JPH02309587A - 透明発熱抵抗体 - Google Patents

透明発熱抵抗体

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JPH02309587A
JPH02309587A JP1130873A JP13087389A JPH02309587A JP H02309587 A JPH02309587 A JP H02309587A JP 1130873 A JP1130873 A JP 1130873A JP 13087389 A JP13087389 A JP 13087389A JP H02309587 A JPH02309587 A JP H02309587A
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JP
Japan
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resistor
matrix
layer
glass
transparent
Prior art date
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Pending
Application number
JP1130873A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Watanabe
善博 渡辺
Atsushi Nishino
敦 西野
Akihiko Yoshida
昭彦 吉田
Nobuyuki Yoshiike
信幸 吉池
Akiyoshi Hattori
章良 服部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1130873A priority Critical patent/JPH02309587A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明(友 ガラス板など透明絶縁基板上に発熱抵抗体
を形成されてなる透明発熱体に関するものであも 従来の技術 従来 透明抵抗体は100A程度の金属単層膜および透
明酸化物半導体に大別されも その中でも酸化錫(Sn
ow)系あるいは酸化インジウム(Ingot)系の薄
膜は広く実用化されており、特にガラス基板にスプレー
法で5nOa膜を被覆した導電ガラス(通称ネサガラス
)は早くから実用化されており、航空機などの窓ガラス
の防振 結氷防止 冷凍ショーケースの結露防止 さら
には表示素子用の透明電極などに使用されていも透明な
導電性薄膜を製造するプロセスとしてはスプレー法やC
VD法などの化学的製膜法と、真空蒸着法やスパッタ法
で代表される物理的製膜法があり、5n02系の膜につ
いてはCVDm  またI n5os系の膜については
真空蒸着法 スパッタ法が主流になっていも Snow、In2O3系膜の他にkcd2sn。
4焦 ZnO膜などが注目されているが、 導電率の高
さやバターニングのしやすさなどの点からまだ実用化ま
では至っていな(〜 発明が解決しようとする課題 透明抵抗体は 低抵抗であるこ七、高い可視光透過率に
優れていること、膜表面の平滑性、耐久性(化学直 電
気化学的な安定性や機械的強度)に優れていること、低
コストであることなどの特性が求められているが、発熱
抵抗体として用いる場合は従来の透明抵抗体では困難で
あ4即板 そのほとんどが低抵抗で導電率が高く、膜が
金属の酸化物構造を有し 膜厚も極端に薄いためW密度
を高くすることができず発熱抵抗体としては用いること
ができな(′V) また 高抵抗のものでも膜厚が極端に薄いことや、膜が
金属の酸化物構造のたべ 耐久性の点から膜の表面温度
を100℃以下で使用しなければならないことから用途
が限られていた さらには膜の安定性かべ その形成は真空蒸着法やスパ
ッタ法で形成しているため高コストになっているのが現
状であa 課題を解決するための手段 本発明(友 以上のような従来′の透明抵抗体の不都合
を解消するための物で、ガラス基材表面に少なく七も一
