JPH02250291A - 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置 - Google Patents
多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置Info
- Publication number
- JPH02250291A JPH02250291A JP1072422A JP7242289A JPH02250291A JP H02250291 A JPH02250291 A JP H02250291A JP 1072422 A JP1072422 A JP 1072422A JP 7242289 A JP7242289 A JP 7242289A JP H02250291 A JPH02250291 A JP H02250291A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- phosphor layer
- thin film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
- H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＯＡ機器の情報端末に用いられる薄型平板デ
イスプレィへの利用等に適している薄膜エレクトロルミ
ネセンス装置に関する。
イスプレィへの利用等に適している薄膜エレクトロルミ
ネセンス装置に関する。
従来の技術
従来、薄膜エレクトロルミネセンス（以下薄膜ＥＬと略
す）装置を用いたデイスプレィとして以下に示すような
構成が提案されている。第１３図は、発光体層５の両側
に誘電体層４．６を設け、さらにそれを透明電極２と背
面電極７で挟み込んだ構造をしている。発光体層５とし
て緑色発光する ＺｎＳ： Ｔｂ、 Ｆ’ｌ 黄橙
色発光するＺｎＳ： Ｍｎを用いた薄膜ＥＬデイスプレ
ィがある。いづれも、発光の取出は、透明電極が設けら
れた側のガラスの面より行なっており、発光中心より放
出される光強度の約１０％以下しか取り出せていない。
す）装置を用いたデイスプレィとして以下に示すような
構成が提案されている。第１３図は、発光体層５の両側
に誘電体層４．６を設け、さらにそれを透明電極２と背
面電極７で挟み込んだ構造をしている。発光体層５とし
て緑色発光する ＺｎＳ： Ｔｂ、 Ｆ’ｌ 黄橙
色発光するＺｎＳ： Ｍｎを用いた薄膜ＥＬデイスプレ
ィがある。いづれも、発光の取出は、透明電極が設けら
れた側のガラスの面より行なっており、発光中心より放
出される光強度の約１０％以下しか取り出せていない。
これは、フレネルの法則に従っており、蛍光体層内の発
光中心より放出される光が発光体層５と誘電体層４，６
あるいは透明電極層２の界面で反射してしまう量が９０
％以上あることを表している。言い換えれば、発光波長
に対する全反射角が約２５度と大変狭いためである。
光中心より放出される光が発光体層５と誘電体層４，６
あるいは透明電極層２の界面で反射してしまう量が９０
％以上あることを表している。言い換えれば、発光波長
に対する全反射角が約２５度と大変狭いためである。
一方、幅広い発光波長を持つ光源の波長選択を行なうた
めにファプリー・ベロー型干渉計を用いることが知られ
ている。このファプリー・ベロー型干渉計は、第１４図
（ａ）、 （ｂ）に示すように２枚の反射鏡８を平行
に配置し、この面間隔をＬとし、反射鏡内の波数をｑと
するときの光の干渉条件である Ｌ ＠ｑ＝に・π （πは円周率） という条件を満足する光だけがこの干渉計を透過する。
めにファプリー・ベロー型干渉計を用いることが知られ
ている。このファプリー・ベロー型干渉計は、第１４図
（ａ）、 （ｂ）に示すように２枚の反射鏡８を平行
に配置し、この面間隔をＬとし、反射鏡内の波数をｑと
するときの光の干渉条件である Ｌ ＠ｑ＝に・π （πは円周率） という条件を満足する光だけがこの干渉計を透過する。
但し、Ｋは、正の整数である。実際には反射鏡の反射率
Ｒが大きくなると第１５図（ａ）。
Ｒが大きくなると第１５図（ａ）。
（ｂ）のように光のスペクトルの半値幅は、狭くなるこ
とがわかっている。これに関しては霜田光−著レーザー
物理入門（１９８３年４月２２日、岩波書店発行）の５
１頁から５６頁に記載されている。
とがわかっている。これに関しては霜田光−著レーザー
物理入門（１９８３年４月２２日、岩波書店発行）の５
１頁から５６頁に記載されている。
またさらに、この干渉計の中にレーザー媒体を挿入する
とレーザー共振器となることも知られている。
とレーザー共振器となることも知られている。
一方、繰り返し多層膜ではさまれた薄膜の干渉（いわゆ
る、多層膜光干渉フィルタ）は、第１６図に示した構造
をしているが、この様な構造を持ちしかも高い反射層を
両面にもつ薄膜の干渉特性は、第１７図に示したように
前述のファプリー・ベロー干渉計と同様の効果が得られ
ることが明らかにされている。これは、屈折率の異なる
光学薄膜を発光波長λに対し反射防止の条件；（ｎ会ｄ
＝ （１／４＋ｍ／２）＊λ；ｎは屈折率、 ｄは膜厚
、ｍ＝ｏ＋ Ｌ ２・・・）を満たす膜厚で積層し
、形成される。このことに関しては例えば、藤原史朗編
光学薄膜（１９８５年２月２５日、共立出版株式会社発
行）の３０頁から３４頁や９８頁から１２９頁に記載さ
れている。
る、多層膜光干渉フィルタ）は、第１６図に示した構造
をしているが、この様な構造を持ちしかも高い反射層を
両面にもつ薄膜の干渉特性は、第１７図に示したように
前述のファプリー・ベロー干渉計と同様の効果が得られ
ることが明らかにされている。これは、屈折率の異なる
光学薄膜を発光波長λに対し反射防止の条件；（ｎ会ｄ
＝ （１／４＋ｍ／２）＊λ；ｎは屈折率、 ｄは膜厚
、ｍ＝ｏ＋ Ｌ ２・・・）を満たす膜厚で積層し
、形成される。このことに関しては例えば、藤原史朗編
光学薄膜（１９８５年２月２５日、共立出版株式会社発
行）の３０頁から３４頁や９８頁から１２９頁に記載さ
れている。
発明が解決しようとする課題
第１３図に示した薄膜ＥＬ装置では、製法が容易である
利点を有し、輝度−電圧特性が急に立ち上がる性質を利
用してマｌ−ＩＪフックスの電極構造を持つ薄膜ＥＬデ
イスプレィが実用化されている。
利点を有し、輝度−電圧特性が急に立ち上がる性質を利
用してマｌ−ＩＪフックスの電極構造を持つ薄膜ＥＬデ
イスプレィが実用化されている。
一方、この薄膜ＥＬ装置の発光色は、蛍光体層にＺｎＳ
：Ｍｎを用いた黄橙色とＺｎＳ： Ｔｂを用いた緑色し
か実用化されていない。３原色を持つ薄膜ＥＬ表示装置
を製造しようとするには、赤色と青色の発光色を持ち発
光効率の高い蛍光体層用材料が各々必要であるが実用化
できるまでには至っていないのが現状である。発光効率
の向上が非常に大きな課題である。
：Ｍｎを用いた黄橙色とＺｎＳ： Ｔｂを用いた緑色し
か実用化されていない。３原色を持つ薄膜ＥＬ表示装置
を製造しようとするには、赤色と青色の発光色を持ち発
光効率の高い蛍光体層用材料が各々必要であるが実用化
できるまでには至っていないのが現状である。発光効率
の向上が非常に大きな課題である。
本発明は、このような従来技術の課題を解決することを
目的とする。
目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、少なくとも一方が光透過性を有する一対の電
極層により、蛍光体層あるいは蛍光体層と誘電体層の積
層構造体に電圧が印加されるように構成されるとともに
、前記蛍光体層あるいは前記蛍光体層と誘電体層の積層
構造体内における、光の取出側に、蛍光体層より放射さ
れる発光波長の任意の波長を選択的に透過する多層膜の
干渉フィルタを含む構成にする。あるいは１本発明は、
少なくとも一方が光透過性を有する一対の電極層により
