JPH02246314A - パターン作成方法 - Google Patents
パターン作成方法Info
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- JPH02246314A JPH02246314A JP1068306A JP6830689A JPH02246314A JP H02246314 A JPH02246314 A JP H02246314A JP 1068306 A JP1068306 A JP 1068306A JP 6830689 A JP6830689 A JP 6830689A JP H02246314 A JPH02246314 A JP H02246314A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
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- G—PHYSICS
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- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体装置製造の場合のように高精度が要求される多層
アライメントを用いるパターン作成方法に関し、 間接アライメント精度を改善できるパターン作成方法を
提供することを目的とし、 基板上に、主パターンとアライメントマークとを有する
第１層、主パターンとアライメントマークとを有する第
２層、主パターンを有する第３層を順次形成するパター
ン作成方法であって、第１層を形成する工程と、第２層
の主パターンと第１のアライメントマークを第１層のア
ライメントマークに整合させて露光する工程と、第２層
の第２のアライメントマークを第１層のアライメントマ
ークに整合させて露光する工程と、第２層の第１、第２
のアライメントマークを主パターンと共に現像する工程
と、第２層の第１、第２のアライメントマークの各々の
位！を計測して、設計値からの各ずれ量を算出する工程
と、算出した複数のずれ量に基づいて基板を移動する工
程とを含むように構成する。
アライメントを用いるパターン作成方法に関し、 間接アライメント精度を改善できるパターン作成方法を
提供することを目的とし、 基板上に、主パターンとアライメントマークとを有する
第１層、主パターンとアライメントマークとを有する第
２層、主パターンを有する第３層を順次形成するパター
ン作成方法であって、第１層を形成する工程と、第２層
の主パターンと第１のアライメントマークを第１層のア
ライメントマークに整合させて露光する工程と、第２層
の第２のアライメントマークを第１層のアライメントマ
ークに整合させて露光する工程と、第２層の第１、第２
のアライメントマークを主パターンと共に現像する工程
と、第２層の第１、第２のアライメントマークの各々の
位！を計測して、設計値からの各ずれ量を算出する工程
と、算出した複数のずれ量に基づいて基板を移動する工
程とを含むように構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は同一基板上に複数のパターンを順次重合わせて
焼付けを行うパターン作成方法に関し、特に半導体装置
製造の場合のように高精度が要求される多層アライメン
トを用いるパターン作成方法に関する。
焼付けを行うパターン作成方法に関し、特に半導体装置
製造の場合のように高精度が要求される多層アライメン
トを用いるパターン作成方法に関する。
近年、半導体集積回路の急速な大規模化に件って集積度
の向上が強く望まれ、フォトリングラフィを中心とする
微細加工技術の継続的な開発が行われている。この中で
、精密なアライメント技術は、より微細なパターンを形
成する解像度向上の技術とならんで、集積度を決定する
重要な技術である。
の向上が強く望まれ、フォトリングラフィを中心とする
微細加工技術の継続的な開発が行われている。この中で
、精密なアライメント技術は、より微細なパターンを形
成する解像度向上の技術とならんで、集積度を決定する
重要な技術である。
［従来の技術］
従来の技術では、基板上に、被整合層となる下層を形成
し、その上にフォトレジスト層を形成した後、主パター
ンとアライメントマークパターンを同時に露光すること
により、下層の主パターンとそれと一定の位置関係にあ
る一組のアライメントマークを形成する。そして整合し
ようとする層となる上層およびフォトレジスト層を形成
後、まず被整合層である下層のアライメントマークの位
置を計測し、次にこの位置がマスクに対して予め決まっ
た位置（設計値ということにする）に来るように基板を
移動してから、上層用マスクの露光を行う、多層のパタ
ーン作成を行う場合は、上述の手順を繰り返すことによ
って順次アライメントを行っていた。
し、その上にフォトレジスト層を形成した後、主パター
ンとアライメントマークパターンを同時に露光すること
により、下層の主パターンとそれと一定の位置関係にあ
る一組のアライメントマークを形成する。そして整合し
ようとする層となる上層およびフォトレジスト層を形成
後、まず被整合層である下層のアライメントマークの位
置を計測し、次にこの位置がマスクに対して予め決まっ
た位置（設計値ということにする）に来るように基板を
移動してから、上層用マスクの露光を行う、多層のパタ
ーン作成を行う場合は、上述の手順を繰り返すことによ
って順次アライメントを行っていた。
［従来技術の検討］
第２図を参照して従来技術におけるアライメント精度を
検討する。
検討する。
簡単のため１次元のアライメント精度について説明する
。２次元でも同様の現象を生じることは明らかである。
。２次元でも同様の現象を生じることは明らかである。
また、加工対象層とフォトレジスト層とを併せて１層と
呼び、第ｎ層をＬｎと表す。
呼び、第ｎ層をＬｎと表す。
３層Ｌ１〜Ｌ３の露光を引き続いて行う場合について説
明する。なお、露光は光によるもののみでなく電子ビー
ム等による露光を含むものとする。
明する。なお、露光は光によるもののみでなく電子ビー
ム等による露光を含むものとする。
まず、第１層Ｌ１を作成し、第１層ＬｌのパターンＰＩ
、アライメントマークＭＩを形成する。
、アライメントマークＭＩを形成する。
第１層Ｌ１の基準点の座標をＸｌとする０次に、第２層
Ｌ２を形成し、第１層Ｌ１のアライメントマークＭＩに
整合させて第２層Ｌ２用のマスクを露光する。第２層Ｌ
