JPH02249261A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02249261A JPH02249261A JP1071082A JP7108289A JPH02249261A JP H02249261 A JPH02249261 A JP H02249261A JP 1071082 A JP1071082 A JP 1071082A JP 7108289 A JP7108289 A JP 7108289A JP H02249261 A JPH02249261 A JP H02249261A
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- leads
- lead
- semiconductor device
- pressure sensor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置、特に、圧力センサチ・ノブのよ
うな半導体素子と一体になった台座をリードフレームの
リードで支持する構造を有するものに関する。
うな半導体素子と一体になった台座をリードフレームの
リードで支持する構造を有するものに関する。
第8図は従来の半導体装置としての圧力センサの断面図
であり、グイバット上に台座をグイボンドした後、ワイ
ヤボンドを完了した時の状態を示す0図において(10
1はほぼ直方体の素子ブロック、(1)は圧力を感知す
る半導体素子である圧力センサチップ、(2)は圧力セ
ンサチップ(1)を支持する台座で、それ自体が絶縁物
ができているか、または、圧力センサチップ(1)との
間に絶縁物(図示せず)がはさまって固着されていて、
素子ブロック00)は圧力センサチップ(1)のような
半導体素子と台座(21とが一体になって構成されてい
る。(3)は台座が固着されるグイパッド、(4)は台
座(21をダイパッド(3)に固着するグイボンド材、
(51はダイパッドB)を介して素子ブロック00)を
支持する吊りリード、(6)は圧力センサ(1)を外部
に電気的に接続するためのリード、(7)は圧力センサ
チップ(1)とリード(6)を電気的に接続する金線ま
たはアルミ線などのワイヤである。ただし、実際にはリ
ード(6)、ワイヤ(7)は圧力センサチップ(1)の
、図において手前側と奥側に配置されているが、90°
ずらして図示している。
であり、グイバット上に台座をグイボンドした後、ワイ
ヤボンドを完了した時の状態を示す0図において(10
1はほぼ直方体の素子ブロック、(1)は圧力を感知す
る半導体素子である圧力センサチップ、(2)は圧力セ
ンサチップ(1)を支持する台座で、それ自体が絶縁物
ができているか、または、圧力センサチップ(1)との
間に絶縁物(図示せず)がはさまって固着されていて、
素子ブロック00)は圧力センサチップ(1)のような
半導体素子と台座(21とが一体になって構成されてい
る。(3)は台座が固着されるグイパッド、(4)は台
座(21をダイパッド(3)に固着するグイボンド材、
(51はダイパッドB)を介して素子ブロック00)を
支持する吊りリード、(6)は圧力センサ(1)を外部
に電気的に接続するためのリード、(7)は圧力センサ
チップ(1)とリード(6)を電気的に接続する金線ま
たはアルミ線などのワイヤである。ただし、実際にはリ
ード(6)、ワイヤ(7)は圧力センサチップ(1)の
、図において手前側と奥側に配置されているが、90°
ずらして図示している。
第9図は第8図の圧力センサに用いられるリードフレー
ムを示す平面図で、板状の金属からエツチングまたはパ
ンチングで形成された時の状態を示す。(8]はリード
フレームの各部分を支持して一体的に保つ枠、(9)は
