JPH02250058A - 電荷像記録媒体及び電荷像の記録，再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電荷像記録媒体及び電荷像の記録、再生装置に
関する。

（従来の技術） 被写体を撮像して得た映像信号は、編集、トリミング、
その他の画像信号処理が容易であるとともに、記録再生
ならびに記録再生消去が容易であるという特徴を有して
いるために、放送の分野以外に多くの分野、例えば、印
刷、電子出版、計測などの多くの分野での利用も試みら
れるようになり、例えば動画のような複数の時間に対応
した光学像情報の撮像記録や、−枚の画像の撮像記録を
従来装置に比べて解像度が一層高い状態で行うことを可
能にする装置の出現が強く要望されるようになった・ ところで、従来から一般的に使用されて来ている撮像装
置では、被写体の光学像を撮像レンズにより撮像素子の
光電変換部に結像させるようにしていて、撮像素子で前
記の被写体の光学像を電気的な画像情報に変換し、その
電気的な画像情報を時間軸上で直列的な映像信号として
出力させるようにしており、撮像装置の構成に当って使
用されるべき撮像素子としては各種の撮像管や各種の固
体撮像素子が使用されていることは周知のとおりである
。

さて、高画質・高解像度の再生画像を得るためには、そ
れと対応した映像信号を発生させうる撮像装置が必要と
されるが、撮像素子として撮像管を使用した撮像装置で
は、撮像管における電子ビーム径の微小化に限界があっ
て電子ビーム径の微小化による高解像度化が望めないこ
と、及び、撮像管のターゲット容量はターゲット面積と
対応して増大するものであるために、ターゲット面積の
増大による高解像度化も実現できないこと、また４例え
ば動画の撮像装置の場合には高解像度化に伴って映像信
号の周波数帯域が数十Ｍ　Ｈｚ〜数百ＭＨｚ以上にもな
るためにＳ／Ｎの点で問題になる、等の理由によって、
高画質・高解像度の再生画像を再生させうるような映像
信号を発生させることは困難である。

すなわち、撮像素子として撮像管が使用されている撮像
装置により高画質・高解像度の再生画像を再生させうる
ような映像信号を発生させるのには、撮像管における電
子ビーム径を微小化したり、ターゲットとして大面積の
ものを使用したりすることが考えられるが、撮像管の電
子銃の性能、及び集束系の構造などにより撮像管の電子
ビーム径の微小化には限界があるために電子ビーム怪の
微小化による高解像度化には限界があり、また撮像イメ
ージサイズの大きな撮像レンズを使用した上で、ターゲ
ットの面積の増大によって高解像度を得ようとした場合
には、ターゲット面積の増大による撮像管のターゲット
容量の増大による撮像管の出力信号における高域信号成
分の低下によって、撮像管出力信号のＳ／Ｎの低下が著
るしくなることにより、撮像管を使用した撮像装置によ
っては。

高画質・高解像度の再生画像を再生させうるような映像
信号を良好に発生させることはできないのである。

また、撮像素子として固体撮像素子を使用した撮像装置
により高画質・高解像度の再生画像を再生させるのには
１画素数の多い固体撮像素子を使用することが必要とさ
れるが、画素数の多い固体撮像素子はそれを駆動するた
めのクロックの周波数が高くなる（例えば、動画カメラ
の場合における固体撮像素子の駆動のためのクロックの
周波数は数百ＭＨｚとなる）とともに、駆動の対象にさ
れている回路の静電容量値は画素数の増大によって大き
くなっているために、そのような固体撮像装置は、固体
撮像素子のクロックの周波数の限界が２０ＭＨｚといわ
れている現状からすると実用的なものとして構成できな
いと考えられる。

このように、従来の撮像装置ではそれの構成に不可欠な
撮像素子の存在によって、高画質・高解像度の再生画像
を再生させうるような映像信号を良好に発生させること
ができなかったので、高画質・高解像度の再生画像を再
生させうるような映像信号を良好に発生させることがで
きる撮像装置の出現が望まれており、また、編集、トリ
ミング。

その他の画像信号処理が容易である他に、可逆性を有す
る記録部材を使用して高い解像度を有する画像の記録再
生、ならびに記録再生消去をも容易に行えるという利点
を有する映像信号を用いた機器を導入しようとしている
、例えば、印刷、電子出版、計測などの多くの分野では
、−枚の画像の撮像記録を従来の撮像装置に比べて一層
解像度の高い状態で実現させうる撮像装置の出現が強く
要望された。

前記のような問題点の解決のために、本出願人会社では
先に、被写体の光学像に対応した光学像情報を撮像レン
ズにより可逆性を有する電荷像記録媒体に結像させて記
録媒体に記録再生の対象にされている情報を電荷像とし
て記録し再生するとともに、前記の可逆性を有する電荷
像記録媒体に記録されている記録情報を消去する手段と
を備えている撮像装置を提案している。

（発明が解決しようとする課題） そして、前記した既提案の撮像装置の実施により、前記
したような従来の問題点が良好に解決でｉ、高い精細度
を亘する画像情報の記録再生が可能な装置を提供し得た
が、従来の電荷像記録媒体よりも一層良好な記録状態が
得られたり、記録情報の保存状態に優れている電荷像記
録媒体や、その電荷像記録、再生装置についての出現が
要望された。

（課題を解決するための手段） 本発明は電極と光導電層部材と誘電体層部材とを積層し
てなる電荷像記録媒体、電荷移動抑止層部材と誘電体層
部材と光導電層部材と電極とを積層してなる電荷像記録
媒体、電荷移動抑止層部材と誘電体層部材と光導電体の
微粒子よりなる構成層と光導電層部材と電極とを積層し
てなる電荷像記録媒体、少なくとも誘電体層部材と光変
調材層部材と光導電層部材と電極とを積層してなる電荷
像記録媒体、少なくとも誘電体層部材と光変調材層部材
と光導電層部材と電極とを積層してなる電荷像記録媒体
における誘電体層部材上に電荷移動抑止層部材を積層し
てなる電荷像記録媒体、少なくとも誘電体層部材と光変
調材層部材と光導電層部材と電極とを積層してなる電荷
像記録媒体における誘電体層部材上に光導電体の微粒子
よりなる構成層と電荷移動抑止層部材とを積層してなる
電荷像記録媒体、少なくとも誘電体層部材と光変調材層
部材と光導電層部材と電極とを積層してなる電荷像記録
媒体における光変調材層部材と光導電層部材との間に誘
電体ミラーを設けた電荷像記録媒体と、前記のような構
成の電荷像記録媒体に記録、再生、消去の各動作を繰返
し行うことのできる電荷像の記録媒体を使用した記録再
生装置とを提供するものである。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の電荷像記録媒体及び
電荷像の記録、再生装置の具体的な内容について詳細に
説明する。第１図及び第５図は本発明の電荷像記録媒体
の一部の側断面図、第２図と第３図及び第６図ならびに
第７図は本発明の電荷像記録媒体を用いて記録再生の対
象にされている情報を電荷像として記録する記録系の構
成例を示すブロック図、第４図及び第８図は本発明の電
荷像記録媒体に電荷像として記録されている情報を再生
する再生系の構成例を示すブロック図、第９図及び第１
０図は電荷像記録媒体に対する消去法の説明を行うため
の図、第１１図は第４図及び第８図に使用されている静
電的な読出しヘッドの構成例を示すブロック図、第１２
図は第４図及び第８図に使用されている静電的な読出し
ヘッドの構成例を示す斜視図、第１３図は動作説明用の
波形図、第１４図は第４図及び第８図に使用されている
電磁放射線の検出手段によって電磁放射線として検出し
た後に電気信号として再生する読出しヘッドの構成例を
示すブロック図、第１５図は３色分解系を備えて構成さ
れているカラー撮像装置の一例構成のブロック図、第１
６図は３色分解光学系の一例構成の平面図、第１７図は
３色分解光学系の一例構成の斜視図である。