２の基準点はＸ２になるとする。この時、第２層の基準
点×２は正常なアライメント方法を用いると、近似的に
平均値が第１層の基準点Ｘ１と等しくなり、分散σ２２
の正規分布に従う確率変数となる。１７１いて第３層を
形成し、第２層Ｌ２のアライメントマークにＭＩＩに整
合させて第３層Ｌ３用のマスクを露光する。第３層Ｌ３
は基準点がＸ３になるとする。Ｘ３は近似的に平均値が
第２層の基準点Ｘ２と等しくなり、分散σ３２の正規分
布に従う。
Ｌ２を形成し、第１層Ｌ１のアライメントマークＭＩに
整合させて第２層Ｌ２用のマスクを露光する。第２層Ｌ
２の基準点はＸ２になるとする。この時、第２層の基準
点×２は正常なアライメント方法を用いると、近似的に
平均値が第１層の基準点Ｘ１と等しくなり、分散σ２２
の正規分布に従う確率変数となる。１７１いて第３層を
形成し、第２層Ｌ２のアライメントマークにＭＩＩに整
合させて第３層Ｌ３用のマスクを露光する。第３層Ｌ３
は基準点がＸ３になるとする。Ｘ３は近似的に平均値が
第２層の基準点Ｘ２と等しくなり、分散σ３２の正規分
布に従う。
［［発明が解決しようとする課題］
さてこのとき、Ｌｌ・［５２間の位置ずれＸｌ−Ｘ２の
分散はσ２ 、Ｌ２・Ｌ３間の位置ずれＸ２−Ｘ３の分
散はσ３２となる１問題となるのはＬｌ・Ｌ３間の位置
ずれで、分散σ２２＋σ３２となる。これはいわゆる間
接アライメントにおけるアライメント精度の低下として
知られていることである。
分散はσ２ 、Ｌ２・Ｌ３間の位置ずれＸ２−Ｘ３の分
散はσ３２となる１問題となるのはＬｌ・Ｌ３間の位置
ずれで、分散σ２２＋σ３２となる。これはいわゆる間
接アライメントにおけるアライメント精度の低下として
知られていることである。
こうして従来技術では間接アライメント精度は、２層の
間がアライメント系列上で離れる程増大する。構造が複
雑化したため多くの組み合わせについて眉間のずれが間
Ｕとなる最先端のデバイスにおいては、アライメントず
れを予め見込んで余裕を持ったレイアウトをせざる得す
、集積度の向上を大いに妨げている。
間がアライメント系列上で離れる程増大する。構造が複
雑化したため多くの組み合わせについて眉間のずれが間
Ｕとなる最先端のデバイスにおいては、アライメントず
れを予め見込んで余裕を持ったレイアウトをせざる得す
、集積度の向上を大いに妨げている。
本発明の目的は、間接アライメント精度を改善てきるパ
ターン作成方法を提供することである。
ターン作成方法を提供することである。
間のずれの分散はσ２ ＋σ３２となり、相変わらず各
直接アライメントずれの和であり、本質的な間接アライ
メント精度の改善にはなっていない。
直接アライメントずれの和であり、本質的な間接アライ
メント精度の改善にはなっていない。
［課題を解決するための手段］
第１図（Ａ）、（Ｂ）に本発明の原理説明図を示す、第
１図（Ａ）が本発明の１つの形態を示し、第１図（Ｂ）
が本発明の他の形態を示す。
１図（Ａ）が本発明の１つの形態を示し、第１図（Ｂ）
が本発明の他の形態を示す。
本発明の１つの形態によれば、第１図（Ａ）を参照して
、第２層Ｌ２以降のパターン形成に際し、第２層の主パ
ターンＰ■と第１のアライメントマークＭＩＩ−１を、
第１層のアライメントマークＭＩに整合させて露光し、
第１のアライメントマークＭＩ［−１とは別の位置に第
２のアライメントマークＭＩＩ−２を、少なくとも一回
第１層のアライメントマークＭＩに整合させて露光して
、複数のアライメントマークＭｕ−１、ＭＩｒ−２を形
成しておき、これらアライメントマークＭＩＩ−１、Ｍ
ｎ−２各々の位置を計測して設計値からのずれ量を算出
し、これら複数のずれ量に基づいて基板を移動すること
によって第３層Ｌ３の整合を行う。
、第２層Ｌ２以降のパターン形成に際し、第２層の主パ
ターンＰ■と第１のアライメントマークＭＩＩ−１を、
第１層のアライメントマークＭＩに整合させて露光し、
第１のアライメントマークＭＩ［−１とは別の位置に第
２のアライメントマークＭＩＩ−２を、少なくとも一回
第１層のアライメントマークＭＩに整合させて露光して
、複数のアライメントマークＭｕ−１、ＭＩｒ−２を形
成しておき、これらアライメントマークＭＩＩ−１、Ｍ
ｎ−２各々の位置を計測して設計値からのずれ量を算出
し、これら複数のずれ量に基づいて基板を移動すること
によって第３層Ｌ３の整合を行う。
本発明の池の形態によれば、第１図（Ｂ）を参照して、
第２層の主パターンＰ■とアライメントマークＭＩＩ−
１を第１層のアライメントマークＭ■に整合させて露光
し、次に、第２のアラインメントマークＭＩＩ−２を、
第１のアライメントマークＭＩＩ−ｉと少なくとも１部
重ね合わせて少なくとも一回第１層のアライメントマー
クＭＩに整合させて露光し、これら第１、第２のアライ
メントマークＭＩＩ−１、Ｍｌｌ−２を重ね合わせて形
成しておき、重ね合わされたアライメントマークの両端
位置を計測して基準位置を求め、設計値からのずれ量を
算出し、ずれ量だ番フ基板を移動することによって第３
層Ｌ３の整合を行う。
第２層の主パターンＰ■とアライメントマークＭＩＩ−
１を第１層のアライメントマークＭ■に整合させて露光
し、次に、第２のアラインメントマークＭＩＩ−２を、
第１のアライメントマークＭＩＩ−ｉと少なくとも１部
重ね合わせて少なくとも一回第１層のアライメントマー
クＭＩに整合させて露光し、これら第１、第２のアライ
メントマークＭＩＩ−１、Ｍｌｌ−２を重ね合わせて形
成しておき、重ね合わされたアライメントマークの両端
位置を計測して基準位置を求め、設計値からのずれ量を
算出し、ずれ量だ番フ基板を移動することによって第３
層Ｌ３の整合を行う。
［作用］
本発明によれば、以下のようにして間接アライメント精
度を向上できる。簡単のため、３層Ｌ１〜Ｌ３の１次元
アライメント精度について説明する。
度を向上できる。簡単のため、３層Ｌ１〜Ｌ３の１次元
アライメント精度について説明する。
なお、本発明者は位置ずれの分散σ２を次の２つの原因
に分解できることを考慮した。
に分解できることを考慮した。
すなわち、
σ２＝ （ｌｌＯ８２＋σｌＯＶ ２
ここでσ１ｅｓ２はアライメントマーク位置の計測誤差
、σｌｌ０ｖ２は計測に基づいて計算された移動量と実
際の移動量との間の誤差である。
、σｌｌ０ｖ２は計測に基づいて計算された移動量と実
際の移動量との間の誤差である。
まず、主パターンＰＩとアライメントマークＭＩを有す
る第１層Ｌ１のパターン形成を行う、第１層Ｌ１のアラ