、蛍光体層あるいは蛍光体層と誘電体層の積層構造体に
電圧が印加されるように構成されるとともに、前記蛍光
体１層あるいは前記蛍光体層と誘電体層の積層構造体自
体を発光波長の任意の波長を選択的に透過する多層膜光
干渉フィルタを構成する。さらに、異なる波長に対して
光が透過する多層膜光干渉フィルタをＥＬ装置の両側の
透明電極に設けて異なる発光色を取り出す構成にする。
極層により、蛍光体層あるいは蛍光体層と誘電体層の積
層構造体に電圧が印加されるように構成されるとともに
、前記蛍光体層あるいは前記蛍光体層と誘電体層の積層
構造体内における、光の取出側に、蛍光体層より放射さ
れる発光波長の任意の波長を選択的に透過する多層膜の
干渉フィルタを含む構成にする。あるいは１本発明は、
少なくとも一方が光透過性を有する一対の電極層により
、蛍光体層あるいは蛍光体層と誘電体層の積層構造体に
電圧が印加されるように構成されるとともに、前記蛍光
体１層あるいは前記蛍光体層と誘電体層の積層構造体自
体を発光波長の任意の波長を選択的に透過する多層膜光
干渉フィルタを構成する。さらに、異なる波長に対して
光が透過する多層膜光干渉フィルタをＥＬ装置の両側の
透明電極に設けて異なる発光色を取り出す構成にする。
作用
本発明は、薄膜ＥＬ装置内にファプリー・ペロー光干渉
計と同様の作用をする手段を設けたことになり、蛍光体
層より自然放出される光がこの干渉計により任意の発光
波長に対して、方向が揃えられて取り出せる。従って、
蛍光体層内の発光中心から放出される所望の発光波長の
光を効率良く表示面から取り出せるので、発光効率が１
０倍以上の赤拳青・緑の３原色が得られる。また、反射
鏡として多層膜干渉フィルタを用いることにより、金属
薄膜を用いた場合に比べて光の減衰が少なく取出効率が
向上する。また、異なる発光波長をそれぞれの面より取
り出せる。
計と同様の作用をする手段を設けたことになり、蛍光体
層より自然放出される光がこの干渉計により任意の発光
波長に対して、方向が揃えられて取り出せる。従って、
蛍光体層内の発光中心から放出される所望の発光波長の
光を効率良く表示面から取り出せるので、発光効率が１
０倍以上の赤拳青・緑の３原色が得られる。また、反射
鏡として多層膜干渉フィルタを用いることにより、金属
薄膜を用いた場合に比べて光の減衰が少なく取出効率が
向上する。また、異なる発光波長をそれぞれの面より取
り出せる。
実施例
以下に、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
実施例１
第１図は、本発明の薄膜エレクトロルミネセンス装置に
がかる一実施例の基本構成を示す断面図である。
がかる一実施例の基本構成を示す断面図である。
この薄膜エレクトロルミネセンス装置は次のようにして
製造される。即ち、ガラス基板１の上にＩＴＯ透明電極
２を成膜し、その上に所望の発光波長を透過する多層膜
光干渉フィルタ層３を成膜し、さらに誘電率εい膜厚ｄ
１の第１誘電体層４を成膜する。次に、この上に膜厚ｄ
３の蛍光体層５を成膜し、誘電率ε２、膜厚ｄ２の第２
誘電体層６を順に積層し、その上に反射鏡層と電極層を
兼ねた背面電極７を形成する。ここで第１誘電体層４と
蛍光体層５と第２誘電体層６の積層体の蛍光体層５の発
光波長に対する屈折率ｎは、エリプソメータによって測
定した。
製造される。即ち、ガラス基板１の上にＩＴＯ透明電極
２を成膜し、その上に所望の発光波長を透過する多層膜
光干渉フィルタ層３を成膜し、さらに誘電率εい膜厚ｄ
１の第１誘電体層４を成膜する。次に、この上に膜厚ｄ
３の蛍光体層５を成膜し、誘電率ε２、膜厚ｄ２の第２
誘電体層６を順に積層し、その上に反射鏡層と電極層を
兼ねた背面電極７を形成する。ここで第１誘電体層４と
蛍光体層５と第２誘電体層６の積層体の蛍光体層５の発
光波長に対する屈折率ｎは、エリプソメータによって測
定した。
この積層体の総膜厚ｄは、
ｄ ” ｄ ＋ ＋ ｄ １！＋ ｄ ｓ
・ 拳 ・ ・ （１）で表されるが、このときに
蛍光体層５の発光波長λと屈折率ｎと総膜厚ｄとの間に
次に示すような関係が成立するようにそれぞれ決定する
。
・ 拳 ・ ・ （１）で表されるが、このときに
蛍光体層５の発光波長λと屈折率ｎと総膜厚ｄとの間に
次に示すような関係が成立するようにそれぞれ決定する
。
ｄ＝に・ｎ・λ／２ ・・・拳（２）
ここでＫは、１以上の正の整数である。
この第１図に示した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装置の
電圧−輝度特拌は、第２図のようになり、蛍光体層から
の輝度を発光面より効率的に取り出せることができるこ
とが確かめられた。
電圧−輝度特拌は、第２図のようになり、蛍光体層から
の輝度を発光面より効率的に取り出せることができるこ
とが確かめられた。
さらに蛍光体層５に用いる蛍光体材料としては主な発光
波長が５８０ｎｍで黄橙色に発光するｚｎｓ： Ｍｎの
ほかに、主な発光波長が５４４ｎｍで緑色発光するＺｎ
Ｓ： Ｔｂ、ＦあるいはＺｎＳ：Ｔｂ、 Ｐｌ 主
な発光波長が８５０ｎｍ近傍で赤色発光するＣａＳ：
Ｅｕｔ あるいはＺｎＳ： Ｓｍ１４８０ｎｍ近傍で
青色発光するＳｒＳ：Ｃｅ、 あるいはＺｎＳ： Ｔ
ｍを用いた。また、各第１．２誘電体層４．６とし、で
は、酸化イツトリウム膜、酸化タンタル膜、酸化アルミ
ニウム膜、酸化けい素膜、窒化けい素膜や、チタン酸ス
トロンチウム膜で代表されるペロブスカイト形酸化物誘
電体膜を用いた。
波長が５８０ｎｍで黄橙色に発光するｚｎｓ： Ｍｎの
ほかに、主な発光波長が５４４ｎｍで緑色発光するＺｎ
Ｓ： Ｔｂ、ＦあるいはＺｎＳ：Ｔｂ、 Ｐｌ 主
な発光波長が８５０ｎｍ近傍で赤色発光するＣａＳ：
Ｅｕｔ あるいはＺｎＳ： Ｓｍ１４８０ｎｍ近傍で
青色発光するＳｒＳ：Ｃｅ、 あるいはＺｎＳ： Ｔ
ｍを用いた。また、各第１．２誘電体層４．６とし、で
は、酸化イツトリウム膜、酸化タンタル膜、酸化アルミ
ニウム膜、酸化けい素膜、窒化けい素膜や、チタン酸ス
トロンチウム膜で代表されるペロブスカイト形酸化物誘
電体膜を用いた。
第１表に本発明に用いた誘電体膜の特性を示した。
（以下余白）
第１表
本は、アモルファスのチタン酸バリウム。
また、実施した本発明の誘電体層４，６と蛍光体層５の
組合せと、積層構造体の総膜厚ｄの決定は、第２表に示
すような発光波長λと、エリプソメータにより決定され
た誘電体層と蛍光体層の積層構造体における発光波長に
対するμ折率ｎの値から、第２式に従って行われた。
組合せと、積層構造体の総膜厚ｄの決定は、第２表に示
すような発光波長λと、エリプソメータにより決定され
た誘電体層と蛍光体層の積層構造体における発光波長に
対するμ折率ｎの値から、第２式に従って行われた。
第２表 Ｋ＝１の場合の総膜厚ｄの値
第２表（続き）
（単位ｎｍ）
（以下余白）
本発明により所望の発光波長をもつ高発光効率の薄膜Ｅ
Ｌ装置が製造できることをに認した。
Ｌ装置が製造できることをに認した。
第３図、第４図、第６図に、それぞれ蛍光体層にＺｎＳ
： Ｔｂ、Ｆｌ ＺｎＳ： Ｓｍ１ ＳｒＳ： Ｃｅを
用いて製造した薄膜ＥＬ装置の発光スペクトルを示した
。本発明によれば、多層膜光干渉フィルタと反射鏡層を
持たない従来の薄膜ＥＬ装置に較べて所望の発光波長に
対して５ないし８０倍の発光効率の増加とともに所望の
発光色選択でき緑・赤・青の３原色に発光する薄膜ＥＬ
装置が得られることが明らかになった。この時、Ｋの値
は、小さい方が、その効果が著しく、選択する発光波長
の半値幅を狭くしたほうが発光効率の増加が顕著に現わ
れた。さらに、光干渉フィルタと金属電極のふたつの反
射鏡層の反射率は発光を取り出す側の光干渉フィルタの
方を低く設定した。なお、この実施例の構成では、背面
電極側から光を取り出した方が輝度が高かった。
： Ｔｂ、Ｆｌ ＺｎＳ： Ｓｍ１ ＳｒＳ： Ｃｅを
用いて製造した薄膜ＥＬ装置の発光スペクトルを示した