第１図及び第５図は本発明の電荷像記録媒体の一部の側
断面図であって、まず、第１図に示されている電荷像記
録媒体ＲＭにおいて第１図の（ａ）に示す本発明の電荷
像記録媒体ＲＭは、電極Ｅｔと光導電層部材ＰＣＬと誘
電体層部材ＩＬとを積層してなる電荷像記録媒体ＲＭで
あり、また、第１図の（ｂ）に示す本発明の電荷像記録
媒体ＲＭは。

電極Ｅｔと光導電層部材ＰＣＬと誘電体層部材ＩＬと電
荷移動抑止層部材ＥＳＬとを積層してなる、電荷像記録
媒体ＲＭであり、さらに第１図の（Ｑ）に示す本発明の
電荷像記録媒体ＲＭは、電極Ｅｔと光導電層部材ＰＣＬ
と誘電体層部材ＩＬと光導電体の微粒子ＰＣＧよりなる
構成層と電荷移動抑止層部材ＥＳＬとを積層してなる電
荷像記録媒体ＲＭである。

また、第５図に示す本発明の電荷像記録媒体ＲＭにおい
て、第５図の（ａ）に示す本発明の電荷像記録媒体ＲＭ
は、電極Ｅｔと光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材Ｐ
ＭＬと誘電体層部材ＩＬとを積層してなる電荷像記録媒
体ＲＭであり、また、第５図の（ｂ）に示す本発明の電
荷像記録媒体ＲＭは、電極Ｅｔと光導電層部材ＰＣＬと
光変調材層部材ＰＭＬと誘電体層部材ＩＬと電荷移動抑
止層部材ＥＳＬとを積層してなる電荷像記録媒体ＲＭで
あり、さらに第５図の（ｃ）に示す本発明の電荷像記録
媒体ＲＭは、電極Ｅｔと光導電層部材ＰＣＬと光変調材
層部材ＰＭＬと誘電体層部材ＩＬと光導電体の微粒子Ｐ
ＣＧよりなる構成層と電荷移動抑止層部材ＥＳＬとを積
層してなる電荷像記録媒体ＲＭであり、さらにまた第５
図の（ｄ）に示す本発明の電荷像記録媒体ＲＭは、電極
Ｅｔと光変調材層部材ＰＭＬと光導電層部材ＰＣＬと誘
電体層部材ＩＬとを積層してなる電荷像記録媒体ＲＭで
あり、この第５図の（ｄ）に示す本発明の電荷像記録媒
体ＲＭは、それの光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材
ＰＭＬとの配列の態様が、第５図の（ａ）に示す本発明
の電荷像記録媒体ＲＭにおける光導電層部材ＰＣＬと光
変調材層部材ＰＭＬとの配列の態様と逆になっているも
のである。

前記した第１図及び第５図に示されている電荷像記録媒
体ＲＭにおいて電極Ｅｔはそれを例えば金属の薄膜、ネ
サ膜などを用いて構成することができ、また光導電層部
材ＰＣＬとしては適当な光導電材料による薄膜によって
構成することができる。また誘電体層部材ＩＬは高い絶
縁抵抗値を有する誘電体材料を使用して構成されるもの
であり。

それは例えば適当な高分子材料膜を用いて構成されたも
のが使用されてよい。

さらに、前記した第１図及び第５図に示されている本発
明の電荷像記録媒体ＲＭを構成するのに使用されている
電荷移動抑止層部材ＥＳＬは、それに大きな電界が加え
られたときに、トンネル効果によりトンネル電流が流れ
るような薄い誘電体膜で構成されているものであって、
この電荷移動抑止層部材ＥＳＬは１例えば、二酸化シリ
コンの薄層、あるいはアルミナの薄層などを用いて構成
したものを使用できる。

さらにまた、本発明の電荷像記録媒体ＲＭにおいて構成
部材として使用されている光導電体の微粒子ＰＣＧの層
は、高い絶縁抵抗値を有する誘電体層部材ＩＬ上に適当
な手段により光導電体の微粒子ＰＣＧを分布させた状態
で付着して構成できるが、例えば、高い絶縁抵抗値を有
する誘電体層部材ＩＬの面上に適当なマスクパターンを
介して光導電体材料を蒸着またはスパッタリングして、
誘電体層部材ＩＬの面上に無数の光導電体の微粒子ＰＣ
Ｇが互いに分離して分布している状態のものとして構成
させてもよい。

前記した第１図及び第５図に示されている電荷像記録媒
体ＲＭは、それらにおける順次の各構成部材を順次に蒸
着法またはスパッタリング法、その他の手段によって順
次に成膜することにより構成することができる。

前記した電荷像記録媒体ＲＭは、ディスク状。

シート状、テープ状、カード状、その他、どのような構
成形態のものとして構成されてもよい。

第２図及び第３図は第１図に示されている構成態様の電
荷像記録媒体ＲＭに電荷像記録を行う場合に使用される
記録系の概略構成を例示したものであり、また、第６図
及び第７図は第５図に示されている構成態様の電荷像記
録媒体ＲＭに電荷像記録を行う場合に使用される記録系
の概略構成を例示している。

第２図と第３図及び第６図ならびに第７図に示されてい
る電荷像の記録系において、電荷像記録媒体ＲＭの電極
Ｅｔ側には、撮像レンズＬを介して被写体０の光学像が
与えられており、また、電荷像記録媒体ＲＭにおける電
極Ｅｔが設けられている側の反対側に対向して電極Ｅが
設けられていて、前記した電荷像記録媒体ＲＭにおける
電極Ｅｔと電極Ｅとの間には電源ｖｂが接続されている
。

第２図と第６図とに示されている記録系の構成例では、
電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅｔが設けられている
側の反対側は、電極Ｅの面が直接に対向配置されている
が、第３図と第７図とに示されている記録系の構成例で
は、電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅｔが設けられて
いる側の反対側の面と対向する表面に誘電体の薄膜ＤＬ
を被着させてなる電極Ｅが設けられている。

第３図と第７図とに例示されている記録系のように、電
荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅｔが設けられている側
の反対側の面と対向する表面に誘電体の薄膜ＤＬを被着
させた電極Ｅが使用された場合には、安定な状態の電荷
像記録が行われる。

第１図の（ａ）〜（Ｑ）に示されている構成態様の電荷
像記録媒体ＲＭが使用されている第２図及び第３図に示
されている記録系において、被写体Ｏの光学像が撮像レ
ンズＬによって電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅｔを
介して光導電層部材ｐｃＬに結像されると、光導電層部
材ＰＣＬの電気抵抗値は、それに結像された被写体０の
光学像に従って変化する。