イメントマークＭＩは従来通りとする。第１層Ｌ１の基
準点の座標をＸｌとする。
る第１層Ｌ１のパターン形成を行う、第１層Ｌ１のアラ
イメントマークＭＩは従来通りとする。第１層Ｌ１の基
準点の座標をＸｌとする。
第１層Ｌ１のアライメントマークＭＩに合わせて第２層
Ｌ２の主パターンｐ１と第１ＭのアライメントマークＭ
ｌｌ−１を露光する。これらの基準点Ｘ２１は平均Ｘ１
、分散ａ 、２＝ａｍｅｓ ！２＋ａ１０Ｖ、２となる
。再度第１層Ｌ１のアライメントマークＭＩに合わせて
第２層Ｌ２の第２組のアライメントマークＭＩＩ−２を
露光すると、その基準点Ｘ２２は平均Ｘｌ、分散σ２２
となる。このとき、２回に分けて整合、露光したことに
よって、Ｘ２１、Ｘ２２が実質的に独立な確率変数とな
ることが、重要である。
Ｌ２の主パターンｐ１と第１ＭのアライメントマークＭ
ｌｌ−１を露光する。これらの基準点Ｘ２１は平均Ｘ１
、分散ａ 、２＝ａｍｅｓ ！２＋ａ１０Ｖ、２となる
。再度第１層Ｌ１のアライメントマークＭＩに合わせて
第２層Ｌ２の第２組のアライメントマークＭＩＩ−２を
露光すると、その基準点Ｘ２２は平均Ｘｌ、分散σ２２
となる。このとき、２回に分けて整合、露光したことに
よって、Ｘ２１、Ｘ２２が実質的に独立な確率変数とな
ることが、重要である。
次に、第３層Ｌ３を整合させる。第２層の第１組のアラ
イメントマークＭ…−１の位置を測定して得られる基準
座標は、Ｘ２１の真の位置がＸ２１であるとして、平均
Ｘ２１、分散σ５ｅｓ３２第２組のアライメントマーク
ＭＩＩ−２の位置を測定して得られる基準座標は、同様
に平均Ｘ２２、分散σ５ｅｓ３２となる。
イメントマークＭ…−１の位置を測定して得られる基準
座標は、Ｘ２１の真の位置がＸ２１であるとして、平均
Ｘ２１、分散σ５ｅｓ３２第２組のアライメントマーク
ＭＩＩ−２の位置を測定して得られる基準座標は、同様
に平均Ｘ２２、分散σ５ｅｓ３２となる。
これら計測位置を平均すると、平均（Ｘ２１士Ｘ２２）
／２、分散ａｔｘｅｓ３２７２となる。
／２、分散ａｔｘｅｓ３２７２となる。
こうして得られた位置情報に基づいて第３層Ｌ３を合わ
せると、第３層Ｌ３の基準点ｘ３は平均（Ｘ２１＋Ｘ２
２）／２、分散（Ｆ３．２＝ｆｆｌｅＳＳ ／２＋（
ＦＩＯＶ３２となる。
せると、第３層Ｌ３の基準点ｘ３は平均（Ｘ２１＋Ｘ２
２）／２、分散（Ｆ３．２＝ｆｆｌｅＳＳ ／２＋（
ＦＩＯＶ３２となる。
この結果、第２層Ｌ２、第３層し３間のずれＸ２ｌ−Ｘ
３の分散は、Ｘ２１．Ｘ２２／）独立性と平均位置のず
れを考慮してσ２２／２＋σ３．２となり、第１層Ｌ１
・第３層し３間のずれＸｌ−Ｘ３の分散は、ふたたびＸ
２１．Ｘ２２の独立性を考慮してσｔ／２＋σ３．２と
なる。こうして間接アライメント精度が従来に比べてσ
２２／２だけ改善された。
３の分散は、Ｘ２１．Ｘ２２／）独立性と平均位置のず
れを考慮してσ２２／２＋σ３．２となり、第１層Ｌ１
・第３層し３間のずれＸｌ−Ｘ３の分散は、ふたたびＸ
２１．Ｘ２２の独立性を考慮してσｔ／２＋σ３．２と
なる。こうして間接アライメント精度が従来に比べてσ
２２／２だけ改善された。
因子１／２が新たな効果であって、従来の方法ではでて
来ない、すなわち、本質的な間接アライメント精度の改
善が達成された。
来ない、すなわち、本質的な間接アライメント精度の改
善が達成された。
ところで上記の場合、直接アライメント精度は従来に比
べてσ２２／２だけ劣化してしまっている。これは結果
的に間接アライメント精度の改善に重点を置いているた
めで、必要に応じて重み付き平均を用いることによって
、直接アライメントと間接アライメントとのバランスを
とることができる。
べてσ２２／２だけ劣化してしまっている。これは結果
的に間接アライメント精度の改善に重点を置いているた
めで、必要に応じて重み付き平均を用いることによって
、直接アライメントと間接アライメントとのバランスを
とることができる。
第１組のアライメントマークの重みをｗ（０≦Ｗ≦１）
、第２組のアライメントマークの重みを（１−ｗ）とす
ると、重み付き平均は、ｗＸ２１＋（１−ｗ）Ｘ２２と
なる。この結果、Ｌ２−Ｌ３間のずれＸ２ｌ−Ｘ３の分
散は ２（１−ｗ）２σ２２＋σ３，２ となり、Ｌｌ・Ｌ３閏のす九Ｘ１−Ｘ３の分散は［（（
１−ｗ）２＋ｗ２］σ２２＋σ３．２となる０ｗ＝１／
２が単純平均であり、Ｗを大きくするにつれて直接アラ
イメント精度は向上し、間接アライメント精度が劣化す
ることがわかる。
、第２組のアライメントマークの重みを（１−ｗ）とす
ると、重み付き平均は、ｗＸ２１＋（１−ｗ）Ｘ２２と
なる。この結果、Ｌ２−Ｌ３間のずれＸ２ｌ−Ｘ３の分
散は ２（１−ｗ）２σ２２＋σ３，２ となり、Ｌｌ・Ｌ３閏のす九Ｘ１−Ｘ３の分散は［（（
１−ｗ）２＋ｗ２］σ２２＋σ３．２となる０ｗ＝１／
２が単純平均であり、Ｗを大きくするにつれて直接アラ
イメント精度は向上し、間接アライメント精度が劣化す
ることがわかる。
従って、デバイスのレイアウトと平均時の重み付けを同
時に最適化することによって、最大の集積度を得ること
ができる。このような自由度は従来は全く得られなかっ
た。
時に最適化することによって、最大の集積度を得ること
ができる。このような自由度は従来は全く得られなかっ
た。
これまでは２組のアライメントマークを形成する場合で
あったが、ｎ組形成すれば、Ｌｌ・Ｌ３間のアライメン
トずれ分散は ａ＠２／ｎ＋ａ＠”２ Ｌ２・し３間の直接アライメントずれの分散は（ｎ−１
）σ・２／ｎ＋σ３“２ ′″２２ （Ｆ３ ＝ｃＦｌｅＳ ＠ ／ｎ＋、ｌＯＶ ３
２となる。
あったが、ｎ組形成すれば、Ｌｌ・Ｌ３間のアライメン
トずれ分散は ａ＠２／ｎ＋ａ＠”２ Ｌ２・し３間の直接アライメントずれの分散は（ｎ−１
）σ・２／ｎ＋σ３“２ ′″２２ （Ｆ３ ＝ｃＦｌｅＳ ＠ ／ｎ＋、ｌＯＶ ３
２となる。
この場合も重み付き平均を用いることによって、上記同
様直接・間接のバランスをとることができ、全体として
は２組の場合より精度が向上する。
様直接・間接のバランスをとることができ、全体として
は２組の場合より精度が向上する。
さらに、第２組以降のアライメントマークに組合わせて
他の組の主パターンを形成することもできる。
他の組の主パターンを形成することもできる。
現状では、半導体装置の規模増大が集積度向上に勝りつ
つあり、チップサイズは増大している。
つあり、チップサイズは増大している。
その結果、露光装置のフィールドサイズの制限を越えて
