
チルセルロースとテルピネオールを加えた物を用いた他
は実施例１と同じである。
う珪酸ガラスフリットとの重量比１：１０の混合物にエ
チルセルロースとテルピネオールを加えた物を用いた他
は実施例１と同じである。
実施例６
抵抗体ペーストとして、金のエチルメルカプブード、ジ
フェニルシロキサン、ほう素のメントール化合物、エチ
ルセルロースおよびテルピネオール化ら成るペーストを
用いた他は実施例１と同じである。ただし、前記ペース
ト中の有機化合物の混合比率は、金： （Ｓ ｉ ＋
Ｂ）の電量比で０，１５：１となるようにした。
フェニルシロキサン、ほう素のメントール化合物、エチ
ルセルロースおよびテルピネオール化ら成るペーストを
用いた他は実施例１と同じである。ただし、前記ペース
ト中の有機化合物の混合比率は、金： （Ｓ ｉ ＋
Ｂ）の電量比で０，１５：１となるようにした。
比較例１
アルミナ基板の上にガラスフリット−銀糸のペーストの
印刷焼成により一群の電極層を形成する。
印刷焼成により一群の電極層を形成する。
各電極に接するように抵抗体ペーストを印刷焼成し抵抗
体層とする。抵抗体層の上にほう珪酸ガラスフリットペ
ーストの印刷焼成により保護層を形成する。このとき用
いた抵抗ペーストは、平均粒径０．１μｍで最大粒径０
．８μｍの酸化ルテニウム粉末４０重量％とほう珪酸ガ
ラスフリッ）６０重ｆｆｉ％の混合物にエチルセルロー
スおよびテルピネオールヲ加えた物である。印刷したペ
ースト皮膜は、８００℃で焼成した。
体層とする。抵抗体層の上にほう珪酸ガラスフリットペ
ーストの印刷焼成により保護層を形成する。このとき用
いた抵抗ペーストは、平均粒径０．１μｍで最大粒径０
．８μｍの酸化ルテニウム粉末４０重量％とほう珪酸ガ
ラスフリッ）６０重ｆｆｉ％の混合物にエチルセルロー
スおよびテルピネオールヲ加えた物である。印刷したペ
ースト皮膜は、８００℃で焼成した。
比較例２
比較例１の抵抗器を２Ｗ／個のパルス印加により過負過
トリミングした。
トリミングした。
比較例３
アルミナ基板の上にスパッタリング法によって厚さ３０
０（ＩＡの窒化タンタル膜を形成した。弗化水素酸によ
るエツチング後、銅、クロム電極を蒸着法により形成し
た。
０（ＩＡの窒化タンタル膜を形成した。弗化水素酸によ
るエツチング後、銅、クロム電極を蒸着法により形成し
た。
以上の各実施例および比較例の抵抗器の特性を次表に示
す。
す。
ただし抵抗値のばらつきは５０ｍｍＸ ５０＋ｎｍアル
ミナシート上に形成したチップ抵抗器１００素子につい
ての値である。信頼性は、８５°Ｃ９０％ＲＨ雰囲気中
１０００時間後の抵抗値の変化率（％）で示す。
ミナシート上に形成したチップ抵抗器１００素子につい
ての値である。信頼性は、８５°Ｃ９０％ＲＨ雰囲気中
１０００時間後の抵抗値の変化率（％）で示す。
発明の効果
以上のように本発明によれば、従来の薄膜法および厚膜
法による抵抗器それぞれの長所を合わせ持つ、すなわち
、抵抗値のばらつきが小さく、温度依存性が小さく、信
頼性に優れ、生産性に優れた抵抗器を得ることができる
。
法による抵抗器それぞれの長所を合わせ持つ、すなわち
、抵抗値のばらつきが小さく、温度依存性が小さく、信
頼性に優れ、生産性に優れた抵抗器を得ることができる
。
第１図は本発明の一実施例における抵抗器の断面図、第
２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の他の実施例における抵抗
器の製造工程を示す断面図、第３図はルテニウムを抵抗
体成分とする抵抗体層のルテニウム含有量と抵抗体層の
抵抗値のばらつきとの関係を示す図、第４図は同じくル
テニウムを含む抵抗体層の抵抗値の温度依存性を示す図
である。 １・・・アルミナ基板、２・・・対向導電電極、３・・
・抵抗体層、４・・・保護層、５・・・集電電極、１０
・・・ホーロ被覆層、１１・・・銅板、１２・・・抵抗
体層、１３・・・対向導電電極、１５・・・保護層、１
８・・・銀ペースト電極層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 ／ −一一アルミナ基才反 ？一対向導１色電極− ３−一一オ乱抗イ本層 ４−−− イ呆 育刈（Ａ百 ６−−集吃電１盈 １０−一−ホーロ被１層 ｆｆ−一全町板 ｌ？−挑杭体層 ｌ計一対１”ｆ簿覧電極 ｉｓ−一保噴層 ｌθ １５ Ｆ？沈名清量Ｃ弾
２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の他の実施例における抵抗
器の製造工程を示す断面図、第３図はルテニウムを抵抗
体成分とする抵抗体層のルテニウム含有量と抵抗体層の
抵抗値のばらつきとの関係を示す図、第４図は同じくル
テニウムを含む抵抗体層の抵抗値の温度依存性を示す図
である。 １・・・アルミナ基板、２・・・対向導電電極、３・・
・抵抗体層、４・・・保護層、５・・・集電電極、１０
・・・ホーロ被覆層、１１・・・銅板、１２・・・抵抗
体層、１３・・・対向導電電極、１５・・・保護層、１
８・・・銀ペースト電極層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 ／ −一一アルミナ基才反 ？一対向導１色電極− ３−一一オ乱抗イ本層 ４−−− イ呆 育刈（Ａ百 ６−−集吃電１盈 １０−一−ホーロ被１層 ｆｆ−一全町板 ｌ？−挑杭体層 ｌ計一対１”ｆ簿覧電極 ｉｓ−一保噴層 ｌθ １５ Ｆ？沈名清量Ｃ弾
Claims (13)
- （１） 少なくとも一対の電極、前記両電極と接してい
る抵抗体層、及び少なくとも表面が絶縁性であって、そ
の表面に前記電極と抵抗体層とを支持している基板を構
成要素とする抵抗器において、前記抵抗体層が、ガラス
のマトリクスと、前記マトリクスの原子結合の間隙に入
り込んだ抵抗体成分元素の金属もしくはその酸化物又は
その両者とから構成されていることを特徴とする抵抗器
。 - （２） 抵抗体成分元素が、ルテニウムであり、かつ主
として酸化物としてガラスマトリクス中に分散している
ことを特徴とする請求項１記載の抵抗器。 - （３） 抵抗体成分元素としてさらにロジウムを含むこ
