JPH02246172A - 受光素子の製造方法 - Google Patents
受光素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH02246172A JPH02246172A JP1064953A JP6495389A JPH02246172A JP H02246172 A JPH02246172 A JP H02246172A JP 1064953 A JP1064953 A JP 1064953A JP 6495389 A JP6495389 A JP 6495389A JP H02246172 A JPH02246172 A JP H02246172A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光吸収層をＩｎＧａＡｓとし、増倍層をＩｎＰとするア
バランシェフォトダイオードの製造方法に関し、暗電流
を小さく、ガードリング部が十分な傾斜型接合を有する
素子を与えることを目的とし、受光部の拡散ソースとし
てＣｄ５Ｐｔを用い、そしてガードリング部の拡散ソー
スとしてｃａｐｘを用いて、受光部とガードリング部と
にそれぞれカドミウムを不純物として拡散させることに
より構成する。
バランシェフォトダイオードの製造方法に関し、暗電流
を小さく、ガードリング部が十分な傾斜型接合を有する
素子を与えることを目的とし、受光部の拡散ソースとし
てＣｄ５Ｐｔを用い、そしてガードリング部の拡散ソー
スとしてｃａｐｘを用いて、受光部とガードリング部と
にそれぞれカドミウムを不純物として拡散させることに
より構成する。
（産業上の利用分野〕
本発明は、受光素子の製造方法に関し、さらに詳しく述
べるならば、光吸収層をＩｎＧａＡｓとし、増倍層をＩ
ｎＰとするアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）の
製造方法に関する。
べるならば、光吸収層をＩｎＧａＡｓとし、増倍層をＩ
ｎＰとするアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）の
製造方法に関する。
（従来の技術〕
ＡＰＤは、ｐ、ｎ接合にブレークダウン近くの逆バイア
スを印加し、光によって生じたキャリヤをなだれ増倍さ
せるようにしている。一般に、ＡＰＤは、第１図に示す
如き構造を有する。第１図において、１はｎ−ＩｎＰ層
、２はｎ−ＩｎＧａＡｓ層（光吸収層）、３はｎ−Ｉｎ
Ｐ層であり、４は受光部領域、５はガードリング部領域
である。そして、６は表面保護膜を示し、７は電極を示
す０図の如きＡＰＤでは、増倍層４でのブレークダウン
を利用するのであり、安定した特性を得るためにガード
リング５が設けられている、しかして、このガードリン
グは、増倍層のみでブレークダウンを起こさせる（即ち
ガードリング部のブレークダウン電圧を増倍層のそれよ
りも高くする）ために設けられるのであり、そのために
は、（１）増倍層よりもガードリングの接合を浅くしく
８で示す部分） 、（２）傾斜型の接合を与える（８お
よび９で示す部分）という条件が必要である。
スを印加し、光によって生じたキャリヤをなだれ増倍さ
せるようにしている。一般に、ＡＰＤは、第１図に示す
如き構造を有する。第１図において、１はｎ−ＩｎＰ層
、２はｎ−ＩｎＧａＡｓ層（光吸収層）、３はｎ−Ｉｎ
Ｐ層であり、４は受光部領域、５はガードリング部領域
である。そして、６は表面保護膜を示し、７は電極を示
す０図の如きＡＰＤでは、増倍層４でのブレークダウン
を利用するのであり、安定した特性を得るためにガード
リング５が設けられている、しかして、このガードリン
グは、増倍層のみでブレークダウンを起こさせる（即ち
ガードリング部のブレークダウン電圧を増倍層のそれよ
りも高くする）ために設けられるのであり、そのために
は、（１）増倍層よりもガードリングの接合を浅くしく
８で示す部分） 、（２）傾斜型の接合を与える（８お
よび９で示す部分）という条件が必要である。
本発明では、光吸収層を１ ｎＧａＡｓとし、増倍層を
ＩｎＰとするアバランシェフォトダイオードを製造する
に際して、受光部の拡散ソースとしてＣｄユＰ２を用い
、そしてガードリング部の拡散ソースとしてＣｄＰｘを
用いて、受光部とガードリング部とにそれぞれカドミウ
ムを拡散させることを特徴とする受光素子の製造方法が
提供される。
ＩｎＰとするアバランシェフォトダイオードを製造する
に際して、受光部の拡散ソースとしてＣｄユＰ２を用い
、そしてガードリング部の拡散ソースとしてＣｄＰｘを
用いて、受光部とガードリング部とにそれぞれカドミウ
ムを拡散させることを特徴とする受光素子の製造方法が
提供される。
しかして、上記の如き素子のガードリング部にベリリウ
ムを注入することが行われていた（例えば、特開昭５８
−５３８６７） 、この方法は上記条件を一応は満たす
ものであるけれども、ベリリウムの注入の際の注入ダメ
ージにより暗電流を増加させ、また得られる傾斜型接合
もまだ十分ではないという問題を有する。
ムを注入することが行われていた（例えば、特開昭５８
−５３８６７） 、この方法は上記条件を一応は満たす
ものであるけれども、ベリリウムの注入の際の注入ダメ
ージにより暗電流を増加させ、また得られる傾斜型接合
もまだ十分ではないという問題を有する。
本発明は、従って、かかる暗電流の増加がなく、十分な
傾斜型接合を有する素子を得ることのできる方法を提供
しようとするものである。
傾斜型接合を有する素子を得ることのできる方法を提供
しようとするものである。
本発明の方法によれば、第１図の素子構成において、受
光部４およびガードリング部５がＣｄ拡散層として形成
されているＡＰＤが得られる。しかして、受光部の拡散
ソースとして用いられるＣｄｚＰｚの拡散速度はガード
リング部の拡散ソースとして用いられるＣｄＰｇのそれ
の２倍以上と極めて大きく、また拡散後の受光部領域に
おけるＣｄの濃度傾斜は小さくなる。一方、ガードリン