。本発明によれば、多層膜光干渉フィルタと反射鏡層を
持たない従来の薄膜ＥＬ装置に較べて所望の発光波長に
対して５ないし８０倍の発光効率の増加とともに所望の
発光色選択でき緑・赤・青の３原色に発光する薄膜ＥＬ
装置が得られることが明らかになった。この時、Ｋの値
は、小さい方が、その効果が著しく、選択する発光波長
の半値幅を狭くしたほうが発光効率の増加が顕著に現わ
れた。さらに、光干渉フィルタと金属電極のふたつの反
射鏡層の反射率は発光を取り出す側の光干渉フィルタの
方を低く設定した。なお、この実施例の構成では、背面
電極側から光を取り出した方が輝度が高かった。
実施例２
本発明の他の実施例を図面に基づいて説明する。
第６図は、本発明の薄膜エレクトロルミネセンス装置の
基本構成を示す断面図である。
基本構成を示す断面図である。
ガラス基板１１の上にＩＴＯ透明電極１２を成膜し、そ
の上に、誘電率ε０、膜厚ｄ＋の第１誘電体Ｂ１３を成
膜し、さらに反射鏡を兼ねた多層膜光干渉フィルタ層１
４を成膜する。次に、この上に膜厚ｄ３の蛍光体層１５
を成膜し、誘電率ε２、膜厚ｄ２の第２誘電体層１６を
順に積層し、その上に反射鏡層と電極層を兼ねた背面電
極１７を形成する。ここで蛍光体層１５と第２誘電体層
１６の積層体の蛍光体層１５の発光波長に対する屈折率
ｎは、エリプンメータによって測定した。
の上に、誘電率ε０、膜厚ｄ＋の第１誘電体Ｂ１３を成
膜し、さらに反射鏡を兼ねた多層膜光干渉フィルタ層１
４を成膜する。次に、この上に膜厚ｄ３の蛍光体層１５
を成膜し、誘電率ε２、膜厚ｄ２の第２誘電体層１６を
順に積層し、その上に反射鏡層と電極層を兼ねた背面電
極１７を形成する。ここで蛍光体層１５と第２誘電体層
１６の積層体の蛍光体層１５の発光波長に対する屈折率
ｎは、エリプンメータによって測定した。
この積層体の総膜厚ｄは
ｄ＝ｄ２＋ｄａ ・・Φ・（３）
で表されるが、このときに蛍光体層の発光波長λと屈折
率ｎと総膜厚ｄとの間に次に示すような関係が成立する
ようにそれぞれ決定する。
率ｎと総膜厚ｄとの間に次に示すような関係が成立する
ようにそれぞれ決定する。
ｄ＝に拳ｎ・λ／２ ・・・・（４）
ここでＫは、１以上の正の整数である。
この第６図に示した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装置の
電圧−輝度特性は、第７図のようになり、蛍光体層から
の輝度を発光面より効率的に取り出せることができるこ
とが確かめられた。
電圧−輝度特性は、第７図のようになり、蛍光体層から
の輝度を発光面より効率的に取り出せることができるこ
とが確かめられた。
さらに蛍光体層に用いる蛍光体材料としては主な発光波
長が５８０ｎｎ１で黄橙色に発光するＺ ｎ Ｌ）：Ｍ
ｎのほかに、主な発光波長が５４４ｎｍで緑色発光する
ＺｎＳ： Ｔｂ、ＦあるいはＺｎＳ： Ｔｂ、Ｐ、主な
発光波長が６５０ｎｍ近傍で赤色発光す′るＣａＳ：Ｅ
ｕ１ あるいはＺｎＳ： ８１１１％ ４８０ｎｍ
近傍で青色発光するＳｒ３：Ｃｅ、 あるいはＺｎＳ
： Ｔｍを用いた。また、各第１．２誘電体層１３．１
８としては、酸化イツトリウム膜、酸化タンタル膜、酸
化アルミニウム膜、酸化けい素膜、窒化けい素膜や、チ
タン酸ストロンチウム膜で代表されるペロブスカイト形
酸化物誘電体膜を用いた。第１表に本発明に用いた誘電
体膜の特性を示した。
長が５８０ｎｎ１で黄橙色に発光するＺ ｎ Ｌ）：Ｍ
ｎのほかに、主な発光波長が５４４ｎｍで緑色発光する
ＺｎＳ： Ｔｂ、ＦあるいはＺｎＳ： Ｔｂ、Ｐ、主な
発光波長が６５０ｎｍ近傍で赤色発光す′るＣａＳ：Ｅ
ｕ１ あるいはＺｎＳ： ８１１１％ ４８０ｎｍ
近傍で青色発光するＳｒ３：Ｃｅ、 あるいはＺｎＳ
： Ｔｍを用いた。また、各第１．２誘電体層１３．１
８としては、酸化イツトリウム膜、酸化タンタル膜、酸
化アルミニウム膜、酸化けい素膜、窒化けい素膜や、チ
タン酸ストロンチウム膜で代表されるペロブスカイト形
酸化物誘電体膜を用いた。第１表に本発明に用いた誘電
体膜の特性を示した。
また、実施した本発明の誘電体層と蛍光体層の組合せと
総膜厚ｄの決定は、第２表に示すような発光波長λとエ
リプソメータにより決定された誘電体層と蛍光体層の積
層体における発光波長に対する屈折率ｎの値から、第４
式に従って行われた。
総膜厚ｄの決定は、第２表に示すような発光波長λとエ
リプソメータにより決定された誘電体層と蛍光体層の積
層体における発光波長に対する屈折率ｎの値から、第４
式に従って行われた。
本発明により所望の発光波長をもつ高発光効率の薄膜Ｅ
Ｌ装置が製造できることを確認した。第８図、第９図、
第１０図にそれぞれ蛍光体層にＺｎＳ： Ｔｂ＋ Ｆ
、ＺｎＳ： Ｓｍ１ ＳｒＳ： Ｃｅを用いて製造した
薄膜ＥＬ装置の発光スペクトルを示した。本発明によれ
ば、光干渉フィルタと反射鏡層を持たない従来の薄膜Ｅ
Ｌ装置に較べて６ないし８０倍の発光効率の増加ととも
に所望の発光色が選択でき緑・赤・青の３原色に発光す
る薄膜ＥＬ装置が得られることが明らかになった。また
、選択する発光波長の半値幅を狭くしたほうが発光効率
の増加が顕著に現われた。さらに、ふたつの光干渉多層
膜フィルタを用いた反射鏡層の反射率は発光を取り出す
側の方を低く設定した。なお、この実施例の構成では、
背面電極側から光を取り出した方が輝度が高かった。
Ｌ装置が製造できることを確認した。第８図、第９図、
第１０図にそれぞれ蛍光体層にＺｎＳ： Ｔｂ＋ Ｆ
、ＺｎＳ： Ｓｍ１ ＳｒＳ： Ｃｅを用いて製造した
薄膜ＥＬ装置の発光スペクトルを示した。本発明によれ
ば、光干渉フィルタと反射鏡層を持たない従来の薄膜Ｅ
Ｌ装置に較べて６ないし８０倍の発光効率の増加ととも
に所望の発光色が選択でき緑・赤・青の３原色に発光す
る薄膜ＥＬ装置が得られることが明らかになった。また
、選択する発光波長の半値幅を狭くしたほうが発光効率
の増加が顕著に現われた。さらに、ふたつの光干渉多層
膜フィルタを用いた反射鏡層の反射率は発光を取り出す
側の方を低く設定した。なお、この実施例の構成では、
背面電極側から光を取り出した方が輝度が高かった。
実施例３
本発明の更に他の実施例を図面に基づいて説明する。
第１１図は、本発明の薄膜エレクトロルミネセンス装置
の基本構成を示す断面図である。
の基本構成を示す断面図である。
ガラス基板３１の上に透明電極３２を成膜し、その上に
、発光波長に対する屈折率ｎ＋が１．５程度の光学薄膜
（例えば、ＭｇＦ２（ｎ＋＝１．３８）、ＳｆＯ＊（ｎ
＋＝ｉ、５２））を誘電率ε４、膜厚ｄ＋の第１誘電体
層３３として成膜する。次に、この上に、屈折率ｎ３が
２．４程度で膜厚ｄ３の蛍光体層３４を成膜し、再び第
１誘電体層と同じ誘電体薄膜を第２誘電体層３５として
順に積層し、再び屈折率ｎ３が２．４程度で膜厚ｄ３の
蛍光体層３６を成膜し、再び第１誘電体層と同じ誘電体
薄膜を第３誘電体層３７として順に積層し、さらにこの
上に、屈折率ｎｓが２．４程度で膜厚ｄ４（２倍のｄａ
）の蛍光体層３８を成膜し、再び第１誘電体層と同じ誘
電体薄膜を第４誘電体層３９として順に積層し、再び屈
折率ｎ３が２．４程度で膜厚ｄ３の蛍光体層４０を成膜
し、再び第１誘電体層と同じ誘電体薄膜を１５誘電体層
４１さらにこの上に、屈折率ｎ３が２．４程度で膜厚ｄ
３の蛍光体層４２を成模し、再び第１誘電体層と同じ誘
電体薄膜を第６誘電体層４３を順に積層し、反射鏡層と
電極層・を兼ねた背面電極４４を形成する。ここで、第
１誘電体層と蛍光体層と第２誘電体層の発光波長久−に
対する屈折率ｎ１とｎ３は、エリプソメータによって測
定した。さらに、第１、第２誘電体層の膜厚パｄ＋と蛍
光体層の膜厚ｄ３は多層膜光干渉フィルタの設計法に従
って、 ｎ＋ ＠ ｄ＋＝ ｎ３” ｄｓ＝λ。／４なる式
が満足されるように決定された。
、発光波長に対する屈折率ｎ＋が１．５程度の光学薄膜
（例えば、ＭｇＦ２（ｎ＋＝１．３８）、ＳｆＯ＊（ｎ