リード(6)を連結して枠(8)に支持させるタイバー
で、リード(6)は、図において上下から中央部に向っ
て互いに対向して延長しており、吊りリード(9は枠(
8)から、図において中央部に延長し、先端にダイパッ
ド(3)が設けられている。
ムを示す平面図で、板状の金属からエツチングまたはパ
ンチングで形成された時の状態を示す。(8]はリード
フレームの各部分を支持して一体的に保つ枠、(9)は
リード(6)を連結して枠(8)に支持させるタイバー
で、リード(6)は、図において上下から中央部に向っ
て互いに対向して延長しており、吊りリード(9は枠(
8)から、図において中央部に延長し、先端にダイパッ
ド(3)が設けられている。
この状態から、図においてBで手前側に、そして、八で
逆に奥側に吊りリード(5)を折り曲げることにより、
第8図に示すようにダイパッド(3]が、図において下
方に沈められる。このダイパッド(3)上に、圧力セン
サチップ(1)と一体になった台座(2)がグイボンド
材(2)で固着され、圧力センサチップ(1)とリード
(3)との間にワイヤmが熱圧着などによりボンディン
グされる。圧力センサチップ(1)とリードB)の、図
において高さ方向の位置がほぼ同じになるようにダイパ
ッド(3)が沈められているので、このワイヤボンドは
容易に行うことができる。ワイヤボンドが完了すると後
工程へ搬送されて、樹脂でモールドされ、不要になった
リードフレームの枠181とダイパー(9)の除去が行
われる。
逆に奥側に吊りリード(5)を折り曲げることにより、
第8図に示すようにダイパッド(3]が、図において下
方に沈められる。このダイパッド(3)上に、圧力セン
サチップ(1)と一体になった台座(2)がグイボンド
材(2)で固着され、圧力センサチップ(1)とリード
(3)との間にワイヤmが熱圧着などによりボンディン
グされる。圧力センサチップ(1)とリードB)の、図
において高さ方向の位置がほぼ同じになるようにダイパ
ッド(3)が沈められているので、このワイヤボンドは
容易に行うことができる。ワイヤボンドが完了すると後
工程へ搬送されて、樹脂でモールドされ、不要になった
リードフレームの枠181とダイパー(9)の除去が行
われる。
従来の半導体装置は以上のように構成されていて、半導
体素子を支持する吊りリードはリードフレームのパンチ
ングなどした部分を折曲げて形成されているが、曲げ加
工はスプリングバックなどのために寸法精度が低く、従
って、ワイヤボンド時にワイヤボンド装置が半導体素子
のワイヤボンドを行うべき位置を認識できずに作業が停
止してしまうことがあり、また、素子ブロックの支持が
一方向から行われているため支持力が弱く、従って、後
工程への搬送時に素子ブロックが揺れ動いてリードとの
相対位置関係が変動し、その間にボンディングされてい
るワイヤを変形させたり、損傷を与えたりすることがあ
った。更に、面積の大きいダイパッド上に素子ブロック
をグイボンド材で固着するので、ダイパッドと素子ブロ
ックの線膨張率の差に起因して温度変化時に素子ブロッ
クにクラックが発生することがあるなどの問題点があっ
た。
体素子を支持する吊りリードはリードフレームのパンチ
ングなどした部分を折曲げて形成されているが、曲げ加
工はスプリングバックなどのために寸法精度が低く、従
って、ワイヤボンド時にワイヤボンド装置が半導体素子
のワイヤボンドを行うべき位置を認識できずに作業が停
止してしまうことがあり、また、素子ブロックの支持が
一方向から行われているため支持力が弱く、従って、後
工程への搬送時に素子ブロックが揺れ動いてリードとの
相対位置関係が変動し、その間にボンディングされてい
るワイヤを変形させたり、損傷を与えたりすることがあ
った。更に、面積の大きいダイパッド上に素子ブロック
をグイボンド材で固着するので、ダイパッドと素子ブロ
ックの線膨張率の差に起因して温度変化時に素子ブロッ
クにクラックが発生することがあるなどの問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体素子の位置の精度が高く、ワイヤに無
理な力がかからず、かつ、素子ブロックにクラックが発
生しにくい半導体装置を得ることを目的とする。
たもので、半導体素子の位置の精度が高く、ワイヤに無
理な力がかからず、かつ、素子ブロックにクラックが発
生しにくい半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、台座の周囲から台座に向
って互いに対向して延長し、対をなすよう設けられたリ
ードを2組備え、これらのリードの先端部がほぼ直角に
曲げられて上記台座に側方から当接するようにしたもの
である。
って互いに対向して延長し、対をなすよう設けられたリ
ードを2組備え、これらのリードの先端部がほぼ直角に
曲げられて上記台座に側方から当接するようにしたもの
である。
この発明における半導体装置は、対をなすリードを2組
備え、これらが台座に当接しているので、1組のリード
により台座の一側方と反対側の側方から同じ大きさの力
を及ぼし、そして、もう1組のリードにより上記と直交
する方向の2つの側方へも同様に同じ大きさの力を及ぼ
して、台座を四方から支持する。
備え、これらが台座に当接しているので、1組のリード
により台座の一側方と反対側の側方から同じ大きさの力
を及ぼし、そして、もう1組のリードにより上記と直交
する方向の2つの側方へも同様に同じ大きさの力を及ぼ
して、台座を四方から支持する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による半導体装置としての圧力
センサの斜視図であり、ワイヤボンドが完了した時の状
態を示す、第2図は第1図の■−■線に沿った断面図で
ある。これらの図において、(1)、(2)、 (7)
、 QOIは第8図の場合と同様の圧力センケチ111
台座、ワイヤ1素子ブロックであり、(+1>、 (1
2)は第1.第2のリード、(+3)。
図はこの発明の一実施例による半導体装置としての圧力
センサの斜視図であり、ワイヤボンドが完了した時の状
態を示す、第2図は第1図の■−■線に沿った断面図で
ある。これらの図において、(1)、(2)、 (7)
、 QOIは第8図の場合と同様の圧力センケチ111
台座、ワイヤ1素子ブロックであり、(+1>、 (1
2)は第1.第2のリード、(+3)。
(14)は第1.第2のダミーリード、(15)はこれ
ら諸リード(11)〜(14)の先端部で、CとDで折
り曲げられて先端部(15)は元の延長方向からほぼ直
角に曲がり台座(′2の側方に当接している。第1と第
2のリード(11) (12)は対をなし、台座(2)
の互いに反対側の側方から台座(2)に当接しており、
第1゜第2のダミーリード(13) 、 (+41も互
いに同様になっていて、これら諸リード(11)〜(1
4)により台座(2Jを四方から支持している。第1.
第2のリード(II)、 (+2)と圧力センサチップ
(1)との間には、第8図の場合と同様にワイヤ(7)
のボンディングが行われている。
ら諸リード(11)〜(14)の先端部で、CとDで折
り曲げられて先端部(15)は元の延長方向からほぼ直
角に曲がり台座(′2の側方に当接している。第1と第
2のリード(11) (12)は対をなし、台座(2)
の互いに反対側の側方から台座(2)に当接しており、
第1゜第2のダミーリード(13) 、 (+41も互
いに同様になっていて、これら諸リード(11)〜(1
4)により台座(2Jを四方から支持している。第1.
第2のリード(II)、 (+2)と圧力センサチップ
(1)との間には、第8図の場合と同様にワイヤ(7)
のボンディングが行われている。
第3図は第1区の圧力センサに用いられるリードフレー
ムを示す平面図で、エツチングまたはパンチングされた
時の状態を示す。+81 、 f9+は第9図の場合と
同様の枠、タイバーで、図において中央部は台座(2)
が支持されるべき位置であり、その周囲に配置されてい
る枠(a、タイバー(9)から諸り−ド(11)〜(1
4)が中央部に向って延長している。第1、第2のリー
ド(11)、 (12)は互いに図において上下対称形
に形成されており、上下のタイバー(9)から互いに対
向して延長し、対をなす一組のリードを構成すると共に
、第1.第2のダミーリード(13)、 (14>は互
いに図において左右対称形に形成されており、左右の枠
(9)から延長して同様にもう一組のリードを構成し、
この2組のリードの延長方向は互いに直交している。第
3図の状態がらC1Dの所で折り曲げられて、第1図、
第2図に示したようになる。
ムを示す平面図で、エツチングまたはパンチングされた
時の状態を示す。+81 、 f9+は第9図の場合と
同様の枠、タイバーで、図において中央部は台座(2)
が支持されるべき位置であり、その周囲に配置されてい
る枠(a、タイバー(9)から諸り−ド(11)〜(1
4)が中央部に向って延長している。第1、第2のリー
ド(11)、 (12)は互いに図において上下対称形
に形成されており、上下のタイバー(9)から互いに対
向して延長し、対をなす一組のリードを構成すると共に
、第1.第2のダミーリード(13)、 (14>は互
いに図において左右対称形に形成されており、左右の枠
(9)から延長して同様にもう一組のリードを構成し、
この2組のリードの延長方向は互いに直交している。第
3図の状態がらC1Dの所で折り曲げられて、第1図、
第2図に示したようになる。
上記の半導体装置において、諸リード(11)〜(14
)は第2図の一点鎖線で示すように台座(2)の寸法よ
りもやや小さい間隔になるように当初の曲げが行われ、
その後、そこに素子ブロック00)が挿入されて諸リー
ド(11〕〜(14)の弾性によりそれらの先端部(1
5)で台座(2を四方から押圧して支持する。
)は第2図の一点鎖線で示すように台座(2)の寸法よ
りもやや小さい間隔になるように当初の曲げが行われ、
その後、そこに素子ブロック00)が挿入されて諸リー
ド(11〕〜(14)の弾性によりそれらの先端部(1
5)で台座(2を四方から押圧して支持する。
素子ブロックα0)が支持される位置の精度は、対をな
す第1.第2のリード(11)、 (12)間および第
1゜第2のダミーリード(13)、(14,)間のバラ
ンスを如何に良く保って加工されるかによるが、これに
は諸リード(I11〜(14)の幅、長さ、厚さとC,
Dにおける曲げが影響する。厚さは素材で決まり、幅長
さはエツチングなどで決まるので精度が高いが、曲げ加
工は従来例と同様に精度が低い。しがし、諸リード(1
1)〜(14)は全て、第3図の状態からプレスで同時
に曲げられるので、たとえ曲げに過不足が生じても、そ
れはどのリードにも同様に現われる。第2図で説明すれ
ば、例えば、第1のリード(11)のC,Dにおける曲
げが不足して台座(2)を図において右方へ強く押し過
ぎても、その時は第2のリード(12)においても同様
に曲げが不足しており台座(2)を図において左方へ強
く押すので、素子ブロック00)の位置が右あるいは左
にずれることはない、また、図において上下方向に関し
ては、この実施例では台座(2)は底面から支持されて
いないので、素子ブロック0〔を第1.第2のリード(
+1)、 (+2)、第1.第2のダミーリード(+3
)、 (14)の間に挿入する時に治具(図示せず)で
規定することにより素子ブロックα0)の上下位置精度
を高くすることができる。加えて、素子ブロックQOI
は四方から支持されるので支持力が強く、また、たとえ
搬送時に揺れ動くことがあってもその時は第1゜第2の
リード(II)、 (+2)のワイヤ(7)がボンディ
ングされている部分と圧力センサチップ(1)は同じよ
うに動いてワイヤ(7)の両端の相対位置関係の変動が
殆どないので、ワイヤ(7)に無理な力がかかることは
ない、更に、グイボンド材などで固着されていないので
温度変化時にも素子ブロック叫にクラックが生じにくい
。
す第1.第2のリード(11)、 (12)間および第
1゜第2のダミーリード(13)、(14,)間のバラ
ンスを如何に良く保って加工されるかによるが、これに
は諸リード(I11〜(14)の幅、長さ、厚さとC,
Dにおける曲げが影響する。厚さは素材で決まり、幅長
さはエツチングなどで決まるので精度が高いが、曲げ加
工は従来例と同様に精度が低い。しがし、諸リード(1