第２図の（ａ）及び第３図の（ａ）は第１図の（ａ）に
示されている構成態様の電荷像記録媒体ＲＭに対して、
被写体０の光学情報と対応する電荷像を記録させる場合
の記録系の構成例であり、また、第２図の（ｂ）及び第
３図の（ｂ）は第１図の（ｂ）に示されている構成態様
−の電荷像記録媒体ＲＭに対して、被写体０の光学情報
と対応する電荷像を記録させる場合の記録系の構成例で
あり、さらに第１！！ｌの（Ｑ）及び第３図の（ｃ）は
第１図の（Ｑ）に示されている構成態様の電荷像記録媒
体ＲＭに対して、被写体０の光学情報と対応する電荷像
を記録させる場合の記録系の構成例である。

既述のように、前記した電荷像記録媒体ＲＭにおける電
極Ｅｔと電極Ｅとの間には電源ｖｂが接続されているか
ら、前記のように光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値が、
それに結像された被写体０の光学像に従って変化するこ
とにより、前記した光導電層部材ＰＣＬと誘電体層部材
ＩＬとの境界の部分と電極Ｅとの間の電界の大きさが、
前記した被写体Ｏの光学像に対応しているものになる。

それにより、電極Ｅと対向している電荷像記録媒体ＲＭ
の面上には被写体０の光学像に対応している電荷像が形
成されるのであり、第２図の（ａ）及び第３図の（ａ）
に示されている記録系においては第１図の（ａ）に示さ
れている構成態様の電荷像記録媒体ＲＭにおける電ｔｆ
ｔＥと対向している電荷像記録媒体ＲＭの面上、すなわ
ち、誘電体層部材ＩＬの表面に被写体Ｏの光学像に対応
している電荷像が形成される。

第２図の（ｂ）及び第３図の（ｂ）に示されている記録
系においては、第１図の（ｂ）に示されている構成態様
の電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅと対向している電
荷像記録媒体ＲＭの面上、すなわち、電荷移動抑止層部
材ＥＳＬの表面に被写体０の光学像に対応している電荷
像が形成されるが。

この電荷移動抑止層部材ＥＳＬの表面に形成された被写
体Ｏの光学像に対応している電荷像は、電荷移動抑止層
部材ＥＳＬのトンネル効果により電荷移動抑止層部材Ｅ
ＳＬ中をトンネル電流として流れて、電荷移動抑止層部
材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に被写体Ｏの光学
像に対応する電荷像として記録される。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭの内部に位置している
誘電体層部材ＩＬと電荷移動抑止層部材ＥＳＬとの境界
に記録された電荷像は、絶縁体製の電荷移動抑止層部材
ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとによって包囲されているた
めに長期間にわたり安定に保持された状態となされる。

さらに第２図の（Ｑ）及び第３図の（Ｑ）に示されてい
る記録系においては、第１図の（Ｃ）に示されている構
成態様の電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅと対向して
いる電荷像記録媒体ＲＭの面上、すなわち、電荷移動抑
止層部材ＥＳＬの表面に被写体Ｏの光学像に対応してい
る電荷像が形成されるが、この状態で誘電体層部材ＩＬ
と電荷移動抑止層部材ＥＳＬとの境界の部分に設けられ
ている光導電体の微粒子ＰＣＧに電子−正孔対が発生さ
れるように光を照射して前記の光導電体の微粒子ＰＣＧ
中に電子−正孔対を発生させることにより、前記した光
導電体の微粒子ＰＣＧ中に発生した電子−正孔対と、光
導電層部材ＰＣＬと電荷移動抑止層部材ＥＳＬとの境界
に形成されている電荷像の電荷との間の電界によって、
前記した電荷移動抑止層部材ＥＳＬの表面の電荷がトン
ネル効果によりトンネル電流として電荷移動抑止層部材
ＥＳＬを突抜けて、誘電体層部材ＩＬと電荷移動抑止層
部材ＥＳＬとの境界の部分に設けられている光導電体の
微粒子ＰＣＧよりなる構成層に到達する。

前記の電荷移動抑止層部材ＥＳＬを突抜けたトンネル電
流は光導電体の微粒子ＰＣＧに形成されている電子−正
孔対における正孔と中和して光導電体の微粒子ＰＣＧを
負に帯電させた状態にして、電荷移動抑止層部材ＥＳＬ
と誘電体層部材ＩＬとの境界付近に設けられている光導
電体の微粒子ＰＣＧに被写体０の光学像に対応する電荷
像が記録される。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭにおける電荷移動抑止
層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界の部分に設け
られている光導電体の微粒子ＰＣＧに記録された電荷像
は、絶縁体製の電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部
材ＩＬとによって包囲されているために長期間にわたり
安定に保持された状態となされる。

次に、第５図の（ａ）〜（ｃ）に示されている構成態様
の電荷像記録媒体ＲＭが使用されている第６図及び第７
図に示されている記録系において、被写体Ｏの光学像が
撮像レンズＬによって電荷像記録媒体ＲＭにおける電極
Ｅｔを介して光導電層部材ＰＣＬに結像されると、光導
電層部材ＰＣＬの電気抵抗値は、それに結像された被写
体０の光学像に従って変化する。

なお、既述もしたように第５図の（ｄ）に示されている
本発明の電荷像記録媒体ＲＭは、それの光導電層部材Ｐ
ＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとの配列の態様が、第５図
の（ａ）に示す本発明の電荷像記録媒体ＲＭにおける光
導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとの配列の態
様と逆になっているだけのものであるから、第５図の（
ｄ）に示されている本発明の電荷像記録媒体ＲＭに対す
る記録系の構成態様は第５図の（ａ）に示す本発明の電
荷像記録媒体ＲＭに対する記録系と同様であってもよい
。

第６図の（ａ）及び第７図の（ａ）は第５図の（、）に
示されている構成態様の電荷像記録媒体ＲＭに対して、
被写体０の光学情報と対応する電荷像を記録させる場合
の記録系の構成例であり、また、第６図の（ｂ）及び第
７図の（ｂ）は第５図の（ｂ）に示されている構成態様
の電荷像記録媒体ＲＭに対して、被写体Ｏの光学情報と
対応する電荷像を記録させる場合の記録系の構成例であ
り、さらに第６図の（Ｃ）及び第７図の（０）は第５図
の（ｏ）に示されている構成態様の電荷像記録媒体ＲＭ
に対して、被写体０の光学情報と対応する電荷像を記録
させる場合の記録系の構成例である。

既述のように、前記した電荷像記録媒体ＲＭにおける電
極Ｅｔと電極Ｅとの間には電源ｖｂが接続されているか
ら、前記のように光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値が、
それに結像された被写体Ｏの光学像に従って変化するこ
とにより、前記した光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部
材ＰＭＬとの境界の部分と電極Ｅとの間の電界の大きさ
が、前記した被写体０の光学像に対応しているものにな
る。

それにより、電極Ｅと対向している電荷像記録媒体ＲＭ
の面上には被写体０の光学像に対応している電荷像が形
成されるのであり、第６図の（ａ）及び第７図の（ａ）
に示されている記録系においては第５図の（ａ）に示さ
れている構成態様の電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅ
と対向している電荷像記録媒体ＲＭの面上、すなわち、
誘電体層部材ＩＬの表面に被写体０の光学像に対応して
いる電荷像が形成される。

第６図の（ｂ）及び第７図の（ｂ）に示されている記録
系においては、第５図の（ｂ）に示されている構成態様
の電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅと対向している電
荷像記録媒体ＲＭの面上、すなわち、電荷移動抑止層部
材ＥＳＬの表面に被写体０の光学像に対応している電荷
像が形成されるが。