＋＝ｉ、５２））を誘電率ε４、膜厚ｄ＋の第１誘電体
層３３として成膜する。次に、この上に、屈折率ｎ３が
２．４程度で膜厚ｄ３の蛍光体層３４を成膜し、再び第
１誘電体層と同じ誘電体薄膜を第２誘電体層３５として
順に積層し、再び屈折率ｎ３が２．４程度で膜厚ｄ３の
蛍光体層３６を成膜し、再び第１誘電体層と同じ誘電体
薄膜を第３誘電体層３７として順に積層し、さらにこの
上に、屈折率ｎｓが２．４程度で膜厚ｄ４（２倍のｄａ
）の蛍光体層３８を成膜し、再び第１誘電体層と同じ誘
電体薄膜を第４誘電体層３９として順に積層し、再び屈
折率ｎ３が２．４程度で膜厚ｄ３の蛍光体層４０を成膜
し、再び第１誘電体層と同じ誘電体薄膜を１５誘電体層
４１さらにこの上に、屈折率ｎ３が２．４程度で膜厚ｄ
３の蛍光体層４２を成模し、再び第１誘電体層と同じ誘
電体薄膜を第６誘電体層４３を順に積層し、反射鏡層と
電極層・を兼ねた背面電極４４を形成する。ここで、第
１誘電体層と蛍光体層と第２誘電体層の発光波長久−に
対する屈折率ｎ１とｎ３は、エリプソメータによって測
定した。さらに、第１、第２誘電体層の膜厚パｄ＋と蛍
光体層の膜厚ｄ３は多層膜光干渉フィルタの設計法に従
って、 ｎ＋ ＠ ｄ＋＝ ｎ３” ｄｓ＝λ。／４なる式
が満足されるように決定された。
すなわち、エレクトロルミネセンスと光干渉多層膜フィ
ルタを兼ね備えたＥＬ素子を形成したことになる。
ルタを兼ね備えたＥＬ素子を形成したことになる。
この第１１図に示した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装置
の電圧−輝度特性は、蛍光体層から発光波長λ３の光を
発光面より効率的に取り出せることができることが確か
められた。
の電圧−輝度特性は、蛍光体層から発光波長λ３の光を
発光面より効率的に取り出せることができることが確か
められた。
さらに蛍光体層に用いる蛍光体材料と１２、ては主な発
光波長が５８０ｎｍで黄橙色に発光するＺｎＳ：Ｍｎの
ほかに、主な発光波長が５４４ｎｍで緑色発光するＺｎ
Ｓ： Ｔｂ＋ ＦあるいはＺｎＳ： Ｔｂ＋ Ｐｉ
主な発光波長がθ５０ｎｍ近傍で赤色発光するＣａＳ：
Ｅｕ、 あるいはＺｎＳ： Ｓｍ、４８０ｎｍ近傍で
青色発光するＳｒＳ：Ｃｅ１ あるいはＺｎＳ：Ｔｍ
を用いた。また、各第１．２誘電体届としては、酸化イ
ツトリウム膜、酸化タンタル膜、酸化アルミニウム膜、
酸化けい素膜、窒化けい素膜や、チタン酸ストロンチウ
ム膜で代表されるペロブスカイト形酸化物誘電体膜を用
いた。
光波長が５８０ｎｍで黄橙色に発光するＺｎＳ：Ｍｎの
ほかに、主な発光波長が５４４ｎｍで緑色発光するＺｎ
Ｓ： Ｔｂ＋ ＦあるいはＺｎＳ： Ｔｂ＋ Ｐｉ
主な発光波長がθ５０ｎｍ近傍で赤色発光するＣａＳ：
Ｅｕ、 あるいはＺｎＳ： Ｓｍ、４８０ｎｍ近傍で
青色発光するＳｒＳ：Ｃｅ１ あるいはＺｎＳ：Ｔｍ
を用いた。また、各第１．２誘電体届としては、酸化イ
ツトリウム膜、酸化タンタル膜、酸化アルミニウム膜、
酸化けい素膜、窒化けい素膜や、チタン酸ストロンチウ
ム膜で代表されるペロブスカイト形酸化物誘電体膜を用
いた。
実施例４
本発明の他の実施例を図面に基づいて説明する。
第１２図は、本発明の薄膜エレクトロルミネセンス装置
の基本構成を示す断面図である。
の基本構成を示す断面図である。
ガラス基板４５の上にＩＴＯ透明電極４６を成膜し、そ
の上に所望の発光波長λ１を中心に透過する多層膜光干
渉フィルタ層４７を成膜し、さらに誘電率ε宣、膜厚ｄ
＋の第１誘電体層４８を成膜する。次に、・ この上に
膜厚ｄ３の蛍光体層４θを成膜し、誘電率ε２、膜厚ｄ
２の第２誘電体層５０を順に積層し、その上に所望の発
光波長λ２（λ２はλ。
の上に所望の発光波長λ１を中心に透過する多層膜光干
渉フィルタ層４７を成膜し、さらに誘電率ε宣、膜厚ｄ
＋の第１誘電体層４８を成膜する。次に、・ この上に
膜厚ｄ３の蛍光体層４θを成膜し、誘電率ε２、膜厚ｄ
２の第２誘電体層５０を順に積層し、その上に所望の発
光波長λ２（λ２はλ。
と異なる）を中心に透過する多層膜光干渉フィルタ層５
１と透明電極５２を形成する。ここで第１誘電体層４８
と蛍光体層４９と第２８電体層５０の積層体の蛍光体層
の発光波長に対する屈折率ｎは、エリプソメータによっ
て測定した。
１と透明電極５２を形成する。ここで第１誘電体層４８
と蛍光体層４９と第２８電体層５０の積層体の蛍光体層
の発光波長に対する屈折率ｎは、エリプソメータによっ
て測定した。
この積層体の総膜厚ｄは、
ｄ＝ｄ＋＋ｄｓ＋ｄａ ” ” ・ ・ （
５）で表されるが、このときに蛍光体層の発光波長λと
屈折率ｎと総膜厚ｄとの間に次に示すような関係が成立
するようにそれぞれ決定する。
５）で表されるが、このときに蛍光体層の発光波長λと
屈折率ｎと総膜厚ｄとの間に次に示すような関係が成立
するようにそれぞれ決定する。
ｄ＝Ｋ 拳 ｎ＊ λ ／２ −−−−（６）
ここでＫは、１以上の正の整数である。
ここでＫは、１以上の正の整数である。
この第１２図に示した本発明の一実施例の薄膜ＥＬ装置
の電圧−輝度特性は、蛍光体層からの輝度を発光面より
効率的に取り出せることができることが確かめられた。
の電圧−輝度特性は、蛍光体層からの輝度を発光面より
効率的に取り出せることができることが確かめられた。
これは、多層膜の光干渉フィルタが反射鏡層の役割を果
たし、第１、第２誘電体層と蛍光体層の積層部がファプ
リー・ペロー干渉計を形成しているためであると考えら
れる。
たし、第１、第２誘電体層と蛍光体層の積層部がファプ
リー・ペロー干渉計を形成しているためであると考えら
れる。
さらに蛍光体層に用いる蛍光体材料としては屈折率が２
．４程度で主な発光波長が５８０ｎｍで黄橙色に発光す
るＺｎＳ：Ｍｎのほかに、白色発光するＳｒＳ： Ｃｅ
、に、ＥｕあるいはＺｎＳ：ＰｒＦｓやＳｒＳ： Ｐｒ
、Ｆを用いた。また、各第１．２誘電体層としては、酸
化イツトリウム膜、酸化タンタル膜、酸化アルミニウム
膜、酸化けい素膜、窒化けい素膜や、チタン酸ストロン
チウム膜で代表されるペロブスカイト形酸化物誘電体膜
を用いた。
．４程度で主な発光波長が５８０ｎｍで黄橙色に発光す
るＺｎＳ：Ｍｎのほかに、白色発光するＳｒＳ： Ｃｅ
、に、ＥｕあるいはＺｎＳ：ＰｒＦｓやＳｒＳ： Ｐｒ
、Ｆを用いた。また、各第１．２誘電体層としては、酸
化イツトリウム膜、酸化タンタル膜、酸化アルミニウム
膜、酸化けい素膜、窒化けい素膜や、チタン酸ストロン
チウム膜で代表されるペロブスカイト形酸化物誘電体膜
を用いた。
発明の効果
本発明によれば、ＯＡ機器用端末、テレビジョン用画像
表示装置としてのフルカラーフラットデイスプレィ等に
利用できる、高い発光効率で所望の発光波長で発光する
薄膜エレクトロルミネセンス装置を得ることが出来る。
表示装置としてのフルカラーフラットデイスプレィ等に
利用できる、高い発光効率で所望の発光波長で発光する
薄膜エレクトロルミネセンス装置を得ることが出来る。
第１図は本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセン
ス装置の基本構成を示す断面図、第２図は本発明の一実
施例の薄膜ＥＬ装置の輝度−電圧特性を示すグラフ、第
３図は本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス
装置の発光スペクトルを示すグラフ、第４図は本発明の
一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の発光スペ
クトルを示すグラフ、第５図は本発明の一実施例の薄膜
エレクトロルミネセンス装置の発光スペクトルを示すグ
ラフ、第６図は本発明の他の実施例の薄膜エレクトロル
ミネセンス装置の基本構成を示す断面図、第７図は本発
明の実施例の薄膜ＥＬ装置の輝度−電圧特性を示すグラ