1)〜(14)は全て、第3図の状態からプレスで同時
に曲げられるので、たとえ曲げに過不足が生じても、そ
れはどのリードにも同様に現われる。第2図で説明すれ
ば、例えば、第1のリード(11)のC,Dにおける曲
げが不足して台座(2)を図において右方へ強く押し過
ぎても、その時は第2のリード(12)においても同様
に曲げが不足しており台座(2)を図において左方へ強
く押すので、素子ブロック00)の位置が右あるいは左
にずれることはない、また、図において上下方向に関し
ては、この実施例では台座(2)は底面から支持されて
いないので、素子ブロック0〔を第1.第2のリード(
+1)、 (+2)、第1.第2のダミーリード(+3
)、 (14)の間に挿入する時に治具(図示せず)で
規定することにより素子ブロックα0)の上下位置精度
を高くすることができる。加えて、素子ブロックQOI
は四方から支持されるので支持力が強く、また、たとえ
搬送時に揺れ動くことがあってもその時は第1゜第2の
リード(II)、 (+2)のワイヤ(7)がボンディ
ングされている部分と圧力センサチップ(1)は同じよ
うに動いてワイヤ(7)の両端の相対位置関係の変動が
殆どないので、ワイヤ(7)に無理な力がかかることは
ない、更に、グイボンド材などで固着されていないので
温度変化時にも素子ブロック叫にクラックが生じにくい
。
第4図はこの発明の他の実施例による半導体装置に用い
られるリードフレームの平面図でバンチングなどを行っ
た時の状態を示す。諸リード(11)〜(14)はEで
図において、手前側へほぼ直角に曲げると共に、C,D
″′C′C奥側直角に曲げることにより、第5図の側面
図に示すような形状にする。この実施例では素子ブロッ
クを側面および底面から支持する。
られるリードフレームの平面図でバンチングなどを行っ
た時の状態を示す。諸リード(11)〜(14)はEで
図において、手前側へほぼ直角に曲げると共に、C,D
″′C′C奥側直角に曲げることにより、第5図の側面
図に示すような形状にする。この実施例では素子ブロッ
クを側面および底面から支持する。
第6図、第7図はそれぞれ更に他の実施例による半導体
装置に用いられるリードフレームの斜視図であり、図で
は2方向からの第1のリード(11)と第1のダミーリ
ード(+3)のみを示しているが、第3図、第4図の実
施例と同様に第2のリードおよび第2のダミーリードも
設けられている。また、Cで鋭くほぼ直角に曲げている
が、素子ブロックの挿入を容易にするために、やや大き
な曲げ半径で曲げてもよいし、あるいは第3図、第4図
のように2ケ所に分けて曲げてもよい。
装置に用いられるリードフレームの斜視図であり、図で
は2方向からの第1のリード(11)と第1のダミーリ
ード(+3)のみを示しているが、第3図、第4図の実
施例と同様に第2のリードおよび第2のダミーリードも
設けられている。また、Cで鋭くほぼ直角に曲げている
が、素子ブロックの挿入を容易にするために、やや大き
な曲げ半径で曲げてもよいし、あるいは第3図、第4図
のように2ケ所に分けて曲げてもよい。
なお、上記実施例では素子ブロックをリードに固着して
いないが、例えば台座(2)の底面を支持する部分など
でグイボンド材により台座(2)をリードに固着するよ
うにしてもよい。この場合でも太きな面積で固着されて
いないので、温度変化時のクラックは生じにくい。
いないが、例えば台座(2)の底面を支持する部分など
でグイボンド材により台座(2)をリードに固着するよ
うにしてもよい。この場合でも太きな面積で固着されて
いないので、温度変化時のクラックは生じにくい。
以上のように、この発明によれば、対をなすよう設けら
れたリードを2組備え、これらのリードの先端部がほぼ
直角に曲げられていて台座に当接し、台座を四方から支
持するよう構成したので、曲げの精度が低くても対をな
すリード同士で、台座の位置に与える影響を相殺し合っ
て半導体素子の位置の精度を高く保ち、かつ、四方から
の支持により素子ブロックの支持力が強化され、また、
たとえ搬送時に揺れ動いてもワイヤの両端の相対位置関
係が殆ど変動しないのでワイヤに無理な力がかかること
はない。更に、大きな面積での、素子ブロックとリード
の固着がないので温度変化時の素子ブロックのクラック
が生じにくいという効果がある。
れたリードを2組備え、これらのリードの先端部がほぼ
直角に曲げられていて台座に当接し、台座を四方から支
持するよう構成したので、曲げの精度が低くても対をな
すリード同士で、台座の位置に与える影響を相殺し合っ
て半導体素子の位置の精度を高く保ち、かつ、四方から
の支持により素子ブロックの支持力が強化され、また、
たとえ搬送時に揺れ動いてもワイヤの両端の相対位置関
係が殆ど変動しないのでワイヤに無理な力がかかること
はない。更に、大きな面積での、素子ブロックとリード
の固着がないので温度変化時の素子ブロックのクラック