対の電極と、これら両電掻と接している抵抗体層とを備
え 少なくともその表面が絶縁性である発熱抵抗体にお
いて、前記抵抗体層が、有機金属化合物を出発原料とし
て熱分解により形成されたガラスのマトリクスと、この
マトリクスの原子結合のrV1隙に入り込んだ抵抗体成
分元素の金属及び/または酸化物とから構成されている
ことを特徴とする透明発熱抵抗体であム 作用 本発明1よ 抵抗体成分元素がガラスのマトリクスの間
隙に入り込んだことを最大の特徴としている。有機金属
化合物を出発原料とする抵抗体成分元素だけで膜形成す
ると不透明で不均一な膜になりやすく、抵抗も小さく発
熱抵抗体として用いることはできなLy  −人  ガ
ラスと金属及び金属酸化物の粉末を用いて粒子間結合に
より抵抗体を形成することができるが、これでは透明な
膜にはできな(−本発明は有機金属化合物を主光原料と
してその熱分解によりガラスのマトリクスの間隙に入り
込ませることで透明の均一の膜ができしかも発熱抵抗体
として最適の抵抗値を得ることができも 本発明の発熱抵抗体の抵抗体層を得る好ましい方法(よ
 抵抗体成分元素の熱分解性有機化合法及びガラスのマ
トリクスを形成する元素の熱分解性有機化合物を含むペ
ーストの被膜を印机 スピンコード、描画法などにより
形成する1毘 加熱処理により前記ペースト中の有機化
合物を熱分解してガラスマトリクスと、前記マトリクス
中に分散した抵抗体成分元素の金属及び/または酸化物
とからなる抵抗体層を生成させる工程からなる。
前記のペースト(友  前記有機化合1扱 及びこれら
の有機化合物を溶解する溶嵐 前記溶媒に可溶の有機バ
インダから構成されるものが好ましく−このペースト中
で(戴 抵抗体成分元素の有機化合物き、ガラスのマト
リクスを形成する元素の有機化合物とが分子レベルで混
じり合っており、これらを熱分解することによりガラス
のマトリクスを形成するする酸化塩 抵抗体成分元素の
金属及び/または酸化物が生々し そして前記の酸化物
の融合により生じるガラスのマトリクス中に後者の金属
及び/または酸化物が取り込まれて抵抗体層が形成され
も このようにして生成する抵抗体層中で!友 抵抗体
成分元素の金属及び/または酸化物(上 原子または分
子レベルでガラスのマトリクスの原子結合の間隙に入り
込んだ状態にある。従って、抵抗体層は非常に均一な組
成となり、抵抗体成分元素の量が従来より少量でよし ここて 本発明に適用する抵抗体成分元素としてるよ 
ルテニウな 仮 机 ニッヶノス クロなタンタルなど
があり、なかでもルテニウムが好ましb〜 ルテニウム
は抵抗体層中では 主として酸化物として存在すも ル
テニウムを用いた抵抗体層は 抵抗値の温度依存性が第
4図(a)に示すように非常に大きい。これを改良する
にはロジウムを併用するのがよ(−ロジウムの併用によ
り、抵抗値の温度依存性は 第4図(b)に示すように
改善されも また ロジウムの添加により、抵抗体層の
成膜性も改善されも ルテニウムとロジウムを併用する
場合、重量比は0 < Rh / Ru <5が適当で
あa 次に ガラスのマトリクスを形成する元素としてζ友 
はうけい酸ガラスを構成するほう魚 珪秦その他はうけ
い酸鉛ガラスを構成する舷 ランタン系ガラスを構成す
るランタン、その他ビスマス等が挙げられも また 上記の像 必要に応じてジルコニウムチタン、バ
ナジウへ アルミニラ入 タフタ/14亜鉛などを添加
することもあも 上記の元素の熱分解性有機化合物として(友 エチルア
ルコキシド、イソプロポキシドなどのアルコラード、ヘ
キサン酸エステルで代表される脂肪酸エステ/k  メ
ントールアルコラードやエステルなどの多環有機化合法
 アビエチン酸塩などのロジン化合法 シロキサン類 
ホウ酸有機化合物などがあ也 これらの有機化合物を含むペーストを加熱して所望の金
属や酸化物を生成させる温度は用いる化合物によって異
なるが、 通常500〜800℃であり、酸素を含む雰
囲気下が好ましく〜上記でζ友 熱分解性の有機化合物
を用いたが、紫外線照射により樗期して金属及び/また
は酸化物を与える化合法 例えばカルボキシル基を有す
るナフトキノンジアゾ化合物のルテニウム塩 ノボラッ