フ、第８図は本発明の実施例の薄膜エレクトロルミネセ
ンス装置の発光スペクトルを示すグラフ、第９図は本発
明の実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の発光ス
ペクトルを示すグラフ、第１０図は本発明の実施例の薄
膜エレクトロルミネセンス装置の発光スペクトルを示す
グラフ、第１１図は本発明の他の実施例の薄膜エレクト
ロルミネセンス装置の基本構成を示す断面図、第１２図
は発明の他の実施例の多色発光薄膜エレクトロルミネセ
ンス装置の基本構成を示す断面図、第１３図は従来例で
ある薄膜ＥＬ素子の断面構造図、第１４図はファプリー
脅ベロー型干渉計を示す部分正面図、第１５図はファプ
リｍ−ペロー型干渉計の動作原理を示す光路図及びグラ
フ、第１６図は多層膜光干渉フィルタを示す正面図、第
１７図は多層膜光干渉フィルタの基本特性を示すグラフ
である。 工・・・・ガラス基板、２・・・・透明電極、３・・・
・多層膜光干渉フィルタ、４・・・・第１誘電体層、５
・・・蛍光体層、６・・・・第２誘電体層、７・・・・
反射鏡層を兼ねた背面電極。 第 ｌ 図 襄廿岨駅頑奴 第 図 丘■ マロ 亀 氏 ！！ｌ！に釈衆銀侭憚−訃貝） 区 爬ｔ２掘鼓粥 粥 図 ｒ＝ｐ 、ｔ＋ｃ＋ 艷 瓦 処 因 １ｇ−動習電源 浮す牟象顕璽 早賃嫁〈匍鰹（喫綱亨皺） 第１１図 ＝廿駅架＠擲 区 第１２図 入２の５艮黍ケ弛光 番 入ｆの汲曇の発光 第１３因 第１５図 （α２ （ｂ） 第１ ４図 （（ｌン 茫策ｒＩ：ｉ玲、 （ｂ）透明」体開晩 第１６図 第１７図 、奪さの炭化（Ｓ入）
ス装置の基本構成を示す断面図、第２図は本発明の一実
施例の薄膜ＥＬ装置の輝度−電圧特性を示すグラフ、第
３図は本発明の一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス
装置の発光スペクトルを示すグラフ、第４図は本発明の
一実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の発光スペ
クトルを示すグラフ、第５図は本発明の一実施例の薄膜
エレクトロルミネセンス装置の発光スペクトルを示すグ
ラフ、第６図は本発明の他の実施例の薄膜エレクトロル
ミネセンス装置の基本構成を示す断面図、第７図は本発
明の実施例の薄膜ＥＬ装置の輝度−電圧特性を示すグラ
フ、第８図は本発明の実施例の薄膜エレクトロルミネセ
ンス装置の発光スペクトルを示すグラフ、第９図は本発
明の実施例の薄膜エレクトロルミネセンス装置の発光ス
ペクトルを示すグラフ、第１０図は本発明の実施例の薄
膜エレクトロルミネセンス装置の発光スペクトルを示す
グラフ、第１１図は本発明の他の実施例の薄膜エレクト
ロルミネセンス装置の基本構成を示す断面図、第１２図
は発明の他の実施例の多色発光薄膜エレクトロルミネセ
ンス装置の基本構成を示す断面図、第１３図は従来例で
ある薄膜ＥＬ素子の断面構造図、第１４図はファプリー
脅ベロー型干渉計を示す部分正面図、第１５図はファプ
リｍ−ペロー型干渉計の動作原理を示す光路図及びグラ
フ、第１６図は多層膜光干渉フィルタを示す正面図、第
１７図は多層膜光干渉フィルタの基本特性を示すグラフ
である。 工・・・・ガラス基板、２・・・・透明電極、３・・・
・多層膜光干渉フィルタ、４・・・・第１誘電体層、５
・・・蛍光体層、６・・・・第２誘電体層、７・・・・
反射鏡層を兼ねた背面電極。 第 ｌ 図 襄廿岨駅頑奴 第 図 丘■ マロ 亀 氏 ！！ｌ！に釈衆銀侭憚−訃貝） 区 爬ｔ２掘鼓粥 粥 図 ｒ＝ｐ 、ｔ＋ｃ＋ 艷 瓦 処 因 １ｇ−動習電源 浮す牟象顕璽 早賃嫁〈匍鰹（喫綱亨皺） 第１１図 ＝廿駅架＠擲 区 第１２図 入２の５艮黍ケ弛光 番 入ｆの汲曇の発光 第１３因 第１５図 （α２ （ｂ） 第１ ４図 （（ｌン 茫策ｒＩ：ｉ玲、 （ｂ）透明」体開晩 第１６図 第１７図 、奪さの炭化（Ｓ入）
Claims (3)
- （１）少なくとも一方が光透過性を有する一対の電極
層により、蛍光体層あるいは蛍光体層と誘電体層の積層
構造体に電圧が印加されるように構成されるとともに、
前記蛍光体層あるいは前記蛍光体層と誘電体層の積層構
造体内における、光の取出側に、蛍光体層より放射され
る発光波長の任意の波長を選択的に透過する多層膜の光
干渉フィルタを備えたことを特徴とする薄膜エレクトロ
ルミネセンス装置。 - （２）少なくとも一方が光透過性を有する一対の電極層
により、蛍光体層あるいは蛍光体層と誘電体層の積層構
造体に電圧が印加されるように構成されるとともに、前
記蛍光体層あるいは前記蛍光体層と誘電体層の積層構造
体を発光波長の任意の波長を選択的に透過する多層膜光
干渉フィルタに構成にしたことを特徴とする薄膜エレク
トロルミネセンス装置。 - （３）光透過性を有する一対の電極層により、蛍光体層
あるいは蛍光体層と誘電体層の積層構造体に電圧が印加
されるように構成されるとともに、前記蛍光体層あるい
は前記蛍光体層と誘電体層の積層構造体内における、両
側の光の取出面側に、蛍光体層より放射される発光波長
より異なる任意の波長を選択的に透過する２種類の多層
膜の光干渉フィルタが設けられたことを特徴とする多色
発光薄膜エレクトロルミネセンス装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072422A JP2553696B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置 |
| US07/471,967 US4995043A (en) | 1989-03-24 | 1990-01-29 | Thin-film electroluminescence apparatus including optical interference filter |
| EP94109328A EP0615402B1 (en) | 1989-03-24 | 1990-02-01 | Thin-film electroluminescence apparatus including optical interference filter |
| EP90102012A EP0388608B1 (en) | 1989-03-24 | 1990-02-01 | Thin-film electroluminescence apparatus |
| DE69032286T DE69032286T2 (de) | 1989-03-24 | 1990-02-01 | Elektrolumineszente Dünnfilmvorrichtung mit optischem Interferenzfilter |
| DE69019051T DE69019051T2 (de) | 1989-03-24 | 1990-02-01 | Dünnfilm-Elektrolumineszenzvorrichtung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072422A JP2553696B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250291A true JPH02250291A (ja) | 1990-10-08 |
| JP2553696B2 JP2553696B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=13488836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1072422A Expired - Lifetime JP2553696B2 (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4995043A (ja) |
| EP (2) | EP0615402B1 (ja) |
