JPH02250256A - イオン注入装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、多重極偏向電極部で偏向されたイオンビー
ムを基板上に走査させ、その基板にイオンを注入するイ
オン注入装置に関するものである。

（従来の技術） 従来のイオン注入装置は、第５図に示されるように、８
本の電極１ａを所定の間隔で配設した第１の８電極偏向
電極部ｌの後方に、同じく８本の電極２ａを所定の間隔
で配設した第２の８電極偏向電極部２を配設し、そして
、その第２の８電極偏向電極部２の後方に基板３を配設
して、第１の８電極偏向電極部ｌでＸ方向（水平方向）
及びＸ方向（垂直方向）に偏向されたイオンビーム４を
第２の８電極偏向電極部２で更にＸ方向（水平方向）及
びＸ方向（垂直方向）に偏向して、第１の８電極偏向電
極部１に入るイオンビーム４の走行方向と、第２の８電
極偏向電極部２より出るイオンビーム４の走行方向とが
平行になるようにしていた。

上記のような第１の８電極偏向電極部１おいて、電極１
ａの支持の仕方は第６図に示されるように、電極１ａは
導電性材料よりなる筒状真空容器５に取付けられた絶縁
支持棒６によって支持されている。筒状真空容器５には
絶縁体７が取付けられ、その絶縁体７には電極導入端子
８が固定され、そして、その電極導入端子８の一喘と電
極１ａとはリード線９を介して電気的に接続されている
。

なお、第２の８電極偏向電極部２の構造は、第１の８電
極偏向電極部ｌの構造と同様につき、その説明を省略す
る。

（発明が解決しようとする課題） 従来のイオン注入装置において、第１の８電極偏向電極
部ｌや第２の８電極偏向電極部２でイオンビームを偏向
する際、イオンビームや、残留気体とイオンビームとの
衝突によって発生する中性ビームなどが、導電性材料よ
りなる筒状真空容器５や電極１ａと衝突して、これらを
スパッタリングするため、導電性材料よりなるスパッタ
粒子が絶縁体７や絶縁支持棒６に付着し、そこに導電性
金属材料よりなる薄膜が形成され、絶縁性能が低下して
、絶縁破壊が起こる等の問題があった。

この発明は、従来の問題を解決して、絶縁物の絶縁性能
を低下せず、絶縁破壊を起こさないイオン注入装置を提
供することを目的としている。

（課題を達成するための手段） 上記目的を達成するため、この発明は、筒状真空容器内
に複数の電極を所定の間隔で配設した多重極偏向電極部
で偏向したイオンビームを基板上に走査させ、基板にイ
オンを注入するイオン注入装置において、上記筒状真空
容器の外周壁に所定の長さの電極取付用ポート部を上記
筒状真空容器の外側に延びるように溶着し、該電極取付
用ポート部に絶縁体を固定し、該絶縁体に電極支持棒を
上記筒状真空容器内に延びるように取付け、該電極支持
棒の先端に上記電極を固定し、上記絶縁体の上記筒状真
空容器側の近傍に遮蔽板を配設したことを特徴とするも
のである。

（作用） この発明においては、多重極偏向電極部でイオンビーム
を偏向する際、イオンビームや中性ビームなどが、導電
性材料よりなる筒状真空容器、電極あるいは電極支持棒
に衝突して導電性材料よりなるスパッタ粒子を発生した
としても、筒状真空容器の外周壁の外側に延びるように
溶着された電極取付用ポート部に絶縁体を固定し、筒状
真空容器内に延びるように絶縁体に取付けられた電極支
持棒の先端に電極を固定しているため、絶縁体と電極と
の距離が遠くなり、しかも、電極支持棒を取付けている
絶縁体の筒状真空容器側の近傍に遮蔽板を配設している
ので、絶縁体に導電性材料よりなるスパッタ粒子が付着
しなくなる。