この電荷移動抑止層部材ＥＳＬの表面に形成された被写
体０の光学像に対応している電荷像は、電荷移動抑止層
部材ＥＳＬのトンネル効果により電荷移動抑止層部材Ｅ
ＳＬ中をトンネル電流として流れて、電荷移動抑止層部
材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界に被写体Ｏの光学
像に対応する電荷像として記録される。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭの内部に位置している
誘電体層部材ＩＬと電荷移動抑止層部材ＥＳＬとの境界
に記録された電荷像は、絶縁体製の電荷移動抑止層部材
ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとによって包囲されているた
めに長期間にわたり安定に保持された状態となされる。

さらに第６図の（Ｑ）及び第７図の（ｃ）に示されてい
る記録系においては、第５図の（ｃ）に示されている構
成態様の電荷像記録媒体ＲＭにおける電極Ｅと対向して
いる電荷像記録媒体ＲＭの面上、すなわち、電荷移動抑
止層部材ＥＳＬの表面に被写体Ｏの光学像に対応してい
る電荷像が形成されるが、この状態で誘電体層部材ＩＬ
と電荷移動抑止層部材ＥＳＬとの境界の部分に設けられ
ている光導電体の微粒子ＰＣＧに電子−正孔対が発生さ
れるように光を照射して前記の光導電体の微粒子ＰＣＧ
中に電子−正孔対を発生させることにより。

前記した光導電体の微粒子ＰＣＧ中に発生した電子−正
孔対と、光導電層部材ＰＣＬと電荷移動抑止層部材ＥＳ
Ｌとの境界に形成されている電荷像の電荷との間の電界
によって、前記した電荷移動抑止層部材ＥＳＬの表面の
電荷がトンネル効果によりトンネル電流として電荷移動
抑止層部材ＥＳＬを突抜けて、誘電体層部材ＩＬと電荷
移動抑止層部材ＥＳＬとの境界の部分に設けられている
光導電体の微粒子ＰＣＧよりなる構成層に到達する。

前記の電荷移動抑止層部材ＥＳＬを突抜けたトンネル電
流は光導電体の微粒子ＰＣＧに形成されている電子−正
孔対における正孔と中和して光導電体の微粒子ＰＣＧを
負に帯電させた状態にして、電荷移動抑止層部材ＥＳＬ
と誘電体層部材ＩＬとの境界付近に設けられている光導
電体の微粒子ＰＣＧに被写体０の光学像に対応する電荷
像が記録される。

前記のように電荷像記録媒体ＲＭにおける電荷移動抑止
層部材ＥＳＬと誘電体層部材ＩＬとの境界の部分に設け
られている光導電体の微粒子ＰＣＧに記録された電荷像
は、絶縁体製の電荷移動抑止層部材ＥＳＬと誘電体層部
材ＩＬとによって包囲されているために長期間にわたり
安定に保持された状態となされる。

第２図と第３図及び第６図ならびに第７図を参照して説
明したようにして記録の対象にされるべき情報が電荷像
として記録された電荷像記録媒体ＲＭ、すなわち、記録
済記録媒体ＲＭからの記録情報の読出しは、第４図に示
されているように静電的な読出しヘッドＥＤＡまたは電
磁放射線の検出手段を用いた読出しヘッドＲＨが用いら
れるようにされたり、あるいは第８図に示されているよ
うに主として電磁放射線の検出手段を用いた読出しヘッ
ドＲＨにより記録情報の読出しが行われるようにされる
他に、静電的な読出しヘッドＥＤＡによっても記録情報
の読出しが行われるようになされたりするのである。

第１１図は前記した静電的な読出しヘッドＥＤＡの一例
構成を示すブロック図であり、また、第１２図は静電的
な読出しヘッドの構成例を示す斜視図、第１３図は動作
説明用の波形図であり、さらに、第１４図は前記した電
磁放射線の検出手段を用いた読出しヘッドＲＨの構成例
を示すブロック図である。

まず、第１１図乃至第１３図を参照して静電的続出しヘ
ッドＥＤＡについて説明する。第１１図は複数の電圧検
出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２・・・を所定の配列パターンで
配列させて、電荷像記録媒体ＲＭの電荷像を読出すよう
にした静電荷の検出ヘッド（読出しヘッドＥＤＡ）の−
個構成を示す。

第１１図においてＥ　Ｄｉ、　Ｅ　Ｄ２．　Ｅ　Ｄ：ｌ
・・Ｅ　Ｄｎは電圧検出用電極であり、これらの電圧検
出用電極ＥＤＩ、ＥＤＴ、ＥＤ３＝ＥＤｎは、それぞれ
個別の接続線Ｑ　１．　Ｑ　２．　ｎ　３・・・Ωｎに
よって電圧検出用電界効果トランジスタＤＦＩ、ＤＦ２
．ＤＦ３−ＤＦｎのゲート電極に接続されているととも
に、リセット用スイッチング手段として使用される電界
効果トランジスタＲＦＩ、ＲＦ２．ＲＦ３−ＲＦｎにお
ける対応するもののドレイン電極に接続されている。

前記のリセット用スイッチング手段として使用される各
電界効果トランジスタＲＦＩ、ＲＦ２．ＲＦ３・・・Ｒ
Ｆｎにおけるゲート電極はリセットパルスの入力端子２
に共通接続されており、また、各電界効果トランジスタ
ＲＦＩ、ＲＦ２．ＲＦ３−ＲＦｎにおけるソース電極は
、リセット動作時に電圧検出用電極や電圧検出用電界効
果トランジスタのゲート電極に与えるべき基準電圧を供
給する電源Ｖ８Ｂに共通接続されている。

また、前記した各電圧検出用電界効果トランジスタＤ　
Ｆｌ、　Ｄ　Ｆ２．　Ｄ　Ｆ３−Ｄ　Ｆｎのドレイン電
極は動作用型ＷＸｖに対して共通に接続されていて、一
定の電圧が供給されており、また、前記した各電圧検出
用電界効果トランジスタＤＦＩ、ＤＦ２゜ＤＦ３・・・
ＤＦｎのソース電極は、それぞれ個別のスイッチング用
電界効果トランジスタＳＦＩ、ＳＦ２゜、ＳＦ３・・・
ＳＦｎにおける対応するもののドレイン電極に接続され
ており、さらに前記の個別のスイッチング用電界効果ト
ランジスタＳＦＩ、ＳＦ２゜ＳＦ３・・・ＳＦｎにおけ
る各ソース電極は共通に接続されて出力端子１に接続さ
れている。第１１図中のＲＱは負荷抵抗である。

前記の個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ　
Ｆｌ、　Ｓ　Ｆ２．Ｓ　Ｆ３−８　Ｆ　ｎにおける各ゲ
ート電極には、シフトレジスタＳＲからスイッチングパ
ルスＰＬ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎが供給されていて、前
記のシフトレジスタＳＲから出力されるスイッチングパ
ルスＰＩ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎは、第１３図に例示さ
れている波形図から明らかなように、シフトレジスタＳ
Ｒのクロック端子３に供給されている第１３図の（ａ）
に示されているクロック信号Ｐｃによって、第１３図の
（ｂ）〜（ｄ）に例示されてぃるように時即軸上でＰ１
→Ｐ２→Ｐ３→・・・のように順次にシフトレジスタＳ
Ｒから出力されるから。

前記した個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ
　Ｆｌ、　Ｓ　Ｆ２．Ｓ　Ｆ３−８　Ｆ　ｎの内の選択
された次々の１個のものが時間軸上で順次にオンの状態
にされて行く。