| JP (1) | JP2553696B2 (ja) |
| DE (2) | DE69019051T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5100574A (en) * | 1988-11-18 | 1992-03-31 | Kao Corporation | Deinking agent |
| US5225046A (en) * | 1992-02-26 | 1993-07-06 | Shell Oil Company | Wastepaper deinking process |
| US5228953A (en) * | 1990-10-30 | 1993-07-20 | Bk Ladenburg Gmbh Gesellschaft Fur Chemische Erzeugnisse | Deinking waste paper using a polyglycol and a phosphoric ester mixture |
| KR100297943B1 (ko) * | 1998-06-17 | 2001-09-06 | 김덕중 | 간섭계를이용한액정배향막의다영역형성방법 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5369657A (en) * | 1992-09-15 | 1994-11-29 | Texas Instruments Incorporated | Silicon-based microlaser by doped thin films |
| US5384795A (en) * | 1992-09-15 | 1995-01-24 | Texas Instruments Incorporated | Light emission from rare-earth element-doped CaF2 thin films by electroluminescence |
| JPH06203959A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-07-22 | Texas Instr Inc <Ti> | エレクトロルミネセンスによりＮｄでドープされたＣａＦ２薄膜から発光せしめる装置および方法 |
| JP2797883B2 (ja) * | 1993-03-18 | 1998-09-17 | 株式会社日立製作所 | 多色発光素子とその基板 |
| US5804919A (en) * | 1994-07-20 | 1998-09-08 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Resonant microcavity display |
| US5469018A (en) * | 1993-07-20 | 1995-11-21 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Resonant microcavity display |
| US6614161B1 (en) | 1993-07-20 | 2003-09-02 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Resonant microcavity display |
| US6404127B2 (en) | 1993-07-20 | 2002-06-11 | University Of Georgia Research Foundation, Inc. | Multi-color microcavity resonant display |
| US5478658A (en) * | 1994-05-20 | 1995-12-26 | At&T Corp. | Article comprising a microcavity light source |
| EP0814642A1 (en) * | 1996-06-22 | 1997-12-29 | Ultra Silicon Technology (UK) Limited | Improvements in efficiency of electroluminescent devices |
| GB2320105B (en) * | 1996-12-04 | 2000-07-26 | Cambridge Display Tech Ltd | Tuneable microcavities |
| US5847909A (en) * | 1997-04-17 | 1998-12-08 | France/Scott Fetzer Company | Safety-enhanced transformer circuit |
| TW345742B (en) * | 1997-11-27 | 1998-11-21 | United Microelectronics Corp | Method for producing integrated circuit capacitor |
| US5914843A (en) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | France/Scott Fetzer Company | Neon power supply with improved ground fault protection circuit |
| US6040778A (en) | 1998-04-20 | 2000-03-21 | France/Scott Fetzer Company | Neon power supply with midpoint ground detection and diagnostic functions |
| JP4252665B2 (ja) * | 1999-04-08 | 2009-04-08 | アイファイヤー アイピー コーポレイション | Ｅｌ素子 |
| CA2277654A1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-01-19 | Luxell Technologies Inc. | Electroluminescent display packaging and method therefor |
| US6572784B1 (en) | 2000-11-17 | 2003-06-03 | Flex Products, Inc. | Luminescent pigments and foils with color-shifting properties |
| US6565770B1 (en) | 2000-11-17 | 2003-05-20 | Flex Products, Inc. | Color-shifting pigments and foils with luminescent coatings |
| CZ20021789A3 (cs) * | 2001-05-25 | 2003-01-15 | Michel Tramontana | Elektroluminiscenční systém a zařízení k jeho výrobě |
| CA2419121A1 (en) * | 2002-05-03 | 2003-11-03 | Luxell Technologies, Inc. | Dark layer for an electroluminescent device |
| KR100477746B1 (ko) * | 2002-06-22 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자 |