（実施例） 以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。

第１の８電極偏向電極部ｌ、第２の８電極偏向電極２ａ
及び基板３の配置は、従来の装置を示す第５図と同様に
つきその説明を省略する。

第１図、第２図及び第３図はこの発明の第１実施例を示
しており、これらの図において、第１の８電極偏向電極
部ｌの導電性材料よりなる筒状真空容器５の外周壁に所
定の長さの電極取付用ポート部１０が筒状真空容器５の
外側に延びるように溶着され、その電極取付ポート部１
０のフランジ１０ａにボルト１１によって絶縁体７が固
定されている。絶縁体７には固定台１２を介して電極支
持棒１３が調整ナツト１７で位置調整自在に取付けられ
、電極支持棒１３が筒状真空容器５内に延びている。電
極支持棒１３の先端には電極１ａがネジ１６によって固
定され、８本の電極１ａが筒状真空容器５内で等間隔に
配設されている。そして、絶縁体７の筒状真空容器５側
の近傍、即ち電極取付ポート部１０のフランジには、遮
蔽板１５が配設されている。なお、１４はビス、１８は
袋ナツト、１９はカバーである。

したがって、この第１の８電極偏向電極部１でイオンビ
ームを偏向する際、イオンビームや、残留気体とイオン
ビームとの衝突によって発生する中性ビームなどが、導
電性材料よりなる筒状真空容器５、電極１ａあるいは電
極支持棒１３に衝突して導電性材料よりなるスパッタ粒
子を発生したとしても、筒状真空容器５の外周壁の外側
に延びるように溶着された電極取付用ポート部１０に絶
縁体７を固定し、筒状真空容器５内に延びるように絶縁
体７に取付けられた電極支持棒１３の先端に電極１ａを
固定しているため、絶縁体７と電極支持棒１３との距離
が遠くなり、しかも、電極支持棒１３を取付けている絶
縁体７の筒状真空容器５側の近傍に遮蔽板１５を配設し
ているので、絶縁体７に導電性材料よりなるスパッタ粒
子が付着しなくなる。

次に、第４図は第２実施例を示している。この第２実施
例は、絶縁体７の筒状真空容器５側の近傍、即ち絶縁体
７自体に遮蔽板１５を取付け、その他の部分は第１実施
例とほぼ同様の構造になっている。

なお、上記第１及び第２実施例は第１の８１極偏向電極
部１について説明しているが、第２の８電極偏向電極部
もこれらと同様である。また、第１及び第２実施例では
、８本の電極１ａが使用さているが、電極１ａの数はい
かなる数であってもよい。

（発明の効果） この発明によれば、多重極偏向電極部でイオンビームを
偏向する際、イオンビームや中性ビームなどが、導電性
材料よりなる筒状真空容器、電極あるいは電極支持棒に
衝突して導電性材料よりなるスパッタ粒子を発生したと
しても、筒状真空容器の外周壁の外側に延びるように溶
着された電極取付用ポート部に絶縁体を固定し、筒状真
空容器内に延びるように絶縁体に取付けられた電極支持
棒の先端に電極を固定しているため、絶縁体と電極との
距離が遠くなり、しかも、電極支持棒を取付けている絶
縁体の筒状真空容器側の近傍に遮蔽板を配設しているの
で、絶縁体に導電性材料よりなるスパッタ粒子が付着し
なくなる。そのため、絶縁体は絶縁性能が低下せず、絶
縁破壊も起きな（なる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１実施例の縦断面図、第２図はこ
の発明の第１実施例の横断面図、第３図はこの発明の第
１実施例におけ、る１本の電極の支持の仕方を示す詳細
断面図、第４図はこの発明の第２実施例における１本の
電極の取付は状態を示す詳細断面図である。第５図は従
来のイオン注入装置を示す斜視図、第６図は従来のイオ
ン注入装置において電極の支持の仕方を示す縦断面図で
ある。 図中、 １・・・・ ａ１１ ２・拳−・ ３・・・拳 ４・・・・ ５拳・・− ７・ｅｌ １Ｏ・・・・ １３・・・・ １５・・・・ 第１の８電極偏向電極部 電極 第２の８電極偏向電極部 基板 イオンビーム 筒状真空容器 絶縁体 電極取付用ポート部 電極支持棒 遮蔽板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、筒状真空容器内に複数の電極を所定の間隔で配設し
   た多重極偏向電極部で偏向したイオンビームを基板上に
   走査させ、基板にイオンを注入するイオン注入装置にお
   いて、上記筒状真空容器の外周壁に所定の長さの電極取
   付用ポート部を上記筒状真空容器の外側に延びるように
   溶着し、該電極取付用筒状部に絶縁体を固定し、該絶縁
   体に電極支持棒を上記筒状真空容器内に延びるように取
   付け、該電極支持棒の先端に上記電極を固定し、上記絶
   縁体の上記真空容器側の近傍に遮蔽板を配設したことを
   特徴とするイオン注入装置。