JPH0229081A - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置

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JPH0229081A
JPH0229081A JP63013943A JP1394388A JPH0229081A JP H0229081 A JPH0229081 A JP H0229081A JP 63013943 A JP63013943 A JP 63013943A JP 1394388 A JP1394388 A JP 1394388A JP H0229081 A JPH0229081 A JP H0229081A
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Ryoyu Takanashi
高梨 稜雄
Shintaro Nakagaki
中垣 新太郎
Hirohiko Shinonaga
浩彦 篠永
Tsutae Asakura
浅倉 伝
Masato Furuya
正人 古屋
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は動画カメラ、静止画カメラ(シャッタカメラ)
等の撮像装置、特に、高解像度を有する撮像装置に関す
る。
(従来の技術) 被写体の光学像を撮像装置により撮像して得た映像信号
は、編集、トリミング、その他の画像信号処理が容易で
あるとともに、既記緑信号を消去できる可逆性を有する
記録部材を使用して記録再生が容易に行えるという特徴
を有しているが、映像信号の発生のために従来から一般
的に使用されて来ている撮像装置は、撮像レンズによっ
て撮像素子における光電変換部に結像された被写体の光
学像を、撮像素子の光電変換部で被写体の光学像に対応
する電気的な画像情報に変換し、その電気的な画像情報
を時間軸上で直列的な映像信号として出力させうるよう
な構成形態のものであり、撮像装置の構成に当っては前
記した撮像素子として従来から各種の撮像管や各種の固
体撮像素子が使用されていることは周知のとおりである
(発明が解決しようとする問題点) さて、近年になって高画質・高解像度の再生画像に対す
る要望が高まるのに応じて、テレビジョン方式について
も、いわゆるEDTV、HDTVなどの新しい諸方式が
提案されて来ていることも周知のとおりである。
ところで、高画質・高解像度の再生画像が得られるよう
にするためには、高画質・高解像度の再生画像を再生さ
せうるような映像信号を発生させることのできる撮像装
置が必要とされるが、撮像素子として撮像管が使用され
ている撮像装置においては、撮像管における電子ビーム
径の微小化に限界があるために、電子ビーム径の微小化
による高解像度化が望めないこと、及び、撮像管のター
ゲット容量はターゲット面積と対応して増大するもので
あるために、ターゲット面積の増大による高解像度化も
実現することができないこと、また、例えば動画の撮像
装置の場合には高解像度化に伴って映像信号の周波数帯
域が数十M Hz〜数百MHz以上にもなるためにS/
Nの点で問題になる、等の理由によって、撮像装置によ
り高画質・高解像度の再生画像を再生させうるような映
像信号を発生させることは困難である。
前記の点を具体的に説明すると次のとおりである。すな
わち、撮像素子として撮像管が使用されている撮像装置
により高画質・高解像度の再生画像を再生させうるよう
な映像信号を発生させるのには、撮像管における電子ビ
ーム径を微小化したり、ターゲットとして大面積のもの
を使用したりすることが考えられるが、撮像管の電子銃
の性能。
及び集束系の構造などにより撮像管の電子ビーム径の微
小化には限界があるために電子ビーム径の微小化による
高解像度化には限界があり、また、撮像イメージサイズ
の大きな撮像レンズを使用した上で、ターゲットの面積
の増大によって高解像度を得ようとした場合には、ター
ゲット面積の増大による撮像管のターゲット容量の増大
による撮像管の出力信号における高域信号成分の低下に
よって、撮像管出力信号のS/Nの低下が著るしくなる
ことにより、撮像管を使用した撮像装置によっては高画
質・高解像度の再生画像を再生させうるような映像信号
を良好に発生させることはできないのである。
また、撮像素子として固体撮像素子を使用した撮像装置
により高画質・高解像度の再生画像を再生させるのには
、画素数の多い固体撮像素子を使用することが必要とさ
れるが、画素数の多い固体撮像索子はそれを駆動するた
めのクロックの周波数が高くなる(例えば、動画カメラ
の場合における固体撮像素子の駆動のためのクロックの
周波数は数百M I−I zとなる)とともに、駆動の
対象にされている回路の静電容量値は画素数の増大によ
って大きくなっているために、そのような固体撮像装置
は、固体撮像素子のクロックの周波数の限界が20 M
 Hzといわれている現状からすると実用的なものとし
て構成できないと考えられる。
このように、従来の撮像装置はそれの構成のために不可
欠な撮像素子の存在によって、高画質・高解像度の再生
画像を実生させうるような映像信号を良好に発生きせる
ことはできなかったのであり、それの改善策が求められ
た。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、2つの透明電極の間に少なくとも光導電層部
材と誘電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成され
た光−光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体
の光学像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子
から単波長光を用いて被写体の光学像と対応する光学像
情報を読出す手段と、前記の光−光変換素子から読出さ
れた光学情報を、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層
部材とを備えて構成されている光−電荷変換素子に入射
させる手段とを備えた撮像装置及び2つの透明電極の間
に少なくとも光導電層部材と誘電体ミラーと光変調材層
部材とを備えて構成された光−光変換素子に対して、撮
像レンズによって被写体の光学像を結像させる手段と、
前記した光−光変換素子から単波長光を用いて被写体の
光学像と対応する光学像情報を読出す手段と、少なくと
も光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成されて
いる光−電荷変換素子と、前記の光−電荷変換素子して
前記の光−光変換素子から読出された光学情報とともに
、フォログラム形成用の参照光をも入射させる手段とを
備えた撮像装置を提供するものである。
(実施例) 以下、添付図面を参照して本発明の撮像装置の具体的な
内容について詳細に説明する。第1図乃至第3図は本発
明の撮像装置の実施例の概略構成を示すブロック図であ
り、また、第4図は本発明の撮像装置の構成中で使用さ
れる光−光変換素子の構成原理を説明するための側断面
図、第5図は本発明の撮像装置の構成中で使用される光
−電荷変換素子の構成原理を説明するための側断面図で
ある。
第1図において0は被写体、1は撮像レンズ、2は撮像
装置がシャッタカメラとして構成された場合に設けられ
る光学的なシャッタ、PPCEは光−光変換素子、4は
ハーフプリズム、5は光−光変換素子PPCEからの光
学像情報を単波長光の光学情報して読出す際に用いられ
る読出し光の光源であり、この光源5としてはレーザ光
源、その他任意の光源が使用できる。
また、6,9はレンズ、7は偏光板(前記した光源が所
要の単波長光を出射できる光源の場合には偏光板7は不
要である)、8は検光子、PCCEは光−電荷変換素子
である。
第1図示の撮像装置において、被写体0の光学像は撮像
レンズ1によって光−光変換素子PPCEに結像される
。撮像装置がシャッタカメラとして構成されている場合
には、光学的なシャッタ2が開いた状態で被写体Oの光
学像が撮像レンズ1によって光−光変換素子PPCEに
結像されることはいうまでもない。
光−光変換素子PPC:Eとしては、例えば液晶型光変
調器、光伝導電性ポッケルス効果素子、マイクロチャン
ネル型光変調器などのような空間変調素子、あるいはフ
ォトクロミック材を用いて構成された素子などが使用で
きる。なお、光−光変換素子PPCEとしては、記憶機
能を備えているものでも、あるいは記憶機能を有しない
ものでも、目的に応じて選択使用できる。
第4図は光−光変換素子PPCEとして使用できる光−
光変換素子PPCEの構成原理を示す側断面図であり、
第4図に示されている光−光変換素子PPCEにおいて
、 Eta、Et2は透明電極、PCLは光導電層部材
であり、また、DMLは誘電体ミラー(書込み光と消去
光とを透過させ、読は書込み光、Lrは読出し光、L’
sは消去光、Vbは電源、SWは切換スイッチである。
前記の切換スイッチSWは光−光変換素子PPCEに対
して書込み光Lwを入射させる際と読出し光を入射させ
る際には、それの可動接点Vが固定接点wr側に切換え
られ、また、光−光変換素子PPCEに対して書込み光
Lwを入射させる際と読出し光を入射させる際には、そ
れの可動接点Vが固定接点e側に切換えられる。
光−光変換素子PPCEにおける透明電極Etl。
Et2に対して電源vbの電圧がスイッチSWの可動接
点Vと固定接点wrとを介して与えられている状態にお
いて、被写体の光学像と対応している書込み光Lwが、
光−光変換素子PPCEの透明電極Etlを透過して光
導電層部材PCLに入射すると、光導電層部材PCLは
それに入射された被写体の光学像に対応して電気抵抗値
が変化する。
それで、前記した光導電層部材PCLにおける誘電体ミ
ラーDMLとの境界の部分には、被写体の光学像と対応
している電荷像が生じる。この電荷像は光−光変換素子
PPCEにおける透明電極E tl、 E tZ間をス
イッチSWの可動接点Vと固定接点eとを介して同電位
にした状態において、光−光変換素子PPCEの透明電
極Et2側から消去光Leを入射させることにより消去
できる。
すなわち、消去モード時に光−光変換素子PPCEの透
明電極Et2側から入射された消去光T、 eが光変調
材層部材PMLと誘電体ミラー(書込み光と消去光とを
透過させ、読出し光を反射させるような波長選択特性を
有する誘電体ミラー)DMLとを透過して光導電層部材
PCLに入射すると、光導電層部材PCLは前記の消去
光Leによって電気抵抗値が低下して、光導電層部材P
CLにおける誘電体ミラーDMLとの境界の部分の電荷
像が消去されるのである。
また、前記した光導電層部材PCLにおける誘電体ミラ
ーDMLとの境界の部分に生じている被写体の光学像と
対応している電荷像は、スイッチSWの可動接点Vと固
定接点WRとを介して光−光変換素子PPCEにおける
透明電極E tl、 E t2に対して電源vbの電圧
が与えられている状態において、光−光変換素子PPC
Eの透明電極Et2から読出し光Lrを入射させること
により、光−光変換素子PPCEの透明電極Et2側か
ら光学像として読出すことができる。
すなわち、読出しモードにおいて光−光変換素子PPC
Eの透明電極Et2側から入射された読出し光Lrは、
光変調材層部材PMLを透過して誘電体ミラー(書込み
光と消去光とを透過させ、読出し光を反射させるような
波長選択特性を有する誘電体ミラー)DMLに達し、そ
こで反射されて再び光変調材層部材PMLを透過して光
−光変換素子PPCEの透明電極Et2側から出射する
が、前記のようにして光変調材層部材PML内を往復し
た後に光−光変換素子PPCEの透明電極Et2側から
出射した読出し光は、既述のように光導電層部材PCL
における誘電体ミラーDMLとの境界の部分に生じてい
る被写体の光学像と対応している電荷像による電界によ
って偏光面が変化されているから、その出射光を検光子
に通過させることにより、検光子の出射光は被写体の光
学像と同じ光量変化を示す光学像となる。
そして、前記した読出し光として単波長光を使用するこ
とにより、充分に高い解像度を有する再生像が得られる
のである。
それで第1図示の撮像装置において、撮像レンズ1によ
り光−光変換素子PPCEの透明電極Etl側に入射し
た被写体Oの光学像による書込み光Lwは、光−光変換
素子PPCEにおける光導電層部材PCLと誘電体ミラ
ーDMLとの境界の部分に電荷像に変換され、また、そ
の電荷像は読出し光として単波長光が使用された場合に
は、被写体の光学像と情報内容の対応している単波長光
情報として光−光変換素子PPCEから出射される。
第1図示の例において、前記の単波長光の読出し光Lr
は、光源5→レンズ6→偏光子7→ハーフプリズム4→
光−光変換素子PPCEの透明電極Et2の光路によっ
て光−光変換素子PPCEに入射している。
そして、光−光変換素子PPCEから出射された前記の
だ被写体の光学像と情報内容の対応している単波長光情
報は、ハーフプリズム4→検光子8→レンズ9(縮少光
学系として構成されていてもよい)→の光路を介して光
−電荷変換素子PCCCEに結像され、光−電荷変換素
子PCCEに記録される。
第5図は光−電荷変換素子PCCEの1例構成を示して
いる側断面図であり、この第5図に示す光−電荷変換素
子PCCEは、透明電極Etと光導電層部材PCLと、
電荷蓄積層部材CMLと、電極Eとの積層構造のもので
ある。そして前記した電荷蓄積層部材CMLとしては、
それに与えられた電荷像を長時間にわたって保持しつる
ように充分に高い絶縁抵抗値を有する材料1例えばシリ
コシン樹脂、あるいはポリエステル等の材料が用いられ
てよい。
第5図において、光−電荷変換素子PCCEにおける透
明電極Eしと電極Eとの間には電源Vcが接続されてい
るから、透明電極Et側に記録光Lcが入射して光導電
層部材PCLの電気抵抗値が前記した記録光Lcの光量
の分布と対応している態様で変化すると、前記した記録
光Lcにおけるの光量の分布と対応している態様で変化
している光導電層部材PCLの電気抵抗値の変化パター
ンと対応しているような電荷像が光導電層部材PCLと
電荷蓄積層部材CMLとの境界に生じる。
また、電荷像の消去は、透明電極Etと電極Eとを同電
位にして透明電極Et側から消去光を入射すればよい。
前記した光−電荷変換素子PCCEは図示されていない
駆動機構により所定の移動態様で移動できるようになさ
れていてもよい、すなわち、撮像装置がシャッタカメラ
としての動作モードで動作している場合には、光学的な
シャッタ2が所定の時間巾にわたり開放されてから閉じ
た後に、光−電荷変換素子PCCEが一駒分(−枚の画
像分)だけ移送されるようになされ、また、撮像装置が
動画カメラとしての動作モードで動作している場合には
、所定の時間巾にわたり静止して各−枚の画像の記録が
行われた後に、光−電荷変換素子PCCEを一駒分(−
枚の画像分)だけ急速に移送させるような間欠的な送り
が行われるようになされてもよいのであり、前記した光
−電荷変換素子PCCFの間欠移送機構としては、映画
の撮影機で周知の移送機構と同様な機構が採用されても
よい。
また、第1図中に示されている光−電荷変換素子PCC
Eはテープ状のもの、ディスク状、シート状、その他ど
のような構成形態のものであっても構わない。
前記した第1図に示す実施例の撮像装置には、信号処理
機能を付加したり、光電変換機能を付加したりしてもよ
いのであり、例えば、第1図中の光−光変換素子PPC
Eから出射した単波長光情報をハーフプリズム4に後続
する別のハーフプリズムを介して信号処理装置に与えて
、その信号処理装置において、それに入射された光学像
情報に基づいて編集、トリミング、光増幅などの各種の
信号処理を行わせるようにしてもよい(信号処理装置と
しては制御性の空間変調素子、可逆性の並列メモリ、制
御性の並列機能素子、制御性の機能結合素子などを用い
て構成されたものが使用されてもよく、また、前記した
信号処理装置で光並列信号処理が行われるようになされ
てもよい)。
次に、第2図に示されている撮像装置は、光−光変換素
子PPCEから出射した単波長光情報をハーフプリズム
4に後続する光路中に設けた別のハーフプリズム14に
よって反射させた光情報をレンズ15によって光電変換
器16(光電変換器16としては、所要に応じて2次元
センサ、1次元センサ、フォトダイオード等が選択使用
できる)に与えて、光電変換器16から所定の信号形態
の電気信号が出力されるように構成した場合の構成例で
あり、この第2図において10は読出し光の光源として
用いられているレーザ光源、11は消去光の光源として
用いられているレーザ光源、12はビームスプリッタ、
13は光量調節用の波長板、14はハーフミラ−15は
レンズ、16は光電変換器である。
前記した第2図示の撮像装置ではハーフプリズム14で
反射した光学像情報を直接にモニタスクリーンに光投影
して、光−電荷変換素子PCCEに記録されるべき光学
像をモニタできるようにしてもよいのである。
第3図に示されている撮像装置は光−電荷変換素子PC
CEにおける光学像情報の記録再生がフォログラフィー
法で行われるようにした場合の本発明の他の実施例のブ
ロック図であり、第3図において0は被写体、1は撮像
レンズ、2は撮像装置がシャッタカメラとして構成され
た場合に設けられる光学的なシャッタ、PPCEは光−
光変換素子であり、第3図において18はレンズ、PC
CEは光−電荷変換素子である。
第3図示の撮像装置において、被写体○の光学像は撮像
レンズ1によって光−光変換素子PPCEに結像される
が、撮像装置がシャッタカメラとして構成されている場
合には、光学的なシャッタ2が開いた状態で被写体0の
光学像が撮像レンズ1によって光−光変換素子PPCE
に結像されることはいうまでもない。
19は前記した光−光変換素子PPCEに対して読出し
光として使用される光と、光−電荷変換素子PCCEに
対するフォログラムの撮影時と光−電荷変換素子PCC
Eからの波面再生時とに共用される可干渉光を出射させ
る光源であり1例えば半導体レーザが使用される。
光−光変換素子PPCEからの光学像の読出しと、フォ
ログラムの撮影用とに兼用される光は、光源19から光
@19→ハーフミラー20→凹レンズ22→光−光変換
素子PPCEの経路で光−光変換素子PPCEに供給さ
れる。それにより、光−光変換素子PPCEには被写体
の光学像に対応した光学像が現われ、また、その光学像
はフォログラフィ法における信号波としてレンズ19に
与えられることにより、前記のレンズ18によって光−
電荷変換素子PCCEに結像する。光−電荷変換素子P
CCEには前記した光源19から出射された可干渉光が
、光g19→ハーフミラー20→凹レンズ21→光−電
荷変換素子PCCEに供給されているから、光−電荷変
換素子PCCEには前記した光−光変換素子PPCEの
出力側に現われた被写体の光学像に対応したフォログラ
ムが形成記録される。
このように、第3図示の撮像装置によれば被写体Oの光
学像はフォログラムとして光−電荷変換素子PCCEに
記録される。
前記した光−電荷変換素子PCCEは図示されていない
駆動機構によって所定の移動態様で移動されるようにな
されてもよい。その場合に、第3図示の撮像装置がシャ
ッタカメラとしての動作モードで動作している場合には
、光学的なシャッタ2が所定の時間巾にわたり開放され
てから閉じた後に、光−電荷変換素子PCCEが一駒分
(−枚の画像分)だけ移送されるようになされ、また、
撮像装置が動画カメラとしての動作モードで動作してい
る場合には、所定の時間巾にわたり静止して各−枚の画
像の記録が行われた後に、光−電荷変換素子PCCEを
一駒分(−枚の画像分)だけ急速に移送させるような間
欠的な送りが行われるようになされる。なお、前記した
光−電荷変換素子PCCEの間欠移送機構としては、映
画の撮影機で周知の移送機構と同様な機構が採用されて
もよし′1a なお、前記した第1図乃至第3図示の実施例の撮像装置
によって光−電荷変換素子PCCEに電荷像として記録
された情報は、光−電荷変換素子PCCHにおける透明
電極Etと電極Eとを同電位の状態にし、光−電荷変換
素子PCCEにおける透明電極Et側に針状電極、多針
電極などを接近させて、電荷像として記録されている情
報を静電的に読出すようにしたり、あるいは、光−電荷
変換素子PCCEにおける透明電極Etと電極Eとを同
電位の状態にし、光−電荷変換素子PCCEにおける透
明電極Et側に透明電極と光変調材層部材と誘電体ミラ
ーとの積層構造された状態の情報読出し用ヘッドにおけ
る誘電体ミラー側を接近させて、前記の情報読出し用ヘ
ッドにおける透明電極側から読出し光を入射させ、前記
した情報読出し用ヘッドに入射された光が透明電極→光
変調材層部材→と誘電体ミラー→光変調材層部材→透明
電極の経路によって再び前記の情報読出し用ヘッドにお
ける透明電極から出射した光を検光子に与えて、光−電
荷変換素子PCCEにおける電荷像の電荷量のパターン
と対応している光量パターンを有する光学像として再生
したり、前記のようにして得た光学像を光電変換して電
気信号に変換したりすることにより高精細度を有する情
報として読出すことができる。
また、本発明の撮像装置をカラー画像の撮像装置として
構成する場合には、各実施例における光−光変換素子P
PCEにおける透明電極Etlの前面に、周知構成の光
学的色分解縞状フィルタを配置すればよい。
(発明の効果) 以上、詳細に説明したところから明らかなように本発明
の撮像装置は、2つの透明電極の間に少なくとも光導電
層部材と誘電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成
された光−光変換素子に対して、撮像レンズによって被
写体の光学像を結像させる手段と、前記した光−光変換
素子から単波長光を用いて被写体の光学像と対応する光
学像情報を読出す手段と、前記の光−光変換素子から読
出された光学情報を、少なくとも光導電層部材と電荷蓄
積層部材とを備えて構成されている光−電荷変換素子に
入射させる手段とを備えた撮像装置及び2つの透明電極
の間に少なくとも光7R重層部材と誘電体ミラーと光変
調材層部材とを備えて構成された光−光変換素子に対し
て、撮像レンズによって被写体の光学像を結像させる手
段と、前記した光−光変換素子から単波長光を用いて被
写体の光学像と対応する光学像情報を読出す手段と、少
なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成
されている光−電荷変換素子と、前記の光−電荷変換素
子して前記の光−光変換素子から読出された光学情報と
ともに、フォログラム形成用の参照光をも入射させる手
段とを備えた撮像装置であるから、この本発明の撮像装
置では光−光変換素子PPCEの光導電層部材PCLと
誘電体ミラーDMLとの境界の部分に生じさせた被写体
の光学像と対応している電荷像を単波長光の読出し光を
読出すことにより、充分に高い解像度を有する再生像を
得て、それを光−電荷変換素子PCCEに記録できるの
であり、また、光−光変換素子PPCEから出射した単
波長光情報を光電変換器(所要に応じて2次元センサ、
1次元センサ、フォトダイオード等が選択使用できる)
に与えて。
光電変換器から所定の信号形態の電気信号が出力される
ようにしてもよく、さらに、光−電荷変換素子PCCE
における光学像情報の記録再生がフォログラフィー法で
行われるようにしてもよく。
さらにまた、光−電荷変換素子PCCHに電荷像として
記録された情報は、光−電荷変換素子PCCEにおける
透明電極Etと電極Eとを同電位の状態にし、光−電荷
変換素子PCCEにおける透明電極Et側に針状電極、
多針電極などを接近させて、電荷像として記録されてい
る情報を静電的に読出すようにしたり、あるいは、光−
電荷変換素子PCCEにおける透明電極Etと電極Eと
を同電位の状態にし、光−電荷変換素子PCCEにおけ
る透明電極Et側に透明電極と光変調材層部材と誘電体
ミラーとの積層構造された状態の情報読出し用ヘッドに
おける誘電体ミラー側を接近させて、前記の情報読出し
用ヘッドにおける透明電極側から読出し光を入射させ、
前記した情報読出し用ヘッドに入射された光が透明電極
→光変調材層部材→と誘電体ミラー→光変調材層部材→
透明電極の経路によって再び前記の情報読出し用ヘッド
における透明電極から出射した光を検光子に与えて、光
−電荷変換素子PCCEにおける電荷像の電荷量のパタ
ーンと対応している光景パターンを有する光学像として
再生したり、前記のようにして得た光学像を洸電変換し
て電気信号に変換したりすることにより高精細度を有す
る情報として読出すことができるのであって1本発明に
よれば既述した従来の欠点を良好に解決できる高解像度
の再生像を撮像できる撮像装置を提供することができる
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明の撮像装置の実施例の概略構
成を示すブロック図であり、また、第4図は本発明の撮
像装置の構成中で使用される光−光変換素子の構成原理
を説明するための側断面図、第5図は本発明の撮像装置
の構成中で使用される光−電荷変換素子の構成原理を説
明するための側断面図である。 0・・・被写体、1・・・撮像レンズ、2・・・撮像装
置がシャッタカメラとして構成された場合に設けられる
光学的なシャッタ、PPCE・・・光−光変換素子、4
.14・・・ハーフプリズム、5・・・光−光変換素子
PPCEからの光学像情報を単波長光の光学情報して読
出す際に用いられる読出し光の光源、6゜9.15.1
8・・・レンズ、7・・・偏光板、8・・・検光子、P
CCE・・・光−電荷変換素子、Et、Etl。 Et2・・・透明電極、PCL・・・光導電層部材、D
ML・・・誘電体ミラー、PML・・・光変調材層部材
、Lw・・・書込み光、Lr・・・読出し光、Le・・
・消去光、Vb・・・電源、SW・・切換スんチ、CM
L・・・電荷蓄積層部材、16・・・光電変換器井住(
光電変換器16としては、所要に応じて2次元センサ、
1次元センサ、フォトダイオード)、10・・・読出し
光の光源として用いられているレーザ光源、11・・・
消去光の光源として用いられているレーザ光源、12・
・・ビームスプリッタ、13・・・光量調節用の波長板
。 19・・・光源19.20・・・ハーフミラ−,21,
22→凹レンズ、 囚 〇− 手続補正書(自発) 昭和63年ユ月ル1 日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 2、発明の名称 撮像装置 3、補正をする者 事件との関係    特 許 出願人 任 所 神奈川県横浜市神奈用区守屋町3丁目12番地
名称(432)  日本ビクター株式会社4、代理人 ファクシミリ03 (472) 2257番5、補正命
令の日付 (自発) 昭和 年 月 日(発送日 昭和 年 月 日)6、補
正の対象 (1)明細書の特許請求の範囲の欄 (1)明細書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 (1)特許請求の範囲を別紙のように補正する。 (2)明細書第7頁第8行「換素子して」を次のように
補正する。 「換素子に対して」 (3)明細書第10頁第3行「書込み光Lw・・・ ・
・読出し光」を次のように補正する。 「消去光LeJ (4)明細書第11頁第15行r W RJを次のよう
に補正する。 wrJ (5)明細書第13頁第17行「前記のだ」を次のよう
に補正する。 「前記の」 (6)明細書第14頁第19行「るの光景」を「る光景
」に補正する。 (7)明細書第23頁第9行「素子して」を次のように
補正する。 「素子に対して」 (8)明細書第23頁第16行「し光を読出す」を次の
ように補正する。 「し光で読出す」 「特許請求の範囲 1.2つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と誘
電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成された光−
光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光学
像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子から単
波長光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を
読出す手段と、前記の光−光変換素子から読出された光
学情報を、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材と
を備えて構成されている光−電荷変換素子に入射させる
手段とを備えた撮像装置 2.2つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と誘
電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成された光−
光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光学
像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子から単
波長光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を
読出す手段と、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部
材とを備えて構成されている光−電荷変換素子と、前記
の光−電荷変換素子4して前記の光−光変換素子から読
出された光学情報とともに、フォログラム形成用の参照
光をも入射させる手段とを備えた撮像装置」 手続補正書(1劃 1、事件の表示 昭和63年特許願第13943号 2、発明の名称 撮像装置 3、補正をする者 事件との関係    特 許 出願人 使 所 神奈川県横浜市神奈用区守屋町3丁目12番地
名称(432)  日本ビクター株式会社4、代理人 ファクシミリ03 (472) 2257番5、補正命
令の日付(自発) B、補正の対象 (1)明細書の特許請求の範囲の欄 7、補正の内容 (1)特許請求の範囲を別紙のように補正する。 (2)明細書第6頁第11行乃至第9頁第2行[導電層
部材と誘電体ミラーと光変調材・・・ ・・・ケルス効
果素子、マ」を次のように補正する。 「導電層部材と光変調材層部材とを備えて構成された光
−光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光
学像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子から
光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を読出
す手段と、前記の光−光変換素子から読出された光学情
報を、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備
えて構成されている光−電荷変換素子に入射させる手段
とを備えた撮像装置及び2つの透明電極の間に少なくと
も光導電層部材と光変調材層部材とを備えて構成された
光−光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の
光学像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子か
ら光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を読
出す手段と、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材
とを備えて構成されている光−電荷変換素子と、前記の
光−電荷変換素子に対して前記の光−光変換素子から読
出された光学情報とともに、フォログラム形成用の参照
光をも入射させる手段とを備えた撮像装置を提供するも
のである。 (実施例) 以下、添付図面を参照して本発明の撮像装置の具体的な
内容について詳細に説明する。第1図乃至第3図は本発
明の撮像装置の実施例の概略構成を示すブロック図であ
り、また、第4図は本発明の撮像装置の構成中で使用さ
れる光−光変換素子の構成原理を説明するための側断面
図、第5図は本発明の撮像装置の構成中で使用される光
−電荷変換素子の構成原理を説明するための側断面図で
ある。 第1@においてOは被写体、1は撮像レンズ、2は撮像
装置がシャッタカメラとして構成された場合に設けられ
る光学的なシャッタ、PPCEは光−光変換素子、4は
ビームスプリッタ、5は光−光変換素子PPCEからの
光学像情報を単波長光の光学情報して読出す際に用いら
れる読出し光の光源であり、この光源5としてはレーザ
光源。 その他任意の光源(電磁放射線の発生源)が使用できる
。なお、電磁放射線は広義の光、すなわち、電磁波とよ
ばれる放射線の全スペクトル領域(γ線、X線等の領域
からラジオ波の長波までを含む領域)の放射線を意味し
ていることは周知のとおりである。 また、6,9はレンズ、7は偏光板(前記した光源が所
要の単波長光を出射できる光源の場合には偏光板7は不
要である)、8は検光子、pccEは光−電荷変換素子
である。 第1図示の撮像装置において、被写体○の光学像は撮像
レンズ1によって光−光変換素子PPCEに結像される
。撮像装置がシャッタカメラとして構成されている場合
には、光学的なシャッタ2が開いた状態で被写体0の光
学像が撮像レンズ1によって光−光変換素子PPCEに
結像されることはいうまでもない。 光−光変換素子PPCEとしては、例えば液晶型光変調
器、光伝導性ポッケルス効果素子、マ」(3)明細書第
13頁第12行乃至第14頁第2行「光Lrは、光源5
→レンズ6・・・ ・・・PCCEに記録される。」を
次のように補正する。 「光Lrは、光源5→レンズ6→偏光子7→ビームスプ
リツタ4→光−光変換素子PPCEの透明電極Et2の
光路によって光−光変換素子PPCEに入射している。 そして、光−光変換素子PPCEから出射された前記の
被写体の光学像と情報内容の対応している単波長光情報
は、ビームスプリッタ4→検光子8→レンズ9(縮少光
学系として構成されていてもよい)→の光路を介して光
−電荷変換素子PCCCEに結像され、光−電荷変換素
子PCCEに記録される。 これまでの実施例の説明においては、撮像装置に使用さ
れている光−光変換素子PPCEが、書込み光と消去光
とを透過させるとともに、読出し光を反射させつるよう
な波長選択特性を有する誘電体ミラーを備えているもの
である、とされていたが1本発明の実施に当って使用さ
れるべき光−光変換素子PPCEとしては、読出し光に
対して射できるようなものの場合には、誘電体ミラーを
備えていない構成形態の光−光変換素子PPCEが用い
られてもよいことは勿論である。 また、実施例の説明においては光−光変換素子PPCE
から単波長光情報が読出されるものとされているが、光
−光変換素子PPCEから単波長情報でない光情報が読
出されるように実施されてもよいことはいうまでもない
、」 (4)明細書第16頁第10行乃至第17行第14行r
報をハーフプリズム4に後続す・・・ ・・・16は光
電変換器である。」を次のように補正する。 [報をビームスプリッタ4に後続する別のビームスプリ
ッタを介して信号処理装置に与えて、その信号処理装置
において、それに入射された光学像情報に基づいて編集
、トリミング、光増幅などの各種の信号処理を行わせる
ようにしてもよい(信号処理装置としては制御性の空間
変調素子、可逆性の並列メモリ、制御性の並列機能素子
、制御性の機能結合素子などを用いて構成されたものが
使用されてもよく、また前記した信号処理装置で光並列
信号処理が行われるようになされてもよい)。 次に、第2図に示されている撮像装置は、光−光変換素
子PPCEから出射した単波長光情報をビームスプリッ
タ4に後続する光路中に設けた別のビームスプリッタ1
4によって反射させた光情報をレンズ15によって光電
変換器16(光電変換器16としては、所要に応じて2
次元センサ、1次元センサ、フォトダイオード等が選択
使用できる)に与えて、光電変換器16から所定の信号
形態の電気信号が出力されるように構成した場合の構成
例であり、この第2図において10は読出し光の光源と
して用いられているレーザ光源、11は消去光の光源と
して用いられているレーザ光源、12はビームスプリッ
タ、13は光学的にバイアスを設定するための波長板、
14はビームスプリッタ、15はレンズ、16は光電変
換器である、」 (5)明細書第19頁第9行「レンズ19に」を次のよ
うに補正する。 「レンズ18」 (6)明細書第21頁第15行乃至第23頁第20行「
調材層部材→と誘電体ミラー→光変・・・ ・・・所要
に応じて2次元センサ、1次元センサ、」を次のように
補正する。 「調材層部材→誘電体ミラー→光変調材層部材→透明電
極の経路によって再び前記の情報読出し用ヘッドにおけ
る透明電極から出射した光を検光子に与えて、光−電荷
変換素子P CCEにおける電荷像の電荷量のパターン
と対応している光量パターンを有する光学像として再生
したり、前記のようにして得た光学像を光電変換して電
気信号に変換したりすることにより高精細度を有する情
報として読出すことができる。 また、本発明の撮像装置をカラー画像の撮像装置として
構成する場合には、各実施例における光−光変換素子P
PCEにおける透明電極Etlの前面に、周知構成の光
学的色分解縞状フィルタを配置すればよい。 (発明の効果) 以上、詳細に説明したところから明らかなように本発明
の撮像装置は、2つの透明電極の間に少なくとも光導電
層部材と光変調材層部材とを備えて構成された光−光変
換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光学像を
結像させる手段と。 前記した光−光変換素子から光を用いて被写体の光学像
と対応する光学像情報を読出す手段と、前記の光−光変
換素子から読出された光学情報を、少なくとも光導電層
部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成されている光−電
荷変換素子に入射させる手段とを備えた撮像装置及び2
つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と光変調材
層部材とを備えて構成された光−光変換素子に対して、
撮像レンズによって被写体の光学像を結像させる手段と
、前記した光−光変換素子から光を用いて被写体の光学
像と対応する光学像情報を読出す手段と、少なくとも光
導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成されている
光−電荷変換素子と、前記の光−電荷変換素子に対して
前記の光−光変換素子から読出された光学情報とともに
、フオログラム形成用の参照光をも入射させる手段とを
備えた撮像装置であるから、この本発明の撮像装置では
光−光変換素子PPCEにおける光導電層部材PCLの
境界の部分に生じさせた被写体の光学像と対応している
電荷像を読出し光で読出すことにより7充分に高い解像
度を有する再生像を得て、それを光−電荷変換素子PC
CEに記録できるのであり、また光−光変換素子PPC
Eから出射した光情報を光電変換器(所要に応じて2次
元センサ、1次元センサ、」 (7)明細書第25頁第1行r層部材→と誘電体ミラー
」を次のように補正する。 r層部材→誘電体ミラー」 (8)明細書第26頁第18行[13・・・光量調節用
の波長板」を次のように補正する。 「13・・・光学的なバイアスを設定するための波長板
」 [特許請求の範囲 1.2つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材考〜
光変調材層部材とを備えて構成された光−光変換素子に
対して、撮像レンズによって被写体の光学像を結像させ
る手段と、前記した光−光変換素子か星光−を用いて被
写体の光学像と対応する光学像情報を読出す手段と、前
記の光−光変換素子から読出された光学情報を、少なく
とも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成され
ている光−電荷変換素子に入射させる手段とを備えた撮
像装置 2.2つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材&、
1変調材層部材とを備えて構成された光−光変換素子に
対して、撮像レンズによって被写体の光学像を結像させ
る手段と、前記した光−光変換素子か方、光−を用いて
被写体の光学像と対応する光学像情報を読出す手段と、
少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構
成されている光−電荷変換素子と、前記の光−電荷変換
素子1して前記の光−光変換素子から読出された光学情
報とともに。 フォログラム形成用の参照光

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、2つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と誘
    電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成された光−
    光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光学
    像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子から単
    波長光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を
    読出す手段と、前記の光−光変換素子から読出された光
    学情報を、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材と
    を備えて構成されている光−電荷変換素子に入射させる
    手段とを備えた撮像装置 2、2つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と誘
    電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成された光−
    光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光学
    像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子から単
    波長光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を
    読出す手段と、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部
    材とを備えて構成されている光−電荷変換素子と、前記
    の光−電荷変換素子して前記の光−光変換素子から読出
    された光学情報とともに、フォログラム形成用の参照光
    をも入射させる手段とを備えた撮像装置
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