ク径フェノール樹脂化合物となまり、けい素またはビス
マスとの化合物などかあム これらの化合物を用いる場
合C−t  ペーストの被膜に紫外線を照射して分解さ
せも 本発明によると0.3〜3μmの均一な膜厚の抵抗体層
を得ることができも この抵抗体層(上 厚さが薄く、
かつ気泡などの欠陥が殆どなく高信頼性を有すも 本発明は基本的には有機化合物を用いて、熱分解により
膜形成を行うことを特徴としているが、ガラス成分につ
いてはガラスフリットを微粉砕したものも用いることが
できも この場合もペースト(上  抵抗体成分元素の
熱分解性有機化合法 有機化合物を溶解する溶颯 およ
びこの溶媒に可溶の有機バインダーを含むものが良(℃
 このペーストを用いると、生成する抵抗体層中での抵
抗体成分元素の金属及び/または酸化物の分散性番友 
前記の方法に比べると劣るが、従来のものよりは耐久性
の面で優れていも 本発明によれζ救 高抵抗で表面平滑性の抵抗膜が得ら
れ しかも可視光透退散 耐久性に優れ低コストで信頼
性に優れた透明発熱抵抗体を生産性良く得ることができ
も 次に図面に従って本発明の具体的な実施例を示す。
実施例 実施例−1 第1図及び第2図へ 本実施例における透明発熱抵抗体
の構成を示も 厚さ1. 0mm、 10100X10
0サイズのガラス基材1の上に80×50mmの発熱抵
抗体層3及びその両サイドに電極2、2を形成し その
上に保護層4が形成されていも 電極2 GEL  銀−ガラスフリット系ペーストの印
刷焼成(810℃)により形成すも 抵抗体層3は前記
対向導電電極2.2の間に両電極2、2と接して抵抗体
用ペーストをスクリーン印刷L 焼成して形成すも 抵
抗体用ペニスXL  Ru、  Rh、Si、B、Pb
それぞれのへキサン酸塩 エチルセルロース及びテルピ
ネオールから作った粘度50000cpのものを用い九
 ペースト印刷後は放置により乾燥した微 800℃で
焼成して抵抗体層3とし九 抵抗体層3の上にほう硅酸
ガラスフリットのペーストを印刷し 焼成して保護層4
を形成し丸 な抵 抵抗体用ペースト中のヘキサン酸塩
の混合比率CL  Ru:  Rh:  Si:  B
:  Pbの重量比で10:  4:  14:  4
:  asを基準とヒRuの比率をL  s、 15、
20となるものも作製した 最後に導電電極2に接して
集電電極を銀ペーストにより形成した 実施例−2 ルテニウムのオクタン酸塩 ルテニウムのエチルアルコ
キシK  Pb、  Si、  Bそれぞれのエチルア
ルコラードをRu:  Pb:  Si:  Bの重量
比で:  70:  15:  7となるように混合し
 これにエチルセルロー人 テルピネオールを加えたペ
ーストを印!IL  焼成して抵抗体層3としtラ  
他は実施例1と同じであa 実施例−3 第3図に示すような構成て 実施例1と同じ抵抗体層3
を形成し その上に金のエチルメルカプチドとエチルセ
ルロー人 テルピネオールとからなるペーストを印刷焼
成することにより電極2を形成し九 電極マージン部を
残して、ペーストの印刷焼成により保護層4を形成した
 ここで保護層4に用いたペーストにL  S 1SB
Spbそれぞれのヘキサン酸塩とエチルセルロー人 テ
ルピネオールとから構成される物であも 最後に電極マ
ージン部に接するように銀ペースト電極層を形成した 実施例−4 カルボキシル基を有するナフトキノジアゾ化合物のルテ
ニウム塩 ノボラック系フェノール樹脂化合物と鰍 珪
魚 はう素との化合1扱 エチルセルロー人 テルピネ
オールから成るペーストを印刷して皮膜形成丸 紫外線
照射によりルテニウム/ガラス系の抵抗体膜を形成すも
 他は実施例1と同1 実施例−5 抵抗体ペーストとして、ルテニウムのへキサン酸塩とは
う珪酸ガラスフリットとの重量比l:lOの混合物にエ
チルセルロースとテルピネオールを加えた物を用いた他
は実施例1と同じである。
実施例−6 抵抗体ペーストとして、金のエチルメルカプチド、ジフ
ェニルシロキサン、はう素のメントール化合惧 エチル
セルロース及びテルピネオール化ら成るペーストを用い
た他は実施例1と同じであム ただし 前記ペースト中