とを特徴とする請求項１記載の抵抗器。 - （４） 抵抗体層中に含まれるルテニウムが１０重量％
未満であることを特徴とする請求項２又は３記載の抵抗
器。 - （５） 抵抗体成分元素が、金、銀、ニッケル、クロム
及びタンタルからなる群から選択されたものであること
を特徴とする請求項１記載の抵抗器。 - （６） 抵抗体層を形成するガラスが、ほう硅酸系ガラ
スまたはほう硅酸鉛系ガラスであることを特徴とする請
求項１記載の抵抗器。 - （７） 抵抗体層を形成するガラスが、ランタン系ガラ
スであることを特徴とする請求項１記載の抵抗器。 - （８） 少なくとも一対の電極、前記両電極に接してい
る抵抗体層、及び少なくとも表面が絶縁性であって、そ
の表面に前記電極と抵抗体層とを支持している基板を備
える抵抗器において、前記抵抗体層が、ガラスのマトリ
クスと、前記マトリクス中に主として分子レベルで分散
している酸化ルテニウムとから構成されていることを特
徴とする抵抗器。 - （９） マトリクス中にさらにロジウムまたはその酸化
物が原子または分子レベルで分散している請求項８記載
の抵抗器。 - （１０） マトリクスが、ほう硅酸系ガラスまたはほう
硅酸鉛系ガラスであることを特徴とする請求項８記載の
抵抗器。 - （１１） 抵抗体成分元素が、金、銀、ニッケル、クロ
ム及びタンタルよりなる群から選択されたものであるこ
とを特徴とする請求項８記載の抵抗器。 - （１２） 少なくとも一対の電極、前記両電極と接して
いる抵抗体層、及び少なくとも表面が絶縁性であって、
その表面に前記電極と抵抗体層とを支持している基板を
構成要素とする抵抗器の製造方法において、前記抵抗体
層を形成する工程が、抵抗体成分元素の熱分解性有機化
合物及びガラスのマトリクスを形成する元素の熱分解性
有機化合物を含むペーストの被膜を、前記電極を形成す
る前または形成後の基板上に形成する工程と、加熱処理
により前記ペースト中の有機化合物を熱分解してガラス
マトリクスと、前記マトリクス中に分散した抵抗体成分
元素の金属もしくはその酸化物又はその両者とからなる
抵抗体層を生成させる工程とからなることを特徴とする
抵抗器の製造方法。 - （１３） 少なくとも一対の電極、前記両電極と接して
いる抵抗体層、及び少なくとも表面が絶縁性であって、
その表面に前記電極と抵抗体層とを支持している基板を
構成要素とする抵抗器の製造方法において、前記抵抗体
層を形成する工程が、抵抗体成分元素の紫外線分解性有
機化合物及びガラスのマトリクスを形成する元素の紫外
線分解性有機化合物を含むペーストの被膜を、前記電極
を形成する前または形成後の基板上に形成する工程と、
紫外線照射により前記ペースト中の有機化合物を分解し
てガラスマトリクスと、前記マトリクス中に分散した抵
抗体成分元素の金属もしくはその酸化物又はその両者と
からなる抵抗体層を生成させる工程とからなることを特
徴とする抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1065413A JPH0821483B2 (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 抵抗器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1065413A JPH0821483B2 (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 抵抗器およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244601A true JPH02244601A (ja) | 1990-09-28 |
| JPH0821483B2 JPH0821483B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=13286327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1065413A Expired - Fee Related JPH0821483B2 (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 抵抗器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821483B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4861981A (ja) * | 1971-11-08 | 1973-08-30 | ||
| JPS4928895A (ja) * | 1972-06-22 | 1974-03-14 | ||
| JPS5419998A (en) * | 1977-07-09 | 1979-02-15 | Boehringer Sohn Ingelheim | Imidazoimidazoquinoline compound |
-
1989
- 1989-03-16 JP JP1065413A patent/JPH0821483B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4861981A (ja) * | 1971-11-08 | 1973-08-30 | ||
| JPS4928895A (ja) * | 1972-06-22 | 1974-03-14 | ||
| JPS5419998A (en) * | 1977-07-09 | 1979-02-15 | Boehringer Sohn Ingelheim | Imidazoimidazoquinoline compound |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821483B2 (ja) | 1996-03-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |