JPH02247966A - 静電偏向装置 - Google Patents

静電偏向装置

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JPH02247966A
JPH02247966A JP1068326A JP6832689A JPH02247966A JP H02247966 A JPH02247966 A JP H02247966A JP 1068326 A JP1068326 A JP 1068326A JP 6832689 A JP6832689 A JP 6832689A JP H02247966 A JPH02247966 A JP H02247966A
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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 本発明の一実施例     (第1〜5図)発明の効果 〔概要〕 静電偏向装置に関し、 物理的強度を保持したまま静電偏向装置を小型化するこ
とができ、かつ、電極を極めて精度良く配置するととも
に、いかなる部分がチャージアンプしてもビームには、
影響を及ぼさないようにすることができる静電偏向装置
を捷供することを目的とし、 荷電粒子ビームが入射され、絶縁体からなる筒と、前記
筒の内面にほぼ荷電粒子ビームの進行方向に沿って電極
数に等しい数の溝を設けるとともに、政情は散乱した荷
電粒子ビームを受ける区域の溝部と前記ビームを受ける
区域外の溝部とを有し、前記溝が設けられた筒の表面を
金属膜で被覆するとともに、前記区域外の溝部において
電気的に絶縁する絶縁部を設けることにより形成された
電極片とを備え、前記電極片が形成された前記筒の内面
を電極として用いるように構成されている。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、静電偏向装置に係り、詳しくは、荷電粒子ビ
ームを試料上で走査するための静電偏向装置に関する。
偏向は荷電粒子ビーム装置における基本技術の一つであ
る。荷電粒子の一つである電子ビームを用いた露光装置
においては、低収差高速偏向が要求されるため、偏向器
を大偏向用と小偏向用に分離し、小偏向用としては、走
査速度が速く、低電圧で動作する静電偏向器が使用され
ている。
〔従来の技術〕
従来の静電偏向装置は小偏向用として使用され、偏向能
率を良くするために最終レンズ内に配置されていた。同
様p理由で大偏向用の磁界型偏向装置も最終レンズ内に
配置する必要がある。したがって、磁界型偏向装置と静
電偏向装置は偏向能率の関係や、装置自体の大きさの関
係等から、磁界型偏向器の内側に静電偏向装置を配置し
なければならなかった。すなわち、磁界中に電極を配置
することになるため、磁界を乱すことになる。これを避
けるため、多極の電極を製作する場合には個々の電極を
絶縁体で形成し、その表面を金属薄膜で被覆して組み立
ることにより、静電偏向装置を構成するものが一般的で
ある。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、このような従来の静電偏向装置にあって
は、絶縁体の表面を金属薄膜で被覆した個々の電極を組
み上げて装置を構成する構造となっていたため、以下に
述べるような問題点があった。
すなわち、個々の絶縁体を組み上げて電極を構成する関
係上、電極の取り付は精度には限界があり、電極の大き
さが一定の場合電極の極数が増えると対向する電極間距
離が大きくならざるを得ない、したがって、同じ偏向量
を得るためにはより高い電圧を印加する必要が生じ、大
きな電源が必要になるばかりか、走査速度を遅くする要
因となっている。また、静電偏向装置が大きくなること
により静電偏向装置の外側にある磁界型偏向装置を構成
する電磁コイルも大きくなり、コイルのインダクタンス
の増大から走査速度を一段と低下させてしまうことにな
る。さらに、個々の電極の工作精度は高いものであって
も、静電偏向装置自体は小さいものであるため組み立て
に非常に手間を要し、組み立て精度の向上が図、れない
という問題点があった。
また、支持体と全ての多極電極片を一体形成したものが
ある。しかし、このものは支持体と電極の一端がある地
点で一体化するような構造であったため、電極が長い場
合は強度が不足し、また、電極の一端が一体化する支持
体部では電極間を絶縁しなければならないことから、絶
縁部の露出によって該絶縁部に荷電粒子が当たることに
より不確定な電位を生じるチャージアップが発生してし
まう、チャージアップによる電位は荷電粒子を不規則に
偏向してしまうため、精度低下を招く。これを避けるた
め、荷電粒子が露出した絶縁部に当たらないように支持
体部のさらに内側にアース接続された筒を配置し、ビー
ムに対する絶縁部のチャージアップの影響を打ち消して
いた。したがって、アース接続された筒を支持体内部に
設けることから、静電偏向装置は大きなものとならざる
を得す、前述したように走査速度の低下等を招来してい
た。
そこで本発明は、物理的強度を保持したまま静電偏向装
置を小型化することができ、かつ、電極を極めて精度良
く配置するとともに、いかなる部分がチャージアップし
てもビームには影響を及ぼさないようにすることができ
る静電偏向装置を捷供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明による静電偏向装置は上記目的達成のため、荷電
粒子ビームが入射され、絶縁体からなる筒と、前記筒の
内面にほぼ荷電粒子ビームの進行方向に沿って電極数に
等しい数の溝を設けるとともに、政情は散乱した荷電粒
子ビームを受ける区域の溝部と前記ビームを受ける区域
外の溝部とを有し、前記溝が設けられた筒の表面を金属
膜で被覆するとともに、前記区域外の溝部において電気
的に絶縁する絶縁部を設けることにより形成された電極
片とを備え、前記電極片が形成された前記筒の内面を電
極として用いるように構成している。
〔作用〕
本発明では、絶縁体からなる筒の内面に所定の溝が設け