チップを形成する要求がある。その方法としてチップを
複数のフィールドに分割して露光、形成する方法がある
が、このとき各フィールドごとにアライメントを行うと
、フィールド間は間接アライメントに等価となり、層を
重ねるにつれてずれは拡大することになる。
チップを形成する要求がある。その方法としてチップを
複数のフィールドに分割して露光、形成する方法がある
が、このとき各フィールドごとにアライメントを行うと
、フィールド間は間接アライメントに等価となり、層を
重ねるにつれてずれは拡大することになる。
また、メモリセルアレイ領域のような最小寸法の小さな
領域と周辺回路部のような最小寸法の大きな領域を別々
の露光装置で形成する方法も検討されているが、この場
合も上記と同様の間接アライメントの問題を生じる。
領域と周辺回路部のような最小寸法の大きな領域を別々
の露光装置で形成する方法も検討されているが、この場
合も上記と同様の間接アライメントの問題を生じる。
これらの問題に対し、複数組の主パターンに各々アライ
メントマークを組合わせて形成し、これらアライメント
マークの平均の位置を次の層の基準位置とすれば、上に
詳述したのと同様にして眉間、フィールド間のアライメ
ント精度の改善が可能となる。
メントマークを組合わせて形成し、これらアライメント
マークの平均の位置を次の層の基準位置とすれば、上に
詳述したのと同様にして眉間、フィールド間のアライメ
ント精度の改善が可能となる。
また本発明の他の形態でも問題が解決されることを以下
に説明する。
に説明する。
ポジ型レジストを用いる場合、第１図（Ｂ）を参照する
と、第１層Ｌｌのアライメントマーク間工に合わせて第
２層の第１組のアライメントマークＭＩ［−１を露光し
、さらに再びＭＩに合わせて第２組のアライメントマー
クＭＩＩ−２を露光する。
と、第１層Ｌｌのアライメントマーク間工に合わせて第
２層の第１組のアライメントマークＭＩ［−１を露光し
、さらに再びＭＩに合わせて第２組のアライメントマー
クＭＩＩ−２を露光する。
第１図（Ｂ）で示すように、２つのアライメントマーク
Ｍｎ−１とＭＩ［−２が重なって、図中斜線を付けた重
複部のみがマークとして残る。
Ｍｎ−１とＭＩ［−２が重なって、図中斜線を付けた重
複部のみがマークとして残る。
従って、こうして形成された重ね合わせマークの中心位
置を計測すると前述の（Ｘ２ｉ＋Ｘ２２）／２の計測と
等価になり、上に詳述した第１の方法で単純平均をとっ
た場合とまったく同様にしてアライメント精度が改善さ
れる。ネガ型レジストを用いた場合もマークの中心位置
を計測すればまったく同様である。第１と第２のマーク
を１部重九合わせ、重ね合わせマークの両端を重み付け
することにより、重み付は平均を取ることもできる。
置を計測すると前述の（Ｘ２ｉ＋Ｘ２２）／２の計測と
等価になり、上に詳述した第１の方法で単純平均をとっ
た場合とまったく同様にしてアライメント精度が改善さ
れる。ネガ型レジストを用いた場合もマークの中心位置
を計測すればまったく同様である。第１と第２のマーク
を１部重九合わせ、重ね合わせマークの両端を重み付け
することにより、重み付は平均を取ることもできる。
この方法の利点は、アライメントマークの領域を各層１
組だけしか必要としない点である。一方、この方法では
各回に露光されるマークの幅の変動が、必要とされるア
ライメント精度に比べて十分率さいことが必要である。
組だけしか必要としない点である。一方、この方法では
各回に露光されるマークの幅の変動が、必要とされるア
ライメント精度に比べて十分率さいことが必要である。
［実施例］
以下本発明の詳細な説明する。使用するマスクの数は３
枚以上であるが、簡単のため同一対象物に対して３枚の
マスクを順次用いる場合のパターン作成について説明す
る。対象物上の複整合層は同一層でも積層中の異なる層
でもよい。
枚以上であるが、簡単のため同一対象物に対して３枚の
マスクを順次用いる場合のパターン作成について説明す
る。対象物上の複整合層は同一層でも積層中の異なる層
でもよい。
第３図（Ａ）〜（Ｆ）を参照して、本発明の詳細な説明
する。
する。
第３図（Ａ）は基板上に形成された第１層に形成された
パターンを示したもので、主パターン１とアライメント
マーク２を含む、主パターンもアライメントマークもそ
れぞれ１つを図示したが複数個ないし複数組みあっても
よい、主パターンはなくてもよい、第３図（Ａ）で示す
第１層上に第２層を形成し、その上にポジ型フォトレジ
ストを塗布する。
パターンを示したもので、主パターン１とアライメント
マーク２を含む、主パターンもアライメントマークもそ
れぞれ１つを図示したが複数個ないし複数組みあっても
よい、主パターンはなくてもよい、第３図（Ａ）で示す
第１層上に第２層を形成し、その上にポジ型フォトレジ
ストを塗布する。
第３図（Ｂ）は第２層用のマスク３を示したもので、主
パターン４、アライメントマーク５、第２のアライメン
トマーク形成のための領域を覆うマスク６を含む、これ
を基板上のアライメントマーク２に合わせてアライメン
トし、フォトレジストを露光する。
パターン４、アライメントマーク５、第２のアライメン
トマーク形成のための領域を覆うマスク６を含む、これ
を基板上のアライメントマーク２に合わせてアライメン
トし、フォトレジストを露光する。
第３図（Ｃ）は第２ＮＩの第２のマスク７を示す。
第２のマスク７は第２のアライメントマーク８を含む、
第２のマスク７と基板上のアライメントマーク２とをア
ライメントし、さらにフォトレジストを露光する。続い
て現像を行ってフォトレジストマスクを形成し第２層の
加工を行う。
第２のマスク７と基板上のアライメントマーク２とをア
ライメントし、さらにフォトレジストを露光する。続い
て現像を行ってフォトレジストマスクを形成し第２層の
加工を行う。
得られるパターンは第３図（Ｄ）のようになる。
主パターン９、第２層のアライメントマーク１１．１２
が形成される。なお、第１層のアライメントマーク２も
基板上に残るものとして図示した。この後基板上に第３
層を形成し、その上にフォトレジストを塗布する。
が形成される。なお、第１層のアライメントマーク２も
基板上に残るものとして図示した。この後基板上に第３
層を形成し、その上にフォトレジストを塗布する。
第３図（Ｅ）は第３層用のマスク１３を示し、主パター
ン１４を含む、これを露光装置にアライメントしてセッ
トし、続いて基板上のアライメントマーク１１．１２の
各位置を計測し、これら現在位置の設計値からのずれを