グ部に用いられるＣｄＰｌの拡散速度は小さく、この領
域のＣｄ濃度の傾斜は受光部領域のそれに比べて大きく
なる。従って、本発明の方法により得られるＡＰＤにお
いては、前述の如き、増倍層のみでブレークダウンを起
こさせるための条件は十分に充足されることとなり、し
かも従来技術における如き注入によるダメージもないた
め、暗電流を低（保持することができる。
光部４およびガードリング部５がＣｄ拡散層として形成
されているＡＰＤが得られる。しかして、受光部の拡散
ソースとして用いられるＣｄｚＰｚの拡散速度はガード
リング部の拡散ソースとして用いられるＣｄＰｇのそれ
の２倍以上と極めて大きく、また拡散後の受光部領域に
おけるＣｄの濃度傾斜は小さくなる。一方、ガードリン
グ部に用いられるＣｄＰｌの拡散速度は小さく、この領
域のＣｄ濃度の傾斜は受光部領域のそれに比べて大きく
なる。従って、本発明の方法により得られるＡＰＤにお
いては、前述の如き、増倍層のみでブレークダウンを起
こさせるための条件は十分に充足されることとなり、し
かも従来技術における如き注入によるダメージもないた
め、暗電流を低（保持することができる。
以下に、本発明の方法の具体例を示す。
第２図ａに示す如く、ｎ−ＩｎＰ層１、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓ層２およびｎ４ｎＰ層３からなる基板にガードリング
部形成用の拡散マスク膜１０を設け、この状態で、Ｃｄ
Ｐｌを拡散ソースとして用い、真空下に加熱してトｌｎ
Ｐ層３中にＣｄを拡散させ、ガードリング部領域（ｐ型
）５を形成せしめる。
ｓ層２およびｎ４ｎＰ層３からなる基板にガードリング
部形成用の拡散マスク膜１０を設け、この状態で、Ｃｄ
Ｐｌを拡散ソースとして用い、真空下に加熱してトｌｎ
Ｐ層３中にＣｄを拡散させ、ガードリング部領域（ｐ型
）５を形成せしめる。
次いで、拡散マスク膜１０を除去し、第２図すに示す如
く、新たに受光形成用の拡散マスク膜１１を設け、ｃａ
ｓｐｔを拡散ソースとして用い、上記と同様に真空下に
加熱してｎ−ＩｎＰ層３中にＣｄを拡散させ、受光部領
域（ｐ型）４を形成せしめる。
く、新たに受光形成用の拡散マスク膜１１を設け、ｃａ
ｓｐｔを拡散ソースとして用い、上記と同様に真空下に
加熱してｎ−ＩｎＰ層３中にＣｄを拡散させ、受光部領
域（ｐ型）４を形成せしめる。
しかる後、拡散マスク膜１１を除去し、常法により表面
保護膜６および電極７（第１図）を形成する。この際、
拡散マスク膜１１は必ずしも除去しなくてもよい。
保護膜６および電極７（第１図）を形成する。この際、
拡散マスク膜１１は必ずしも除去しなくてもよい。
このようにして得られるＡＰＤにおいては、ベリリウム
の注入によって得られる従来のＡＰＤに比較して、暗電
流が約１７１０以下に減少し、歩留りが十〜数十％向上
する。
の注入によって得られる従来のＡＰＤに比較して、暗電
流が約１７１０以下に減少し、歩留りが十〜数十％向上
する。
（発明の効果〕
本発明の方法によれば、暗電流が小さくかつ十分な傾斜
型接合を有し、極めて信幀性の高い＾Ｐ［）を提供する
ことができる。
型接合を有し、極めて信幀性の高い＾Ｐ［）を提供する
ことができる。
第１図はアバランシェフォトダイオードの構成を示す要
部断面図であり、第２図ａおよびｂは本発明の詳細な説
明するための要部断面図である。 １ ＝ｎ−１ｎＰ層、 ２ ＝ｎ−１ｎＧａＡｓ
層、３・・・ｎ−ＩｎＰ層、 ４・・・受光部、５
・・・ガードリング部、６・・・表面保護膜、７・・・
電極、 １０．１１・・・拡散マスク膜。
部断面図であり、第２図ａおよびｂは本発明の詳細な説
明するための要部断面図である。 １ ＝ｎ−１ｎＰ層、 ２ ＝ｎ−１ｎＧａＡｓ
層、３・・・ｎ−ＩｎＰ層、 ４・・・受光部、５
・・・ガードリング部、６・・・表面保護膜、７・・・
電極、 １０．１１・・・拡散マスク膜。
Claims (1)
- １、光吸収層をＩｎＧａＡｓとし、増倍層をＩｎＰとす
るアバランシェフォトダイオードを製造するに際して、
受光部の拡散ソースとしてＣｄ＿３Ｐ＿２を用い、そし
てガードリング部の拡散ソースとしてＣｄＰ＿２を用い
て、受光部とガードリング部とにそれぞれカドミウムを
拡散させることを特徴とする受光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064953A JPH02246172A (ja) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | 受光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064953A JPH02246172A (ja) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | 受光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246172A true JPH02246172A (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=13272910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1064953A Pending JPH02246172A (ja) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | 受光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02246172A (ja) |
-
1989
- 1989-03-18 JP JP1064953A patent/JPH02246172A/ja active Pending
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