| JP3717879B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2005-11-16 | 三洋電機株式会社 | 発光素子 |
| EP1589785B1 (en) | 2003-01-24 | 2014-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing same and electric apparatus using such light-emitting device |
| US7612498B2 (en) * | 2003-11-27 | 2009-11-03 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Display element, optical device, and optical device manufacturing method |
| JP2006270021A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 積層型光電変換素子 |
| US7846391B2 (en) * | 2006-05-22 | 2010-12-07 | Lumencor, Inc. | Bioanalytical instrumentation using a light source subsystem |
| US7709811B2 (en) * | 2007-07-03 | 2010-05-04 | Conner Arlie R | Light emitting diode illumination system |
| US8098375B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-01-17 | Lumencor, Inc. | Light emitting diode illumination system |
| FR2937798B1 (fr) * | 2008-10-24 | 2010-12-24 | Saint Gobain | Substrat verrier avec electrode notamment destine a un dispositif a diode electroluminescente organique |
| US8242462B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-08-14 | Lumencor, Inc. | Lighting design of high quality biomedical devices |
| KR100993094B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2010-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
| US8466436B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-06-18 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
| US8389957B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-03-05 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
| US9103528B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-08-11 | Lumencor, Inc | Solid state continuous white light source |
| US9217561B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-12-22 | Lumencor, Inc. | Solid state light source for photocuring |
| US12068293B2 (en) | 2019-08-29 | 2024-08-20 | 3M Innovative Properties Company | Micro LED display |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133579A (en) * | 1974-09-13 | 1976-03-22 | Sharp Kk | Hakumaku el soshi |
| JPS5164887A (en) * | 1974-12-03 | 1976-06-04 | Ngk Spark Plug Co | Ryomenhyojigatadenpahatsukoto |
| JPS5415689A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-05 | Sharp Corp | Structure of thin film el element |
| JPS5514517A (en) * | 1978-07-15 | 1980-02-01 | Sony Corp | Drop-in point setting mechanism for full automatic player |
| JPS5665600U (ja) * | 1979-10-25 | 1981-06-01 | ||
| JPS6149999U (ja) * | 1985-08-07 | 1986-04-03 | ||
| JPS625598A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-12 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3573653A (en) * | 1969-07-18 | 1971-04-06 | Us Navy | Continuously tunable thin film laser employing the electric field effect |
| US3579142A (en) * | 1969-07-18 | 1971-05-18 | Us Navy | Thin film laser |
| US3868589A (en) * | 1972-10-10 | 1975-02-25 | Univ California | Thin film devices and lasers |
| DE2260205C3 (de) * | 1972-12-08 | 1979-11-08 | Institut Poluprovodnikov Akademii Nauk Ukrainskoj Ssr, Kiew (Sowjetunion) | Elektrolumineszenz-Anordnung |
| US3854070A (en) * | 1972-12-27 | 1974-12-10 | N Vlasenko | Electroluminescent device with variable emission |