それぞれ求め、その単純平均もしくは重み付き平均を計
算して移動量を求める。この量だけ基板を移動して、ア
ライメントを完了する。そして第３層に第３層用のマス
クのパターンを露光、現像し第３層に対する加工を行っ
て第３層のパターンを形成する。
ン１４を含む、これを露光装置にアライメントしてセッ
トし、続いて基板上のアライメントマーク１１．１２の
各位置を計測し、これら現在位置の設計値からのずれを
それぞれ求め、その単純平均もしくは重み付き平均を計
算して移動量を求める。この量だけ基板を移動して、ア
ライメントを完了する。そして第３層に第３層用のマス
クのパターンを露光、現像し第３層に対する加工を行っ
て第３層のパターンを形成する。
この状態を第３図（Ｆ）に示す、第３層の主パターン１
５が形成されている。なお、第１層のアライメントマー
ク２、第２層のアライメントマーク１１．１２も図示す
る。
５が形成されている。なお、第１層のアライメントマー
ク２、第２層のアライメントマーク１１．１２も図示す
る。
第４図（Ａ）〜（Ｆ）を参照して本発明の他の実施例を
説明する。
説明する。
第４図（Ａ）は基板上に形成された第１層のパターンを
示し、主パターン２１とアライメントマーク２２が含ま
れる。主パターン２１は無くてもよい、主パターン、ア
ライメントマークが複数ないし複数組あってもよい。
示し、主パターン２１とアライメントマーク２２が含ま
れる。主パターン２１は無くてもよい、主パターン、ア
ライメントマークが複数ないし複数組あってもよい。
第１層上に第２層を形成し、フォトレジストを塗布する
。第２層以降は１チツプが、例えばこメモリ部分と周辺
回路部分というように２分割して露光されるものとする
。
。第２層以降は１チツプが、例えばこメモリ部分と周辺
回路部分というように２分割して露光されるものとする
。
第４図（Ｂ）、（Ｃ）が第２層の第１、第２マスクを示
す。
す。
第４図（Ｂ）に示す第１のマスク２３には第１パターン
２４、第１アライメントマーク２５と、第２主パターン
領域のマスク２６、第２アライメントマーク領域のマス
ク２７が含まれる。
２４、第１アライメントマーク２５と、第２主パターン
領域のマスク２６、第２アライメントマーク領域のマス
ク２７が含まれる。
第４図（Ｃ）に示す第２マスク２３ａには第２主パター
ン２９、第２アライメントマーク３０、第１主パターン
のマスク３１が含まれる。
ン２９、第２アライメントマーク３０、第１主パターン
のマスク３１が含まれる。
基板上のアライメントマーク２２に合わせて第１マスク
２３をアライメントして露光し、続いて再びアライメン
トマーク２２に合わせて第２マスク２３ａをアライメン
トして露光した後、現像して、パターンを形成する。
２３をアライメントして露光し、続いて再びアライメン
トマーク２２に合わせて第２マスク２３ａをアライメン
トして露光した後、現像して、パターンを形成する。
得られる第２層のパターンを第４図（Ｄ）に示す
第１の主パターン３２とその周辺の第２の主パターン３
３が形成される。第２層のアライメントマーク３４．３
５も形成される。第１層のアライメントマーク２２６図
示しである。
３が形成される。第２層のアライメントマーク３４．３
５も形成される。第１層のアライメントマーク２２６図
示しである。
次に、第３層を形成し、フォトレジストを塗布する。
第４図（Ｅ）、（Ｆ）が第３層用の２つのマスク３８．
３９を示す、第１のマスク３８は第１の主パターン４１
と第２の主パターン用マスク４２を有する。第２のマス
ク３９は第２の主パターン４３と第１の主パターン用マ
スク４４を有する。
３９を示す、第１のマスク３８は第１の主パターン４１
と第２の主パターン用マスク４２を有する。第２のマス
ク３９は第２の主パターン４３と第１の主パターン用マ
スク４４を有する。
まず、第３層用の第１のマスク３８を露光装置にアライ
メントしてセットし、続いて基板上のアライメントマー
ク３４．３５の各位置を計測し、これらの現在位置の設
計値からのずれをそれぞれ求め、その単純もしくは重み
付き平均を計算して移動量を求める。この量だけ基板を
移動して第３層の第１のマスク３８を露光する、続いて
同様に第３層の第２のマスク３９に対してアライメント
を行い、露光する。そして両マスク３８．３９の露光後
、現像を行って、第３層のパターンを形成する。
メントしてセットし、続いて基板上のアライメントマー
ク３４．３５の各位置を計測し、これらの現在位置の設
計値からのずれをそれぞれ求め、その単純もしくは重み
付き平均を計算して移動量を求める。この量だけ基板を
移動して第３層の第１のマスク３８を露光する、続いて
同様に第３層の第２のマスク３９に対してアライメント
を行い、露光する。そして両マスク３８．３９の露光後
、現像を行って、第３層のパターンを形成する。
第５図（Ａ）〜（Ｆ）を参照して本発明の他の実施例を
説明する。
説明する。
第５図（Ａ）は基板上に形成した第１層のパターンを示
し、主パターン５１とアライメントマーク５２が含まれ
る。第１層上に第２層を形成し、フォトレジストを塗布
する。
し、主パターン５１とアライメントマーク５２が含まれ
る。第１層上に第２層を形成し、フォトレジストを塗布
する。
第５図（Ｂ）は第２層の第１のマスク５３を示し、主パ
ターン５４、アライメントマーク５５を含む、この第２
層用の第１のマスク５３をセットし、基板上のアライメ
ントマーク５２とマスク５３とをアライメントし、第２
層用パターンを露光する。
ターン５４、アライメントマーク５５を含む、この第２
層用の第１のマスク５３をセットし、基板上のアライメ
ントマーク５２とマスク５３とをアライメントし、第２
層用パターンを露光する。
第５図（Ｃ）は第２層用の第２のマスク５６を示し、第
２のアライメントマーク５７を含む、この第２のマスク
５６を再び基板上のアライメントマーク５２に合わせて
アライメントし、露光する。
２のアライメントマーク５７を含む、この第２のマスク
５６を再び基板上のアライメントマーク５２に合わせて
アライメントし、露光する。
続いて、現像を行う。
得られるパターンは第５図（Ｄ）に示すようになる。主
パターン５８、第２層のアライメントマーク５９が形成
される。アライメントマーク５９は第１のマスク５３の
アライメントマーク５５と第２のマスク５６のアライメ
ントマーク５７を重ね合わせたものである。ずれの量に
よって両端間の長さが変化する。別の置方をすれば、両
端の位置がそれぞれ独立したアライメントマークとなる
