JPH02247385A - セラミック酸化物粒子に対する金の化学メッキ方法 - Google Patents
セラミック酸化物粒子に対する金の化学メッキ方法Info
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- JPH02247385A JPH02247385A JP2038149A JP3814990A JPH02247385A JP H02247385 A JPH02247385 A JP H02247385A JP 2038149 A JP2038149 A JP 2038149A JP 3814990 A JP3814990 A JP 3814990A JP H02247385 A JPH02247385 A JP H02247385A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイツトリウム、希土類、ビスマスまたはタリウ
ム−アルカリ土類金属−酸化鋼を含むセラミック酸化物
超電導体粒子に対する化学的金メッキ方法及び金属シー
トまたは金属リボン間または金属チューブ内への金属メ
ッキされたセラミック酸化物粒子の封入に係わり、この
金属する。
ム−アルカリ土類金属−酸化鋼を含むセラミック酸化物
超電導体粒子に対する化学的金メッキ方法及び金属シー
トまたは金属リボン間または金属チューブ内への金属メ
ッキされたセラミック酸化物粒子の封入に係わり、この
金属する。
YB−*(:usOy−または“1:2:3セラミツク
酸化物”と呼称される斜方晶イツトリウム−バリウム−
酸化鋼のようなイットリウム−アルカリ土類金属−酸化
銅から成るペロブスカイト系セラミック酸化物は公知の
“高温”超電導材である。
酸化物”と呼称される斜方晶イツトリウム−バリウム−
酸化鋼のようなイットリウム−アルカリ土類金属−酸化
銅から成るペロブスカイト系セラミック酸化物は公知の
“高温”超電導材である。
この1:2:3セラミツク酸化物が93°K及びそれ以
下の温度において超電導性を有する、即ち、はとんど電
気抵抗を示さないことが判明している。
下の温度において超電導性を有する、即ち、はとんど電
気抵抗を示さないことが判明している。
1:2:3セラミツク酸化物及びその他のアルカリ土類
金属−酸化銅をベースとするセラミックは比較的安価で
かつ豊富に入手できる液体窒素の沸点77°によりかな
り高い温度において超電導モードで作用することができ
、ジョセフソン接合のような薄膜高速スイッチング素子
、高電流マグネット、蓄電コイル、長距離送電などに広
く利用できるものと期待される。
金属−酸化銅をベースとするセラミックは比較的安価で
かつ豊富に入手できる液体窒素の沸点77°によりかな
り高い温度において超電導モードで作用することができ
、ジョセフソン接合のような薄膜高速スイッチング素子
、高電流マグネット、蓄電コイル、長距離送電などに広
く利用できるものと期待される。
この1:2:3セラミツク酸化物超電導材は熱に敏感で
あり、約700℃以上の温度では結晶格子から酸素を失
って斜方晶から正方晶に移行する。
あり、約700℃以上の温度では結晶格子から酸素を失
って斜方晶から正方晶に移行する。
従って、周囲温度以上の温度で線材またはリボン材を製
造する際に問題がある。1:2:3セラミツク酸化物は
また水と極めて反応し易く、通常の温度でpt%Pdな
と多くの金属と反応する。
造する際に問題がある。1:2:3セラミツク酸化物は
また水と極めて反応し易く、通常の温度でpt%Pdな
と多くの金属と反応する。
さらにまた、1 :2:3セラミツク酸化物及び希土類
−アルカリ土類金属−酸化銅をベースとするセラミック
は極めて脆く、引き抜きや押し出しなどのような従来の
方法では線材やコイルに成形できない。
−アルカリ土類金属−酸化銅をベースとするセラミック
は極めて脆く、引き抜きや押し出しなどのような従来の
方法では線材やコイルに成形できない。
そこで、熱処理または線材やリボン材を製造する過程で
アルカリ土類金属−酸化銅から成る超電導セラミック酸
化物粒子が酸素を喪失するのを防止し、しかも種類によ
ってはアルカリ土類金属−酸化銅をベースとする゛セラ
ミック酸化物の電気的特性を劣化させることが判明して
いる水との接触を避けながら粒子同士を密着させて線状
またはリボン状に成形することを可能にする簡単な方法
の開発が切望される。本発明の主な目的はこのような簡
単な方法を提供することにある。
アルカリ土類金属−酸化銅から成る超電導セラミック酸
化物粒子が酸素を喪失するのを防止し、しかも種類によ
ってはアルカリ土類金属−酸化銅をベースとする゛セラ
ミック酸化物の電気的特性を劣化させることが判明して
いる水との接触を避けながら粒子同士を密着させて線状
またはリボン状に成形することを可能にする簡単な方法
の開発が切望される。本発明の主な目的はこのような簡
単な方法を提供することにある。
本発明では上記目的を、アルカリ土類金属−・酸化銅を
含むセラミック酸化物粒子に対する溶液からの化学的金
メッキ方法であって、(1)塩化金の溶媒及び任意還元
剤として作用できる少なくども1つの有機化合物に、次
に添加されるセラミック酸化物粒子とは反応しない液体
環境において塩化金を添加することによって金溶液を得
、(2)アルカリ土類金属−酸化鋼から成る超電電導性
セラミック酸化物粒子を金溶液と混合することによつて
金溶液中にセラミック酸化物粒子を懸濁させ、(3)塩
化金還元剤として作用できる有機化合物を任意に添加し
、(4)セラミック酸化物粒・f面にほぼ2オングスト
ローム乃至1.000オングストロームの厚さの金属金
の層が沈積するように懸濁液を加熱し、(5)金メッキ
されたセラミック酸化物粒子を分離し、(6)金メッキ
されたセラミック酸化物粒子から有機物を除去するステ
ップから成ることを特徴とする方法によって達成する。
含むセラミック酸化物粒子に対する溶液からの化学的金
メッキ方法であって、(1)塩化金の溶媒及び任意還元
剤として作用できる少なくども1つの有機化合物に、次
に添加されるセラミック酸化物粒子とは反応しない液体
環境において塩化金を添加することによって金溶液を得
、(2)アルカリ土類金属−酸化鋼から成る超電電導性
セラミック酸化物粒子を金溶液と混合することによつて
金溶液中にセラミック酸化物粒子を懸濁させ、(3)塩
化金還元剤として作用できる有機化合物を任意に添加し
、(4)セラミック酸化物粒・f面にほぼ2オングスト
ローム乃至1.000オングストロームの厚さの金属金
の層が沈積するように懸濁液を加熱し、(5)金メッキ
されたセラミック酸化物粒子を分離し、(6)金メッキ
されたセラミック酸化物粒子から有機物を除去するステ
ップから成ることを特徴とする方法によって達成する。
最終ステップとして、金メッキされたセラミック酸化物
粒子をプレス加工することによってベレット、ディスク
またはホイル・シートのような構造体に成形すればよい
。複数のこのような高密度成形構造体を金属シート間ま
たは金属チューブ内に封入すればよい、なお、“溶媒及
び任意還元剤として作用できる化合物”という場合、こ
の化合物が常に溶媒であり、多くの場合塩化金の還元剤
としても作用することを意味する。また、アルカリ土類
金属−酸化鋼を“含む“酸化物粒子という場合、その他
の元素が存在していてもよく、例えば、イットリウム−
アルカリ土類金属−酸化銅;原子番号57乃至71の希
土類、好ましくは1、i II O,E t、Yhを含
む希土類−アルカリ土類金属−酸化ム:ビスマスーアル
カリ土類金属−酸化銅;タリウム−アルカリ土類金属−
酸化銅:及びこれらの混合物が挙げられる。アルカリ土
類金属はMl、C,、S、、 B、及びその混合物など
である。本発明の方法に極めて有用なセラミック酸化物
粒子はYB−2Cu!oy −セラミックである。これ
を使用する際には、非水性の液体環境中に塩化銀を溶か
さねばならない。上記方法において任意ステップ(3)
を採用するなら、金溶液にセラミック酸化物を懸濁させ
た懸濁液をステップ(3)に先立つて加熱してもよい。
粒子をプレス加工することによってベレット、ディスク
またはホイル・シートのような構造体に成形すればよい
。複数のこのような高密度成形構造体を金属シート間ま
たは金属チューブ内に封入すればよい、なお、“溶媒及
び任意還元剤として作用できる化合物”という場合、こ
の化合物が常に溶媒であり、多くの場合塩化金の還元剤
としても作用することを意味する。また、アルカリ土類
金属−酸化鋼を“含む“酸化物粒子という場合、その他
の元素が存在していてもよく、例えば、イットリウム−
アルカリ土類金属−酸化銅;原子番号57乃至71の希
土類、好ましくは1、i II O,E t、Yhを含
む希土類−アルカリ土類金属−酸化ム:ビスマスーアル
カリ土類金属−酸化銅;タリウム−アルカリ土類金属−
酸化銅:及びこれらの混合物が挙げられる。アルカリ土
類金属はMl、C,、S、、 B、及びその混合物など
である。本発明の方法に極めて有用なセラミック酸化物
粒子はYB−2Cu!oy −セラミックである。これ
を使用する際には、非水性の液体環境中に塩化銀を溶か
さねばならない。上記方法において任意ステップ(3)
を採用するなら、金溶液にセラミック酸化物を懸濁させ
た懸濁液をステップ(3)に先立つて加熱してもよい。
本発明の内容をさらに明らかにするため、添付の図面に
沿って以下に好ましい実施例を説明する。
沿って以下に好ましい実施例を説明する。
本発明の金メッキ方法に好適なセラミック酸化物粒子は
、イツトリウムを含むアルカリ土類金属−酸化銅9例え
ば、YB−2Cu307− セラミック;希土類金属
を含むアルカリ土類金属−酸化銅、例えばLaBazC
usOy−xセラミック;ビスマスを含もアルカリ土類
金属−酸化銅またはタリウムを含むアルカリ土類金属−
酸化銅、例えば、(BjまたはT、72)(Baまたは
5r)zcan−1cunozセラミツクから成る群か
ら選択されたアルカリ土類金属−酸化銅を含み、前記(
BiまたはTJZ ) (BaまたはSr) 2can
−+CunLセラミックについてはP、)Ialdar
等が5cience。
、イツトリウムを含むアルカリ土類金属−酸化銅9例え
ば、YB−2Cu307− セラミック;希土類金属
を含むアルカリ土類金属−酸化銅、例えばLaBazC
usOy−xセラミック;ビスマスを含もアルカリ土類
金属−酸化銅またはタリウムを含むアルカリ土類金属−
酸化銅、例えば、(BjまたはT、72)(Baまたは
5r)zcan−1cunozセラミツクから成る群か
ら選択されたアルカリ土類金属−酸化銅を含み、前記(
BiまたはTJZ ) (BaまたはSr) 2can
−+CunLセラミックについてはP、)Ialdar
等が5cience。
Vcf 、241 (1988年9月) ノ1198−
1200 ページに発表し・でいる、最も好ましイノは
通常YBa2Cu30y−++で表わされ61:2:3
セラミツク酸化物である。
1200 ページに発表し・でいる、最も好ましイノは
通常YBa2Cu30y−++で表わされ61:2:3
セラミツク酸化物である。
アルカリ土類金属−酸化鋼をベースとするセラミックは
公知のように適量の成分酸化物から化学的に形成し、熱
処理などによって最適の超電導性を与λる。凡その直径
は1マイクロメーター(10,000オングストローム
)以下、好ましくは0.1マイクロメーター(1,00
0オングストローム)以下である。
公知のように適量の成分酸化物から化学的に形成し、熱
処理などによって最適の超電導性を与λる。凡その直径
は1マイクロメーター(10,000オングストローム
)以下、好ましくは0.1マイクロメーター(1,00
0オングストローム)以下である。
第1図は本発明の方法を示すブロック図である。ステッ
プ1において、次に添加されるセラミック酸化物粒子と
は反応しない液体環境下に塩化金の溶媒として、また多
くの場合還元剤としても作用する沙なくとも1つの有機
成分に塩化金を! 311す・5(:とにより金溶液を
形成する。ビスマスまたはタリウムを含むアルカリ土類
金属−酸化銅セラミック粒子を使用する場合、液体に水
が含まれていもかまわない、ステップにおいて金溶液に
セラミック酸化物粒子を添加することによってセラミッ
ク酸化物粒子の懸濁液を得る。イツトリウムを含む1:
2:3セラミツク酸化物を使用する場合、非水性環境に
塩化金を溶解させねばならず、塩化金は無水でなければ
ならない、即ち、^uCfL 、2H20ではなく ^
uCJ2 !でなければならない。
プ1において、次に添加されるセラミック酸化物粒子と
は反応しない液体環境下に塩化金の溶媒として、また多
くの場合還元剤としても作用する沙なくとも1つの有機
成分に塩化金を! 311す・5(:とにより金溶液を
形成する。ビスマスまたはタリウムを含むアルカリ土類
金属−酸化銅セラミック粒子を使用する場合、液体に水
が含まれていもかまわない、ステップにおいて金溶液に
セラミック酸化物粒子を添加することによってセラミッ
ク酸化物粒子の懸濁液を得る。イツトリウムを含む1:
2:3セラミツク酸化物を使用する場合、非水性環境に
塩化金を溶解させねばならず、塩化金は無水でなければ
ならない、即ち、^uCfL 、2H20ではなく ^
uCJ2 !でなければならない。
本発明のステップ(1)において使用される溶媒及び任
意還元剤として好ましい有機化合物は下記化合物群から
選択される:(1)液体または低融点(ta、p、60
℃以下)化合物として添加される置換芳香族化合物、例
えば、アニリンのようなアミノ(NO2)置換ベンゼン
化合物;クロロベンゼン、フルオロベンゼン、ブロモメ
ンゼンのようなハロゲン置換ベンゼン化合物;ベンゼン
環のほかに最大12個の炭素原子を有する、プロピルベ
ンゼン、メチルエチルベンゼンなどのような炭化水素量
mベンゼン;フェノール(m、p、41℃)のようなモ
ノヒドロキシル置換ベンゼン;及びニトロベンゼンのよ
うなニトロ(NO2)置換ベンゼン;(2ンメチルアル
コール、エチルアルコールルアルコールなどのような最
大8個の炭素原子を有する脂肪族アルコール;(3)シ
クロヘキサノール、ベンジルアルコールなどのような炭
素環式%式% ルエーテル、ジプロピルエーテルなどのような、最大1
2個の炭素原子を有する有機エーテル;及びこれらの混
合物。好ましい化合物はニトロベンゼン、エチルアルコ
ール及びジエチルエーテルのうち少なくとも1つである
。これらの化合物はいずれも塩化金を溶かし、その多く
は塩化金を還元する作用をも有する。これらの有機化合
物は金溶液に添加する前にセラミック酸化物粒子を懸濁
させる媒質としても利用できる。セラミック酸化物粒子
が既に懸濁液の状態にある方が金溶液と混合させ易い。
意還元剤として好ましい有機化合物は下記化合物群から
選択される:(1)液体または低融点(ta、p、60
℃以下)化合物として添加される置換芳香族化合物、例
えば、アニリンのようなアミノ(NO2)置換ベンゼン
化合物;クロロベンゼン、フルオロベンゼン、ブロモメ
ンゼンのようなハロゲン置換ベンゼン化合物;ベンゼン
環のほかに最大12個の炭素原子を有する、プロピルベ
ンゼン、メチルエチルベンゼンなどのような炭化水素量
mベンゼン;フェノール(m、p、41℃)のようなモ
ノヒドロキシル置換ベンゼン;及びニトロベンゼンのよ
うなニトロ(NO2)置換ベンゼン;(2ンメチルアル
コール、エチルアルコールルアルコールなどのような最
大8個の炭素原子を有する脂肪族アルコール;(3)シ
クロヘキサノール、ベンジルアルコールなどのような炭
素環式%式% ルエーテル、ジプロピルエーテルなどのような、最大1
2個の炭素原子を有する有機エーテル;及びこれらの混
合物。好ましい化合物はニトロベンゼン、エチルアルコ
ール及びジエチルエーテルのうち少なくとも1つである
。これらの化合物はいずれも塩化金を溶かし、その多く
は塩化金を還元する作用をも有する。これらの有機化合
物は金溶液に添加する前にセラミック酸化物粒子を懸濁
させる媒質としても利用できる。セラミック酸化物粒子
が既に懸濁液の状態にある方が金溶液と混合させ易い。
本発明の方法では塩化金をAuに還元する必要があるか
ら、もし溶媒及び任意還元剤として作用する初期添加化
合物が塩化金を完全に還元しないか、またはなんらかの
理由で塩化金還元剤を追加しなければならない場合、本
発明の方法における任意ステップ(3)として特定の有
機還元剤を追加すればよい。
ら、もし溶媒及び任意還元剤として作用する初期添加化
合物が塩化金を完全に還元しないか、またはなんらかの
理由で塩化金還元剤を追加しなければならない場合、本
発明の方法における任意ステップ(3)として特定の有
機還元剤を追加すればよい。
好ましい有機還元剤は(1)ヒドロキノンC8H4(O
Hh、ピロガロールCeH3 (OH) 3などのよう
なポリヒドロキシル置換ベンゼン、(2)ナフトヒドロ
キノン、及び(3)アスコルビン酸(OCOCOH:C
OHC)ICI(OHC)12)から成る群から選択さ
れる。これらは通常固形であるため、セラミック酸化物
粒子の懸濁液に可溶であるか、または添加する前に溶解
させねばならない。本発明の最も好ましい実施例では、
ステップ(1)においてニトロベンゼン、メチルアルコ
ール、エチルアルコール及びジエチルエーテルの少なく
とも1つを添加することによつて塩化金を溶かし、部分
的に還元させてから、ステップ(3)においてヒドロキ
ノンまたはL−アスコルビン酸を懸濁混合物に溶かして
完全に還元することにより、^uCJ2 3を完全還元
にしてAu。に変える。
Hh、ピロガロールCeH3 (OH) 3などのよう
なポリヒドロキシル置換ベンゼン、(2)ナフトヒドロ
キノン、及び(3)アスコルビン酸(OCOCOH:C
OHC)ICI(OHC)12)から成る群から選択さ
れる。これらは通常固形であるため、セラミック酸化物
粒子の懸濁液に可溶であるか、または添加する前に溶解
させねばならない。本発明の最も好ましい実施例では、
ステップ(1)においてニトロベンゼン、メチルアルコ
ール、エチルアルコール及びジエチルエーテルの少なく
とも1つを添加することによつて塩化金を溶かし、部分
的に還元させてから、ステップ(3)においてヒドロキ
ノンまたはL−アスコルビン酸を懸濁混合物に溶かして
完全に還元することにより、^uCJ2 3を完全還元
にしてAu。に変える。
ステップ(4)において、粒子面に金の層を形成するの
に十分な温度、好ましくは約30℃乃至100℃に、好
ましくは攪拌しながらセラミック粒子懸濁液を加熱する
。金メッキの1例として、アルコールの存在における塩
化金の還元を下記化学反応で表わすことができる: ^.CU 、+アルコールAu+酸化されかつ塩素添加
された有機化合物。
に十分な温度、好ましくは約30℃乃至100℃に、好
ましくは攪拌しながらセラミック粒子懸濁液を加熱する
。金メッキの1例として、アルコールの存在における塩
化金の還元を下記化学反応で表わすことができる: ^.CU 、+アルコールAu+酸化されかつ塩素添加
された有機化合物。
アルコールを使用すると、有機副産物としてアルデヒド
またはケトンが生成するのが普通である, A.Cj
!3の塩素分の行方については明確でないが、有機反応
生成物中に含まれる可能性が高い。メッキに必要なおだ
やかな反応条件にかんがみ、塩素が1:2:3セラミツ
ク酸化物粒子により束縛され中るとは考え難い。
またはケトンが生成するのが普通である, A.Cj
!3の塩素分の行方については明確でないが、有機反応
生成物中に含まれる可能性が高い。メッキに必要なおだ
やかな反応条件にかんがみ、塩素が1:2:3セラミツ
ク酸化物粒子により束縛され中るとは考え難い。
有機液体の存在におけるA.Cu2 3から金属金への
還元は空温においてゆっくりと進行するが、反応温度の
調節及び/または過当なアルコール、エーテル溶媒また
はその他の溶媒の選択により溶着速度を任意の値に制御
できることが必要である。また、低沸点アルコール(エ
チルアルコール)の代りに高沸点アルコール(ブチルア
ルコール)を選ぶことによって利用できる反応温度域を
高めることができる。さらにまた、AuCIL 3の初
期溶解度は選択する溶媒に応じて異なる。
還元は空温においてゆっくりと進行するが、反応温度の
調節及び/または過当なアルコール、エーテル溶媒また
はその他の溶媒の選択により溶着速度を任意の値に制御
できることが必要である。また、低沸点アルコール(エ
チルアルコール)の代りに高沸点アルコール(ブチルア
ルコール)を選ぶことによって利用できる反応温度域を
高めることができる。さらにまた、AuCIL 3の初
期溶解度は選択する溶媒に応じて異なる。
1 :2:3セラミツク酸化物の典型的な金属メッキ方
法は次のようなステップから成る:即ち、無水塩化金を
室温において特定のアルコール、エーテルなどに溶かし
て飽和状態に近い金溶液を得、この溶液を所期の厚さの
金メッキを形成するのに通した量の粉末1:2:3セラ
ミツク酸化物またはその他の超電導セラミック粒子と混
合する。セラミック酸化物は塩化金の溶解に使用するの
と同じ媒質に先ず添加するのが普通であり、従って、セ
ラミック酸化物は金溶液と混合する時点で懸濁液の状態
にある。AuC13溶液に懸濁させた粉末1:2:3セ
ラミツク酸化物をすばやく攪拌し、適当な還元速度が得
られるまで混合物の温度を徐々に上昇させる。
法は次のようなステップから成る:即ち、無水塩化金を
室温において特定のアルコール、エーテルなどに溶かし
て飽和状態に近い金溶液を得、この溶液を所期の厚さの
金メッキを形成するのに通した量の粉末1:2:3セラ
ミツク酸化物またはその他の超電導セラミック粒子と混
合する。セラミック酸化物は塩化金の溶解に使用するの
と同じ媒質に先ず添加するのが普通であり、従って、セ
ラミック酸化物は金溶液と混合する時点で懸濁液の状態
にある。AuC13溶液に懸濁させた粉末1:2:3セ
ラミツク酸化物をすばやく攪拌し、適当な還元速度が得
られるまで混合物の温度を徐々に上昇させる。
時々攪拌を止めて上澄みからの色の消え具合を観察すれ
ば、厳密ではないが反応速度を有効にモニターすること
ができる。還元が完結したら、微孔膜フィルターで濾過
するか遠心分離器を使用することによって懸濁状態の金
メッキされた粒状生成物を分離し、揮発性アルコールま
たはエーテルで洗浄することによって(もし存在するな
ら)高沸点溶媒を除去すると共に有機の酸化及び/塩素
化副産物を除去し、最後に真空中で、または乾燥非反応
ガス流中で生成物を乾燥させる。
ば、厳密ではないが反応速度を有効にモニターすること
ができる。還元が完結したら、微孔膜フィルターで濾過
するか遠心分離器を使用することによって懸濁状態の金
メッキされた粒状生成物を分離し、揮発性アルコールま
たはエーテルで洗浄することによって(もし存在するな
ら)高沸点溶媒を除去すると共に有機の酸化及び/塩素
化副産物を除去し、最後に真空中で、または乾燥非反応
ガス流中で生成物を乾燥させる。
ステップ(5)において、例えば遠心分離器のような有
効な手段か、あるいは粒度が大きい場合なら簡単な濾過
によって、金メッキされたセラミック酸化物粒子を液体
から分離する。ステップ6で、好ましくは約30℃乃至
50℃の温度で、または室温でこの金メッキされたセラ
ミック酸化物粒子を乾燥させることにより有機化合物を
除去する。
効な手段か、あるいは粒度が大きい場合なら簡単な濾過
によって、金メッキされたセラミック酸化物粒子を液体
から分離する。ステップ6で、好ましくは約30℃乃至
50℃の温度で、または室温でこの金メッキされたセラ
ミック酸化物粒子を乾燥させることにより有機化合物を
除去する。
超電導セラミック酸化物の表面に形成されたばかりの金
メッキの層の厚みは好ましくは約0.0002マイクロ
メーター乃至0.1マイクロメーター(2オングストロ
ーム乃至1,000オングストローム)、最も好ましく
は0.0002マイクロメーター乃至0.Olマイクロ
メーター(2オングストローム乃至100オングストロ
ーム)である。メッキされた粒子をプレス成形した後に
おける金メッキ層の厚さは0.003マイクロメーター
(30オングストローム)以下、好ましくは0.001
マイクロメーター(10オングストローム)以下である
。このステップに続いて、金メッキされ、プレス成形さ
れた粒子を金属シートまたはリボン間に、または金属チ
ューブ内に封入することにより超電導フォイルまたはフ
ィラメントを形成することができる。金メッキされた粒
子を利用して超電導フィルムなどを製造することもでき
る。
メッキの層の厚みは好ましくは約0.0002マイクロ
メーター乃至0.1マイクロメーター(2オングストロ
ーム乃至1,000オングストローム)、最も好ましく
は0.0002マイクロメーター乃至0.Olマイクロ
メーター(2オングストローム乃至100オングストロ
ーム)である。メッキされた粒子をプレス成形した後に
おける金メッキ層の厚さは0.003マイクロメーター
(30オングストローム)以下、好ましくは0.001
マイクロメーター(10オングストローム)以下である
。このステップに続いて、金メッキされ、プレス成形さ
れた粒子を金属シートまたはリボン間に、または金属チ
ューブ内に封入することにより超電導フォイルまたはフ
ィラメントを形成することができる。金メッキされた粒
子を利用して超電導フィルムなどを製造することもでき
る。
この薄い金被膜は酸素及び水蒸気に対して不透過性であ
り、セラミック酸化物と他の金属、酸素または水蒸気と
の反応による表面超電導性の喪失を防止すると共に、処
理温度における金を介する酸素拡散率が極めて低いから
、リボン、テープまたは線材の製造に必要な以後の熱処
理中にセラミック酸化物結晶格子から酸素が失なわれて
起こる超電導性の喪失をも防止する。金被膜は金メッキ
されたセラミック粒子容積の5容積%乃至40容積%に
過ぎず、プレスされて互いに隣接するセラミック酸化物
粒子間にクーパ一対電子トンネル現象が容易に起こるよ
うな薄さである。
り、セラミック酸化物と他の金属、酸素または水蒸気と
の反応による表面超電導性の喪失を防止すると共に、処
理温度における金を介する酸素拡散率が極めて低いから
、リボン、テープまたは線材の製造に必要な以後の熱処
理中にセラミック酸化物結晶格子から酸素が失なわれて
起こる超電導性の喪失をも防止する。金被膜は金メッキ
されたセラミック粒子容積の5容積%乃至40容積%に
過ぎず、プレスされて互いに隣接するセラミック酸化物
粒子間にクーパ一対電子トンネル現象が容易に起こるよ
うな薄さである。
プレス加工された粒子は互いに連続的ではなく概して分
離状態にあり、セラミック酸化物は第2図に示すように
金に対してマトリックスを形成する。図中、20は超電
導性粒子、22は金被膜である。極めて少数ではあるが
空隙24も存在する。明細書中で“直径”として定義さ
れている粒子の凡その直径は粒子の平均直径、例えば距
離26に近い。すべてのセラミック酸化物粒子を完全に
メッキすることにより、プレス成形セラミックはある程
度の延性及び流動性を得るから、適当な金属シートまた
はリボン間に、または適当な金属チューブ内に配置した
場合、曲げ加工や引き抜き加工が容易で杢る。この金被
膜は前記金属シートやチューブに障壁層コ・−ティング
を施すことを必要としない。さらに、金被膜はセラミッ
ク酸化物粒子間の電気的接触を促進するだけでなく、セ
ラミック酸化物粒子と、テープまたはフィラメントの製
造に使用される外装金属との間の電気的接触も促進する
。
離状態にあり、セラミック酸化物は第2図に示すように
金に対してマトリックスを形成する。図中、20は超電
導性粒子、22は金被膜である。極めて少数ではあるが
空隙24も存在する。明細書中で“直径”として定義さ
れている粒子の凡その直径は粒子の平均直径、例えば距
離26に近い。すべてのセラミック酸化物粒子を完全に
メッキすることにより、プレス成形セラミックはある程
度の延性及び流動性を得るから、適当な金属シートまた
はリボン間に、または適当な金属チューブ内に配置した
場合、曲げ加工や引き抜き加工が容易で杢る。この金被
膜は前記金属シートやチューブに障壁層コ・−ティング
を施すことを必要としない。さらに、金被膜はセラミッ
ク酸化物粒子間の電気的接触を促進するだけでなく、セ
ラミック酸化物粒子と、テープまたはフィラメントの製
造に使用される外装金属との間の電気的接触も促進する
。
以下は本発明の具体的な実施例である。
例
粒度が1マイクロメータ以下のあらかじめ形成した粉末
YBmzCusOy−x (1: 2 : 3セラミ
ツク酸化物)2gを高速磁気攪拌によって100m1の
無水エチルアルコール中に懸濁させた。10m1の無水
エチルアルコールに固形^ucj! s 0−1gをで
きるだけ迅速に溶解させて金溶液を得、これを直ちに攪
拌中の前記酸化物懸濁液に添加した。
YBmzCusOy−x (1: 2 : 3セラミ
ツク酸化物)2gを高速磁気攪拌によって100m1の
無水エチルアルコール中に懸濁させた。10m1の無水
エチルアルコールに固形^ucj! s 0−1gをで
きるだけ迅速に溶解させて金溶液を得、これを直ちに攪
拌中の前記酸化物懸濁液に添加した。
^、CX S溶液を迅速に使用したのはAuCJZs固
形還元生成物を酸化物粒子と相互作用する前に液から分
離させるためである。
形還元生成物を酸化物粒子と相互作用する前に液から分
離させるためである。
温度を約60℃まで上昇させながら混合物をしばらく攪
拌してから、固形のまま還元剤L−アスコルビン酸2g
を添加することにより ^uCX3の完全な還元を期し
た。さらに数分間攪拌してから混合物を室温まで冷却し
た。反応容器壁に全溶着は見られなかった。半融ガラス
るつぼで固形の黒セラミック粒子を除去し、無水エチル
アルコールで洗浄し、少なくとも16時間に亘って真空
乾燥器中で乾燥させた。セラミック粒子面に美しい金メ
ッキが観察された。
拌してから、固形のまま還元剤L−アスコルビン酸2g
を添加することにより ^uCX3の完全な還元を期し
た。さらに数分間攪拌してから混合物を室温まで冷却し
た。反応容器壁に全溶着は見られなかった。半融ガラス
るつぼで固形の黒セラミック粒子を除去し、無水エチル
アルコールで洗浄し、少なくとも16時間に亘って真空
乾燥器中で乾燥させた。セラミック粒子面に美しい金メ
ッキが観察された。
第1図は本発明の方法による超電導セラミックに対する
金メッキ処理のステップを示すブロック図である。 第2図に本発明の方法によって金メッキされ、プレス加
工されたセラミックを略示する断面図である。 20・・・・超電導性粒子 22・・・・金被膜 24・・・・空隙 26・・・・平均直径
金メッキ処理のステップを示すブロック図である。 第2図に本発明の方法によって金メッキされ、プレス加
工されたセラミックを略示する断面図である。 20・・・・超電導性粒子 22・・・・金被膜 24・・・・空隙 26・・・・平均直径
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)アルカリ土類金属−酸化銅を含むセラミック酸化
物粒子に対する溶液からの化学的金メッキ方法であって
、 (1)塩化金の溶媒及び任意還元剤として作用できる少
なくとも1つの有機化合物に、次に添加されるセラミッ
ク酸化物粒子とは反応しない液体環境において塩化金を
添加することによって金溶液を得、 (2)アルカリ土類金属−酸化銅から成る超電電導性セ
ラミック酸化物粒子を金溶液と混合することによって金
溶液中にセラミック酸化物粒子を懸濁させ、 (3)塩化金還元剤として作用できる有機化合物を任意
に添加し、 (4)セラミック酸化物粒子面にほぼ2オングストロー
ム乃至1,000オングストロームの厚さの金属金の層
が沈積するように懸濁液を加熱し、 (5)金メッキされたセラミック酸化物粒子を分離し、 (6)金メッキされたセラミック酸化物粒子から有機物
を除去する ステップから成ることを特徴とする方法。 (2)溶液環境が非水性液体であり、塩化金が無水であ
ることを特徴とする請求項第1項に記載の方法。 (3)アルカリ土類金属−酸化銅をイットリウム−アル
カリ土類金属−酸化銅;希土類金属−アルカリ土類金属
−酸化銅;ビスマス−アルカリ土類金属−酸化銅;及び
タリウム−アルカリ土類金属−酸化銅から成る群から選
択することを特徴とする請求項第1項に記載の方法。 (4)アルカリ土類金属−酸化銅がYBCu_3O_7
_−_xであることを特徴とする請求項第1項に記載の
方法。 (5)ステップ(1)において使用される溶媒及び任意
還元剤として作用できる有機化合物を、アミノ置換ベン
ゼン、ハロゲン置換ベンゼン、ベンゼン環のほかに最大
12個の炭素原子を有する炭化水素置換ベンゼン、モノ
ヒドロキシル置換ベンゼン、ニトロ置換ベンゼン、最大
8個の炭素原子を有する脂肪族アルコール;最大12個
の炭素原子を有する有機エーテル;及びこれらの混合物
から成る群から選択することを特徴とする請求項第1項
に記載の方法。 (6)任意ステップ(3)において添加できる塩化金還
元剤としての有機化合物を、ポリヒドロキシル置換ベン
ゼン、ナフトヒドロキノン、アスコルビン酸、及びこれ
らの混合物から成る群から選択することを特徴とする請
求項第1項に記載の方法。 (7)セラミック粒子の直径が最大10,000オング
ストロームであることを請求項第1項に記載の方法。 (8)セラミック粒子の直径が最大1,000オングス
トロームであり、ステップ(4)において沈積する金属
金の層の厚さが2オングストローム乃至100オングス
トロームであることを特徴とする請求項第1項に記載の
方法。 (9)ステップ(3)において有機化合物を添加し、ス
テップ(4)において懸濁液を攪拌してほぼ30℃から
100℃に加熱することを特徴とする請求項第1項に記
載の方法。(10)ステップ(3)において有機化合物
を添加し、ステップ(3)に先立って懸濁液を加熱する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方法。 (11)最終ステップとして金メッキされたセラミック
化合物粒子をプレス成形することを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載の方法。 (12)金溶液と混合する前にセラミック酸化物粒子を
ステップ(1)において使用される有機化合物中に懸濁
させることを特徴とする請求項第5項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/313,125 US4971944A (en) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | Method of electroless depositing of gold onto superconducting particles |
| US313,125 | 1989-02-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02247385A true JPH02247385A (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=23214490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2038149A Pending JPH02247385A (ja) | 1989-02-21 | 1990-02-19 | セラミック酸化物粒子に対する金の化学メッキ方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4971944A (ja) |
| JP (1) | JPH02247385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006504528A (ja) * | 2002-10-31 | 2006-02-09 | カールトン・ライフ・サポート・システムズ・インコーポレイテッド | 酸素透過性電極システム |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5082826A (en) * | 1989-08-02 | 1992-01-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Silver coated superconducting ceramic powder |
| US5696057A (en) * | 1990-07-24 | 1997-12-09 | Honeywell Inc. | Producing high TC superconductor bulk composites |
| IT1244031B (it) * | 1990-12-18 | 1994-06-28 | Pierluigi Villa | Soluzioni acquose omogenee di cationi metallici adatti alla formazione di un ossido superconduttore ad alta te, e contenenti uno o piu' cationi di metalli nobili, precursori ottenibili dalla decomposizione di dette soluzioni e materiali compositi superconduttori ottenibili da detti precursori |
| US5248661A (en) * | 1991-12-02 | 1993-09-28 | Westinghouse Electric Corp. | Cryoconducting-superconducting composites |
| US5455223A (en) * | 1993-02-24 | 1995-10-03 | American Superconductor Corporation | Coated precursor powder for oxide superdonductors |
| US5482918A (en) * | 1994-02-07 | 1996-01-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Interior | Method for producing microcomposite powders using a soap solution |
| US6586370B1 (en) | 1997-02-26 | 2003-07-01 | Nove' Technologies, Inc. | Metal boride based superconducting composite |
| US5998336A (en) * | 1997-02-26 | 1999-12-07 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Ceramic/metal and A15/metal superconducting composite materials exploiting the superconducting proximity effect and method of making the same |
| US6291025B1 (en) * | 1999-06-04 | 2001-09-18 | Argonide Corporation | Electroless coatings formed from organic liquids |
| AU2001273638A1 (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-08 | Nove Technologies, Inc. | Layer deposition on superconductor particles by sputtering or evaporation |
| US6391829B1 (en) * | 2000-09-07 | 2002-05-21 | Nove Technologies, Inc. | Method of coating superconductor particles by plating of silver metal out of molten salt |
| WO2002045180A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Nove' Technologies, Inc. | Superconductor |
| US20030181337A1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-09-25 | Holcomb Matthew J. | Layer deposition on superconductor particles by sputtering or evaporation |
| US20060140868A1 (en) * | 2002-12-19 | 2006-06-29 | Stephanie Grancharov | Method of preparation of biomagnetic nanoparticles coated with a noble metal layer |
| AU2002364181A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-07-29 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method of preparation of biomagnetic nanoparticles coated with a noble metal layer |
| US7745376B2 (en) * | 2004-08-10 | 2010-06-29 | Nove Technologies, Inc. | Superconducting composite |
| US20060141149A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Industrial Technology Research Institute | Method for forming superparamagnetic nanoparticles |
| US7625599B2 (en) * | 2005-08-18 | 2009-12-01 | Dehuan Huang | Method and apparatus for preparing powder carrying nano gold by thermal decomposition |
| TWI396268B (zh) * | 2006-05-25 | 2013-05-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 複合連結線與其製造方法 |
| US7615385B2 (en) | 2006-09-20 | 2009-11-10 | Hypres, Inc | Double-masking technique for increasing fabrication yield in superconducting electronics |
| TWI558826B (zh) * | 2013-06-10 | 2016-11-21 | 蘋果公司 | 用於形成金金屬基質複合材料之方法及裝置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2865376A (en) * | 1956-03-27 | 1958-12-23 | American Cyanamid Co | Gold plating surgical needles |
| US3300328A (en) * | 1963-11-12 | 1967-01-24 | Clevite Corp | Electroless plating of gold |
| US3589916A (en) * | 1964-06-24 | 1971-06-29 | Photocircuits Corp | Autocatalytic gold plating solutions |
| US4009297A (en) * | 1974-02-25 | 1977-02-22 | Amp Incorporated | Gold deposition procedures and substrates upon which gold has been deposited |
| US4005229A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-25 | Ppg Industries, Inc. | Novel method for the rapid deposition of gold films onto non-metallic substrates at ambient temperatures |
| US4374876A (en) * | 1981-06-02 | 1983-02-22 | Occidental Chemical Corporation | Process for the immersion deposition of gold |
-
1989
- 1989-02-21 US US07/313,125 patent/US4971944A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-02-19 JP JP2038149A patent/JPH02247385A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006504528A (ja) * | 2002-10-31 | 2006-02-09 | カールトン・ライフ・サポート・システムズ・インコーポレイテッド | 酸素透過性電極システム |
| JP4920972B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2012-04-18 | カールトン・ライフ・サポート・システムズ・インコーポレイテッド | 酸素透過性電極システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4971944A (en) | 1990-11-20 |
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