が生じにくいという効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置としての
圧力センサの斜視図、第2図は第1図のIf−If線に
沿った断面図、第3図は第1図の圧力センサに用いられ
るリードフレームの平面図、第4図はこの発明の他の実
施例による半導体装置に用いられるリードフレームの平
面図、第5図は第4図のリードフレームの側面図、第6
図、第7図はそれぞれこの発明の更に他の実施例による
半導体装置に用いられるリードフレームの斜視図、第8
図は従来の半導体装置としての圧力センサの断面図、第
9図は第8図の圧力センサに用いられるリードフレーム
の平面図である。 図において、(1)は圧力センサチップ、(2は台座、
Cl1l、 (12)はそれぞれ第1.第2のリード、
(13)(14)はそれぞれ第1.第2のダミーリード
、(15)は先端部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 実1図 第3図 ! 、圧カヤンプナッフ゛ 13 才1めダミ
ーリード2 台座 14 第
2め夕゛2−リード第4図 第5図 第6図 第7図 第8H 第9図
圧力センサの斜視図、第2図は第1図のIf−If線に
沿った断面図、第3図は第1図の圧力センサに用いられ
るリードフレームの平面図、第4図はこの発明の他の実
施例による半導体装置に用いられるリードフレームの平
面図、第5図は第4図のリードフレームの側面図、第6
図、第7図はそれぞれこの発明の更に他の実施例による
半導体装置に用いられるリードフレームの斜視図、第8
図は従来の半導体装置としての圧力センサの断面図、第
9図は第8図の圧力センサに用いられるリードフレーム
の平面図である。 図において、(1)は圧力センサチップ、(2は台座、
Cl1l、 (12)はそれぞれ第1.第2のリード、
(13)(14)はそれぞれ第1.第2のダミーリード
、(15)は先端部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 実1図 第3図 ! 、圧カヤンプナッフ゛ 13 才1めダミ
ーリード2 台座 14 第
2め夕゛2−リード第4図 第5図 第6図 第7図 第8H 第9図
Claims (1)
- 半導体素子と一体になった台座をリードフレームのリー
ドで支持するものにおいて、上記台座の周囲から上記台
座に向って互いに対向して延長し、対をなすよう設けら
れたリードを2組備え、上記リードの1組の延長方向と
他の1組の延長方向が互いに直交すると共に、これらの
リードの先端部がほぼ直角に曲げられて上記台座に側方
から当接し、上記台座を支持するようにしたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1071082A JPH02249261A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1071082A JPH02249261A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02249261A true JPH02249261A (ja) | 1990-10-05 |
Family
ID=13450251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1071082A Pending JPH02249261A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02249261A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05206354A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| JP2017026387A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 株式会社日立製作所 | 物理量センサ |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP1071082A patent/JPH02249261A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05206354A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| JP2017026387A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 株式会社日立製作所 | 物理量センサ |
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