。
パターン５８、第２層のアライメントマーク５９が形成
される。アライメントマーク５９は第１のマスク５３の
アライメントマーク５５と第２のマスク５６のアライメ
ントマーク５７を重ね合わせたものである。ずれの量に
よって両端間の長さが変化する。別の置方をすれば、両
端の位置がそれぞれ独立したアライメントマークとなる
。
第１層のアライメントマーク５２の形も残るものとして
図示しである。この第２層の上に第３層を形成し、その
上にフォトレジストを塗布する。
図示しである。この第２層の上に第３層を形成し、その
上にフォトレジストを塗布する。
第５図（Ｅ）は第３層用のマスク６ｏを示し、主パター
ン６１を含む、これを露光装置にアライメントしてセッ
トし、続いて基板上のアライメントマーク５９の中心位
置ないし重み付は中心位置を計測し、設計値からのずれ
を求め、この量だけ基板を移動して、アライメントが完
成する。
ン６１を含む、これを露光装置にアライメントしてセッ
トし、続いて基板上のアライメントマーク５９の中心位
置ないし重み付は中心位置を計測し、設計値からのずれ
を求め、この量だけ基板を移動して、アライメントが完
成する。
そして露光、現像を行って、第５図（Ｆ）に示す第３層
のパターンを形成する。主パターン６２が形成される。
のパターンを形成する。主パターン６２が形成される。
第２層のアライメントマーク５９、第１層のアライメン
トマーク５２も図示する。
トマーク５２も図示する。
以上の実施例で、第１層のアライメントマークが１組の
場合を説明したが、これを複数組形成しておいて、第２
層のアライメント時に複数個のアライメントマークから
求めた平均位置に合わせれば、位置計測誤差によるずれ
を減少させることが期待できる。
場合を説明したが、これを複数組形成しておいて、第２
層のアライメント時に複数個のアライメントマークから
求めた平均位置に合わせれば、位置計測誤差によるずれ
を減少させることが期待できる。
また、第３層にはアライメントマークを示さなかったが
、第４層以降のアライメントが必要なら第３層にもアラ
イメントマークを設けるにのアライメントマークも２種
用意して独立して露光することにより、アライメント精
度の改善が行える。
、第４層以降のアライメントが必要なら第３層にもアラ
イメントマークを設けるにのアライメントマークも２種
用意して独立して露光することにより、アライメント精
度の改善が行える。
また、図には示さなかったが、アライメントマークは一
般に各種パターンの組合わせであり、図中の各アライメ
ントマークはこのような組を示すものである。
般に各種パターンの組合わせであり、図中の各アライメ
ントマークはこのような組を示すものである。
また、ポジ型レジストを用いる場合で説明したが、勿論
ネガ型レジストでもマスクをそれに合わせれば同様に適
用可能である。
ネガ型レジストでもマスクをそれに合わせれば同様に適
用可能である。
また、アライメントマークを２組形成するためにマスク
を２種類用いたが、１枚のマスク上に本発明の適用に必
要なパターンを全て持たせ、露光装置にマスクａ能等の
パターン選択機能を持たせて各回に必要な部分のみ露光
するようにしてもよい、このマスク機能を別に用意した
開口マスクを用いて行うことも可能である。
を２種類用いたが、１枚のマスク上に本発明の適用に必
要なパターンを全て持たせ、露光装置にマスクａ能等の
パターン選択機能を持たせて各回に必要な部分のみ露光
するようにしてもよい、このマスク機能を別に用意した
開口マスクを用いて行うことも可能である。
以上実施例に沿って説明したが、本発明はこれらに限定
されるものではない、特許請求の範囲内で各種の変形、
変更、改良、組合わせ等が可能なことは当業者に自明で
あろう。
されるものではない、特許請求の範囲内で各種の変形、
変更、改良、組合わせ等が可能なことは当業者に自明で
あろう。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明によれば、間接アラ
イメント精度を、必要なら直接アライメント精度とバラ
ンスをとりながら、向上させることができる。
イメント精度を、必要なら直接アライメント精度とバラ
ンスをとりながら、向上させることができる。
その結果デバイスの集積度を向上させることができる。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の原理説明図、第２図
は従来技術の問題点を説明するための図、第３図（Ａ）
〜（Ｆ）は本発明の詳細な説明する図、 第４図（Ａ）〜（Ｆ）、第５図（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞ
れ本発明の他の実施例を説明する図である。 パターン アライメントマーク 層 第１層のもの 第２層のもの 第３層のもの １ 主パターン ２ アライメントマーク ３ マスク ４ 主パターン ５ アライメントマーク ６ マスク ７ 第２のマスク ８ 第２のアライメントマーク９ 主
パターン １１．１２ アライメントマーク １３ マスク １４．１５ 主パターン ２１．２４，２９，３２，３３．４３ パターン２２
．２５．３Ｇ、３４．３５アライメントマーク２３．２
３ａ、３８，３９ ？スフ ２６．２７，３１，４２．４４マスク（パターン用、マ
ーク用）５１．５４，５８，６１．６２主パターン５２
．５５，５７．５９ アライメントマーク第１図 （Ｃ）第２層用第２マスク （Ｄ）第２層パターン （Ｅ）第３層用マスク （Ｆ）第３層パターン （Ａ）第１層パターン （Ｂ）第２層用第１マスク 第３図（その１） （Ａ）第１層パターン （Ｂ）第２Ｊｉ用第１マスク （Ｃ）第２層用第２マスク （Ｄ）第２Ｍパターン （Ｅ）第３層用第１マスク （Ｆ）第３層用第２マスク ８ｌ− （Ａ）第１層パターン （Ｂ）第２層用第２マスク （Ｃ）第２層用第２マスク （））第２層パターン （Ｅ）第３層用マスク （Ｆ）第３層パターン
は従来技術の問題点を説明するための図、第３図（Ａ）
〜（Ｆ）は本発明の詳細な説明する図、 第４図（Ａ）〜（Ｆ）、第５図（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞ
れ本発明の他の実施例を説明する図である。 パターン アライメントマーク 層 第１層のもの 第２層のもの 第３層のもの １ 主パターン ２ アライメントマーク ３ マスク ４ 主パターン ５ アライメントマーク ６ マスク ７ 第２のマスク ８ 第２のアライメントマーク９ 主