それで、それぞれ個別の接続線Ｍ　１．　ｆｉ　２．　
Ｑ　３・・・Ωｎによって電圧検出用電界効果トランジ
スタＤＦｌ、ＤＦ２．ＤＦ３−ＤＦｎのゲート電極に接
続されている複数の電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．Ｅ
Ｄ３・・・ＥＤｎに生じている電荷像記録媒体ＲＭの複
数個所における個々の個所の表面電位と対応する電圧は
、前記した複数の電圧検出用電界効果トランジスタＤ　
Ｆｌ、　Ｄ　Ｆ２．　Ｄ　Ｆ３−Ｄ　Ｆｎのソース側か
ら、それぞれ対応する個別のスイッチング用電界効果ト
ランジスタＳ　Ｆｌ、　Ｓ　Ｆ２．Ｓ　Ｆ３−８　Ｆ　
ｎのドレインに供給されているから、前記したシフトレ
ジスタＳＲからスイッチングパルスＰ　Ｌ、　Ｐ　２゜
Ｆ３・・・が順次に出力されるのに従って次々にオンの
状態にされる個別のスイッチング用電界効果トランジス
タＳ　Ｆｌ、　Ｓ　Ｆ２．Ｓ　Ｆ３−８　Ｆ　ｎのソー
ス側からは、電荷像記録媒体ＲＭの複数個所における個
々の個所の表面電位と対応して静電誘導によって個別の
電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３・・・ＥＤｎに
生じた電圧と対応している電圧が１時間軸上に直列的に
出力端子１に送出されることになる。

したがって、例えば第１２図示のように複数の電圧検出
用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３−ＥＤｎが１直線上に配
列しているように設けられている読出しヘッドＥＤＡと
電荷像記録媒体ＲＭとを、前記した複数の電圧検出用電
極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３・・・ＥＤｎが整列している
方向と直交する方向に相対的に移動させると、電荷像記
録媒体ＲＭに形成されている２次元的な電荷像と対応し
ている時系列的な電気信号が出力端子１に送出されるこ
とになる。

前記した第１２図示の読出しヘッドＥＤＡは。

複数の電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤＴ、ＥＤ３・・・Ｅ
Ｄｎや接続線Ω１〜ｊｌｎなどを周知の薄膜技術によっ
て基体ＢＰに形成させた構成態様のものである。

第１１図乃至第１３図を参照して説明したところから明
らかなように、第１図及び第５図に示されているような
構成態様の電荷像記録媒体ＲＭに電荷像として記録され
ている情報の再生に当って、静電的な読出しヘッドＥＤ
Ａを用いることのできる第４図及び第８図示の再生系に
おいて、静電的な読出しヘッドＥＤＡを用いた場合には
、電荷像記録媒体ＲＭに記録されている電荷像を良好に
電気信号として再生することができる。

次に、第１４図を参照して電磁放射線の検出手段を用い
た読出しヘッドＲＨについて説明する。

第１４図中においてＥｔは電荷像記録媒体ＲＭにおける
透明電極であり、電荷像記録媒体ＲＭにおける誘電体層
部材ＩＬの面と対向する位置には電荷像読取りヘッドＲ
Ｈの読取り素子における誘電体ミラーＤＭＬが位置され
ている。なお、第１４図中に示されている電荷像記録媒
体ＲＭは、第１図の（ａ）に示されている構成態様のも
のであるが。

第１４図に示されている電磁放射線の検出手段を用いた
読出しヘッドＲＨは、第１図の（ｂ）、（ｃ）に示され
ている構成態様の電荷像記録媒体ＲＭがらの記録情報の
読出しも良好に行いうることは勿論である。

第１４図示の電荷像読取りヘッドＲＨには、例えば印加
された電圧によって電磁放射線の状態を変化させうるよ
うな特性を示す光変調材層部材ＰＭＬ（例えば、電気光
学効果を有するニオブ酸すチュウム、あるいはネマチッ
ク液晶の層のような光変調用の材料層）の一方の面に誘
電体ミラーＤＭＬを備えているとともに他方の面に透明
電極Ｅｔｒを備えている読取り素子が設けられている。

なお、第５図の（ａ）〜（ｄ）に例示されている電荷像
記録媒体ＲＭは、それの構成中に光変調材層部材ＰＭＬ
を備えているために、第５図の（ａ）〜（ｄ）に例示さ
れている電荷像記録媒体ＲＭがらの記録情報の読出しを
電磁放射線の検出手段を用いて読出すようにする場合に
は、第１４図中に示されている前記した読取り素子の部
分を省いた構成のもので電荷像記録媒体ＲＭからの記録
情報の読出しを行うことができる。

第１４図において前記した読取り素子の誘電体ミラーＤ
ＭＬの側に電荷パターンを与え、また、光変調材層部材
ＰＭＬにおける他方の面から電磁放射線を入射させると
、その電磁放射線が光変調材層部材ＰＭＬを通過して誘
電体ミラーＤＭＬにより反射し、その反射した電磁放射
線が再び光変調材層部材ＰＭＬを通過して、その電磁放
射線は入射した側の光変調材層部材ＰＭＬの面から出射
する。

前記のように出射した電磁放射線は電磁放射線のの状態
（前記の例の場合には偏光面の角度）が入射した電磁放
射線の状態（前記の例の場合には偏光面の角度）とは、
前記した電荷像における電荷量と対応して変化したもの
になっている。

それで１例えばレーザ光１１１４　（またはハロゲンラ
ンプを用いた光源４）から放射された電磁放射線（以下
の説明ではレーザ光束であるとする）を偏光子５に通過
させて直線偏光の光束としく前記の光源４が直線偏光の
レーザ光源の場合には偏光子５は使用しなくてもよい）
でから光偏向器６に入射させる。

前記の光偏向器６では、それに入射された光束をテレビ
ジョン機器におけるデイスプレィで描かせるラスタのよ
うに直交する２方向に偏向している状態のものとして出
射させる。

前記のような状態のものとして前記の光偏向器６から出
射された光束は、入射光を平行光にして出射させるコリ
メータレンズ７によって平行光となされて、その平行光
束がビームスプリッタ８に入射される。

ビームスプリッタ８に入射した光束はレンズ９で集光さ
れて前記した読取り素子に入射される。

そして、前記した読取り素子における誘電体ミラーＤＭ
Ｌ側には、記録情報を電荷像の形で記憶している電荷像
記録媒体ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬの面が対面して
いるから、読取り素子における光変調材層部材ＰＭＬに
は前記した誘電体ミラーＤＭＬを介して電荷像記録媒体
ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬの面に記録されている電
荷像による電界が与えられる。

それで、読取り素子における透明電極Ｅｔｒ側から光が
入射すると、その入射光は光変調材層部材ＰＭＬを通過
して誘電体ミラーＤＭＬにより反射して再び光変調材層
部材ＰＭＬを通過し、その光が透明電極Ｅｔｒの面から
出射するが、前記した読取り素子からの出射光の光の状
態（前記の例の場合には偏光面の角度）は入射光の光の
状態（前記の例の場合には偏光面の角度）とは、前記し
た電荷像記録媒体ＲＭにおける電荷像の電荷量と対応し
て変化しているものになっている。

前記のように読取り素子からの出射光は、読取り素子へ
の入射光が記録情報を電荷像の形で記憶している電荷像
記録媒体ＲＭにおける電荷像の電荷量に応じて偏光面の
回転量が変化している状態のもので、かつ、既述したコ
リメータレンズ７によって平行光の状態になっている。

それで、読取り素子からの前記した出射光をレンズ９と
ビームスプリッタ８とを通過させてから集光レンズ１０
に入射させると、前記の集光レンズ１０で集光された光
束は常に同一の位置に集光する。

前記した集光レンズ１０によって集光された光を、光学
的バイアスを設定するための波長板１１と、偏光面の回
転量を明るさの変化に変換するための検光子１２とを介
して、前記した集光レンズ１０の集光点の位置に光電変
換器１３を配置しておくと、前記の光電変換器１３から
は電荷像記録媒体ＲＭにおける二次元的な電荷像の各部
分の電荷量に応じて振幅が変化している映像信号が得ら
れる。

前記のように光電変換器１３から出力される映像信号は
、電荷像記録媒体ＲＭにおける高い精細度を有する二次
元的な電荷像における電荷量分布と対応しているものに
なっている。

それで読出し光として、例えば直径が１ミクロンのレー
ザ光束を使用した場合には、３００本／１ｍｍというよ
うな高い解像度と対応する映像信号が発生できる。

第１４図を参照して説明したところから明らかなように
、第１図及び第５図に示されているような構成態様の電
荷像記録媒体ＲＭに電荷像として記録されている情報の
再生に当って、電磁放射線の検出手段を用いた読出しヘ
ッドＲＨを用いている第４図及び第８図示の再生系にお
いては、電荷像記録媒体ＲＭに記録されている電荷像を
良好に電気信号として再生することができる。なお、第
５図の（ａ）〜（ｄ）に例示されている電荷像記録媒体
ＲＭには、光変謂材層部材ＰＭＬを備えているために、
第５図の（ａ）〜（ｄ）に例示されている電荷像記録媒
体ＲＭからの記録情報の読出しを電磁放射線の検出手段
を用いて読出すようにする場合における電磁放射線の検
出手段を用いた読出しヘッドＲＨとしては、第１４図中
に示されている電磁放射線の検出手段を用いた読出しヘ
ッドＲＨの構成中の読取り素子の部分を省いた構成のも
のでよいことは既述のとおりである。

次に第１５図は本発明の電荷像の記録、再生装置をカラ
ー画像の記録、再生装置として実施した場合の一例構成
を示す斜視図であり、この第１５図において、Ｏは被写
体、Ｌは撮像レンズ、Ｃ８Ａは３色分解光学系、ＲＭは
電荷像記録媒体、Ｅは電極、ＲＨ（ＥＤＡ）は読出しヘ
ッドである。

第１５図中で図面符号Ｃ８Ａで示しである３色分解光学
系Ｃ５Ａの具体的な構成を第１６図及び第１７図を参照
して説明する。３色分解光学系Ｃ８Ａは、それの全体の
斜視図が第１７図に例示されており、また、それの構成
原理の説明用の平面図が第１６図に示されている。第１
７図及び第１６図においてＤＰは赤色光を反射し緑色光
と青色光とを透過するダイクロイックミラー（Ｒ面）と
。

青色光を反射し緑色光と赤色光とを透過するダイクロイ
ックミラー（Ｂ面）とを直交させて構成したプリズム形
態のダイクロイックミラー（ダイクロイックプリズムＤ
ｐ）であり、またＰｒは全反射面Ｍｒを有するプリズム
、Ｐｂは全反射面Ｍｂを有するプリズムである。

第１６図において被写体０からの光が撮像レンズ１を介
して前記したダイクロイックプリズムＤｐに入射すると
、ダイクロイックプリズムＤｐへの入射光の内で、ダイ
クロイックミラー（Ｒ面）とダイクロイックミラー（Ｂ
面）との双方を通過した被写体の光学像の緑色光成分は
結像面Ｉｇに結像し、また、ダイクロイックプリズムｏ
ｐへの入射光の内で、ダイクロイックミラーＲ面で反射
した被写体の光学像の赤色光成分は、プリズムＰｒの全
反射面で反射した後にプリズムＰｒ中を通過して、前記
した結像面Ｉｇと同一の平面内にあり。

かつ、前記した結像面Ｉｇに近接している結像面Ｉｒに
結像し、さらに、ダイクロイックプリズムＤＰへの入射
光の内で、ダイクロイックミラー８面で反射した被写体
の光学像の青色光成分は、プリズムｐｂの全反射面で反
射した後にプリズムＰｂ中を通過して、前記した結像面
Ｉｇ、Ｉｒと同一の平面内にあり、かつ、前記した結像
面ＩｇｙＩｒに近接している結像面Ｉｂに結像する。

そして、前記した３つの結像面Ｉ　ｇ、Ｉ　ｒ、Ｉ　ｂ
は、既述のように同一の平面内に形成されているととも
に、−直線上に配置されているような配置態様のものと
して形成されるようになされている。

第１６図及び第１７図に示されている３色分解光学系Ｃ
３Ａにおいて、プリズムＰｒは赤色光の光路長を伸ばし
、また、プリズムｐｂは青色光の光路長を伸ばして、前
記したように緑色光の結像面Ｉｇと、赤色光の結像面Ｉ
ｒと、青色光の結像面Ｉｂとが、既述のように同一の平
面内で、かつ、−直線上に近接して配置されているよう
な状態にさせるのであり、前記したプリズムＰｒ、Ｐｂ
による光路長の伸び量又は、各色光の光軸のずれ量ａと
等しく、すなわち、Ｘ＝ａとなるようにされる。　前記
したプリズムＰｒ、Ｐｂによる光路長の伸び量又は、プ
リズムＰｒ、Ｐｂ中の光路長をｄとし、プリズムＰｒ、
Ｐｂの構成物質の屈折率をｎとすると、　Ｘ＝ｄ（ｎ−
１）／ｎ　　　で表わされるから、前記したようにプリ
ズムＰｒ、Ｐｂによる光路長の伸び量Ｘと各色光の光軸
のずれ量ａとを等しくするには、プリズムＰｒ、Ｐｂ中
の光路長ｄと、プリズムＰｒ、Ｐｂの構成材料の屈折率
ｎとを変えることによって行うことができる。

前記の構成態様の３色分解光学系Ｃ８Ａのように、同一
平面内で一直線に近接して形成される３個の結像面Ｉｒ
、Ｉｇ、Ｉｂに個別の色に分解された被写体の光学像が
結像されるようになされた色分解光学系を用いると、前
記した複数の結像面の位置に可逆性を有する記録部材を
配置することにより高い解像度の３つの画像が並列した
状態で記録再生される。

第１５図に例示されているカラー画像の記録。

再生装置では、同一平面内で一直線に近接して形成され
る３個の結像面Ｉｒ、Ｉｇ、Ｉｂに個別の色に分解され
た被写体の光学像が結像されるような構成の３色分解光
学系を用いていたが、カラー画像の記録、再生装置で使
用する３色分解光学系としては１例えば単管カラーカメ
ラ、あるいは単板カラーカメラで使用されているような
色分解縞状フィルタが用いられてもよい。

次に、電荷像記録媒体に電荷像の形で記録が行われてい
る場合における電荷像記録媒体の電荷像の消去法につい
て第９図及び第１０図を参照して説明する。第９図は第
１図を参照して説明したような構成態様を有する電荷像
記録媒体ＲＭに電荷像による記録が行われている場合に
適用される消去法についての説明を、第１図の（ａ）に
示されている構成の電荷像記録媒体ＲＭを用いて行った
場合について例示しているものであり、また第１０図は
第５図を参照して説明したような構成態様を有する電荷
像記録媒体ＲＭに電荷像による記録が行われている場合
に適用される消去法についての説明を、第５図の（、）
に示されている構成の電荷像記録媒体ＲＭを用いて行っ
た場合について例示しているものであって、第９図と第
１０図とは消去の対象にされている電荷像記録媒体ＲＭ
の構成態様だけを異にしていて、記録に対する消去のや
り方に関しては差がないから、説明は第９図についてだ
け行うことにする。

第９図の（、）〜（ｄ）は第３図の（ａ）に示されてい
るような構成の記録系を用いて記録の対象にされている
情報を第１図の（ａ）に示されている電荷像記録媒体Ｒ
Ｍにおける誘電体層部材ＩＬに負の電荷による電荷像と
して記録することにより記録済み記録媒体となされた記
録媒体ＲＭの電荷像の消去法を説明するための図である
。

第９図の（ａ）に示されている電荷像の消去法を説明す
ると次のとおりである。第９図の（、）においてＬｅは
消去用光源、Ｖｂａは消去用電源であって、この消去用
電源Ｖｂｓは電極Ｅｔ、Ｅとに、第３図の（ａ）に示さ
れているような構成の記録系で記録時に接続されていた
電源の接続極性とは逆の極性となされるように接続され
ており、また、電極Ｅｔ側から消去用光源Ｌｅからの光
が入射されている。

それで、消去用光源Ｌｅから放射された光が電極Ｅｔ側
から入射されることによって光導電層部材ＰＣＬに電子
−正孔対が生じて電気抵抗値が低下するために、電極Ｅ
と電荷像記録媒体ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬとの間
で生じた気中放電によって、記録時に記録済記録媒体Ｒ
Ｍにおける誘電体層部材ＩＬに形成された電荷像の電荷
の極性とは逆の極性の電荷が電荷像記録媒体ＲＭにおけ
る誘電体層部材ＩＬ上に与えられるために、記録時に電
荷像記録媒体ＲＭにおける誘電体層部材ＩＬ上に保持さ
れていた電荷が中和されて記録済記録媒体ＲＭの電荷像
が消去される。

次に、第９図の（ｂ）、（ｃ）を参照して記録済記録媒
体の電荷像の別の消去法について説明する。

第９１！！の（ｂ）、（ｃ）においてＳＷｅは切換スイ
ッチ、ＴＩ、Ｔ２は接続端子、Ｖｂ、Ｖｂａは電源であ
り、また第９図の（ｃ）におけるＥｅは消去用の交流電
源である。

第９図の（ｂ）において電極Ｅｔ側の端子Ｔ１に可動接
点が接続されている切換スイッチＳＷｅの一方の固定接
点には電源ｖｂの負極が接続されており、また、前記の
切換スイッチＳＷｅの他方の固定接点には消去用電源Ｖ
ｂａの正極が接続されている。

前記した電源ｖｂの正極と消去用電源Ｖｂｅの負極とを
電極Ｅ側の端子Ｔ２に接続しておき、記録動作時には前
記した切換スイッチＳＷｅの可動接点を電源ｖｂの負極
が接続されている方の固定接点側に切換えた状態にして
記録動作を行い、また、消去動作時には前記した切換ス
イッチＳ　Ｗ　ｅの可動接点を２つの固定接点間で順次
交互に切換えて、消去動作が行われるようにするのであ
る。

次に、第９図の（ｃ）においては記録済記録媒体ＲＭの
図示が省略されているが、電極Ｅｔ側の端子Ｔ１に可動
接点が接続されている切換スイッチＳＷｅの一方の固定
接点には電源ｖｂの負極が接続されており、また、前記
の切換スイッチＳ　Ｗ　ｅの他方の固定接点には消去用
交流電源Ｅｅの一端が接続されている。

前記した電源ｖｂの正極と消去用交流型ｇＥｅの他端と
を電極ＥｔＺ側の端子Ｔ２に接続しておき。

記録動作時には前記した切換スイッチＳＷｅの可動接点
を電源ｖｂの負極が接続されている方の固定接点側に切
換えた状態にして記録動作を行い、また、消去動作時に
は前記した切換スイッチＳＷθの可動接点を消去用交流
電源Ｅｅの一端が接続されている固定接点側に切換えた
状態にして消去動作が行われるようにするのである。

第９図の（ｂ）、（Ｑ）に例示されている消去法におい
ても、消去動作時に儂１１ミ誘電体層部材工りに保持さ
れていた負の電荷が消去されるのである。

なお、前記した消去用交流電源Ｅｅからの交番電圧は時
間軸上で次第に振幅が低下するような状態の交番電圧と
なされていることは電荷像の消去を良好に行うために有
効である。また、電荷像が記録されている電荷像記録媒
体に交番電圧を印加して電荷像を消去する際に消去の終
了時に電荷像の形成時に用いられた印加電圧とは逆極性
の電圧が印加された状態にして電荷像が消去されるよう
にすることも電荷像の消去を良好に行うために有効であ
る。

