JPH02249686A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光カード用情報記録媒体に関するもので、特に
レーザ光や電子線などのエネルギービームの照射により
、情報の記録を行う光カードに好適に使用される情報記
録媒体に関する。

［従来の技術］ 光情報記録媒体の記録方式で、結晶と非晶のような媒体
の相変化に伴う光学特性の差を記録に利用する方式は、
媒体自体の変形、蒸発による汚染などの問題がなく、保
護膜により耐久性を向上させることも可能であり、Ｉｎ
−８ｅ系薄膜、Ｔｅ低酸化物薄膜、５ｂ−Ｔｅ系薄膜、
Ｔｅ−Ｇｅ系薄膜など種々の材料が提案されている。例
えば、Ｔｅ−Ｇｅ−８ｎ薄膜（特開昭６１−３３２４号
公報など）、Ｔｅを主成分とするＴ　ｅ　ｇｏｓ　ｂ　
ｌ０８ｅ１ｏ記録薄膜（特開昭６１−１４５７３７号公
報など）、５ｂ２Ｓｅなどの組成の５ｂ−８ｅ膜（特開
昭６０−１５５４９号など）、またＴｅ−５ｂの２元合
金記録膜（８６年応用物理学会講演集　２９ａ−ＺＥ−
３，４）などが提案されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来技術による記録媒体には次のよ
うな問題点があった。

すなわち、Ｔｅ−Ｇｅ−８ｎを記録膜としたものでは、
適切な消去特性と実用的な記録感度を両立させることが
困難で実用性に乏しく、またＴｅ８ｏＳｂ１ｏＳｅ１ｏ
記録薄膜、５ｂ２Ｓｅなどの組成の５ｂ−８ｅ合金膜な
どでは、実用的な消去速度範囲で満足できる消去特性を
実現することが容易でなかったり、記録と消去の繰返し
に伴ってノイズが増加し記録の信号品質が低下する等の
問題があった。またＳｂ２　Ｔｅ３合金を記録膜に用い
たものは、結晶化温度が低く記録の保存性に問題がある
など実用性に乏しいものであった。

更に、この様な記録媒体では用途によりかなり異なる特
性が要求されるため、例えば光カード用として媒体特性
を見た場合、必ずしも光ディスクに最適な媒体特性がそ
のまま好ましい特性であるとは言い難い。即ち、媒体の
送り速度（記録又は消去の速度）やビーム径が光カード
と光ディスクでは異なるため、非晶化や結晶化の最適条
件が大きく異なり、同じ媒体組成で両者の特性を共に満
足させることは容易ではない。

特に、Ａｇ−８ｂ−Ｔｅの３元系に限定すると、特開昭
６２−１５２７８６号公報や特開昭６４−１０４３７号
公報の提案が見られるが、必ずしも光カード用記録媒体
として好ましい特性を持つとは言えない。

すなわち、特開昭６２−１５２７８６号公報では、Ａｇ
、Ｓｂ、Ｔｅの３元素も含む多数の元素の組み合わせ、
即ち結果的にほぼ全元素の可能な組み合わせを全て網羅
した材料で、良好な特性が得られると主張しているが、
実際の記録媒体では元素の種類とその組成を最適化する
ことにより初めて優れた特性を付与できるものであり、
かつごく一部の実施例を除き、実際にどの様な優れた特
性が発現できるのかの具体的な検討や開示が何等なされ
ていない。また本公報の趣旨では、高速での記録消去が
可能な媒体として重要な特性である高速結晶化速度を実
現することを主要な目的としており、この特性は光カー
ド用媒体としては必ずしも重要な特性とは言えず、場合
によっては好ましくない特性と言える。すなわち、光カ
ード用媒体では、比較的低速度で長時間のレーザ照射を
行い、かつ比較的大きいビーム径を有する光学系を用い
ているため、レーザ照射で与えられた熱を十分速やかに
除き難いという制約があり、これらの条件下でも再結晶
が生じにくく良好な非晶化記録が可能であるという特性
が重要となる。この場合、高速結晶化という特性はむし
ろ逆に作用し、せっかく形成した非晶状態が残った熱で
再結晶されるのを助長する方向にあるため好ましいとは
言い難い。

また特開昭６４−１０４３７号公報では、Ａｇ−８ｂ−
Ｔｅ３元系としているものの、組成を限定しない場合に
は前述したような特性の最適化が十分行われているとは
言い難く、組成を限定したとしても高速結晶化速度実現
を目的とした最適化であり、前述と同様な意味で光カー
ドに適した媒体とは言い難い。

本発明は、かかる問題点を改善し、記録の感度が良好で
あり、かつ実用性のある消去特性を持つ、光カード用媒
体として良好な特性を備えた、信頼性の高い光カード用
情報記録媒体を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、基板上に形成された記録薄膜に
エネルギービームを照射し、直接又は間接に発生する熱
により、上記薄膜の光学特性を変化せしめて、情報の記
録を行う光カード用情報記録媒体において、該記録薄膜
が銀（Ａｇ）、アンチモン（Ｓ　ｂ）およびテルル（Ｔ
ｅ）の３元素から主としてなり、かつその組成が、一般
式％式％ Ｘ：薄膜中のＡｇの原子数％ ｙ：薄膜中のｓｂの原子数％ ２：薄膜中のＴｅの原子数％ と表した場合、２の範囲が２０≦２≦３８の場合には、
ｘ、ｙの範囲がそれぞれ５≦Ｘ≦５０，３２≦ｙ≦６０
であり、２の範囲が３８〈ｚ≦５５の場合には、Ｘ、ｙ
の範囲がそれぞれ５≦Ｘ≦２５．４２≦ｙ≦６０であり
、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であることを特徴とする光カ
ード用情報記録媒体により達成される。

すなわち、本発明において使用される記録薄膜は、銀（
Ａｇ）、アンチモン（ｓ　ｂ）およびテルル（Ｔｅ）の
３元素から主としてなり、かつその組成が、一般式 ％式％ Ｘ：薄膜中のＡｇの原子数％ ｙ：薄膜中のｓｂの原子数％ ２：薄膜中のＴｅの原子数％ と表した場合、２の範囲が２０≦２≦３８の場合には、
ｘ、　　ｙの範囲がそれぞれ５≦Ｘ≦５０，３２≦ｙ≦
６０であり、２の範囲が３８〈ｚ≦５５の場合には、ｘ
、ｙの範囲がそれぞれ５≦Ｘ≦２５．４２≦ｙ≦６０で
あり、かっｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足してなるものであ
る。

本発明者らが鋭意検討したところ、２０≦２≦３８の場
合には、Ｓｂ２ＴｅとＡｇ２Ｔｅを結ぶ線上の組成を中
心とした領域が良好であり、３８〈２≦５５の場合には
、５ｂＴｅとＡｇとを結ぶ線上の組成を中心とした領域
が光カード用媒体とし優れた特性を持つとの結論に至っ
た。Ｘやｙの適切な範囲は２の各々の範囲に応じ異なる
が、いずれも程度の差があれ、Ｘが範囲外で多い場合に
は消去が困難になるなど本発明で述べるような優れた記
録特性が発現しにくくなり好ましくなく、またｙが多い
場合には過剰なｓｂが析出するなど不可逆的な特性変化
が生じ易く、記録と消去の繰返し性が低下するなどして
好ましくない。またＸやｙが少ない場合には適切な結晶
化温度が得られなくなったりして好ましくない。

本発明の効果をより好ましく発現させるには、２の範囲
は２５≦２≦３８および３８くｚ≦５０としたほうがよ
り好ましい。２５≦２≦３８の場合には、７≦Ｘ≦４０
．３２≦ｙ≦５５の範囲であることがより好ましい。３
８〈ｚ≦５０の場合には、Ｘの範囲は７≦Ｘ≦２５の範
囲であることがより好ましい。

記録薄膜の膜厚は、特に限定されないが、例えば記録膜
の表面と裏面での膜厚干渉効果を利用する場合には、７
０〜１２０　ｎｍの範囲に設定できる。また、記録膜に
隣接して、例えばその裏面側に反射層としての役割も持
つ冷却層を設ける場合には、約半分の膜厚にして同様な
効果を期待できる。

記録薄膜に隣接して、好ましくはその裏面側に冷却層を
設けることができる。

この冷却層は、記録層から生じる熱の拡散を容易にし、
記録時の溶融部分の冷却速度を速め、非晶マークの形成
を容易にするのに有効である。さらには、金属や金属合
金などの光学的に高い反射率を有する材料を用いれば、
反射層としての役割も付与することが可能であり、記録
層の膜厚を約半分にして、記録の感度を高めるなどの効
果も期待できる。冷却層の膜厚は特に限定されないが、
１０〜８０ｎｍが実用的にも好ましい。冷却層の材料と
しては、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ａｕ、ＡＩ。

Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＰｂおよびＨｆ等の金属又はそれら
の合金、あるいは金属の酸化物、炭化物、窒化物、カル
コゲン化物等のいずれかと金属との混合物などが使用で
きる。特にＡ　ｕ　、Ａ　１　ｓ　Ｈｆ　。

ＮｉおよびＣｒやそれらの合金等は、膜の形成が容易で
あり、材料選択により熱伝導度を広範囲に調整可能であ
るため、本発明の光記録媒体を種々の目的に沿って設計
する場合にその本来の優れた特性を発現させるのに有効
である。

本発明に用いられる基板としてはポリメチルメタフリレ
ート樹脂、ポリカーボネイト樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹
脂、スチレン樹脂などの高分子樹脂やガラス板、あるい
はＡ１等の金属板が挙げられる。

本発明の記録媒体は本来の特性を効果的に発現させるた
め、基板と記録層の間や媒体の表面等に保護層や、記録
層と冷却層の間に拡散防止層が形成できる。

保護層は、５ｉ０２、ＺｒＣ，ＩＴＯ，ＺｎＳ。

Ｍ　ｇ　Ｆ　２等の無機膜やそれらの混合膜、紫外線硬
化膜等を、蒸着、スパッタ、スピンコード等の方法を用
いて形成したり、エポキシやポリカーボネイトなどの樹
脂、フィルム、ガラスなどを張合わせたり、ラミネート
しても良い。拡散防止層は耐湿熱性や耐酸化性などの効
果のみならず、記録層と反射層の間での元素拡散を抑制
し特性劣化を押さえる効果があり、保護層と同様な材料
が使用できる。

このような保護層および拡散防止層としては、例えば、
ＺｎＳとＭ　ｇ　Ｆ　２の混合膜は、耐熱性が良好で、
湿熱下での耐久性が優れており、さらには記録と消去の
繰返しによる記録層の劣化を抑制し、消去特性を改善す
るなどの効果があり好ましいものである。また、Ｚｒ、
Ｔａ、ＴｉおよびＷから選ばれた少なくとも一種の金属
と、ケイ素、酸素および炭素を含む成分で構成される膜
は、各成分の好ましい含有量を上記金属が３〜４０原子
％、Ｓｔが５〜３０原子％、０が５〜７０原子％。

Ｃが３〜４０原子％の範囲となすことにより、記録層の
膜質劣化や性能劣化を抑制できると共に記録層との接着
力を高める効果が期待でき好ましい。

これらの保護層および拡散防止層により、耐久性や耐吸
湿性の向上、記録層の保護コート、基板からの剥離や盛
り上がり等の変形防止、融解、蒸発、拡散等による媒体
の消失防止、等の効果や更には非晶と結晶の可逆変化を
利用する場合の繰返し性の向上等の効果が期待できる。

［製造方法］ 本発明の記録媒体の作製法には種々の方法が挙げられる
が、ここでは−例としてマグネトロンスパッタ法につい
て説明する。

本発明の記録媒体は、１．２ｍｍ厚のパイレックスガラ
スやＰＭＭＡ板、０．４ｍｍ厚のポリカーボネイト（以
下ＰＣという）板、又は１６２ｍｍ厚、１３ｃｍ直径、
１．６μｍピッチのスパイラルグループ付きのポリカー
ボネイト（ｐｃ）製の基板を１０〜１５０ｒｐｍで回転
させ、組成や膜厚の均一化を図りながら、例えば、保護
層、記録層、拡散防止層あるいは冷却層を各々目的に応
じて順次積層形成する。スパッタ条件は、例えばスパッ
タガスにアルゴンガスを用い、ＲＦ出力数十〜ｌｋＷ、
真空度８ｘｌＯ−”Ｐａ　〜１ｘｌＱ−ＩＰａ程度の条
件範囲で行なうことができる。

保護層や拡散防止層は、５ｆ０２、ＺｒＣ，ＩＴＯｌＺ
ｎＳおよびＭｇＦ２や、それらの混合組成のターゲット
を用いて、水晶振動子膜厚計でモニターしながら、単独
または同時スパッタして形成すれば良い。ここで、ＩＴ
Ｏ膜の場合にはスパッタガスをＡｒ　：Ｏ＝９　：　１
　（モル比）の混合ガスとし、ＲＦ又はＤＣのスパッタ
法を用いた。ＤＣスパッタ法では、出力を２００〜４０
０Ｗとした。

記録層はＡｇ、Ｓｂ、ＴｅおよびＡｇ−Ｔｅ合金、５ｂ
−Ｔｅ合金などを水晶膜厚計でモニターしながら同時ス
パッタして所定組成の記録膜とする。ターゲット部材に
は、他に所定薄膜組成となるように勘案した（Ａｇ、Ｓ
ｂ、Ｔｅ）の３元素ターゲットを用いても良い。

冷却層はＡｕ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ａｌ。

Ｔｉ、Ｎｉ、ＣｒおよびＨｆ等の金属やそれらの合金を
記録薄膜と同様に形成すれば良い。

これらのスパッタ条件は当然ながら装置により一定では
なく上記以外の条件で作製しても良いことは言うまでも
なく、作製方法としても、例えば真空蒸着法や電子ビー
ム蒸着法などの薄膜作製技術を用いて良いことは言うま
でもない。

［用途］ このようにして得られた本発明の記録媒体は、特に光カ
ード用の情報記録媒体として好ましい特性を備えたもの
である。さらには、これ以外にも光学特性の差を記録に
利用するあらゆる用途、例えば、光ディスク、光テープ
、光フロッピー、マイクロフィッシュ、レーザＣ０Ｍ等
の情報記録媒体、にも適用可能なものである。

［測定法］ ■　転移温度 ガラス基板上に作製した記録薄膜上に一対の電極を設け
、その一端に３０にΩの抵抗を直列に接続する。残る電
極と抵抗の両端に５ｖの一定電圧を印加し、電圧計で抵
抗の両端電圧を測定し、これより薄膜の印加電圧と電流
を求め抵抗値を算出する。次に加熱炉を用い、温度制御
器で約り０℃／分の速度で基板全体を均一に加熱昇温し
ながら抵抗を測定し、高抵抗から低抵抗へ変化する温度
を求め転移温度とする。

■　組成 ガラス基板上に作製した記録薄膜を王水、硝酸等で溶解
させ基板から分離させた。この溶液を高周波誘導結合プ
ラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析法（セイコー電子（株）
ＳＰＳ−１１００型）により、各元素の含有量を求め、
組成比を算出した。

■　動的記録・消去特性 ＰＣ製のグループ付基板上に記録薄膜を形成したものを
試料とした。評価装置は波長８３０　ｎｍの半導体レー
ザを組み込んだ光ヘッドとディスク回転装置およびそれ
らの制御回路で主に構成されている。光ヘッドは回転す
るディスク基板を通して記録膜上に開口数０．５の対物
レンズでレーザ光を集光し、基板に刻まれたグループに
沿ってトラッキングするよう制御されている。記録は１
〜１５ｍＷの記録パワーで、周波数が０．２〜５ＭＨｚ
、信号のデユーティを１０〜９０％とし、消去パワーは
１〜１５ｍＷの範囲で測定した。線速度は０．５〜１２
ｍ／秒とした。ＣＮＲは、記録信号を０．７ｍＷで再生
し、３０ｋＨｚのバンド幅としたスペクトラルアナライ
ザを用いＲＦ倍信号ら求めた。消去率は記録と消去後の
キャリア信号の差から求めた。またキャリア周波数位置
でのノイズはその前後のノイズ値より補間で求めた。

■　静的記録・消去特性 パイレックスガラス、Ｐ　Ｍ　Ｍ　Ａ　、　０　、　４
　ｍ　ｍ厚ＰＣ板の各基板上に記録薄膜を形成したもの
を試料とした。評価装置は波長８３０　ｎｍの半導体レ
ーザを組み込んだ光ヘッドとその制御回路で主に構成さ
れている。光ヘッドはＸ−Ｙステージ上に保持された基
板を通して記録膜上に開口数０．５の対物レンズでレー
ザ光を集光するよう制御されている。光ヘッドに印加す
る記録または消去パルスで生じた、非晶と結晶間の可逆
的相転移に伴う反射光量の変化をＲＦ倍信号して取出し
、繰返し耐久性や記録のコントラストを評価するように
なっている。記録と消去のパワーは１〜２０ｍＷ範囲で
測定し、再生パワーは０．５ｍＷとした。コントラスト
はＲＦ比出力結晶と非晶でのレベル差と結晶状態との比
として求めた。

［実施例］ 本発明を更に実施例に基づいて、詳細に説明する。

実施例１ 製造方法で述べたスパッタ法により、パイレックスガラ
ス基板およびＰＭＭＡ基板の夫々に保護層、記録層、拡
散防止層、冷却層および保護層をこの順に形成した。基
板は毎分４０回転させて組成と膜厚の均一化を図った。

真空度５Ｘ１０−’Ｐａで、基板上に５ｉｏ２保護層を
約９５ｎｍ形成し、その上にＡｇ、Ｓｂ。

Ｔｅとそれらの合金を水晶振動子膜厚計でモニタしなが
ら同時スパッタしＡｇ２５ｓｂ３８Ｔｅ３７組成の記録
層を約９５ｎｍ形成した。次いで約９０ｎｍの５ｉ０２
拡散防止層、約２０ｎｍのＡｕ冷却層を順次形成し、最
後に５ｉ０２を約７０ｎｍ形成した。この記録媒体の結
晶化温度は約１３０℃であった。パイレックスガラス基
板で測定法■で述べた静上記録・消去特性を評価した。

１５ｍＷ。

２８０ｎ秒の記録パルスと、４．７ｍＷ、２．５μ秒の
消去パルスで試料の同一箇所を繰返し交互に照射し、再
生パワー０．５ｍＷでのＲＦ倍信号変化を評価したとこ
ろ、約３３％のコントラストで、１０４回以上安定して
記録・消去を繰返すことができた。次に記録を８．６ｍ
Ｗ、２μ秒、消去を４ｍＷ、３μ秒として同様に評価し
たところ、コントラストが約３４％で、１０４回以上の
記録・消去繰返しが可能であった。次にＰＭＭＡ基板で
も記録を９．２ｍＷ、２８Ｏｎ秒、消去を３゜２ｍＷ、
２．５μ秒とした条件と、記録を５．２ｍＷ、１．５μ
秒、消去を２ｍＷ、１０μ秒とした条件のそれぞれで同
様に評価したところ、いずれもコントラストが２５％以
上得られ、繰返しも１０４回以上か可能であった。この
ように本発明の記録媒体は、記録のコントラストが良好
で再生信号振幅が大きくとれ、記録のパルス幅を大きく
しても非晶マーク部の再結晶が生じにくく安定な記録が
可能であり、繰返し性も良好である。

実施例２ 基板をプリグループ付きＰＣ基板とし、記録層を（イ）
はＡ　ｇ　１０　Ｓ　１）　ｓｏＴ　ｅ　４０．　　（
ロ）はＡｇ３゜Ｓ　ｂ　３３Ｔ　ｅ　３７、（ハ）はＡ
ｇ３７Ｓｂ３３Ｔｅ３ｏ１とした以外は実施例１と同じ
構成と組成の試料を作製し測定法■の動的記録・消去特
性を評価した。

先ず、線速度０．５ｍ／秒で結晶化による初期化を試み
た。試料（イ）と（ハ）は３．６ｍＷ。

試料（ロ）は２．７ｍＷとしたパワーでトラックに沿っ
て２回走査し、０．７ｍＷで再生した所、ＲＦ信号レベ
ルは明らかに高反射率に変化し、良好な初期化ができた
。ノイズの増加は数ｄＢ以下でほとんどなかった。次い
で試料（イ）は線速度６ｍ／秒、１３ｍＷ、２．５ＭＨ
ｚ、　デユーティ５０％で記録し、消去は線速度０．５
ｍ／秒、２゜４ｍＷで行なった。線速度６ｍ／秒で再生
したところ、記録のＣＮＲが５０　ｄ　Ｂ、消去率が２
５ｄＢ以上が得られた。次に線速度を０．５ｍ／秒とし
、記録を７ｍＷ、ｏ、２ＭＨｚ、デユーティ１０％、消
去を３ｍＷの条件として各々記録消去したところ、線速
度６ｍ／秒の再生でほぼ同様な記録のＣＮＲが得られ、
消去も可能であった。更に、試料（ロ）、（ハ）は線速
度を０．５ｍ／秒とし、（ロ）は記録を５．５ｍＷ、０
．２ＭＨｚ、　デユーティ２０％、消去を２．７ｍＷの
条件で、（ハ）は記録を７ｍＷ、０．２ＭＨｚ、デユー
ティ１０％、消去を３ｍＷの条件として各々記録消去し
た。

線速度６ｍ／秒で再生したところ、（ロ）は記録のＣＮ
Ｒが４４ｄＢ、消去率が３２ｄＢ以上、（ハ）は記録の
ＣＮＲが４５　ｄ　Ｂ、消去率が２６ｄＢ以上であった
。いずれもノイズはほとんど増加せず数ｄＢ以内であっ
た。これらの試料の同一トラックで更（、こ記録・消去
の繰返しを試みたところ、同様な特性での繰返しが可能
であった。この様に、本発明の記録媒体は安定な非晶化
記録が可能で消去特性も良好であり、特に光カード用媒
体で使用される低線速度としても良好な記録・消去特性
を持ち、コードデータ用の媒体として適用可能な優れた
記録と消去の特性を持つものである。

比較例１ 記録層をＡｇを除いた５ｂｓ９Ｔｅ４ｔとした以外は実
施例２と同様な構成でパイレックスガラス基板およびＰ
Ｃのディスク基板の夫々に媒体を形成した。

パイレックスガラス基板で静上記録・消去特性を評価し
たところ、記録を８．４ｍＷ、５００ｎ秒、消去を４．
６ｍＷ、１μ秒とした場合、コントラストは少し低下し
約２５％であったが、記録パルスの幅を広げ７ｍＷ、１
μ秒とし、消去を４゜８ｍＷ１１μ秒として評価すると
、コントラストが大巾に低下し１４％となった。またこ
の媒体の結晶化温度は７０℃程度であり、記録の安定性
も低下していた。

次にＰＣ基板で動的記録・消去特性を評価した。

線速度０．５ｍ／秒、３．３ｍＷのパワーで２回走査し
初期化を行った後、線速度０．５ｍ／秒で記録を６ｍＷ
、０．２ＭＨｚ、デユーティ２０％として記録後練速度
６ｍ／秒で再生したところ、再生信号（キャリア）が低
下しており十分な記録のＣＮＲが得られなかった。そこ
で、線速度を１ｍ／秒とし記録を８ｍＷ、　　０．３Ｍ
Ｈｚ、デユーティ２０％、消去を２．５ｍＷとして記録
消去を行ったところ、この線速度でも非晶マークの再結
晶と思われるキャリアの低下が見られ、線速度６ｍ／秒
の再生で消去率は２３ｄＢ程度得られたものの、記録の
ＣＮＲは３６ｄＢと小さかった。

実施例３ 基板を厚みＱ、４ｍｍのＰＣ板とし、保護層および拡散
防止層を試料（ニ）は５ｉ０２膜とし、試料（ホ）はＤ
Ｃスパッタ法でＩＴＯ膜とし、試料（へ）はＺｎＳにＭ
　ｇ　Ｆ　２を１０ｍｏ１％添加した膜とした以外は、
実施例１と同様の構成で記録媒体を形成した。その後、
媒体側に粘着剤により、厚み０．３ｍｍのＰＥＴフィル
ムを貼合わせ８５゜５ｍｍＸ５４ｍｍに打ち抜いてカー
ド用媒体に仕上げた。静上記録・消去特性の評価装置を
用いて、Ｘ−ＹステージをＸ方向に走査し、ＰＣ基板側
からの記録・消去を試みた。先ず、５〜１０ｃｍ／秒程
度の線速度で消去パワーを３〜４ｍＷとし、Ｙ方向に微
小送りを行いながらＸ方向に繰返し走査しまとまった領
域を初期化した。その結果、いずれの試料もＲＦ出力か
ら、高反射率となる結晶化が確認できた。この初期化し
た領域を線速度５〜１０ｃｍ／秒程度で走査しながら、
５〜７ｍＷ。

１ｋＨｚ、パルス幅１μ秒の条件で記録した所、試料（
ニ）〜（へ）のいずれも顕微鏡で明瞭な非晶マークが観
測され、良好かつ安定して記録できることが確認できた
。次いでＸ方向に戻し、同じ線速度で消去パワーを２．
５〜３．５ｍＷとして連続照射しながら、記録マーク上
をなぞるように走査した所、顕微鏡で見てオーバラップ
した箇所の非晶マークが結晶化しているのが試料（ニ）
〜（へ）全てで確認できた。これより本発明の記録媒体
がカード用媒体として良好かつ安定した記録・消去が可
能であ、ることか分かる。

実施例４ パイレックスガラス基板で記録層をＡ　ｇ　３ｓ　Ｓ　
ｂ３３Ｔｅ３２とし、冷却層を（ト）はＡｕを約２０ｎ
ｍ、（チ）はＨｆを約４０ｎｍ、（す）はＡＩを約４０
ｎｍ、（ヌ）はＮ　ｌ　８０　Ｃｒ　２０合金を約４０
ｎｍとした以外は実施例１と同様な構成の試料を作製し
た。この試料の結晶化温度は約１４３℃であり、記録の
保存安定性には十分であった。測定法■で述べた静上記
録・消去特性を、記録を６〜９ｍＷ、１μ秒、消去を３
．５〜４．５ｍＷ、１μ秒として評価したところ、コン
トラストがいずれも２５％以上が得られ、記録・消去の
繰返しも１０４回以上が可能であった。

実施例５ パイレックスガラス基板で記録層を（ル）はＡｇ２３８
５４４Ｔｅ３３”オ）　′ｔ　Ａｇ　１５ｓ　ｂ　５２
Ｔ　ｅ　３３−（ワ）はＡｇ１５Ｓｂ４３Ｔｅ４２、と
した以外は実施例１と同様な構成の試料を作製した。測
定法■で述べた静上記録・消去特性を、記録を６〜９ｍ
Ｗ。

１μ秒、消去を３．５〜４．５ｍＷ、１μ秒として評価
したところ、コントラストがいずれも２５％以上が得ら
れ、記録・消去の繰返しも１０４回以上が可能であった
。

［発明の効果］ 本発明による光カード用情報記録媒体は以下に述べるよ
うな優れた効果を奏するものである。

■　低線速度としても、記録のＣＮＲ特性や消去率の良
好な、媒体のノイズが小さい光カード用記録媒体が得ら
れる。

■　記録のパルス幅を大きくしても良好な記録・消去の
繰返し特性を持ち、記録のコントラストが良好な光カー
ド用記録媒体が得られる。

■　冷却層を設けることにより、記録マーク形成の安定
性が増し、マーク端部のきれが良好でＣＮＲの優れた光
カード用記録媒体が得られる。

■　結晶化転移温度が適切であり、既記録情報の長期保
存性に優れた光カード用記録媒体が得られる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　基板上に形成された記録薄膜にエネルギービームを
   照射し、直接又は間接に発生する熱により、上記薄膜の
   光学特性を変化せしめて、情報の記録を行う光カード用
   情報記録媒体において、該記録薄膜が銀（Ａｇ）、アン
   チモン（Ｓｂ）およびテルル（Ｔｅ）の３元素から主と
   してなり、かつその組成が、一般式 Ａｇ＿ｘＳｂ＿ｙＴｅ＿ｚ ｘ：薄膜中のＡｇの原子数％ ｙ：薄膜中のＳｂの原子数％ ｚ：薄膜中のＴｅの原子数％ と表した場合、ｚの範囲が２０≦ｚ≦３８の場合には、
   ｘ、ｙの範囲がそれぞれ５≦ｘ≦５０、３２≦ｙ≦６０
   であり、ｚの範囲が３８＜ｚ≦５５の場合には、ｘ、ｙ
   の範囲がそれぞれ５≦ｘ≦２５、４２≦ｙ≦６０であり
   、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であることを特徴とする光カ
   ード用情報記録媒体。 ２　記録薄膜に隣接して冷却層を設けてなる請求項１記
   載の光カード用情報記録媒体。 ３　記録薄膜と冷却層の間に拡散防止層を有してなる請
   求項２記載の光カード用情報記録媒体。 ４　冷却層がＡｕ、Ｈｆ、Ａｌ、ＮｉおよびＣｒの少な
   くとも一種から主として構成されてなる請求項２または
   ３記載の光カード用情報記録媒体。