パターン １１．１２ アライメントマーク １３ マスク １４．１５ 主パターン ２１．２４，２９，３２，３３．４３ パターン２２
．２５．３Ｇ、３４．３５アライメントマーク２３．２
３ａ、３８，３９ ？スフ ２６．２７，３１，４２．４４マスク（パターン用、マ
ーク用）５１．５４，５８，６１．６２主パターン５２
．５５，５７．５９ アライメントマーク第１図 （Ｃ）第２層用第２マスク （Ｄ）第２層パターン （Ｅ）第３層用マスク （Ｆ）第３層パターン （Ａ）第１層パターン （Ｂ）第２層用第１マスク 第３図（その１） （Ａ）第１層パターン （Ｂ）第２Ｊｉ用第１マスク （Ｃ）第２層用第２マスク （Ｄ）第２Ｍパターン （Ｅ）第３層用第１マスク （Ｆ）第３層用第２マスク ８ｌ− （Ａ）第１層パターン （Ｂ）第２層用第２マスク （Ｃ）第２層用第２マスク （））第２層パターン （Ｅ）第３層用マスク （Ｆ）第３層パターン
Claims (5)
- （１）、基板上に、主パターン（Ｐ I ）とアライメン
トマーク（Ｍ I ）とを有する第１層（Ｌ I ）、主パタ
ーン（ＰII）とアライメントマーク（ＭII）とを有する
第２層（ＬII）、主パターン（ＰIII）を有する第３層
（ＬIII）を順次形成するパターン作成方法であつて、 第１層（Ｌ I ）を形成する工程と、 第２層の主パターン（ＰII）と第１のアライメントマー
ク（ＭII−１）を第１層のアライメントマーク（Ｍ I
）に整合させて露光する工程と、 第２層の第２のアライメントマーク（ＭII−２）を第１
層のアライメントマーク（Ｍ I ）に整合させて露光す
る工程と、 第２層の第１、第２のアライメントマーク （ＭII−１、ＭII−２）を主パターン（ＰII）と共に現
像する工程と、 第２層の第１、第２のアライメントマーク （ＭII−１、ＭII−２）の各々の位置を計測して、設計
値からの各ずれ量を算出する工程と、算出した複数のず
れ量に基づいて基板を移動する工程と を含むことを特徴とするパターン作成方法。 - （２）、前記複数のずれ量に基づく移動は各ずれ量の重
み付平均に基づく移動であることを特徴とする請求項１
記載のパターン作成方法。 - （３）、前記第２層の第２のアライメントマーク（ＭI
I−２）を露光する時に同時に第２の主パターンも露光
することを特徴とする請求項１ないし２記載のパターン
作成方法。 - （４）、基板上に、主パターン（Ｐ I ）とアライメン
トマーク（Ｍ I ）とを有する第１層（Ｌ I ）、主パタ
ーン（ＰII）とアライメントマーク（ＭII）とを有する
第２層（ＬII）、主パターン（ＰIII）を有する第３層
（ＬIII）を順次形成するパターン作成方法であって、 第１層（Ｌ I ）を形成する工程と、 第２層の主パターン（ＰII）と第１のアライメントマー
ク（ＭII−１）を第１層のアライメントマーク（Ｍ I
）に整合させて露光する工程と、 第２層の第２のアライメントマーク（ＭII−２）を第１
層のアライメントマーク（Ｍ I ）に整合させ、第１の
アライメントマーク（ＭII−１）と少なくとも１部重ね
合わせて露光する工程と、 第２層の第１、第２のアライメントマーク （ＭII−１、ＭII−２）の複合マークを主パターン（Ｐ
II）と共に現像する工程と、 第２層の第１、第２のアライメントマーク （ＭII−１、ＭII−２）の複合マークの両端の位置を計
測する工程と、 両端の位置から基準位置を算出し、設計値からのずれ量
を算出する工程と、 得られたずれ量分基板を移動する工程と を含むことを特徴とするパターン作成方法。 - （５）、前記第２のアライメントマーク（ＭII−２）を
露光する時に同時に第２の主パターンも露光することを
特徴とする請求項４記載のパターン作成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068306A JPH02246314A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | パターン作成方法 |
| EP90302906A EP0389209B1 (en) | 1989-03-20 | 1990-03-19 | Pattern forming method |
| KR9003722A KR930009021B1 (en) | 1989-03-20 | 1990-03-20 | Pattern forming method |
| US07/496,010 US5005046A (en) | 1989-03-20 | 1990-03-20 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068306A JPH02246314A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | パターン作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246314A true JPH02246314A (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=13369979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1068306A Pending JPH02246314A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | パターン作成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5005046A (ja) |
| EP (1) | EP0389209B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02246314A (ja) |
| KR (1) | KR930009021B1 (ja) |
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| US5403754A (en) * | 1992-09-30 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Lithography method for direct alignment of integrated circuits multiple layers |