られるとともに、政情が設けられた筒の表面は金属膜で
被服され、かつ政情の内部において荷電粒子ビームを受
けない区域の溝部に絶縁体が設けられる。
したがって、電気的に絶縁された電極片が形成され、該
電極片は支持体である筒と一体成形されることから個々
p電極片を小型化しても十分な強度および加工・組立精
度を得ることができる。また、荷電粒子ビームから見え
る部分は全て金属膜で被覆されているから、絶縁体露出
部がビームにあたることによって発生するチャージアッ
プの影響が適切に回避される。
(実施例〕 以下、本発明を図面に基づいて説明する。
皿理説里 本発明は、絶縁体からなる筒の内面にほぼ荷電粒子ビー
ムの進行方向に沿って電極に等しい数の溝を設けるとと
もに、該筒内面を金属膜被服し、政情の所定区域に絶縁
体を設けて電気的に絶縁することにより、該筒内面に複
数個の電極を形成する。また、政情は荷電粒子ビームの
放射線方向の照射に対して前記絶縁部が露出しないよう
な区域を有する形状に画成されている。
したがって、複数個の電極片が筒の内面に一体的に形成
されることになり個々の電極片を小型化することができ
るとともに、支持体と電極片を一体化することによって
電極片を小型化しても十分な強度を確保することができ
る。
二災隻■ 以下、上記基本原理に基づいて実施例を説明する。第1
〜5図は本発明に係る静電偏向装置の一実施例を示す図
であり、本実施例は電極を8個有する静電偏向装置に適
用した例である。第1図は静電偏向装置の斜視図、第2
図は第1図における1−1矢視断面図、第3図は第1図
における■−■矢視断面図である。
まず、構成を説明する。第1〜3図において、lは静電
偏向装置であり、2は絶縁体からなる円筒である。円筒
(筒)2には円筒2の内面2aから外面2bに向かって
半径方向(すなわち、荷電粒子ビームの放射線方向)に
T字型の変形溝(溝)3〜lOが8個画成され、変形溝
3〜10を画成することにより電極片11〜18が8個
形成される。変形溝3〜10は荷電粒子ビームを受ける
区域の溝部3a〜10a、と、ビームを受ける区域外の
溝部、すなわちビームを受けない区域に位置する溝部3
b〜10bとから構成される。変形溝3〜lOは、例え
ばワイヤカンタ−を用いて形成することができるが、予
め電極および支持体が形成された型に絶縁体を注入、成
形する態様であってもよい。
変形溝3〜10の形状は本実施例のようなT字型のもの
には限定されず、荷電粒子ビームの放射線を受けない区
域を持つものであればよく、他の実施例として第4図(
a)〜(g)に示すような形状のものでもよい。
すなわち、第4図(a)に示された丁字形の変形溝20
は荷電粒子ビームを受ける区域の溝部20aと、前記ビ
ームを受ける区域外の溝部20bとから構成される。ま
た、同図(b)に示された円形の変形溝21は荷電粒子
ビームを受ける区域の溝部21aと、前記ビームを受け
る区域外の溝部21bとから構成される。また、同図(
C)に示されたL字形の変形溝22は荷電粒子ビームを
受ける区域の溝部22aと、前記ビームを受ける区域外
の溝部22bとから構成される。また、同図(d)に示
されたL字形の変形溝23は荷電粒子ビームを受ける区
域の溝部23aと、前記ビームを受ける区域外の溝部2
3bとから構成される。また、同図(e)に示された円
形の変形溝24は荷電粒子ビームを受ける区域の溝部2
4aと、前記ビームを受ける区域外の溝部24bとから
構成される。また、同図(f)に示されたL字形の変形
溝25は荷電粒子ビームを受ける区域の溝部25aと、
前記ビームを受ける区域外の溝部25bとから構成され
る。また、同図(g)に示された三角形の変形溝26は
荷電粒子ビームを受ける区域の溝部23aと、前記ビー
ムを受ける区域外の溝部26bとから構成される。
変形溝3〜10の個数は形成しようとする電極数に対応
するものであれば、8個には限定されないことは言うま
でもない。さらに、隣り合う2つの前記変形溝3〜10
間に位置する電極片11−18は他の実施例として第5
図に示されている。第5図(a)〜(d)に示された電
極片31〜34は基部31a〜34aと、基部31a〜
34aと一体的に形成され基部よりも大きな断面積を有
する先端部31b〜34bと、から構成声れる。第5図
(a)における電極片31の先端部31bは平坦な内面
を有し、第5図(b)における電極片32の先端部32
bは円弧凹状の内面を有し、第5図(C)における電極
片33の先端部33bは半円白土の内面を有し、第5図
(d)における電極片34の先端部34bは三角凸状の
内面を有する。
円筒2の内面2aは変形溝3〜10の溝部3b〜10b
の一部領域を除いて、例えば金属メツキにより全て金属
膜で被覆されている6個々の電極片11〜18は金属膜
で被覆されない部分、すなわち、絶縁体が剥き出しにな
っている帯状絶縁領域(絶縁部)3c〜10cによって
電気的に分離されている。
この帯状絶縁領域は、円筒内面を全面金属膜で被覆した
後、ワイヤーカッタで剥離するか、放電加工によって剥
離することより形成する。帯状絶縁領域30〜10cは
放射線方向にのびる荷電粒子ビームから見えない位置で
あれば変形溝3〜10の溝部3b〜10bのどの位置に
形成してもよく、例えば第2図に示す(ア)の位置ある
いは(イ)の位置の何れの位置に形成してもよい、した
がって、対向する電極片3〜lOの内面2a同士が一対
の電極11a−18aを形成することになる。そして、
その電極11a〜18aは支持部材である円筒2と一体
形成された構造となっていることから物理的強度′が強
く、かつ、小型化されたものとなっている。
また、帯状絶縁領域3cm10cを荷電粒子ビームから
見えない位置に形成することにより、個々の電極片11
〜18を電気的に分離する一方で、荷電粒子ビームから
見える部分には全て導体である金属膜が被覆されている
ことにより、従来例のような露出した絶縁部を排除して
チャージアップの影響を回避することができる。
第1図に示すように、電極片11〜18の端部は円筒2
の端部よりも突出させるとともに、帯状絶縁領域3cm
10cを荷電粒子ビームから見えないように円筒2の端