| US4002998A (en) * | 1975-10-10 | 1977-01-11 | Xerox Corporation | Externally controllable miniature lasers |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP1072422A patent/JP2553696B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-29 US US07/471,967 patent/US4995043A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-01 DE DE69019051T patent/DE69019051T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-01 EP EP94109328A patent/EP0615402B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-01 EP EP90102012A patent/EP0388608B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-01 DE DE69032286T patent/DE69032286T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133579A (en) * | 1974-09-13 | 1976-03-22 | Sharp Kk | Hakumaku el soshi |
| JPS5164887A (en) * | 1974-12-03 | 1976-06-04 | Ngk Spark Plug Co | Ryomenhyojigatadenpahatsukoto |
| JPS5415689A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-05 | Sharp Corp | Structure of thin film el element |
| JPS5514517A (en) * | 1978-07-15 | 1980-02-01 | Sony Corp | Drop-in point setting mechanism for full automatic player |
| JPS5665600U (ja) * | 1979-10-25 | 1981-06-01 | ||
| JPS625598A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-12 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS6149999U (ja) * | 1985-08-07 | 1986-04-03 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5100574A (en) * | 1988-11-18 | 1992-03-31 | Kao Corporation | Deinking agent |
| US5228953A (en) * | 1990-10-30 | 1993-07-20 | Bk Ladenburg Gmbh Gesellschaft Fur Chemische Erzeugnisse | Deinking waste paper using a polyglycol and a phosphoric ester mixture |
| US5225046A (en) * | 1992-02-26 | 1993-07-06 | Shell Oil Company | Wastepaper deinking process |
| KR100297943B1 (ko) * | 1998-06-17 | 2001-09-06 | 김덕중 | 간섭계를이용한액정배향막의다영역형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0615402B1 (en) | 1998-04-29 |
| DE69032286T2 (de) | 1998-12-03 |
| US4995043A (en) | 1991-02-19 |
| JP2553696B2 (ja) | 1996-11-13 |
| DE69019051T2 (de) | 1996-01-11 |
| EP0388608A1 (en) | 1990-09-26 |
| EP0615402A2 (en) | 1994-09-14 |
| EP0615402A3 (en) | 1994-10-19 |
| DE69032286D1 (de) | 1998-06-04 |
| DE69019051D1 (de) | 1995-06-08 |
| EP0388608B1 (en) | 1995-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02250291A (ja) | 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置 | |
| JP2797883B2 (ja) | 多色発光素子とその基板 | |
| JPH07142171A (ja) | 可変波長発光素子とその制御方法 | |
| US4945009A (en) | Electroluminescence device | |
| JPH02280187A (ja) | 多色表示装置 | |
| JP2009158140A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた表示装置並びに照明装置 | |
| JP5343389B2 (ja) | 自発光型サインボード | |
| JP2689661B2 (ja) | 光干渉フィルタを含む薄膜エレクトロルミネセンス装置 | |
| US4954747A (en) | Multi-colored thin-film electroluminescent display with filter | |
| JPH02262186A (ja) | 記録要素を備えた光伝導―電場発光型単色表示装置 | |
| JPS63148597A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH02273496A (ja) | 平面多色デイスプレイスクリーン | |
| JP2583994B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス装置 | |
| JP3533710B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子および多色発光エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH01315992A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH04359B2 (ja) | ||
| JP2000208257A (ja) | 発光素子及び画像表示装置 | |
| JPS5835587A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP3438788B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH0778689A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
| JPH0733433Y2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0314540A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JPS5928036B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2000195678A (ja) | 発光素子及び画像表示装置 | |
| JP2000188182A (ja) | 紫外発光エレクトロルミネッセンス素子及び画像表示装置 |