第９図の（ｄ）は第９図のＣａ）を参照して説明した消
去法を実施して記録済記録媒体ＲＭに記録されている電
荷像を消去した後に、第３図に示されている記録系によ
る記録動作によって記録媒体ＲＭに情報の記録を行うよ
うにした場合、すなわち、消去動作と記録動作とが別位
置で行われるようにされている場合を例示しているもの
である。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明は電極と光導電層部材と誘電体層部材とを積層してな
る電荷像記録媒体、電荷移動抑止層部材と誘電体層部材
と光導電層部材と電極とを積層してなる電荷像記録媒体
、電荷移動抑止層部材と誘電体層部材と光導電体の微粒
子よりなる構成層と光導電層部材と電極とを積層してな
る電荷像語録媒体、少なくとも誘電体層部材と光変調材
層部材と光導電層部材と電極とを積層してなる電荷像記
録媒体、少なくとも誘電体層部材と光変調材層部材と光
導電層部材と電極とを積層してなる電荷像記録媒体にお
ける誘電体層部材上に電荷移動抑止層部材を積層してな
る電荷像記録媒体、少なくとも誘電体層部材と光変調材
層部材と光導電層部材と電極とを積層してなる電荷像記
録媒体における誘電体層部材上に光導電体の微粒子より
なる構成層と電荷移動抑止層部材とを積層してなる電荷
像記録媒体、少なくとも誘電体層部材と光変調材層部材
と光導電層部材と電極とを積層してなる電荷像記録媒体
における光変調材層部材と光導電層部材との間に誘電体
ミラーを設けた電荷像記録媒体と、前記のような構成の
電荷像記録媒体に記録、再生、消去の各動作を繰返し行
うことのできる電荷像の記録媒体を使用した記録再生装
置であって、記録の対象にされている電磁放射線の情報
を高解像度の電荷像として記録できる電荷像記録媒体を
容易に提供でき、また、電荷像記録媒体における電荷像
に対する消去を行って同一の電荷像記録媒体を繰返し使
用して高い解像度の電荷像記録再生の容易な記録、再生
装置を容易に提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第５図は本発明の電荷像記録媒体の一部の側
断面図、第２図と第３図及び第６図ならびに第７図は本
発明の電荷像記録媒体を用いて記録再生の対象にされて
いる情報を電荷像として記録する記録系の構成例を示す
ブロック図、第４図及び第８図は本発明の電荷像記録媒
体に電荷像として記録されている情報を再生する再生系
の構成例を示すブロック図、第９図及び第１０図は電荷
像記録媒体に対する消去法の説明を行うための図、第１
１図は第４図及び第８図に使用されている静電的な読出
しヘッドの構成例を示すブロック図、第１２図は第４図
及び第８図に使用されている静電的な読出しヘッドの構
成例を示す斜視図、第１３図は動作説明用の波形図、第
１４図は第４図及び第８図に使用されている電磁放射線
の検出手段によって電磁放射線として検出した後に電気
信号として再生する読出しヘッドの構成例を示すブロッ
ク図、第１５図は３色分解系を備えて構成されているカ
ラー撮像装置の一例構成のブロック図、第１６図は３色
分解光学系の一例構成の平面図、第１７図は３色分解光
学系の一例構成の斜視図である。 ＲＭ・・・電荷像記録媒体、Ｅ、Ｅｔ・・・電極。 ＰＣＬ・・・光導電層部材、ＩＬ・・・誘電体層部材、
ＥＳＬ・・・電荷移動抑止層部材、ｐｃａ・・・光導電
体の微粒子、ＰＭＬ・・・光変調材層部材、Ｌ・・・撮
像レンズ、Ｅｅ・・・消去用の交流電源、０・・・被写
体、ｖｂ。 Ｖｂｅ・・・電源、ＤＬ・・・誘電体の薄膜、ＥＤＡ・
・・静電的な続出しヘッド、ＲＨ・・・電磁放射線の検
出手段を用いた読出しヘッド、ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３
〜ＥＤｎ・・・電圧検出用電極、Ω１．α２．ａ３〜Ｑ
ｎ・・・接続線、Ｄ　Ｆｌ、　Ｄ　Ｆ２．　Ｄ　Ｆ３〜
Ｄ　Ｆｎ−電圧検出用電界効果トランジスタ、ＲＦＩ、
ＲＦ２．ＲＦ３〜ＲＦｎ・・・リセット用スイッチング
手段として使用される電界効果トランジスタ、Ｖｓｓ・
・・電源、Ｓ　Ｆｌ、　Ｓ　Ｆ２．Ｓ　Ｆ：３〜Ｓ　Ｆ
　ｎ−スイッチング用電界効果トランジスタ、ＲＱ・・
・負荷抵抗、ＳＲ・・・シフトレジスタ、ＤＭＬ・・・
誘電体ミラー、ＰＭＬ・・・印加された電圧によって光
の状態を変化させうるような特性を示す光変調材層部材
Ｃ５Ａ・・・３色分解光学系、Ｄｐ・・・赤色光を反射
し緑色光と青色光とを透過するダイクロイックミラー（
Ｒ面）と、青色光を反射し緑色光と赤色光とを透過する
ダイクロイックミラー（Ｂ面）とを直交させて構成した
プリズム形態のダイクロイックミラー（ダイクロイック
プリズムＤｐ）、Ｐｒ・・・全反射面Ｍｒを有するプリ
ズム、Ｐｂ・・・全反射面Ｍｂを有するプリズム、Ｌｅ
・・・消去用光源、Ｖｂｅ・・・消去用電源、ＳＷｅ・
・・切換スイッチ、ＴＩ、Ｔ２・・・接続端子、１〜３
・・・端子、４・・・レーザ光源、５・・・偏光子５６
・・・光偏向器、７・・・コリメータレンズ、８・・・
ビームスプリッタ、９・・・レンズ、１０・・・集光レ
ンズ、１１・・・光学的バイアスを設定するための波長
板、１２・・・検光子、１３・・・光電変換器、 特許出原人　　日本ビクター株式会社 Ｏ ！−−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電極と光導電層部材と誘電体層部材とを積層してな
   る電荷像記録媒体 ２、電荷移動抑止層部材と誘電体層部材と光導電層部材
   と電極とを積層してなる電荷像記録媒体３、電荷移動抑
   止層部材と誘電体層部材と光導電体の微粒子よりなる構
   成層と光導電層部材と電極とを積層してなる電荷像記録
   媒体 ４、電荷移動抑止層部材として二酸化シリコンの薄層を
   用いた請求項２または請求項３に記載の電荷像記録媒体 ５、電荷移動抑止層部材としてアルミナの薄層を用いた
   請求項２または請求項３に記載の電荷像記録媒体 ６、少なくとも誘電体層部材と光変調材層部材と光導電
   層部材と電極とを積層してなる電荷像記録媒体 ７、誘電体層部材上に電荷移動抑止層部材を積層してな
   る請求項６に記載の電荷像記録媒体 ８、誘電体層部材上に光導電体の微粒子よりなる構成層
   と電荷移動抑止層部材とを積層してなる請求項６に記載
   の電荷像記録媒体 ９、光変調材層部材と光導電層部材との間に誘電体ミラ
   ーを設けた請求項６乃至８の何れかに記載の電荷像記録
   媒体 １０、少なくとも誘電体層部材と光導電層部材と電極と
   を積層してなる電荷像記録媒体における電極と、前記し
   た電荷像記録媒体における電極の面とは反対側の面に対
   向させた電極と、前記した２つの電極の間に電圧を印加
   する手段と、前記した電荷像記録媒体における電極側か
   ら記録の対象にされている電磁放射線を入射させる手段
   とを備えてなる電荷像の記録装置 １１、少なくとも誘電体層部材と光導電層部材と電極と
   を積層してなる電荷像記録媒体における電極の面とは反
   対側の面に対向させた電極の表面に誘電体の薄膜を被着
   させたものを用いた請求項１０に記載の電荷像の記録装
   置 １２、少なくとも誘電体層部材と光導電層部材と電極と
   を積層してなる電荷像記録媒体における記録再生の対象
   にされている電荷像に基づいて発生している電界を静電
   的な検出手段によって電気信号として再生するようにし
   た電荷像の再生装置 １３、少なくとも誘電体層部材と光導電層部材と電極と
   を積層してなる電荷像記録媒体における記録再生の対象
   にされている電荷像に基づいて発生している電界を、電
   磁放射線の検出手段によって電磁放射線の状態変化とし
   て検出するようにした電荷像の再生装置 １４、少なくとも誘電体層部材と光導電層部材と電極と
   を積層してなる電荷像記録媒体に記録再生の対象にされ
   ている情報が電荷像として記録されている電荷像記録媒
   体に、電荷像の形成時に用いられた印加電圧とは逆極性
   の電圧を印加して電荷像を消去するようにした電荷像の
   記録、再生装置 １５、少なくとも誘電体層部材と光導電層部材と電極と
   を積層してなる電荷像記録媒体に記録再生の対象にされ
   ている情報が電荷像として記録されている電荷像記録媒
   体に、交番電圧を印加して電荷像を消去するようにした
   電荷像の記録、再生装置 １６、少なくとも誘電体層部材と光導電層部材と電極と
   を積層してなる電荷像記録媒体に記録再生の対象にされ
   ている情報が電荷像として記録されている電荷像記録媒
   体に、時間軸上で次第に振幅の低下する交番電圧を印加
   して電荷像を消去するようにした電荷像の記録、再生装
   置 １７、少なくとも誘電体層部材と光導電層部材と電極と
   を積層してなる電荷像記録媒体に記録再生の対象にされ
   ている情報が電荷像として記録されている電荷像記録媒
   体に、交番電圧を印加して電荷像を消去する際に消去の
   終了時に電荷像の形成時に用いられた印加電圧とは逆極
   性の電圧が印加された状態にして電荷像が消去されるよ
   うにした電荷像の記録、再生装置