面上で半径方向に延長させることにより電極11a−1
8aに所定の電圧を印加するための接点35を形成する
ようにしている(第1図は電極18aの接点35のみを
示す)、また、帯状絶縁領域の端部の変形例として帯状
絶縁領域36のような形状のものでもよい。さらに、本
実施例では全ての変形溝3〜lOについて金属膜で導通
しているのでどこか1箇所(例えば、第1図中(つ)の
箇所)でアースに落とすようにすればよい。
以上述べたように、本実施例によれば、複数個の電極片
11−18を円筒2の内面2aに形成することにより個
々の電極片11〜18を小型化することができ、同時に
支持体である円筒2と電極片11−18を一体化するこ
とによって電極片11〜18を小型化しても十分な強度
を確保することができる。また、電極片11〜18の端
部は支持体である円筒2つの端部より突出させるように
している。したがって、電極片11〜18の端部におい
ても支持体の絶縁体露山部3C〜10c、36がビーム
から見えないため、静電偏向装置1の如何なる部分もチ
ャージアップの影響をビームに及ぼさないようにするこ
とができる。
さらに、予め複数の電極および支持体が形成された型の
絶縁体を注入、成形する場合には、電極間相互の精度は
その型で決まり、円筒または多角筒の内面にワイヤカッ
ターを用いて変形溝3〜lOあるいは20〜26を形成
する場合には、電極118〜18a間相互の精度はその
型の工作精度で決定されるため、電極118〜18aの
組み立て精度とは無関係となり、高精度の静電偏向装置
を容易に得ることが可能になる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、物理的強度を保持したまま小型化する
ことができ、かつ、電極を極めて精度良く配置するとと
もに、いかなる部分がチャージアップしてもビームには
影響を及ぼさないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1〜5図は本発明に係る静電偏向装置の一実施例を示
す図であり、 第1図はその斜視図、 第2図は第1図における■〜l矢視断面図、第3図は第
1図における■〜■矢視断面図、第4図はその他の実施
例の変形溝を示す破断平面図、 第5図はその他の実施例の電極片を示す破断平面図であ
る。 l・・・・・・静電偏向器(静電偏向装置)、2・・・
・・・円筒(筒)、 2a・・・・・・内面、 2b・・・・・・外面、 3〜10.20〜26・・・・・・変形溝(溝)、3a
〜10a、20a〜26a・・・・・・ビームを受ける
区域の溝部、 3b〜10b、20b〜26b・・・・・・ビームを受
ける区域外の溝部、 3C〜10c、36・・・・・・帯状絶縁領域(絶縁部
)、11〜18.31〜34・・・・・・電極片、11
a〜18a・・・・・・電極、 31a〜34a・・・・・・基部 31b〜34b・・・・・・先端部、 35a・・・・・・接点。 3〜10:変形溝 3a−IQa:ビームを受ける区域の溝部3b−10b
:ビームを受ける区域外の溝部3C〜tO,C:帯状絶
縁領域 11−18:電極片 11a−18a:電極 一実施例の第1図におけるI−1矢視断面図第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 荷電粒子ビームが入射され、絶縁体からなる筒と、 前記筒の内面にほぼ荷電粒子ビームの進行方向に沿って
    電極数に等しい数の溝を設けるとともに、該溝は散乱し
    た荷電粒子ビームを受ける区域の溝部と前記ビームを受
    ける区域外の溝部とを有し、前記溝が設けられた筒の表
    面を金属膜で被覆するとともに、前記区域外の溝部にお
    いて電気的に絶縁する絶縁部を設けることにより形成さ
    れた電極片とを備え、 前記電極片が形成された前記筒の内面を電極として用い
    るようにしたことを特徴とする静電偏向装置。
JP1068326A 1989-01-20 1989-03-20 静電偏向装置 Expired - Lifetime JP2749355B2 (ja)

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US07/472,984 US5041731A (en) 1989-01-20 1990-01-12 Deflection compensating device for converging lens
DE69020747T DE69020747T2 (de) 1989-01-20 1990-01-19 Eine die Ablenkung kompensierende Vorrichtung für konvergierende Linsen.
EP90400157A EP0379442B1 (en) 1989-01-20 1990-01-19 Deflection compensating device for converging lens

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5770862A (en) * 1996-04-26 1998-06-23 Fujitsu Ltd. Charged particle exposure apparatus, and a charged particle exposure method
US5929452A (en) * 1997-03-18 1999-07-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrostatic deflecting electrode unit for use in charged beam lithography apparatus and method of manufacture the same
JP2000223054A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Advantest Corp 電子ビーム照射装置の静電偏向器