の有機化合物の混合比率(よ 金:  (Si+B)の
重量比で0.15:lとなるようにした 比較例 ガラス基材1上&へ 真空蒸着法により電極2、及び抵
抗体3、保護層4を実施例1と同様の構成で形成し九 
抵抗体3gLCVD法で膜厚2000AのZnO膜を形
成し その抵 保護層4としてSiC膜をスパッタ法に
より形成し九以上の各実施例及び比較例の発熱抵抗体の
特性を次表及び第4図に示も ただし 信頼性について
は抵抗体の表面温度は300℃に保&  5000hr
後の抵抗値変化を示す。
以上のようく ルテニウムの含有量がt 0wt%以上
になると抵抗体の比抵抗が低くなり発熱体として発熱し
なくなa また 透過率も低下してしまう。さらにζ友
 温度依存性や信頼性の面においても悪くなる。
発明の効果 以上記載のようへ 従来の薄膜法で形成したものは発熱
抵抗体として用いることはできなかった爪 本発明によ
り、透明で温度依存性が小さく、信頼性に優れ 生産性
に優れた発熱抵抗体を得ることができも
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1. 2.4.5、6と比較例
における透明発熱抵抗体の構成を示す斜視久 第2図は
その縦断側面医 第3図は本発明の実施例3における透
明発熱抵抗体の構成を示す断面は 第4図は抵抗体層の
温度依存性図であも1・・ガラス基縁 2・・電極 3
・・発熱抵抗体凰4・・保護鳳 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名菓 1 図 り 蔦 2 図 宵3図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ガラス基材表面に少なくとも一対の電極と、これ
    ら両電極と接している抵抗体層とを有し、この抵抗体層
    がガラスのマトリクスと、このマトリクスの原子結合の
    間隙に入り込んだ抵抗体成分元素の金属及び/または酸
    化物とから構成されていることを特徴とする透明発熱抵
    抗体。
  2. (2)抵抗体層が、有機金属化合物を出発原料としてそ
    の熱分解により形成されたものであることを特徴とする
    請求項1記載の透明発熱抵抗体。
  3. (3)抵抗体成分元素が、ルテニウムであり、かつ主と
    して酸化物としてガラスマトリクス中に分散しているこ
    とを特徴とする請求項1記載の透明発熱抵抗体。
  4. (4)ガラス基材表面に少なくとも一対の電極と、これ
    ら両電極に接している抵抗体層とを備え、少なくともそ
    の表面が絶縁性である発熱抵抗体において、前記抵抗体
    層が、ガラスのマトリクスと、前記マトリクス中に主と
    して分子レベルで分散している酸化ルテニウムとから構
    成されていることを特徴とする透明発熱抵抗体。
JP1130873A 1989-05-24 1989-05-24 透明発熱抵抗体 Pending JPH02309587A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521136A (ja) * 1991-07-12 1993-01-29 Toshiba Lighting & Technol Corp セラミクスヒータ
JP2006286388A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Optrex Corp パネルヒータ
JP2019533272A (ja) * 2016-07-27 2019-11-14 サン−ゴバン グラス フランス 改善された半田付けゾーンを有する導電装置を備えたグレージング

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521136A (ja) * 1991-07-12 1993-01-29 Toshiba Lighting & Technol Corp セラミクスヒータ
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