| JP3229118B2 (ja) * | 1993-04-26 | 2001-11-12 | 三菱電機株式会社 | 積層型半導体装置のパターン形成方法 |
| JPH07249558A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
| IT1277948B1 (it) * | 1995-12-18 | 1997-11-12 | Texas Instruments Italia Spa | Perfezionamento relativo alla lavorazione di semiconduttori |
| KR100468234B1 (ko) * | 1996-05-08 | 2005-06-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광방법,노광장치및디스크 |
| JP2988384B2 (ja) * | 1996-07-16 | 1999-12-13 | 日本電気株式会社 | レチクルアセンブリ |
| US6228743B1 (en) * | 1998-05-04 | 2001-05-08 | Motorola, Inc. | Alignment method for semiconductor device |
| JP4053723B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法 |
| EP1260870A1 (en) * | 2001-05-23 | 2002-11-27 | ASML Netherlands B.V. | Alignment mark |
| KR100583693B1 (ko) | 2001-05-23 | 2006-05-25 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판,상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스 제조방법 및 그디바이스 |
| US7190823B2 (en) * | 2002-03-17 | 2007-03-13 | United Microelectronics Corp. | Overlay vernier pattern for measuring multi-layer overlay alignment accuracy and method for measuring the same |
| US6815232B2 (en) * | 2002-11-26 | 2004-11-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for overlay control using multiple targets |
| US7710572B2 (en) * | 2006-11-30 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
| US7782441B2 (en) * | 2008-05-15 | 2010-08-24 | Tdk Corporation | Alignment method and apparatus of mask pattern |
| IT1392992B1 (it) * | 2009-02-23 | 2012-04-02 | Applied Materials Inc | Procedimento e apparecchiatura per la stampa serigrafica di uno schema a strato multiplo |
| US20120049186A1 (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-01 | Li Calvin K | Semiconductor structures |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135693A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Canon Inc | ビデオ信号処理装置 |
| US4861162A (en) * | 1985-05-16 | 1989-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment of an object |
| US4704027A (en) * | 1986-06-19 | 1987-11-03 | Compact Spindle Bearing Corporation | Dark field alignment and alignment mark systems |
| JP2657505B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1997-09-24 | キヤノン株式会社 | マーク位置検出装置およびマーク配置方法 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1068306A patent/JPH02246314A/ja active Pending
-
1990
- 1990-03-19 EP EP90302906A patent/EP0389209B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-20 KR KR9003722A patent/KR930009021B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-20 US US07/496,010 patent/US5005046A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930009021B1 (en) | 1993-09-18 |
| EP0389209A3 (en) | 1991-09-04 |
| EP0389209B1 (en) | 1995-05-24 |
| EP0389209A2 (en) | 1990-09-26 |
| US5005046A (en) | 1991-04-02 |
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