US6566658B1 (en) 1999-10-19 2003-05-20 Nikon Corporation Charged particle beam control element, method of fabricating charged particle beam control element, and charged beam apparatus
JP2006216558A (ja) * 2005-02-04 2006-08-17 Leica Microsystems Lithography Gmbh 粒子放射線用の静電偏向システム
JP2008153209A (ja) * 2006-11-21 2008-07-03 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子ビーム用軌道補正器、及び荷電粒子ビーム装置
JP2010056028A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Shimadzu Corp イオンビーム処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62100243A (ja) * 1985-10-24 1987-05-09 Ulvac Corp 生鮮物貯蔵用真空冷却装置
JPS62110243A (ja) * 1985-11-08 1987-05-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 静電偏向器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62100243A (ja) * 1985-10-24 1987-05-09 Ulvac Corp 生鮮物貯蔵用真空冷却装置
JPS62110243A (ja) * 1985-11-08 1987-05-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 静電偏向器

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5770862A (en) * 1996-04-26 1998-06-23 Fujitsu Ltd. Charged particle exposure apparatus, and a charged particle exposure method
US6055719A (en) * 1996-04-26 2000-05-02 Fujitsu Limited Method for manufacturing an electrostatic deflector
US5929452A (en) * 1997-03-18 1999-07-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrostatic deflecting electrode unit for use in charged beam lithography apparatus and method of manufacture the same
JP2000223054A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Advantest Corp 電子ビーム照射装置の静電偏向器
US6566658B1 (en) 1999-10-19 2003-05-20 Nikon Corporation Charged particle beam control element, method of fabricating charged particle beam control element, and charged beam apparatus
US6781123B2 (en) 1999-10-19 2004-08-24 Nikon Corporation Charged particle beam control element, method of fabricating charged particle beam control element, and charged particle beam apparatus
US6977377B2 (en) 1999-10-19 2005-12-20 Nikon Corporation Charged particle beam control element, method of fabricating charged particle beam control element, and charged particle beam apparatus
JP2006216558A (ja) * 2005-02-04 2006-08-17 Leica Microsystems Lithography Gmbh 粒子放射線用の静電偏向システム
EP1688964A3 (de) * 2005-02-04 2008-08-13 Leica Microsystems Lithography GmbH Elektrostatisches Ablenksystem für Korpuskularstrahlung
US7491946B2 (en) 2005-02-04 2009-02-17 Leica Microsystems Lithography Gmbh Electrostatic deflection system for corpuscular radiation
JP2008153209A (ja) * 2006-11-21 2008-07-03 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子ビーム用軌道補正器、及び荷電粒子ビーム装置
JP2010056028A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Shimadzu Corp イオンビーム処理装置

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